原紳介 Hara Shinsuke

研究者番号	30434038
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所小金井フロンティア研究センター, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2025年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所小金井フロンティア研究センター, 主任研究員 2016年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所フロンティア創造総合研究室, 主任研究員 2015年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所超高周波ICT研究室, 主任研究員 2014年度: 独立行政法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所超高周波ICT研究室, 主任研究員 2010年度 – 2012年度: 東京理科大学, 基礎工学部, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器研究代表者以外学術変革領域研究区分(Ⅳ) / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者エピタキシャル成長 / 結晶成長 / ヘテロ構造 / 電子デバイス研究代表者以外バンディット問題 / 光カオス / アナログ / 光電融合 / 高速アナログ回路 / 集積回路 … もっと見る / InP / InGaAs / MOSFET / CMOSロードマップ / 歪バンド構造 / III－V族化合物半導体 / III－VMOSFET / CMOS ロードマップ / 量子輸送 / バリスティック伝導 / 量子補正モンテカルロシミュレーション / III-V族化合物半導体 / III-VMOSFET 隠す

超高速シリコンアナログ回路と超高速光回路の融合
- 研究代表者
  
  笠松章史
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2026
- 研究種目
  
  学術変革領域研究(A)
- 審査区分
  
  学術変革領域研究区分(Ⅳ)
- 研究機関
  国立研究開発法人情報通信研究機構
次世代無線通信用の高周波・相補型高電子移動度トランジスタの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  原紳介
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  国立研究開発法人情報通信研究機構
III-V族化合物半導体MOSFETの量子補正シミュレーション
- 研究代表者
  
  藤代博記
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京理科大学

すべて 2023 2022 2015 2013 2012 2011 2010

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Ultrafast silicon threshold circuitry for chaotic laser time series2022
- 著者名/発表者名
  Wada Kazuyuki、Hara Shinsuke、Tanoi Satoru、Kasamatsu Akifumi、Otsuka Yuta、Sekine Kawori、Uchida Atsushi、Naruse Makoto
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 12 号: 12 ページ: 125225-125225
- DOI
  10.1063/5.0127470
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-22H05192, KAKENHI-PROJECT-19H00868, KAKENHI-PLANNED-22H05195, KAKENHI-PLANNED-22H05199
[雑誌論文] Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials2013
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro,A. Endoh, I. Watanabe, and A. Kasamatsu
- 雑誌名
  
  Proceedings of 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Comparative Study on III-V Nanoscale DG MOSFETs with Various Channel Materials2013
- 著者名/発表者名
  A. Nishida, R. Ohama, S. Hara, and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Abstracts of 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2012
- 著者名/発表者名
  T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S.Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 9 号: 2 ページ: 346-349
- DOI
  10.1002/pssc.201100275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2012
- 著者名/発表者名
  J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
- 雑誌名
  
  Proceedings of 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
  
  ページ: 237-240
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析2012
- 著者名/発表者名
  永井佑太郎, 佐藤純, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 112 ページ: 37-42
- NAID
  110009626392
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011
- 著者名/発表者名
  S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I.Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe
- 雑誌名
  
  Abstracts of 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
  
  ページ: 41-42
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  H. I. Fujishiro, H. Watanabe, T. Homma and S. Hara
- 雑誌名
  
  Proc. International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
  
  巻: 2 ページ: 1350-1352
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 111 ページ: 79-84
- NAID
  110008800765
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2011
- 著者名/発表者名
  T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S.Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Abstracts of 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  
  ページ: 469-470
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  F. Machida, H. Nishino, J. Sato, H. Watanabe, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
  
  ページ: 437-440
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb2011
- 著者名/発表者名
  H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
  
  ページ: 156-159
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011
- 著者名/発表者名
  S.Hara, F.Machida, J.Sato, H.I.Fujishiro, A.Endo, Y.Yamashita, I.Watanabe
- 雑誌名
  
  Abstracts of 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
  
  ページ: 41-42
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8 ページ: 306-309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2011
- 著者名/発表者名
  T.Homma, K.Hasegawa, H. Watanabe, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 雑誌名
  
  Abstracts of 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  
  ページ: 469-470
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  F.Machida, H.Nishino, J.Sato, H.Watanabe, S. Hara, H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
  
  ページ: 437-440
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] InGaAs-ChannelMOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析2011
- 著者名/発表者名
  本間嵩広,渡邉久巨,原紳介,藤代博記
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 110 ページ: 47-52
- NAID
  110007890036
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H.I.Fujishiro, H.Watanabe, T.Homma, S.Hara
- 雑誌名
  
  Proc.International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
  
  巻: 2 ページ: 1350-1352
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広, 渡邉久巨, 原紳介, 藤代博記
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 110 ページ: 47-52
- NAID
  110007890036
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb2010
- 著者名/発表者名
  H.Nishino, I.Kawahira, F.Machida, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
  
  ページ: 156-159
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 高速同期型比較器の誤り率の推定と超高速強化学習システムに及ぼす影響2023
- 著者名/発表者名
  大塚雄太, 関根かをり, 和田和千, 原紳介, 笠松章史, 田野井聡, 成瀬誠
- 学会等名
  電気学会電子回路研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-22H05199
[学会発表] フィルタを用いた２本腕バンデッド問題の学習速度の向上についての一考察2023
- 著者名/発表者名
  海野悠人, Barthelemy Estignard, 和田和千, 関根かをり, 原紳介, 笠松章史, 田野井聡, 成瀬　誠
- 学会等名
  電気学会電子回路研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-22H05199
[学会発表] Tolerance in Reinforcement Learning Systems for Analogue History Storage Circuits Implemented in 180nm CMOS Process2022
- 著者名/発表者名
  Haruto UNNO, Kawori SEKINE, Kazuyuki WADA, Shinsuke HARA, Akifumi KASAMATSU, Satoru TANOI, Makoto NARUSE
- 学会等名
  2022 International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-22H05199
[学会発表] Increasing the Speed of Environmental Adaptation Using Nonlinear Characteristic on Analog History Storage Circuit2022
- 著者名/発表者名
  Haruto UNNO, Kawori SEKINE, Kazuyuki WADA, Shinsuke HARA, Akifumi KASAMATSU, Satoru TANOI, Makoto NARUSE
- 学会等名
  2022 International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-22H05199
[学会発表] クロージングリマーク－光電融合の極限とは－2022
- 著者名/発表者名
  笠松章史，原紳介，関根かをり
- 学会等名
  Optics & Photonics Japan 2022
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-22H05199
[学会発表] 2本腕バンディット問題を解くためのアナログ回路の検証2022
- 著者名/発表者名
  和田和千，川村拓也，関根かをり，原紳介，笠松章史，成瀬誠
- 学会等名
  電気学会電子回路研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-22H05199
[学会発表] Tolerance Analysis of Comparator Noise for Ultrafast Photonic Reinforcement Learning2022
- 著者名/発表者名
  Hiroki IWAHARA, Kawori SEKINE, Kazuyuki WADA, Makoto NARUSE, Shinsuke HARA, Akifumi KASAMATSU, Satoru TANOI
- 学会等名
  2022 International Conference on Analog VLSI Circuits (AVIC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-22H05199
[学会発表] InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価2015
- 著者名/発表者名
  原紳介,渡邊一世,竹鶴達哉,辻大介,藤川紗千恵,藤代博記,赤羽浩一,笠松章史
- 学会等名
  第76回秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870910
[学会発表] Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials2013
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro,A. Endoh, I. Watanabe,and A. Kasamatsu
- 学会等名
  25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
- 発表場所
  神戸
- 年月日
  2013-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Comparative Study on III-V Nanoscale DG MOSFETs with Various Channel Materials2013
- 著者名/発表者名
  A. Nishida, R. Ohama, S. Hara, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
- 発表場所
  神戸
- 年月日
  2013-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] III-V DG-MOSFET の駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響に関する理論的解析2012
- 著者名/発表者名
  長谷川慶,西田明央,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析2012
- 著者名/発表者名
  西田明央,長谷川慶,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InSb HEMT のデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響2012
- 著者名/発表者名
  佐藤純,荒井敦志,町田史晴,原紳介,藤代博記,遠藤聡,渡邊一世
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪み InSb HEMT の遅延時間解析2012
- 著者名/発表者名
  永井佑太郎, 佐藤純, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
- 学会等名
  電子情報通信学会 ED 研究会
- 発表場所
  福井大学
- 年月日
  2012-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2012
- 著者名/発表者名
  J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
- 学会等名
  24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
- 発表場所
  University of California Santa Barbara, USA.
- 年月日
  2012-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InSb HEMTのデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響2012
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 荒井敦志, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析2011
- 著者名/発表者名
  町田史晴,佐藤純,原紳介,藤代博記,遠藤聡,渡邊一世
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs witn Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2011
- 著者名/発表者名
  T.Homma, K.Hasegawa, H.Watanabe, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
- 発表場所
  Maritim proArte Hotel, Berlin, Geriany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011
- 著者名/発表者名
  S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I.Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe
- 学会等名
  9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
- 発表場所
  Nagaragawa Convention Center, Gifu.
- 年月日
  2011-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InAs HEMTの歪効果に関する理論的研究2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 町田史晴, 西野啓之, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  東京都市大学(但し震災によりDVDのみによる発表)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InAs HEMTの歪効果に関するモンテカルロ解析2011
- 著者名/発表者名
  町田史晴, 佐藤純, 西野啓之, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大(但し震災によりDVDのみによる発表)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ED研究会
- 発表場所
  長岡技術科学大学
- 年月日
  2011-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2011
- 著者名/発表者名
  T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S.Haraand H. I. Fujishiro
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2011-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ED研究会
- 発表場所
  長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較2011
- 著者名/発表者名
  長谷川慶,本間嵩広,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学.
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InAs HEMTの歪効果に関する理論的研究2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純,町田史晴,西野啓之,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  東京都市大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InAs HEMTの歪効果に関するモンテカルロ解析2011
- 著者名/発表者名
  町田史晴,佐藤純,西野啓之,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011
- 著者名/発表者名
  S.Hara, F.Machida, J Sato, H.I.Fujishiro, H.Endo, Y.Yamashita, I.Watanabe
- 学会等名
  9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
- 発表場所
  Nagaragawa Convention Center, Gifu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  F.Machida, H.Nishino, J.Sato, H.Watanabe, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 学会等名
  23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
- 発表場所
  Maritim proArte Hotel, Berlin, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  F. Machida, H. Nishino, J. Sato. H. Watanabe, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 学会等名
  23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
- 発表場所
  Berlin, Germany.
- 年月日
  2011-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較2011
- 著者名/発表者名
  長谷川慶, 本間嵩広, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析2011
- 著者名/発表者名
  町田史晴, 佐藤純, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広, 渡邉久巨, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb2010
- 著者名/発表者名
  H.Nishino, I.Kawahira, F.Machida, S.Hara, H.I.Fujishira
- 学会等名
  22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
- 発表場所
  Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広,渡邉久巨,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学.
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H. I. Fujishiro, H. Watanabe, T. Homma and S. Hara
- 学会等名
  International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
- 発表場所
  Shanghai, China.
- 年月日
  2010-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs-ChannelMOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広,渡邉久巨,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ED研究会
- 発表場所
  北陸先端科学技術大学院大学.
- 年月日
  2010-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広, 渡邉久巨, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  北陸先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2010-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析2010
- 著者名/発表者名
  町田史晴, 西野啓之, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析2010
- 著者名/発表者名
  渡邉久巨,本間嵩広,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 発表場所
  大阪府立大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, T.Homma, T.Takegishi, Y.Hirasawa, Y.Hirata, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 学会等名
  37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb2010
- 著者名/発表者名
  H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 学会等名
  22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
- 発表場所
  Kagawa.
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析2010
- 著者名/発表者名
  町田史晴,西野啓之,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H.I.Fujishiro, H.Watanabe, T.Homma, S.Hara
- 学会等名
  International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
- 発表場所
  InterContinental Hotel, Shanghai, China
- 年月日
  2010-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 学会等名
  37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  Kagawa.
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346

1. 藤代博記 (60339132)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 55件
2. 笠松章史 (30296884)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
3. 関根かをり (40282834)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 高窪かをり

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 7件
5. 成瀬誠

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
6. 内田淳史

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

原 紳介 Hara Shinsuke

研究課題

研究成果

共同研究者

超高速シリコンアナログ回路と超高速光回路の融合

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

次世代無線通信用の高周波・相補型高電子移動度トランジスタの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

III-V族化合物半導体MOSFETの量子補正シミュレーション

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Ultrafast silicon threshold circuitry for chaotic laser time series2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Comparative Study on III-V Nanoscale DG MOSFETs with Various Channel Materials2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析2011

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs2011

著者名/発表者名

原紳介 Hara Shinsuke