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八木 修平  YAGI Shuhei

研究者番号 30421415
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-8194-0656
所属 (現在) 2025年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度 – 2024年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授
2016年度 – 2020年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授
2014年度: 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 助教
2011年度: 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 助教
2010年度 – 2011年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 助教
審査区分/研究分野
研究代表者
持続可能システム / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 結晶工学
キーワード
研究代表者
分子線エピタキシー / 中間バンド型太陽電池 / 高効率太陽電池 / 希釈窒化物半導体 / 希釈窒化物混晶半導体 / 2段階光吸収電流 / 希釈窒化物混晶 / タンデム型太陽電池 / 中間バンド太陽電池 / タンデム太陽電池 … もっと見る / 希釈窒化物 / GaPN / InGaAsN / 光物性 / 高効率太陽光発電材料・素子 / 半導体超格子 / 結晶成長 / 半導体物性 / 超格子 / ナノ材料 / 再生可能エネルギー / Ⅲ-Ⅴ族化合物 / 太陽電池 … もっと見る
研究代表者以外
エピタキシャル成長 / MBE、エピタキシャル / 応用光学・量子光工学 / 単一光子 / 光物性 / 半導体物性 / 化合物半導体 / 太陽電池 / フォトルミネッセンス / 電子顕微鏡 / 転位 / 点欠陥 / 劣化 / 光照射 / 欠陥 / 希釈窒化物半導体 / 等電子トラップ / 原子層ドーピング / 励起子分子 / 応用光学・量子光光学 / 量子もつれ光子対 / 量子光学 / 半導体 / MBE,エピタキシャル / 結晶工学 / エピタキシャル / 応用光学・量子光工学MBE 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 研究成果

    (93件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  バンドテイルを経由した2段階光吸収を利用する太陽電池の高効率化

    • 研究代表者
      矢口 裕之
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  中間バンド型太陽電池の高効率化に向けた積層セル構造の提案研究代表者

    • 研究代表者
      八木 修平
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  希釈窒化物混晶による超高効率中間バンドタンデム太陽電池の研究研究代表者

    • 研究代表者
      八木 修平
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      国際共同研究加速基金(国際共同研究強化)
    • 研究分野
      持続可能システム
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  希釈窒化物半導体による高効率マルチバンド太陽電池の研究研究代表者

    • 研究代表者
      八木 修平
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2019
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      持続可能システム
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  希釈窒化物半導体中の欠陥の挙動およびデバイスの信頼性向上に関する研究

    • 研究代表者
      上田 修
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      金沢工業大学
  •  局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

    • 研究代表者
      矢口 裕之
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

    • 研究代表者
      矢口 裕之
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学

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すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Nitrogen Concentration Dependence of Two‐Step Photocurrent Generation by Below‐Gap Excitation in GaPN Alloys2024

    • 著者名/発表者名
      Qayoom Abdul、Yagi Shuhei、Yaguchi Hiroyuki
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 261 号: 4 ページ: 2300369-2300369

    • DOI

      10.1002/pssb.202300369

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04211
  • [雑誌論文] Effects of carrier-blocking barrier height on two-step photocurrent generation in dilute nitride intermediate band solar cells2023

    • 著者名/発表者名
      Shuhei Yagi, Shun Numata, Yasushi Shoji, Yoshitaka Okada and Hiroyuki Yaguchi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: SK ページ: SK1008-SK1008

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acbf5e

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04211
  • [雑誌論文] Photocurrent enhancement by below bandgap excitation in GaPN2023

    • 著者名/発表者名
      Qayoom Abdul、Ferdous Sanjida、Yagi Shuhei、Yaguchi Hiroyuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: SK ページ: SK1038-SK1038

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acd00c

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04211
  • [雑誌論文] Spectral change of E- band emission in a GaAs:N δ-doped superlattice due to below-gap excitation and its discrimination from thermal activation2020

    • 著者名/発表者名
      Md. D. Haque, N. Kamata, A.Z.M.T. Islam, S. Yagi, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      J. Electronic Materials

      巻: 49 号: 2 ページ: 1550-1555

    • DOI

      10.1007/s11664-019-07856-6

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127, KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [雑誌論文] Detection of nonradiative recombination centers in GaPN (N:0.105%) by below-gap excitation light2020

    • 著者名/発表者名
      S. Ferdous, N. Kamata, S. Yagi, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: 257 号: 2 ページ: 1900377-1900377

    • DOI

      10.1002/pssb.201900377

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127, KAKENHI-PROJECT-19H02612
  • [雑誌論文] Photoluminescence intensity change of GaP1-xNx alloys by laser irradiation2020

    • 著者名/発表者名
      Sultan Md. Zamil、Shiroma Akinori、Yagi Shuhei、Takamiya Kengo、Yaguchi Hiroyuki
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 10 号: 9 ページ: 095302-095302

    • DOI

      10.1063/5.0020793

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612, KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [雑誌論文] Photoluminescence characterization of nonradiative recombination centers in MOVPE grown GaAs:N δ-doped superlattice structure2019

    • 著者名/発表者名
      Haque Md Dulal、Kamata Norihiko、Islam A.Z.M. Touhidul、Honda Zentaro、Yagi Shuhei、Yaguchi Hiroyuki
    • 雑誌名

      Optical Materials

      巻: 89 ページ: 521-527

    • DOI

      10.1016/j.optmat.2019.01.047

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127, KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [雑誌論文] Nonradiative recombination centers in GaAs:N δ-doped superlattice revealed by two-wavelength-excited photoluminescence2018

    • 著者名/発表者名
      Dulal Haque Md.、Kamata Norihiko、Fukuda Takeshi、Honda Zentaro、Yagi Shuhei、Yaguchi Hiroyuki、Okada Yoshitaka
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 123 号: 16 ページ: 161426-161426

    • DOI

      10.1063/1.5011311

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127, KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [雑誌論文] Self-organized growth of cubic InN dot arrays on cubic GaN using MgO (001) vicinal substrates2017

    • 著者名/発表者名
      K. Ishii, S. Yagi, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: 254 号: 2 ページ: 1600542-1600542

    • DOI

      10.1002/pssb.201600542

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [雑誌論文] Spectral change of intermediate band luminescence in GaP:N due to below-gap excitation: Discrimination from thermal activation2016

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, M. Suetsugu, D. Haque, S. Yagi, H. Yaguchi, F. Karlsson, P.O. Holtz
    • 雑誌名

      Physica Stat. Solidi. B

      巻: 254 号: 2 ページ: 1600566-1600566

    • DOI

      10.1002/pssb.201600566

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895, KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [雑誌論文] Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 54 号: 5 ページ: 051201-051201

    • DOI

      10.7567/jjap.54.051201

    • NAID

      210000145121

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004, KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [雑誌論文] Control of intermediate-band configulation in GaAs:N δ-doped superlattice2015

    • 著者名/発表者名
      K. Osada, T. Suzuki, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, Y. Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 号: 8S1 ページ: 08KA04-08KA04

    • DOI

      10.7567/jjap.54.08ka04

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057, KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of intermediate-band materials based on GaAs:N δ-doped superlattices2015

    • 著者名/発表者名
      T. Suzuki, K. Okada, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 54 号: 8S1 ページ: 08KA07-08KA07

    • DOI

      10.7567/jjap.54.08ka07

    • NAID

      210000145536

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057, KAKENHI-PROJECT-25286048
  • [雑誌論文] Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys2014

    • 著者名/発表者名
      W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 211 号: 4 ページ: 752-755

    • DOI

      10.1002/pssa.201300462

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004, KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [雑誌論文] Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N2014

    • 著者名/発表者名
      S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada, and H.
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 10 ページ: 102301-102301

    • DOI

      10.7567/apex.7.102301

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2013

    • 著者名/発表者名
      RG Jin, S Yagi, Y Hijikata, S Kuboya, K Onabe, R Katayama, H Yaguchi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 378 ページ: 85-87

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [雑誌論文] Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs2013

    • 著者名/発表者名
      Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi
    • 雑誌名

      THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012

      巻: 1566 (1) ページ: 538-539

    • DOI

      10.1063/1.4848523

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, Y.Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: Vol.706-709 ページ: 2916-2921

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012

    • 著者名/発表者名
      K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H. Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 706-709 ページ: 2916-2921

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [雑誌論文] Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in NitrogenDelta-DopedGaAs2012

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 5 号: 11 ページ: 111201-111201

    • DOI

      10.1143/apex.5.111201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-20104004, KAKENHI-PROJECT-23360135, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Temperature Dependence of Two-Step Photocurrent Generation in GaAs:N Dilute Nitride Intermediate Band Solar Cells2023

    • 著者名/発表者名
      Chinami Yokokawa, Shuhei Yagi, Yasushi Shoji, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      2023 Compound Semiconductor Week
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04211
  • [学会発表] 中間バンドをトンネル接合したタンデム太陽電池構造の提案とサブセル伝導帯間伝導電流の検証2023

    • 著者名/発表者名
      中尾 蒼矢、八木 修平、樗木 悠亮、岡田 至崇、宮下 直也、矢口 裕之
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04211
  • [学会発表] Conversion Efficiency Analysis of Tandem Solar Cells with Intermediate Band Tunnel Connection2023

    • 著者名/発表者名
      Yagi Shuhei, Yaguchi Hiroyuki
    • 学会等名
      IEEE 50th Photovoltaic Specialists Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04211
  • [学会発表] Photocurrent enhancement by below bandgap excitation in GaPN2022

    • 著者名/発表者名
      Abdul Qayoom, Sanjida Ferdous, Shuhei Yagi and Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04211
  • [学会発表] Effects of carrier-blocking barrier height on two-step photocurrent generation in dilute nitride intermediate band solar cells2022

    • 著者名/発表者名
      Shuhei Yagi, Shun Numata, Yasushi Shoji, Yoshitaka Okada and Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04211
  • [学会発表] GaPN混晶のアップコンバージョン発光へのバンドギャップエネルギーを超える励起光の影響2020

    • 著者名/発表者名
      相良 鋼、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] 中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価:窒素濃度1.4%と3.2%の比較2020

    • 著者名/発表者名
      岩井 広樹、フェルドス サンジーダ、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] Optical Detection of Nonradiative Recombination Levels via Intermediate Band in GaAs:N δ-Doped Superlattices2019

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, K. Nagata, Md. D. Haque, Z. Honda, S. Yagi, H. Yaguchi, and Y. Okada
    • 学会等名
      30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Upconversion Luminescence from GaPN Alloys with Various N Compositions2019

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, W. Takahashi, S. Yagi, N. Kamata, Y. Hazama, H. Akiyama, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] 窒素δ-ドープGaAs超格子の二波長励起フォトルミネッ センス法によるキャリア再結合準位評価2019

    • 著者名/発表者名
      永田 航太, 鎌田 憲彦, 八木 修平, 矢口 裕之
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] (111)基板上に作製した窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光2019

    • 著者名/発表者名
      高岡 祥平、高宮 健吾、八木 修平、挟間 優治、秋山 英文、矢口 裕之
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会, 札幌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] InGaAs:N δドープ超格子の電気特性評価2019

    • 著者名/発表者名
      米野 龍司、宮下 直也、岡田 至崇、八木 修平、矢口 裕之
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会, 札幌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Optical Detection of Nonradiative Recombination Levels via Intermediate Band in GaAs:N δ-Doped Superlattices2019

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, K. Nagata, Md. D. Haque, Z. Honda, S. Yagi, H. Yaguchi, and Y. Okada
    • 学会等名
      30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] Optical Characterization of Nonradiative Centers in GaAs:N δ-Doped Superlattices by Using Below-Gap Excitation Light2019

    • 著者名/発表者名
      M.D. Haque, N. Kamata, A.Z.M.T. Islam, Md. Julkarnain, S. Yagi, H. Yaguchi, and Y. Okada
    • 学会等名
      International Conference on Computer, Communication, Chemical, Materials and Electronic Engineering (IC4ME2)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] 窒素δ-ドープGaAs超格子の二波長励起フォトルミネッセンス法によるキャリア再結合準位評価2019

    • 著者名/発表者名
      永田 航太、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会, 札幌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Optical Characterization of Nonradiative Centers in GaAs:N δ-Doped Superlattices by Using Below-Gap Excitation Light2019

    • 著者名/発表者名
      M.D. Haque, N. Kamata, A.Z.M.T. Islam, Md. Julkarnain, S. Yagi, H. Yaguchi, and Y. Okada
    • 学会等名
      International Conference on Computer, Communication, Chemical, Materials and Electronic Engineering (IC4ME2), Rajshahi
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Photoluminescence Intensity Change of GaPN by Laser Irradiation2019

    • 著者名/発表者名
      S. Md. Zamil, A. Shiroma, S. Yagi, K. Takamiya, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] InGaAs:N δドープ超格子の電気特性評価2019

    • 著者名/発表者名
      米野龍司, 宮下直也, 岡田至崇, 高宮健吾, 矢口裕之, 八木修平
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] Growth of InGaAs:Nδ-doped superlattices for multi-junction solar cells2018

    • 著者名/発表者名
      Shumpei Umeda, Shuhei Yagi, Naoya Miyashita, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] 二波長励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      高橋渉、 高宮健吾、 八木修平、 狭間優治、 秋山英文、 矢口裕之、 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] 二波長励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      橋 渉、 高宮 健吾、 八木 修平、 狭間 優治、 秋山 英文、 矢口 裕之、 鎌田 憲彦
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] 第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討2018

    • 著者名/発表者名
      塚原悠太、 八木修平、 矢口裕之
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Growth of InGaAs:N δ-doped superlattices for multi-junction solar cells2018

    • 著者名/発表者名
      Shumpei Umeda, Shuhei Yagi, Naoya Miyashita, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] 第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討2018

    • 著者名/発表者名
      塚原 悠太、 八木 修平、 矢口 裕之
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] First-Principles Study of Optical Transitions in Gallium Arsenide:Nitrogen Delta-Doped Superlattices2017

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Yoshikawa, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Nanostructured Dilute Nitride Alloys for High-Efficiency Solar Cells2017

    • 著者名/発表者名
      Shuhei Yagi, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] 希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響2017

    • 著者名/発表者名
      宮島 数喜、八木 修平、庄司 靖、岡田 至崇、矢口 裕之
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] 1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製2017

    • 著者名/発表者名
      梅田 俊平, 八木 修平, 宮下 直也, 岡田 至崇, 矢口 裕之
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Properties of Dilute Nitride Pseudo-Alloys Grown using a Nitrogen Delta-Doping Technique2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yagi, Y. Okada and H. Yaguchi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2017
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • 年月日
      2017-01-28
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] GaPN混晶のアップコンバージョン発光2017

    • 著者名/発表者名
      高橋 渉、高宮 健吾、八木 修平、伊藤 隆、秋山 英文、矢口 裕之
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Influence of Nitrogen Atomic Arrangement in GaAsN Alloys on Band Gap Energy2017

    • 著者名/発表者名
      Kazuki Miyajima, Shuhei Yagi, Yasushi Shoji, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] n型GaAs:N δドープ超格子の電気的特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      加藤 諒, 八木 修平, 岡田 至崇, 矢口 裕之
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Electrical characterization of n-type GaAs:N δ-doped superlattices2017

    • 著者名/発表者名
      Ryo Kato, Shuhei Yagi, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] レーザ照射によるGaInNAs半導体の発光効率への影響2016

    • 著者名/発表者名
      米倉成一、高宮健吾、八木修平、上田 修、矢口裕之
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] Effect of Carrier Blocking Layer on Carrier Collection in Intermediate-Band Solar Cells using GaAs:N Delta-Doped Superlattice2016

    • 著者名/発表者名
      T. Suzuki, S. Yagi, Y. Okada, H. Yaguchi
    • 学会等名
      26th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26)
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2016-10-24
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2016

    • 著者名/発表者名
      M. Suetsugu, N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda, F. Karlsson, and P. -O. Holtz
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      富山国際会議場(富山県・富山市)
    • 年月日
      2016-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響2016

    • 著者名/発表者名
      米倉 成一, 高宮 健吾, 八木 修平, 上田 修, 矢口 裕之
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H05895
  • [学会発表] 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究2015

    • 著者名/発表者名
      宮崎貴史, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県・平塚市)
    • 年月日
      2015-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Nonradiative recombination pathway via the intermediate band in GaP1-xNx studied by below-gap excitation2015

    • 著者名/発表者名
      M. Suetsugu, M. Eriksson, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, N. Kamata, S. Yagi, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      28th Int. Conf. Defects in Semiconductors
    • 発表場所
      Espoo(Finland)
    • 年月日
      2015-07-31
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階吸収2015

    • 著者名/発表者名
      鈴木智也, 八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県・平塚市)
    • 年月日
      2015-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] Epitaxial relationship of GaN grown on GaAs (110) by RF-molecular beam2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ikarashi, M. Orihara, S. Yagi, S. Kuboya, R. Katayama, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      11th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Beijing(China)
    • 年月日
      2015-09-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] Optical and Structural Characterization of GaAs:N δ-Doped Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      S. Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki, K. Osada, Y. Okada, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      5th Int. Workshop Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      Hsinchu(Taiwan)
    • 年月日
      2015-09-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] Lateral alignment of InN nano-scale dots grown on 4H-SiC (0001) vicinal substrates2015

    • 著者名/発表者名
      S. Mori, S. Yagi, M. Orihara, K. Takamiya, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      11th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Beijing(China)
    • 年月日
      2015-09-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] Luminescence and Quenching Properties in GaPN Revealed by Below-Gap Excitation2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suetsugu, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Hanaoka, T. Fukuda, N. Kamata, S. Yagi, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on the Science and Technology of Lighting
    • 発表場所
      コモ(イタリア)
    • 年月日
      2014-06-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Materials Based on GaAs:N δ-Doped Superlattices2014

    • 著者名/発表者名
      T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
    • 発表場所
      国立京都国際会館(京都府・京都市)
    • 年月日
      2014-11-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-doped Superlattice2014

    • 著者名/発表者名
      K. Osada, T, Suzuki, S. Yagi, S. Naito, Y. Shoji, Y. Okada, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
    • 発表場所
      国立京都国際会館(京都府・京都市)
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
    • 学会等名
      The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      モンペリエ(フランス)
    • 年月日
      2014-05-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] 中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木智也, 長田一輝, 八木修平, 内藤俊弥, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道・札幌市)
    • 年月日
      2014-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier (France)
    • 年月日
      2014-05-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390057
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定2012

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
    • 年月日
      2012-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs2012

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, T. Fukushima. S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe. R. Katayama, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      31st International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      スイス連邦工科大学チューリッヒ校(スイス)
    • 年月日
      2012-08-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価2012

    • 著者名/発表者名
      野口駿介, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 第一原理計算によるGaAsNの電子構造に対する原子配置の影響に関する研究2012

    • 著者名/発表者名
      坂元圭, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
    • 年月日
      2012-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光2012

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2012

    • 著者名/発表者名
      新井佑也, 星野真也, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2012

    • 著者名/発表者名
      R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
    • 学会等名
      17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      奈良県新公会堂(奈良県)
    • 年月日
      2012-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長2012

    • 著者名/発表者名
      金日国, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
    • 年月日
      2012-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011

    • 著者名/発表者名
      K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
    • 学会等名
      7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
    • 発表場所
      Quebec City Convention Centre (Quebec, Canada)(招待講演)
    • 年月日
      2011-08-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      K.Takamiya, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
    • 学会等名
      3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
    • 年月日
      2011-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価2011

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H.Yaguchi
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
    • 発表場所
      Quebec City Convention Centre (Quebec,Canada)
    • 年月日
      2011-08-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
    • 学会等名
      The 3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
    • 年月日
      2011-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性2011

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形県)
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010

    • 著者名/発表者名
      新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル2010

    • 著者名/発表者名
      大久保航, 石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010

    • 著者名/発表者名
      星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010

    • 著者名/発表者名
      石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010

    • 著者名/発表者名
      新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Photoreflectance Study of the Temperature Dependence of Excitonic Transitions in Dilute GaAsN Alloys

    • 著者名/発表者名
      W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe and H. Yaguchi
    • 学会等名
      10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013
    • 発表場所
      ゲイロード・ナショナル・リゾート・アンド・コンベンション・センター(アメリカ合衆国)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N δ-doped GaAs

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      UCLAコンファレンス・センター(アメリカ合衆国)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • 1.  矢口 裕之 (50239737)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 46件
  • 2.  土方 泰斗 (70322021)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 30件
  • 3.  尾鍋 研太郎 (50204227)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 27件
  • 4.  片山 竜二 (40343115)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 24件
  • 5.  窪谷 茂幸 (70583615)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 23件
  • 6.  秋山 英文 (40251491)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 19件
  • 7.  上田 修 (50418076)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 8.  池永 訓昭 (30512371)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  高宮 健吾 (70739458)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件

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