田口博久 Taguchi Hirohisa

研究者番号	30453830
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 中京大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2020年度: 中京大学, 工学部, 教授 2018年度: 中京大学, 工学部, 准教授 2011年度: 中京大学, 情報理工学部, 准教授 2009年度 – 2010年度: 東京理科大学, 基礎工学部, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者以外はんだ接合 / 熱疲労破壊 / 半導体 / 接合部 / 高機能半導体 / パワーモジュール / はんだ接合部 / 低温実装 / 液体金属 / Auger再結合 … もっと見る / 超高速応答 / III-V化合物半導体 / 光検出デバイス / 集積回路 / 電子デバイス隠す

液体金属を用いた低温実装できる熱疲労破壊しないはんだ接合部の創成
- 研究代表者
  
  山中公博
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  中京大学
超高速光・電子融合デバイス
- 研究代表者
  
  高梨良文
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京理科大学

すべて 2020 2019 2018 2012 2011 2010 2009

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer2012
- 著者名/発表者名
  Yuta Koreeda, Yutaka Endo, Kouichi Sato, Kenya Yoshizawa, Yui Nishio, Hirohisa Taguchi, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI(C)
  
  巻: 9 ページ: 357-360
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Thermoelectric Behavior of Sb-and Al-Doped n-Type Mg2Si Device Under Large Temperature Differences2011
- 著者名/発表者名
  T. Sakamoto, T. Iida, S. Kurosaki, K. Yano, H. Taguchi, K. Nishio, and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
  
  巻: 40 ページ: 629-634
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Ultrafast Optical Response of InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2010
- 著者名/発表者名
  田口博久
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 6
- NAID
  210000068263
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Thermoelectric characteristics of commercialized Mg2Si source doped with Al, Bi, Ag and Cu2010
- 著者名/発表者名
  T. Sakamoto, T. Iida, J. Sato, A. Matsumoto, Y. Honda, T. Nemoto, J. Sato, T. Nakajima, H. Taguchi, and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
  
  巻: 39 ページ: 1708-1713
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Direct thermal-to-electric energy conversion material of environmentally-benign Mg2Si synthesized using wasted Si sludge and recycled Mg alloy2010
- 著者名/発表者名
  Y. Honda, T. Iida, T. Sakamoto, S. Sakuragi, Y. Taguchi, Y. Mito, T. Nemoto, T. Nakajima, H. Taguchi, K. Nishio, and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Proc.
  
  巻: Vol.1218 ページ: 1218-1218
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Characteristics of a pin-fin structure thermal-to-electric uni-leg device using a commercial n-type Mg2Si source2010
- 著者名/発表者名
  T. Nemoto, T. Iida, J. Sato, Y. Oguni, A. Matsumoto, T. Miyata, T. Sakamoto, T. Nakajima, H. Taguchi, K. Nishio, and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
  
  巻: 39 ページ: 1572-1578
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Dependence of Optical Response Time on Gate-to-Source Voltage for InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron2010
- 著者名/発表者名
  Takahisa Ando, Hirohisa Taguchi, Kazuya Uchimura, Miho Mochiduki, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 856-857
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Ultrafast Optical Response of InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Taguchi, Yasuyuki Oishi, Takahisa Ando, Kazuya Uchimura, Miho Mochiduki, Mitsuhiro Enomoto, Tsutomu Iida, and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  210000068263
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Ultra-Fast Optical Response by InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2009
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Taguchi, Yasuyuki Oishi, Takahisa Ando, Kazuya Uchimura, Miho Mochiduki, Mitsuhiro Enomoto, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 946-947
- NAID
  210000068263
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] InAlAs/InAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors exhibiting ultra-fast optical response2009
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Taguchi, Nobuhito Wakimura, Yugo Nakagawa, Tsutomu Iida, and Yoshifumi Takanashi
- 雑誌名
  
  Physica status solidi
  
  巻: (c) 6 ページ: 1386-1389
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Thermoelectric properties of Sb-doped sintered Mg2Si fabricated using commercial polycrystalline sources2009
- 著者名/発表者名
  N. Fukushima, T. Iida, M. Akasaka, T. Nemoto, T. Sakamoto, R. Kobayashi, H. Taguchi, K. Nishio and Y. Takanashi
- 雑誌名
  
  Res. Soc. Proc.
  
  巻: 1166
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Materials Research Society Symposium Proceedings 11082009
- 著者名/発表者名
  Nobuhito Wakimura, Yugo Nakagawa, Hirohisa Taguchi, Tsutomu Iida, and Yoshifumi Takanashi
- 巻
  1108
- ページ
  2-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] InAlAs/InAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors exhibiting ultra-fast optical response2009
- 著者名/発表者名
  田口博久
- 雑誌名
  
  Phisica stetus solidi(c) 6
  
  ページ: 1386-1389
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[雑誌論文] Ultra-Fast Optical Response by InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2009
- 著者名/発表者名
  田口博久
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 946-947
- NAID
  210000068263
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] Al-Zn合金板とFe板との間に発生した微細Cuデンドライト結晶薄膜形成2020
- 著者名/発表者名
  田邉ほの香，重盛陽平，和田郁海，，山中公博、田口博久
- 学会等名
  エレクトロニクス実装学会第30回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04272
[学会発表] 低温実装を実現する液体金属Gaの電気抵抗の温度特性2020
- 著者名/発表者名
  牧田和也，福澤拓郎，鈴木究，田口博久，山中公博
- 学会等名
  スマートプロセス学会26th Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04272
[学会発表] 液体金属Gaによる低温接合について2020
- 著者名/発表者名
  鈴木究，田口博久，山中公博
- 学会等名
  応用物理学会関西支部2019年度第3回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04272
[学会発表] 低温接合を実現する液体金属Gaと電極材の界面反応2019
- 著者名/発表者名
  鈴木究，福澤拓郎，田口博久，山中公博
- 学会等名
  エレクトロニクス実装学会第29回マイクロエレクトロニクスシンポジウム,（研究奨励賞）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04272
[学会発表] Formation of Cu microparticles and its application to printed electronics2018
- 著者名/発表者名
  Junya Kuroda, Risa Uda, Honoka Tanabe, Kimihiro Yamanaka, and Hirohisa Taguchi
- 学会等名
  European Material Research Society, 2018 Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04272
[学会発表] 高純度Cuデンドライト結晶を利用したCuマイクロ粒子の生成と伝導性塗料の開発2018
- 著者名/発表者名
  田邉ほの香、黒田純也、宇田里紗、山中公博、田口博久
- 学会等名
  エレクロニクス実装学会第28回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04272
[学会発表] Formation and Mechanism of Cu Dendrite Crystal Thin Films by an Electrochemical Metal Deposition Method2018
- 著者名/発表者名
  Risa Uda, Junya Kuroda, Kimihiro Yamanaka, and Hirohisa Taguchi
- 学会等名
  European Material Research Society, 2018 Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04272
[学会発表] In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As同一基板上に作製したPHEMTの周波数特性2011
- 著者名/発表者名
  山崎陽一、是枝勇太、西尾結、遠藤裕、佐藤宏一、芳沢研哉、田口博久、高梨良文
- 学会等名
  第72回応報物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on the same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer2011
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Taguchi, Yuta koreeda, Yutaka Endo, kouichi Sato, Kenya Yoshizawa, Yui Nishio, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors-ISCS
- 発表場所
  Berlin
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As同一基板上に作製したPMSM-PDの応答特性2011
- 著者名/発表者名
  西尾結、是枝勇太、山崎陽一、渡邉亮、田口博久、高梨良文
- 学会等名
  第72回応報物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs2011
- 著者名/発表者名
  田口博久
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors-ISCS 2011
- 発表場所
  ベルリン(ドイツ)
- 年月日
  2011-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] InAlAs/InAs/OnGaAs-PHEMTの直流及び高周波特性2010
- 著者名/発表者名
  遠藤裕、安藤貴寿、是枝勇太、佐藤宏一、吉澤研哉、田口博久、高梨良文
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] Dependence of Optical Response Time on Gate-to-Source Voltage for InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Takahisa Ando, Hirohisa Taguchi, Kazuya Uchimura, Miho Mochiduki, Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo Univ.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistorsのゲートソース間電圧による光応答時間の依存性2010
- 著者名/発表者名
  是枝勇太、安藤貴寿、遠藤裕、佐藤宏一、吉澤研哉、田口博久、高梨良文
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365
[学会発表] Ultra-Fast Optical Response by InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2009
- 著者名/発表者名
  田口博久
- 学会等名
  The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台国際ホテル
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560365

1. 高梨良文 (30318224)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
2. 山中公博 (50609229)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件

田口 博久 Taguchi Hirohisa

研究課題

研究成果

共同研究者

液体金属を用いた低温実装できる熱疲労破壊しないはんだ接合部の創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

超高速光・電子融合デバイス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermoelectric Behavior of Sb-and Al-Doped n-Type Mg2Si Device Under Large Temperature Differences2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ultrafast Optical Response of InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Thermoelectric characteristics of commercialized Mg2Si source doped with Al, Bi, Ag and Cu2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Direct thermal-to-electric energy conversion material of environmentally-benign Mg2Si synthesized using wasted Si sludge and recycled Mg alloy2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Characteristics of a pin-fin structure thermal-to-electric uni-leg device using a commercial n-type Mg2Si source2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Dependence of Optical Response Time on Gate-to-Source Voltage for InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ultrafast Optical Response of InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Ultra-Fast Optical Response by InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] InAlAs/InAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors exhibiting ultra-fast optical response2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermoelectric properties of Sb-doped sintered Mg2Si fabricated using commercial polycrystalline sources2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Materials Research Society Symposium Proceedings 11082009

著者名/発表者名

巻

ページ

データソース

[雑誌論文] InAlAs/InAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors exhibiting ultra-fast optical response2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ultra-Fast Optical Response by InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[学会発表] Al-Zn合金板とFe板との間に発生した微細Cuデンドライト結晶薄膜形成2020

著者名/発表者名

学会等名

田口博久 Taguchi Hirohisa