林俊雄 HAYASHI Toshio

研究者番号	30519591
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者以外プラズマエレクトロニクス
キーワード	研究代表者以外プラズマビーム / レジスト / 凹凸 / プラズマ加工 / プラズマエッチング / プラズマ化学

プラズマ微細加工におけるナノ揺らぎ制御に係わるプラズマ科学の創成
- 研究代表者
  
  関根誠
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマエレクトロニクス
- 研究機関
  名古屋大学

すべて 2015

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Silicon nitride (SiN) etch performance of CH2F2 plasmas diluted with argon or krypton2015
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kondo, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Yudai Miyawaki, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54 号: 4 ページ: 040303-040303
- DOI
  10.7567/jjap.54.040303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286080
[雑誌論文] Hydrofluorocarbon ion density of argon- or krypton-diluted CH2F2 plasmas: Generation of CH2F+ and CHF2+ by dissociative-ionization in charge exchange collisions2015
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kondo, Yudai Miyawaki, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori
- 雑誌名
  
  J. Phys. D: Appl. Phys.
  
  巻: 48 号: 4 ページ: 045202-045202
- DOI
  10.1088/0022-3727/48/4/045202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286080
[雑誌論文] Electronic properties of HBr, O2 and Cl2 used in Si etching2015
- 著者名/発表者名
  Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54 号: 6S2 ページ: 06GA03-06GA03
- DOI
  10.7567/jjap.54.06ga03
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286080
[雑誌論文] CF3+ fragmentation by electron impact ionization of perfluoro-propyl-vinyl-ethers, C5F10O, in gas phase2015
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kondo, Kenji Ishikawa, Toshio Hayashi, Yudai Miyawaki, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori
- 雑誌名
  
  Japan. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54 号: 4 ページ: 040301-040301
- DOI
  10.7567/jjap.54.040301
- NAID
  210000144897
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286080

1. 関根誠 (80437087)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
2. 竹田圭吾 (00377863)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
3. 近藤博基 (50345930)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
4. 石川健治 (60417384)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件

林 俊雄 HAYASHI Toshio

研究課題

研究成果

共同研究者

プラズマ微細加工におけるナノ揺らぎ制御に係わるプラズマ科学の創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Silicon nitride (SiN) etch performance of CH2F2 plasmas diluted with argon or krypton2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hydrofluorocarbon ion density of argon- or krypton-diluted CH2F2 plasmas: Generation of CH2F+ and CHF2+ by dissociative-ionization in charge exchange collisions2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electronic properties of HBr, O2 and Cl2 used in Si etching2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] CF3+ fragmentation by electron impact ionization of perfluoro-propyl-vinyl-ethers, C5F10O, in gas phase2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

林俊雄 HAYASHI Toshio