Vitushinsk Pavel VITUSHINSKIY Pavel

… 別表記

VITUSHINSK Pavel ヴィトゥシンスキーパベル

VITUSHINSKIY Pavel

PAVEL Vitushinskiy パベルヴィトゥシンスキ

研究者番号	30545330
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究補助者 2011年度 – 2015年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究補助者 2013年度: 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 研究補助者 2009年度 – 2010年度: 豊田工業大学, 工学部, PD研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者以外光検出器 / 量子ドット / 歪み / ヘテロ接合 / AlGaAs/GaAs / AlGaN/GaN / ピエゾ電界 / ⅢⅤ族半導体 / 分極電荷 / 表面準位・界面準位 … もっと見る / ピエゾ抵抗 / 電界効果トランジスタ / 界面準位 / 表面準位 / ピエゾ効果 / HEMT / GaN / 光通信波長 / GaSb / GaAs / 光検出 / 単一光子検出 / 分子線エピタキシー / 量子ロッド / 三角障壁 / 光伝導 / 1次元電子 / 量子細線 / 量子ナノ構造 / スピンデバイス / 量子デバイス隠す

GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  豊田工業大学
第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学
量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学

すべて 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] InGaAs Triangular Barrier Photodiodes for High-Responsivity Detection of Near-Infrared Light2016
- 著者名/発表者名
  Kazuya Sugimura, Masato Ohmor, Takeshi Noda, Tomoya Kojima, Sakunari Kado, Pavel Vitushinskiy, Naotaka Iwata, and Hiroyuki Sakaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 6 ページ: 062101-062101
- DOI
  10.7567/apex.9.062101
- NAID
  210000137928
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998, KAKENHI-PROJECT-26289095
[雑誌論文] GaAs-based triangular barrier photodiodes with embedded type-II GaSb quantum dots2016
- 著者名/発表者名
  P. Vitushinskiy, M. Ohmori, T. Kuroda, T. Noda, T. Kawazu and H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 9 号: 5 ページ: 052002-052002
- DOI
  10.7567/apex.9.052002
- NAID
  210000137876
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[雑誌論文] Triangular-barrier quantum rod photodiodes : Their fabrication and detector characteristics2014
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, Y. Kobayashi, P. Vitushinskiy, S. Nakamura, T. Kojima, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 104, 8 号: 8 ページ: 81120-81120
- DOI
  10.1063/1.4867242
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164, KAKENHI-PROJECT-25870885
[雑誌論文] Formation of InAs/AlGaAs/GaAs nanowire structures by self-organized rod growth on InAs quantum dots and their transport properties2013
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, P. Vitushinskiy, T. Kojima, H. Sakaki, Appl. Phys
- 雑誌名
  
  Express
  
  巻: 6, 4 号: 4 ページ: 45003-45003
- DOI
  10.7567/apex.6.045003
- NAID
  10031166430
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164, KAKENHI-PROJECT-23760294, KAKENHI-PROJECT-25870885
[雑誌論文] Diffusion process of excitons in the wetting layer and their trapping by quantum dots in sparsely spaced InAs quantum dot systems2011
- 著者名/発表者名
  M.Ohmori, P.Vitushinskiy, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.98
  
  ページ: 133109-133109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 赤外用三角障壁フォトトランジスタの暗電流低減と室温動作2015
- 著者名/発表者名
  杉村和哉、大森雅登、野田武司、Vitushinskiy Pavel、岩田直高、榊裕之
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[学会発表] InP(100) 基板上におけるInAs/InAlGaAs 量子ロッド構造の形成2015
- 著者名/発表者名
  大森雅登、野田武司、小嶋友也、杉村和哉、Vitushinskiy Pavel、岩田直高、榊裕之
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[学会発表] InAs/AlGaAs 量子ロッド構造の電流電圧特性2013
- 著者名/発表者名
  小嶋友也, 大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 年月日
  2013-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性2013
- 著者名/発表者名
  中村翔, 大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 年月日
  2013-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] InAs/AlGaAs コラム状量子ドットを用いたナノ細線の形成と評価2012
- 著者名/発表者名
  大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Structural and transport properties of InAs/AlGaAs columnar quantum dots2012
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki
- 学会等名
  17th International Winterschool Mauterndorf 2012
- 発表場所
  Mauterndorf, Austria
- 年月日
  2012-02-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] ナノ細線フォトトランジスタの形成と光検出特性の評価2011
- 著者名/発表者名
  小林由幸, 大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Charge-sensitive tunneling diode towards single-photon detection2010
- 著者名/発表者名
  P.Vitushinskiy, M.Ohmori, H.Sakaki
- 学会等名
  The International Conference on Nanophotonics 2010
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Photoluminescence spectra and carrier capture processes in sparsely-spaced InAs quantum dot systems2010
- 著者名/発表者名
  M.Ohmori, P.Vitushinskiy, H.Sakaki
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Takamatsu, Japan
- 年月日
  2010-05-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 三角障壁フォトトランジスタによる高感度赤外光検出
- 著者名/発表者名
  大森雅登、杉村和哉、小嶋友也、加戸作成、野田武司、Vitushinskiy Pavel、岩田直高、榊裕之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス　(神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[学会発表] InAs/AlGaAsコラム状量子ドットを用いたナノ細線の形成と評価
- 著者名/発表者名
  大森雅登、Vitushinskiy Pavel、榊裕之
- 学会等名
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] ナノ細線フォトトランジスタの形成と光検出特性の評価
- 著者名/発表者名
  小林由幸、大森雅登、Vitushinskiy Pavel、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Structural and transport properties of InAs/AlGaAs columnar quantum dots
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki
- 学会等名
  17th International Winterschool Mauterndorf2012
- 発表場所
  Mauterndorf, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性
- 著者名/発表者名
  中村　翔，大森雅登，Pavel Vitushinskiy，榊　裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] InAs/AlGaAs量子ロッド構造の電流電圧特性
- 著者名/発表者名
  小嶋友也，大森雅登，Pavel Vitushinskiy，榊　裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Transport of electrons in self-assembled GaInAs quantum rod structures
- 著者名/発表者名
  T. Kojima, M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki
- 学会等名
  ISCS 2014 (The 41ｓｔ International Symposium on Compound Semiconductors)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095

1. 榊裕之 (90013226)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 20件
2. 大森雅登 (70454444)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 20件
3. 秋山芳広 (60469773)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 野田武司 (90251462)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 川津琢也 (00444076)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 岩田直高

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

Vitushinsk Pavel VITUSHINSKIY Pavel

VITUSHINSK Pavel ヴィトゥシンスキー パベル

VITUSHINSKIY Pavel

PAVEL Vitushinskiy パベル ヴィトゥシンスキ

研究課題

研究成果

共同研究者

GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] InGaAs Triangular Barrier Photodiodes for High-Responsivity Detection of Near-Infrared Light2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] GaAs-based triangular barrier photodiodes with embedded type-II GaSb quantum dots2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Triangular-barrier quantum rod photodiodes : Their fabrication and detector characteristics2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Formation of InAs/AlGaAs/GaAs nanowire structures by self-organized rod growth on InAs quantum dots and their transport properties2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Diffusion process of excitons in the wetting layer and their trapping by quantum dots in sparsely spaced InAs quantum dot systems2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] 赤外用三角障壁フォトトランジスタの暗電流低減と室温動作2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] InP(100) 基板上におけるInAs/InAlGaAs 量子ロッド構造の形成2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] InAs/AlGaAs 量子ロッド構造の電流電圧特性2013

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性2013

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] InAs/AlGaAs コラム状量子ドットを用いたナノ細線の形成と評価2012

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

VITUSHINSK Pavel ヴィトゥシンスキーパベル

PAVEL Vitushinskiy パベルヴィトゥシンスキ