山崎竜也 Yamazaki Tatsuya

研究者番号	30465992
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, その他部局等, 研究員(移行)
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2008年度 – 2011年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外ナノ材料・ナノバイオサイエンス
キーワード	研究代表者以外ナノ材料 / 表面・界面物性 / 結晶成長 / 制御 / ナノ構造形成

1次元Si(110)表面構造を利用したナノドット規則配列構造の創製とストレス制御
- 研究代表者
  
  朝岡秀人
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構

すべて 2012 2011 2010 2009 2008

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] Proc.ICTF14&RSD2008,ISBN97890334734702008
- 著者名/発表者名
  H.Asaoka, T.Yamazaki, S.N.Filimonov, S.Shamoto
- 出版者
  Direct determination of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[図書] Direct determination of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si2008
- 著者名/発表者名
  H. Asaoka, T. Yamazaki, S. N. Filimonov, S. Shamoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[雑誌論文] Analysis of buried heterointerfacial hydrogen in highly lattice-mismatched epitaxy on silicon2012
- 著者名/発表者名
  T. Yamazaki, H. Asaoka, T. Taguchi, S. Yamamoto, D. Yamazaki, R. Mruyama, M. Takeda, S. Shamoto
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 520 号: 8 ページ: 3300-3303
- DOI
  10.1016/j.tsf.2011.10.081
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064, KAKENHI-PROJECT-23360019
[雑誌論文] 格子不整合Sr/H-Si(111)における埋もれた水素単原子界面の中性子反射率測定2010
- 著者名/発表者名
  山崎竜也, et al.
- 雑誌名
  
  表面科学
  
  巻: 31 ページ: 380-385
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[雑誌論文] Buried H, D Monolayer at Hetero-Interface in a Highly Mismatched Epitaxy on Si2008
- 著者名/発表者名
  T. Yamazaki, et al.
- 雑誌名
  
  Trans. MRS-J 33
  
  ページ: 611-614
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[雑誌論文] Real-time stress analysis of Ge nanodot growth on H-terminated Si(111)-1x1 and Si(111)-7x7 surfaces2008
- 著者名/発表者名
  H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto
- 雑誌名
  
  Curr. Appl. Phys
  
  巻: 8 号: 3-4 ページ: 246-248
- DOI
  10.1016/j.cap.2007.10.052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[産業財産権] 非固定式通電加熱ホルダー2011
- 発明者名
  山崎竜也,朝岡秀人
- 権利者名
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
- 産業財産権番号
  2011-196724
- 出願年月日
  2011-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[産業財産権] 非固定式通電加熱ホルダー2011
- 発明者名
  山崎竜也, 朝岡秀人
- 権利者名
  日本原子力研究開発機構
- 産業財産権番号
  2011-196724
- 出願年月日
  2011-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] サーファクタントを利用したGe/Siヘテロ成長過程におけるストレス・表面構造の同時観察2012
- 著者名/発表者名
  朝岡秀人、山崎竜也、社本真一、S. N. Filimonov、末光眞希
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] 共鳴核反応法による格子不整合Sr/H-Si(111)における水素単原子層界面の測定2011
- 著者名/発表者名
  山崎竜也, et al
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] Analysis of buried heterointerfacial hydrogen in highly lattice-mismatched epitaxy on silicon2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamazaki, et al
- 学会等名
  International Conference on Si Epitaxy and Hetero structures
- 発表場所
  Leuven Belgium
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] Analysis of buried heterointerfacial hydrogen in highly lattice-mismatched epitaxy on silicon2011
- 著者名/発表者名
  T. Yamazaki, H. Asaoka, T. Taguchi, S. Yamamoto, D. Yamazaki, R. Mruyama, M. Takeda, S. Shamoto
- 学会等名
  7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures(ICSI-7)
- 発表場所
  Leuven Belgium
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] Neutron reflectometry studies of hetero-interfacial H layer in highly lattice-mismatched epitaxy on Si2011
- 著者名/発表者名
  H. Asaoka, T. Yamazaki, D. Yamazaki, M. Takeda and S. Shamoto
- 学会等名
  17th European Molecular Beam Epitaxy Workshop(Euro-MBE)
- 発表場所
  L' Alpe d' Huez France
- 年月日
  2011-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] In situ observation of stress and strain evolution during surfactant-mediated growth of Ge on Si2011
- 著者名/発表者名
  H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto
- 学会等名
  The XXII International Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography(IUCr2011)
- 発表場所
  Madrid Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] Surface stress relief in Bi-mediated Ge growth on Si2009
- 著者名/発表者名
  H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto, S. Filimonov, M. Suemitsu
- 学会等名
  36^<th> Korean Vacuum Society meeting
- 発表場所
  Seoul
- 年月日
  2009-02-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] 光電子分光と基板曲率測定によるSi(110)初期酸化過程の評価2009
- 著者名/発表者名
  山本喜久,鈴木康,宮本優,ローランド・バンタクロー,末光眞希,遠田義晴,寺岡有殿,吉越章隆,朝岡秀人,山崎竜也
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会
- 発表場所
  静岡
- 年月日
  2009-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] 格子不整合Sr/H-Si(111)ヘテロエピ界面の中性子反射率測定2009
- 著者名/発表者名
  山崎竜也, et al.
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] Surface stress relief in Bi-mediated Ge growth on Si2009
- 著者名/発表者名
  朝岡秀人, T.Yamazaki, S.Shamoto, S.Filimonov, M.Suemitsu
- 学会等名
  36th Korean Vacuum Society meeting
- 発表場所
  Seoul
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] 中性子反射率測定によるSr/H-Si(111)ヘテロエピ界面構造の解析2009
- 著者名/発表者名
  山崎竜也, et al.
- 学会等名
  第29回表面科学講演大会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] Direct determination of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si2008
- 著者名/発表者名
  H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto, S. N. Filimonov
- 学会等名
  14th International Conference on Thin Films & Reactive Sputter Deposition 2008(ICTF14 & RSD2008)
- 発表場所
  Ghent(Belgium)
- 年月日
  2008-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] Si(110)初期酸化時の化学結合状態および基板曲率のリアルタイム計測2008
- 著者名/発表者名
  山本喜久,鈴木康,宮本優,ローランド・バンタクロー,末光眞希,遠田義晴、寺岡有殿,吉越章隆,朝岡秀人,山崎竜也
- 学会等名
  第63回応用物理学会東北支部学術講演会
- 発表場所
  宮城
- 年月日
  2008-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064
[学会発表] BiサーファクタントGe成長過程のストレス・RHEEDその場観察2008
- 著者名/発表者名
  朝岡秀人、山崎竜也、社本真一、S. N. Filimonov、末光眞希
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20310064

1. 朝岡秀人 (40370340)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 14件
2. 山田洋一 (20435598)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 社本真一 (90235698)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
4. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
5. 豊島安健 (90357583)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

山崎 竜也 Yamazaki Tatsuya

研究課題

研究成果

共同研究者

1次元Si(110)表面構造を利用したナノドット規則配列構造の創製とストレス制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Proc.ICTF14&RSD2008,ISBN97890334734702008

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Direct determination of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si2008

著者名/発表者名

データソース

[雑誌論文] Analysis of buried heterointerfacial hydrogen in highly lattice-mismatched epitaxy on silicon2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 格子不整合Sr/H-Si(111)における埋もれた水素単原子界面の中性子反射率測定2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Buried H, D Monolayer at Hetero-Interface in a Highly Mismatched Epitaxy on Si2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Real-time stress analysis of Ge nanodot growth on H-terminated Si(111)-1x1 and Si(111)-7x7 surfaces2008

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[産業財産権] 非固定式通電加熱ホルダー2011

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 非固定式通電加熱ホルダー2011

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[学会発表] サーファクタントを利用したGe/Siヘテロ成長過程におけるストレス・表面構造の同時観察2012

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 共鳴核反応法による格子不整合Sr/H-Si(111)における水素単原子層界面の測定2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Analysis of buried heterointerfacial hydrogen in highly lattice-mismatched epitaxy on silicon2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Analysis of buried heterointerfacial hydrogen in highly lattice-mismatched epitaxy on silicon2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Neutron reflectometry studies of hetero-interfacial H layer in highly lattice-mismatched epitaxy on Si2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] In situ observation of stress and strain evolution during surfactant-mediated growth of Ge on Si2011

著者名/発表者名

学会等名

山崎竜也 Yamazaki Tatsuya