小泉淳 KOIZUMI ATSUSHI

研究者番号	30418735
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教 2012年度 – 2016年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者共添加 / DLTS / 半導体物性 / 赤色発光ダイオード / 有機金属気相エピタキシャル法 / ユウロピウム / 窒化物半導体 / 希土類添加半導体研究代表者以外希土類元素 / 電気・電子材料 … もっと見る / 光物性 / 結晶成長 / エネルギー輸送機構 / オプトロニクス / 局所構造 / エネルギー伝達機構 / 発光ダイオード / 発光機能制御 / 薄膜隠す

GaNに添加されたEuイオンのナノサイズ変調ドープによる高効率赤色発光素子の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  小泉淳
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
希土類添加窒化物半導体の希土類周辺構造制御による高励起効率化研究代表者
- 研究代表者
  
  小泉淳
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
希土類添加窒化物半導体における赤色発光機構の解明／制御による高輝度発光素子の開発
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
赤色発光を示す希土類添加窒化物半導体におけるエネルギー輸送機構の解明
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学

すべて 2017 2016 2015 2014 2013 2012 その他

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials: Synthesis, Magnetic Properties and Room Temperature Spintronics2016
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi, B. Mitchell, V. Dierolf, and Y. Fujiwara
- 総ページ数
  22
- 出版者
  Woodhead Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[雑誌論文] Synthesis and Characterization of a Novel Liquid Eu Precursor EuCppm2 Allowing for the Control of the Eu Oxidation State Ratio in GaN Thin Films Grown by OMVPE2017
- 著者名/発表者名
  B. Mitchell, A. Koizumi, T. Nunokawa, Y. Kuboshima, T. Mogi, S. Higashi, K. Kikukawa, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Materials Chemistry and Physics
  
  巻: 193 ページ: 140-146
- DOI
  10.1016/j.matchemphys.2017.02.021
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-17H01264
[雑誌論文] High-power Eu-doped GaN red LED based on a multilayer structure grown at lower temperatures by organometallic vapor phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  MRS Advances
  
  巻: 2 号: 3 ページ: 159-164
- DOI
  10.1557/adv.2017.67
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-17H01264
[雑誌論文] Emission enhancement and its mechanism of Eu-doped GaN by strain engineering2017
- 著者名/発表者名
  T. Inaba, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Optical Materials Express
  
  巻: 7 号: 4 ページ: 1381-1387
- DOI
  10.1364/ome.7.001381
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-17H01264
[雑誌論文] Detection of In segregation in InGaN by using Eu as a probe2017
- 著者名/発表者名
  J. Takatsu, B. Mitchell, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Gregorkiewicz, T. Kojima, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 470 ページ: 831-834
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.12.101
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-17H01264
[雑誌論文] Surface morphology and optical properties of Eu3+ ions incorporated into N-polar GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  R. Fuji, B. Mitchell, A. Koizumi, T. Inaba, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 470 ページ: 862-865
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.01.015
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-17H01264
[雑誌論文] Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1-101} and {2-201} InGaN/GaN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  T. Kojima, S. Takano, R. Hasegawa, D. Timmerman, A. Koizumi, M. Funato, Y. Kawakami, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 109 号: 18
- DOI
  10.1063/1.4965844
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Optical and Electrical Study of Defects in GaN in situ doped with Eu3+ ion grown by OMVPE2016
- 著者名/発表者名
  J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: 45 号: 12 ページ: 6355-6362
- DOI
  10.1007/s11664-016-4983-6
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Substantial enhancement of red emission intensity by embedding Eu-doped GaN into a microcavity2016
- 著者名/発表者名
  T. Inaba, D. Lee, R. Wakamatsu, T. Kojima, B. Mitchell, A. Capretti, T. Gregorkiewicz, A.Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 6 号: 4 ページ: 045105-045105
- DOI
  10.1063/1.4946849
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15J00887, KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Dimerization of emission centers in Eu-doped GaN red light-emitting diode: cooperative charge capturing using valence states coupling2016
- 著者名/発表者名
  M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Condensed Matter
  
  巻: 29 号: 2 ページ: 025702-025702
- DOI
  10.1088/0953-8984/29/2/025702
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-26420287
[雑誌論文] Trapping of injection charges in emission centers of GaN:Eu red LED characterized with 1/f noise involved in forward current2016
- 著者名/発表者名
  M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: ５５号: 1 ページ: 015801-015801
- DOI
  10.7567/jjap.55.015801
- NAID
  210000145898
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420287, KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Utilization of native oxygen in Eu(RE)-doped GaN for enabling device compatibility in optoelectronic applications2016
- 著者名/発表者名
  B. Mitchell, D. Timmerman, J. Poplawsky, W. Zhu, D. Lee, R. Wakamatsu, J. Takatsu, M. Matsuda, W. Guo, K. Lorenz, E. Alves, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 6 号: 1
- DOI
  10.1038/srep18808
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-26820113
[雑誌論文] Study of defects in GaN in situ doped with Eu3+ ion grown by OMVPE2016
- 著者名/発表者名
  J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: 45 号: 4 ページ: 2001-2007
- DOI
  10.1007/s11664-016-4337-4
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-26820113
[雑誌論文] Enhanced photo/electroluminescence properties of GaN:Eu through optimization of the growth conditions and defect environment2016
- 著者名/発表者名
  W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Uedono, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 4 号: 5
- DOI
  10.1063/1.4950826
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Resonant energy transfer between Eu luminescent sites and their local geometry in GaN2015
- 著者名/発表者名
  D. Timmerman, R. Wakamatsu, K. Tanaka, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 15
- DOI
  10.1063/1.4933301
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-26630131
[雑誌論文] In situ Eu doping into AlxGa1-xN grown by organometallic vapor phase epitaxy to improve luminescence properties2015
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi, K. Kawabata, D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Optical Materials
  
  巻: 41 ページ: 75-79
- DOI
  10.1016/j.optmat.2014.11.005
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-26820113
[雑誌論文] Unique properties of photoluminescence excitation spectra in a Eu-doped GaN epitaxial film2015
- 著者名/発表者名
  M. Nakayama, S. Nakamura, H. Takeuchi, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 1
- DOI
  10.1063/1.4905309
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Three-dimensional spectrum mapping of bright emission centers: investigating the brightness-limiting process in Er-doped GaN red LEDs2015
- 著者名/発表者名
  M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 8 ページ: 0821061-4
- DOI
  10.1063/1.4929531
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420287, KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Enhanced excitation efficiency of Eu ions in Eu-doped GaN/AlGaN multiple quantum well structures grown by organometallic vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Arai, D. Timmerman, R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Luminescence
  
  巻: 158 ページ: 70-74
- DOI
  10.1016/j.jlumin.2014.09.036
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Nanoscale determinant to brighten up GaN:Eu red light-emitting diode: Local potential of Eu-defect complexes2015
- 著者名/発表者名
  Masashi Ishii, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 117 号: 15 ページ: 1553071-7
- DOI
  10.1063/1.4918662
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113, KAKENHI-PROJECT-26420287, KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Afterglow of Eu-related emission in Eu-doped gallium nitride grown by organometallic vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  R. Wakamatsu, D. Timmerman, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 116 号: 4
- DOI
  10.1063/1.4891232
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] The role of donor-acceptor pairs in the excitation mechanism of Eu-ions in GaN:Eu epitaxial layers2014
- 著者名/発表者名
  B. Mitchell, J. Poplawsky, D. Lee, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 115 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4879253
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-26820113
[雑誌論文] 希土類添加GaNとLED応用2014
- 著者名/発表者名
  藤原康文、小泉淳
- 雑誌名
  
  レーザー研究
  
  巻: 42 ページ: 211-215
- NAID
  130007897579
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] 希土類添加GaNとLED応用2014
- 著者名/発表者名
  藤原康文, 小泉淳
- 雑誌名
  
  レーザー研究
  
  巻: 42 ページ: 211-215
- NAID
  130007897579
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[雑誌論文] Direct transparent electrode patterning on layered GaN substrate by screen printing of indium tin oxide nanoparticle ink for Eu-doped GaN red light-emitting diode2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kashiwagi, A. Koizumi, Y. Takemura, S. Furuta, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, Y. Fujiwara, K. Murahashi, K. Ohtsuka, and M. Nakamoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 22 ページ: 223509-223509
- DOI
  10.1063/1.4903234
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Enhancement in light efficiency of a GaN:Eu red light-emitting diode by pulse-controlled injected charges2014
- 著者名/発表者名
  M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 17
- DOI
  10.1063/1.4900840
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009, KAKENHI-PROJECT-26420287, KAKENHI-PROJECT-26820113
[雑誌論文] Control of Eu luminescence centers by codoping of Mg and Si in Eu-doped GaN2013
- 著者名/発表者名
  D. Lee, R. Wakamatsu, A. Koizumi, Y. Terai, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JM01-08JM01
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jm01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Luminescence properties of Eu-doped GaN under resonant excitation and quantitative evaluation of luminescent sites2013
- 著者名/発表者名
  R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 114 号: 4
- DOI
  10.1063/1.4816088
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] 希土類添加半導体の精密制御成長と発光機能2013
- 著者名/発表者名
  小泉淳、藤原康文
- 雑誌名
  
  スマートプロセス学会誌
  
  巻: 2 ページ: 213-218
- NAID
  10031200067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Electron-beam-induced migration of hydrogen in Mg-doped GaN using Eu as a probe2013
- 著者名/発表者名
  B. Mitchell, D. Lee, D. Lee, A. Koizumi, J. Poplawsky, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 88 号: 12
- DOI
  10.1103/physrevb.88.121202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Effect of annealing on Eu-Mg-H complex optical center in Eu,Mg-codoped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  D. Lee, R. Wakamatsu, A. Koizumi, Y. Terai, J. D. Poplawsky, V. Dierolf, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 102 号: 14
- DOI
  10.1063/1.4800447
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Luminescence properties of Eu-doped GaN grown on GaN substrate2013
- 著者名/発表者名
  R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, V. Dierolf, Y. Terai, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JM03-08JM03
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jm03
- NAID
  210000142745
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[産業財産権] 窒化物半導体基板とその製造方法および半導体デバイス2016
- 発明者名
  藤原康文、朱婉新、小泉淳、他2名
- 権利者名
  藤原康文、朱婉新、小泉淳、他2名
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2016-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法2013
- 発明者名
  藤原康文、小泉淳
- 権利者名
  藤原康文、小泉淳
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-047022
- 出願年月日
  2013-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法、および窒化物半導体素子用基板とその製造方法2012
- 発明者名
  藤原康文、小泉淳、寺井慶和
- 権利者名
  藤原康文、小泉淳、寺井慶和
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-184347
- 出願年月日
  2012-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Current understanding of Eu emission centers in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor-phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi and Y. Fujiwara
- 学会等名
  9th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing
- 発表場所
  国立京都国際会館（京都府・京都市）
- 年月日
  2016-08-01
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN2016
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials; Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC’2016)
- 発表場所
  Graz, Austria
- 年月日
  2016-05-29
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Eu添加GaNにおける2価Euイオンの出現とその制御2016
- 著者名/発表者名
  布川拓未, 小泉淳, 松田将明, 朱婉新, 藤原康文
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Nunokawa, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  Workshop on Computational Nano-Materials Design and Realization for Energy-Saving and Energy-Creation Materials
- 発表場所
  大阪大学（大阪府・吹田市）
- 年月日
  2016-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Current understanding of Eu emission centers in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi and Y. Fujiwara
- 学会等名
  9th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM9)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2016-08-01
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] The Influence of Local and Extended Defect Environments on the Optical and Material Properties of GaN:Eu2016
- 著者名/発表者名
  B. B.Mitchell, W. Zhu, J. Poplawsky, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2016-11-27
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Eu添加GaNにおけるEuイオンの価数制御2016
- 著者名/発表者名
  布川拓未, 小泉淳, 松田将明, 朱婉新, 藤原康文
- 学会等名
  平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会
- 発表場所
  福井大学（福井県・福井市）
- 年月日
  2016-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Nunokawa, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  Workshop on Computational Nano-Materials Design and Realization for Energy-Saving and Energy-Creation Materials
- 発表場所
  Osaka University, Japan
- 年月日
  2016-03-25
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Enhanced Red Photo/electroluminescence from Eu-doped GaN through Optimization of Defect Environment2016
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Uedono, and A. Koizumi
- 学会等名
  4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA’16)
- 発表場所
  Pacifico-Yokohama, Yokohama, Japan
- 年月日
  2016-05-18
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Relationship between electrical and luminescence properties of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures investigated with impedance spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  W. Zhu, M. Ishii, A. Koizumi, Y. Fujiwara
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Enhanced red emission from Eu ions embedded in a GaN resonant optical microcavity2016
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, B. Mitchell, A. Capretti, T. Gregorkiewicz, and A. Koizumi
- 学会等名
  Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2016 (CC3DMR2016)
- 発表場所
  Incheon, Seoul, Korea
- 年月日
  2016-06-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN as an active layer2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices - 2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop -
- 発表場所
  芝蘭会館（京都府・京都市）
- 年月日
  2015-07-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Characterization of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures grown by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Energy migration between Eu luminescent sites in Eu-doped GaN2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Timmerman, and A. Koizumi
- 学会等名
  7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 年月日
  2015-05-17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Present understanding of Eu luminescent centers in Eu-doped GaN2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, A. Koizumi, and V. Dierolf
- 学会等名
  Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2015
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2015-06-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] OMVPE 法によるEu 添加InxGa1-xNの作製とEu発光特性評価2015
- 著者名/発表者名
  高津潤一, 山中柊平, 松田将明, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文
- 学会等名
  第76回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Separation of Eu-related trap levels in Eu-doped GaN by Laplace deep level transient spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shigemune, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
- 発表場所
  大阪大学（大阪府・吹田市）
- 年月日
  2015-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] GaN/Eu添加GaNナノ構造によるEu発光効率の著しい増大2015
- 著者名/発表者名
  朱婉新, B. Mitchell, D. Timmerman, 小泉淳, T. Gregorkiewicz, 藤原康文
- 学会等名
  平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
- 発表場所
  大阪工業大学うめきたナレッジセンター（大阪府・大阪市）
- 年月日
  2015-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Present understanding of Eu luminescent centers in Eu-doped GaN2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, A. Koizumi, and V. Dierolf
- 学会等名
  Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2015 (CC3DMR2015)
- 発表場所
  BEXCO, Busan, Korea
- 年月日
  2015-06-15
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Eu添加InxGa1-xNにおけるEu発光特性評価とその応用2015
- 著者名/発表者名
  高津潤一, 小泉淳, 山中柊平, 松田将明, 児島貴徳, 藤原康文
- 学会等名
  平成27年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス（京都府・京都市）
- 年月日
  2015-11-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN as an active layer2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop-
- 発表場所
  Shiran-Kaikan, Kyoto University, Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-07-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Electrical properties of trapping level related to the excitation of Eu luminescent center in Eu-doped GaN investigated by thermally stimulated current2015
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi, Y. Maruyama, K. Okada, T. Shigemune, T. Kojima, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  アクトシティ浜松（静岡県・浜松市）
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes with Eu-doped GaN: effects of in-plane strain on Eu emission-2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2015)
- 発表場所
  Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  2015-09-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Valence control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  SPIE Nanoscience + Engineering
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2015-08-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] プラスDLTS測定によるEu添加GaNにおけるEu関連トラップ準位の分離2015
- 著者名/発表者名
  重宗翼, 小泉淳, 藤原康文
- 学会等名
  平成27年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス（京都府・京都市）
- 年月日
  2015-11-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Luminescence properties of Eu-doped InxGa1-xN and their application to the detection of In segregation2015
- 著者名/発表者名
  J. Takatsu, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Kojima, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
- 発表場所
  大阪大学（大阪府・吹田市）
- 年月日
  2015-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Drastic enhancement of Eu emission from red light-emitting Eu-doped GaN in a microcavity2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015)
- 発表場所
  BEXCO, Busan, Korea
- 年月日
  2015-08-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Valence control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  SPIE Nanoscience + Engineering
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2015-08-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Eu,O 共添加GaN におけるDLTS 法を用いたトラップ準位の測定2015
- 著者名/発表者名
  重宗翼、小泉淳、児島貴徳、藤原康文
- 学会等名
  平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会
- 発表場所
  広島大学学士会館レセプションホール（東広島市）
- 年月日
  2015-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015
- 発表場所
  京都大学（京都府・京都市）
- 年月日
  2015-12-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015 (LumiMat’15)
- 発表場所
  Kyoto University, Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-12-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Luminescence properties of Eu-doped InxGa1-xN grown by organometallic vapor-phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  34nd Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県・守山市）
- 年月日
  2015-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Eu添加GaN赤色LEDの高輝度化に向けて2015
- 著者名/発表者名
  藤原康文、稲葉智宏，朱婉新，児島貴徳，小泉淳
- 学会等名
  日本学術振興会　ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第96回研究会
- 発表場所
  湯田温泉ホテルかめ福、山口市
- 年月日
  2015-12-11
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Eu添加GaNに及ぼすO共添加の効果2014
- 著者名/発表者名
  松田将明，李東建，高津潤一，児島貴徳，小泉淳，藤原康文
- 学会等名
  平成26年度日本材料学会第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス（吹田市）
- 年月日
  2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Eu添加GaNにおける赤色発光効率のEuイオン局所構造依存性2014
- 著者名/発表者名
  藤原康文、若松龍太、小泉淳
- 学会等名
  第353回蛍光体同学会講演会
- 発表場所
  化学会館ホール（東京都千代田区）
- 年月日
  2014-06-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] 二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送機構の解明2014
- 著者名/発表者名
  岡田浩平，若松龍太，Dolf Timmerman，児島貴徳，小泉淳，藤原康文
- 学会等名
  平成26年度日本材料学会第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス（吹田市）
- 年月日
  2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Eu添加GaNにおける赤色発光効率のEuイオン局所構造依存性2014
- 著者名/発表者名
  藤原康文、若松龍太、小泉淳
- 学会等名
  第353回蛍光体同学会講演会
- 発表場所
  化学会館ホール（東京都千代田区）
- 年月日
  2014-06-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Development of properties and functionalities by precise control of rare earth doping2013
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara and A. Koizumi
- 学会等名
  17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Local-structure dependent energy transfer from the host to Eu ions in Eu-doped GaN2013
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, V. Dierolf, and A. Koizumi
- 学会等名
  International Workshop on Luminescent Materials 2013 (LumiMat’13)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Recent progress in GaN-based red light-emitting diodes using Eu by organometallic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, D. Lee, R. Wakamatsu, and A. Koizumi
- 学会等名
  International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC’2013)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] 希土類元素を極める～希土類添加窒化物半導体から何が見えてくるか～2013
- 著者名/発表者名
  藤原康文、小泉淳
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス、大阪府吹田市
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Eu-doped GaN and its application to nitride-based red light-emitting diodes2013
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara and A. Koizumi
- 学会等名
  Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2013
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Europium-doped gallium nitride and its application to environmentally-friendly red light-emitters
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program
- 発表場所
  Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan
- 年月日
  2014-11-16 – 2014-11-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] 希土類元素の精密ドーピングによる半導体光機能性の制御
- 著者名/発表者名
  藤原康文、Dolf Timmerman、児島貴徳、小泉淳
- 学会等名
  第25回光物性研究会
- 発表場所
  神戸大学百年記念会館（神戸市）
- 年月日
  2014-12-12 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Optical and electrical properties of Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor-phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi, S. Kuwata, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  Energy Materials Nanotechnology Meeting, A31
- 発表場所
  Chengdu, China
- 年月日
  2014-09-22 – 2014-09-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Low-temperature growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2014-11-30 – 2014-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] 希土類元素を極める ―希土類添加半導体から何が見えてくるのか―
- 著者名/発表者名
  藤原康文、児島孝徳、Dolf Timmerman、小泉淳
- 学会等名
  日本金属学会2014年秋期講演大会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス（名古屋市千種区）
- 年月日
  2014-09-24 – 2014-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Optical and electrical properties of Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor-phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi, S. Kuwata, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  Energy Materials Nanotechnology Open Access Week
- 発表場所
  Chengdu, China
- 年月日
  2014-09-22 – 2014-09-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Investigation of Energy Transfer Process in Eu-Doped GaN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence
- 著者名/発表者名
  Kohei Okada, Ryuta Wakamatsu, Dolf Timmerman, Takanori Kojima, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara
- 学会等名
  7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya, Japan
- 年月日
  2015-03-26 – 2015-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Effects of impurity codoping on luminescence properties in Eu-doped GaN
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, D. Lee, A. Koizumi, B. Mitchell, and V. Dierolf
- 学会等名
  5th International Workshop on Photoluminescence Rare Earths (PRE’14): Photonic Materials and Devices, I-2
- 発表場所
  San Sebastian, Spain
- 年月日
  2014-05-14 – 2014-05-16
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Effects of impurity codoping on luminescence properties in Eu-doped GaN
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, D. Lee, A. Koizumi, B. Mitchell, and V. Dierolf
- 学会等名
  5th International Workshop on Photoluminescence Rare Earths
- 発表場所
  San Sebastian, Spain
- 年月日
  2014-05-14 – 2014-05-16
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Growth and characterization of Eu-doped GaN by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  朱婉新、Timmerman Dolf、小泉淳、藤原康文
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Europium-doped gallium nitride and its application to environmentally-friendly red light-emitters
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program, IL7
- 発表場所
  Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan
- 年月日
  2014-11-16 – 2014-11-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Eu site-dependent energy transfer in red light emitter of Eu-doped GaN
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, B. Mitchell, A. Koizumi, and V. Dierolf
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics, T4.05
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2014-11-30 – 2014-12-05
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] 二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送効率の評価
- 著者名/発表者名
  岡田浩平、若松龍太、Dolf Timmerman、児島貴徳、小泉敦、藤原康文
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Eu,O共添加GaNにおけるトラップ準位のDLTS評価
- 著者名/発表者名
  重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Eu-doped GaN and its application to environmentally-friendly red light-emitting diodes
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  The second International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology
- 発表場所
  Hanoi, Vietnam
- 年月日
  2014-10-29 – 2014-11-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] GaN:Eu赤色LEDの発光効率改善法：パルス駆動による注入電荷共振
- 著者名/発表者名
  石井真史, 小泉淳, 藤原康文
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] 希土類元素の精密ドーピングによる半導体光機能性の制御
- 著者名/発表者名
  藤原康文、Dolf Timmerman、児島貴徳、小泉淳
- 学会等名
  第25回光物性研究会
- 発表場所
  神戸大学百年記念会館（神戸市）
- 年月日
  2014-12-12 – 2014-12-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] 希土類元素を極める ―希土類添加半導体から何が見えてくるのか―
- 著者名/発表者名
  藤原康文、児島孝徳、Dolf Timmerman、小泉淳
- 学会等名
  日本金属学会2014年秋期講演大会公募シンポジウム「S3 エレクトロニクス薄膜材料の科学と技術 Ⅱ」、S3-8
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス（名古屋市千種区）
- 年月日
  2014-09-24 – 2014-09-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Formation of efficient Eu luminescent centers in Eu-doped GaN by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program
- 発表場所
  Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan
- 年月日
  2014-11-16 – 2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Eu添加GaNにおけるZn,O共添加による新たなEu発光中心の形成
- 著者名/発表者名
  松田将明、朱婉新、児島貴徳、小泉淳、藤原康文
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Temperature dependence of photoconductivity in Eu-doped GaN
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi, K. Okada, T. Shigemune, T. Kojima, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  2nd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology
- 発表場所
  The Congres Convention Center, Osaka, Japan
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Eu-doped GaN and its application to environmentally-friendly red light-emitting diodes
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi
- 学会等名
  The second International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN2014), IN04
- 発表場所
  Hanoi, Vietnam
- 年月日
  2014-10-29 – 2014-11-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Strain-dependent energy transfer from GaN host to Eu ions in Eu-doped GaN
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, and A. Koizumi
- 学会等名
  16th International Conference on High Pressure in Semiconductor Physics, Inv-8
- 発表場所
  Mexico City, Mexico
- 年月日
  2014-08-06 – 2014-08-08
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Effects of oxygen codoping on Eu luminescence properties in Eu-doped GaN
- 著者名/発表者名
  J. Takatsu, M. Matsuda, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
- 学会等名
  1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program
- 発表場所
  Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan
- 年月日
  2014-11-16 – 2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] 希土類元素を極める　～Eu添加GaNから何が見えてきたか～
- 著者名/発表者名
  藤原康文，小泉淳，大渕博宣，本間徹生
- 学会等名
  第17回XAFS討論会、2I-01
- 発表場所
  徳島大学総合科学部（徳島市）
- 年月日
  2014-09-01 – 2014-09-03
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24226009
[学会発表] Eu site-dependent energy transfer in red light emitter of Eu-doped GaN
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, B. Mitchell, A. Koizumi, and V. Dierolf
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2014-11-30 – 2014-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113
[学会発表] Formation of a New Eu Luminescent Center by Zn,O-Codoping in Eu-Doped GaN
- 著者名/発表者名
  Masaaki Matsuda, Atsushi Koizumi, Takanori Kojima, Dolf Timmerman, Yasufumi Fujiwara
- 学会等名
  7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya, Japan
- 年月日
  2015-03-26 – 2015-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820113

1. 藤原康文 (10181421)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 56件
2. 寺井慶和 (90360049)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
3. 吉田博 (30133929)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 児島貴徳 (70725100)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 15件
5. 石井真史

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

小泉 淳 KOIZUMI ATSUSHI

研究課題

研究成果

共同研究者

GaNに添加されたEuイオンのナノサイズ変調ドープによる高効率赤色発光素子の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希土類添加窒化物半導体の希土類周辺構造制御による高励起効率化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希土類添加窒化物半導体における赤色発光機構の解明／制御による高輝度発光素子の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

赤色発光を示す希土類添加窒化物半導体におけるエネルギー輸送機構の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials: Synthesis, Magnetic Properties and Room Temperature Spintronics2016

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] Synthesis and Characterization of a Novel Liquid Eu Precursor EuCppm2 Allowing for the Control of the Eu Oxidation State Ratio in GaN Thin Films Grown by OMVPE2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High-power Eu-doped GaN red LED based on a multilayer structure grown at lower temperatures by organometallic vapor phase epitaxy2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Emission enhancement and its mechanism of Eu-doped GaN by strain engineering2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Detection of In segregation in InGaN by using Eu as a probe2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Surface morphology and optical properties of Eu3+ ions incorporated into N-polar GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1-101} and {2-201} InGaN/GaN quantum wells2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Optical and Electrical Study of Defects in GaN in situ doped with Eu3+ ion grown by OMVPE2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Substantial enhancement of red emission intensity by embedding Eu-doped GaN into a microcavity2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Dimerization of emission centers in Eu-doped GaN red light-emitting diode: cooperative charge capturing using valence states coupling2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Trapping of injection charges in emission centers of GaN:Eu red LED characterized with 1/f noise involved in forward current2016

著者名/発表者名

小泉淳 KOIZUMI ATSUSHI