小田修 Oda Osamu

研究者番号	30588695
所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, 低温プラズマ科学研究センター, 特任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2020年度: 名古屋大学, 低温プラズマ科学研究センター, 特任教授
審査区分/研究分野	研究代表者以外小区分30010:結晶工学関連
キーワード	研究代表者以外 in-situ観察 / 高移動度チャネル / InN / その場観察 / 窒化インジウム / モザイシティ / 高In組成 / プラズマ支援 / 分子線エピタキシー / InGaN / ラジカル / プラズマ

高移動度InNチャネルに向けた高密度ラジカル照射下における初期成長機構の解明
- 研究代表者
  
  近藤博基
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  名古屋大学

すべて 2019 2018

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Effects of plasma shield plate design on epitaxial GaN films grown for large-sized wafers in radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition2019
- 著者名/発表者名
  Isobe Yasuhiro、Sakai Takayuki、Sugiyama Naoharu、Mizushima Ichiro、Suguro Kyoichi、Miyashita Naoto、Lu Yi、Wilson Amalraj Frank、Kumar Dhasiyan Arun、Ikarashi Nobuyuki、Kondo Hiroki、Ishikawa Kenji、Shimizu Naohiro、Oda Osamu、Sekine Makoto、Hori Masaru
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology B
  
  巻: 37 号: 3 ページ: 031201-031201
- DOI
  10.1116/1.5083970
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[雑誌論文] Simulation-aided designing of confinement of very-high-frequency excited nitrogen plasma using a shield plate2019
- 著者名/発表者名
  Yasuhiro Isobe, Takayuki Sakai, Kyoichi Suguro, Naoto Miyashita, Amalraj Frank Wilson, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Makoto Sekine, and Masaru Hori
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science Technology B
  
  巻: 37 号: 6
- DOI
  10.1116/1.5114831
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[雑誌論文] Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)2018
- 著者名/発表者名
  Amalraj Frank Wilson、Dhasiyan Arun Kumar、Lu Yi、Shimizu Naohiro、Oda Osamu、Ishikawa Kenji、Kondo Hiroki、Sekine Makoto、Ikarashi Nobuyuki、Hori Masaru
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 8 号: 11 ページ: 115116-115116
- DOI
  10.1063/1.5050819
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[学会発表] Growth of Ultrathin AlN on Si (111) Substrate by Radical Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD)2019
- 著者名/発表者名
  Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Yi Lu, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Plasma Sciences and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPLASMA 2019)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[学会発表] Effects of in-situ irradiation of nitrogen-hydrogen plasma on flatness and composition of GaN surfaces before epitaxial growth by a radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition2018
- 著者名/発表者名
  Hiroki Kondo, Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Yi Lu, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
- 学会等名
  71st Annual Gaseous Electronics Conference
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[学会発表] Influence of Chamber Pressure on the Crystal Quality of Homo-Epitaxial GaN Grown by Radical-Enhanced MOCVD (REMOCVD)2018
- 著者名/発表者名
  Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine and Masaru Hori
- 学会等名
  Dry Process Symposium
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[学会発表] Influence of RF Plasma Power on the Homo-Epitaxial GaN Crystal Quality Grown by Radical Enhanced MOCVD (REMOCVD)2018
- 著者名/発表者名
  Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[学会発表] Influence of N2/H2 Plasma Irradiation to GaN Substrate for Improving the Interface of the Homoepitaxial GaN Grown by Radical Enhanced MOCVD (REMOCVD)2018
- 著者名/発表者名
  Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Nobuyuki Ikarashi, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2018),
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[学会発表] Novel Epitaxial Growth Methods for Nitride Materials with Using Plasma Technology2018
- 著者名/発表者名
  Osamu Oda, Frank Wilson Amalraj, Naohiro Shimizu, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Yuri Tsutsumi, Kenji Ishikawa, H. Kano, Nobuyuki Ikarashi and Masaru Hori
- 学会等名
  International Meeting on Information Display
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[学会発表] Novel Epitaxial Growth Methods for Nitride Materials with Using Plasma Technology2018
- 著者名/発表者名
  Osamu Oda, Frank Wilson Amalraj, Naohiro Shimizu, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Yuri Tsutsumi, Kenji Ishikawa, H. Kano, Nobuyuki Ikarashi and Masaru Hori
- 学会等名
  Energy Materials Nanotechnology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890
[学会発表] Surface Treatment Method of GaN Substrates for Homoepitaxial GaN Grown by REMOCVD2018
- 著者名/発表者名
  Amalraj Frank Wilson, Dhasiyan Arun Kumar, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, and Masaru Hori
- 学会等名
  79th JSAP autumn meeting, 2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01890

1. 近藤博基 (50345930)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
2. 堤隆嘉 (50756137)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

小田 修 Oda Osamu

研究課題

研究成果

共同研究者

高移動度InNチャネルに向けた高密度ラジカル照射下における初期成長機構の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Effects of plasma shield plate design on epitaxial GaN films grown for large-sized wafers in radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Simulation-aided designing of confinement of very-high-frequency excited nitrogen plasma using a shield plate2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Growth of Ultrathin AlN on Si (111) Substrate by Radical Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD)2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Effects of in-situ irradiation of nitrogen-hydrogen plasma on flatness and composition of GaN surfaces before epitaxial growth by a radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Influence of Chamber Pressure on the Crystal Quality of Homo-Epitaxial GaN Grown by Radical-Enhanced MOCVD (REMOCVD)2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Influence of RF Plasma Power on the Homo-Epitaxial GaN Crystal Quality Grown by Radical Enhanced MOCVD (REMOCVD)2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Influence of N2/H2 Plasma Irradiation to GaN Substrate for Improving the Interface of the Homoepitaxial GaN Grown by Radical Enhanced MOCVD (REMOCVD)2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Novel Epitaxial Growth Methods for Nitride Materials with Using Plasma Technology2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Novel Epitaxial Growth Methods for Nitride Materials with Using Plasma Technology2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Surface Treatment Method of GaN Substrates for Homoepitaxial GaN Grown by REMOCVD2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

小田修 Oda Osamu