| 研究者番号 |
30409635
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| 所属 (現在) |
2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
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| 所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 |
2018年度 – 2022年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
2015年度 – 2016年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員
2013年度 – 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員
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| 審査区分/研究分野 |
- 研究代表者
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小区分26020:無機材料および物性関連 /
電子・電気材料工学
- 研究代表者以外
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中区分13:物性物理学およびその関連分野
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| キーワード |
- 研究代表者
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光学特性 / ドメインエンジニアリング / バンドエンジニアリング / 第二高調波 / 薄膜 / リラクサー / HfO2 / 強誘電体 / 強相関酸化物の電子相制御 / 強相関電子系
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/ 表面・界面物性 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / 強相関エレクトロニクス
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- 研究代表者以外
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VO2 / 金属絶縁体転移 / 強誘電 / 人工シナプス / 人工ニューロン / 近藤効果 / チタン酸ストロンチウム / アトラクタ / 量子臨界点 / レザバー / SrTiO3 / 電界効果トランジスタ / ニューラルネットワーク / リーク付き積分 / 超伝導 / 強誘電量子臨界点 / 強誘電体 / 強誘電金属 / ニューロモルフィック
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