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三好 実人  miyoshi makoto

研究者番号 30635199
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0001-9583-1891
所属 (現在) 2025年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2016年度 – 2024年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器
研究代表者以外
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
キーワード
研究代表者
パワートランジスタ / 窒化物半導体 / ヘテロ接合FET / AlN / ワイドバンドギャップ / 高周波トランジスタ / 半導体物性 / 結晶工学 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 … もっと見る / ノーマリオフ / 界面準位密度 / トランジスタ / AlGaN / フォトルミネッセンス / 界面準位 … もっと見る
研究代表者以外
窒化物半導体 / トランジスタ / 界面制御 / 窒化物半導 / 電気化学反応 / ウェットエッチング / 極微細金属パターン付き基板 / EBSD / ラマン分光 / アニーリング / 極微細金属パターン / グラフェン膜 / ラ マ ン 分光 / ア ニ ー リ ン グ / 極微細金属パ タ ー ン / 金属凝集法 / グ ラ フ ェ ン 膜 / 電子ビーム露光 / 金属凝集 / FET / グラフェン 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 研究成果

    (50件)
  • 共同研究者

    (4人)
  •  窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発

    • 研究代表者
      佐藤 威友
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      北海道大学
  •  超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発研究代表者

    • 研究代表者
      三好 実人
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用

    • 研究代表者
      佐藤 威友
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      北海道大学
  •  極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製

    • 研究代表者
      久保 俊晴
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築研究代表者

    • 研究代表者
      三好 実人
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      名古屋工業大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] DC and pulse I-V characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs fabricated on single-crystal AlN substrate2023

    • 著者名/発表者名
      Miyoshi Makoto、Tanaka Sakura、Kawaide Tomoyuki、Inoue Akiyoshi、Egawa Takashi
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 220 号: 16 ページ: 2200733-2200733

    • DOI

      10.1002/pssa.202200733

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [雑誌論文] High drain-current-density and high breakdown-field Al<sub>0.36</sub>Ga<sub>0.64</sub>N-channel heterojunction field-effect transistors with a dual AlN/AlGaInN barrier layer2022

    • 著者名/発表者名
      Inoue Akiyoshi、Tanaka Sakura、Egawa Takashi、Miyoshi Makoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SC ページ: SC1039-SC1039

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac4b09

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [雑誌論文] Improved on-state performance in AlGaN-channel heterojunction field-effect transistors with a quaternary AlGaInN barrier layer and a selectively grown n++-GaN contact layer2021

    • 著者名/発表者名
      Miyoshi Makoto、Inoue Akiyoshi、Yamanaka Mizuki、Harada Hiroki、Egawa Takashi
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 133 ページ: 105960-105960

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2021.105960

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [雑誌論文] Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films2021

    • 著者名/発表者名
      Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 11 ページ: 116503-116503

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac30ed

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [雑誌論文] Design and material growth of AlGaN-channel two-dimensional-electron gas heterostructures employing strain-controlled quaternary AlGaInN barrier layers2018

    • 著者名/発表者名
      Hosomi Daiki、Chen Heng、Egawa Takashi、Miyoshi Makoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 1 ページ: 011004-011004

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaed2f

    • NAID

      210000135245

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [雑誌論文] Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically smooth heterointerface2018

    • 著者名/発表者名
      Hosomi Daiki、Miyachi Yuta、Egawa Takashi、Miyoshi Makoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 4S ページ: 04FG12-04FG12

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fg12

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [雑誌論文] Distinct light emission from two-dimensional electron gas at a lattice-matched InAlN/AlGaN heterointerface2018

    • 著者名/発表者名
      Li Lei、Hosomi Daiki、Miyachi Yuta、Miyoshi Makoto、Egawa Takashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 112 号: 10 ページ: 102102-102102

    • DOI

      10.1063/1.5023847

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [雑誌論文] Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates2017

    • 著者名/発表者名
      Kubo Toshiharu、Miyoshi Makoto、Egawa Takashi
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology

      巻: 32 号: 6 ページ: 065012-065012

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aa6c09

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [雑誌論文] High-performance ultraviolet photodetectors based on lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors gated by transparent ITO films2017

    • 著者名/発表者名
      Li Lei、Hosomi Daiki、Miyachi Yuta、Hamada Takeaki、Miyoshi Makoto、Egawa Takashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 111 号: 10 ページ: 102106-102106

    • DOI

      10.1063/1.4986311

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] Fabrication of high AlN-mole-fraction Al0.7Ga0.3N channel HFETs using a single-crystal AlN substrate2024

    • 著者名/発表者名
      Y. Kometani, T. Kawaide, S. Tanaka, T. Egawa, M. Miyoshi
    • 学会等名
      16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価2023

    • 著者名/発表者名
      川出 智之,米谷 宜展,田中 さくら,江川 孝志,三好 実人
    • 学会等名
      電子情報通信学会CPM/ED/LQE研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 単結晶AlN基板上への高AlN比Al0.7Ga0.3NチャネルHFETの作製2023

    • 著者名/発表者名
      川出 智之、田中 さくら、米谷 宜展、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 単結晶AlN基板上高AlN比Al0.7Ga0.3NチャネルHFETの作製(II)2023

    • 著者名/発表者名
      米谷 宜展,川出 智之,田中 さくら,江川 孝志,三好 実人
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] Device characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs on single-srystal AlN substrate2023

    • 著者名/発表者名
      T. Kawaide, S. Tanaka, A. Inoue, T. Egawa, M. Miyoshi
    • 学会等名
      15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] Device characteristics of AlGaInN/GaN HEMTs with a thin 150-nm-thick UID-GaN channel fabricated on single-crystal AlN substrate2023

    • 著者名/発表者名
      T. Kawaide, Y. Kometani, S. Tanaka, T. Egawa, M. Miyoshi
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価2023

    • 著者名/発表者名
      川出 智之,米谷 宜展,田中 さくら,江川 孝志,三好 実人
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 (II)2023

    • 著者名/発表者名
      川出 智之、田中 さくら、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] UWBG窒化物AlN系パワートランジスタの進展2023

    • 著者名/発表者名
      三好 実人
    • 学会等名
      電子情報通信学会総合大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate2022

    • 著者名/発表者名
      Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価2022

    • 著者名/発表者名
      田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価2022

    • 著者名/発表者名
      田中 さくら、井上 暁喜、川出 智之、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] Fabrication and device characteristics of AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN Substrate2022

    • 著者名/発表者名
      S. Tanaka, T. Kawaide, A. Inoue, T. Egawa, M. Miyoshi
    • 学会等名
      14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 電子情報通信学会電子デバイス研究会2021

    • 著者名/発表者名
      伊藤 滉朔、小松裕斗、渡久地 政周、井上暁喜、田中さくら、三好実人、佐藤 威友
    • 学会等名
      光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02175
  • [学会発表] 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製2021

    • 著者名/発表者名
      伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁喜、田中 さくら、三好 実人、佐藤 威友
    • 学会等名
      電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts2021

    • 著者名/発表者名
      Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II2021

    • 著者名/発表者名
      高橋明空、芝南々子、久保俊晴、三好実人、江川孝志
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] 選択再成長オーミックコンタクトおよびAlNバリアを用いた四元混晶AlGaInN/Al0.36Ga0.64N HFETの作製と特性評価2021

    • 著者名/発表者名
      井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製2021

    • 著者名/発表者名
      高橋明空、加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川孝志
    • 学会等名
      第69回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaNリセスゲートHFETの作製2021

    • 著者名/発表者名
      伊藤滉朔,小松裕斗,渡久地政周,井上暁喜,三好実人,佐藤威友
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02175
  • [学会発表] AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET2021

    • 著者名/発表者名
      井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01389
  • [学会発表] 転写フリーグラフェンFETの電気特性に対する Ni金属触媒の結晶性の効果2020

    • 著者名/発表者名
      小林幹, ドルジダウガ ビルグーン, 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] 触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価22019

    • 著者名/発表者名
      Dorjdagva Bilguun, 小林幹, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] Study on MIS interface states of ALD-Al2O3/AlGaInN/AlGaN heterostructures2019

    • 著者名/発表者名
      S. Saito, D. Hosomi, K. Furuoka, T. Kubo, T. Egawa and M. Miyoshi
    • 学会等名
      11th Int. Symp. Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] 転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果2019

    • 著者名/発表者名
      小林幹, Dorjdagva Bilguun, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価2019

    • 著者名/発表者名
      斉藤 早紀、細見 大樹、古岡 啓太、久保 俊晴、江川 孝志、三好実人
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] A novel AlGaN-channel 2DEG heterostructure employing a quaternary InAlGaN barrier layer and its thermal stability of 2DEG properties2018

    • 著者名/発表者名
      D. Hosomi, H. Chen, T. Egawa and M. Miyoshi
    • 学会等名
      19th Int. Conf. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPW XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] Device characteristics of a novel AlGaN-channel HFET employing a quaternary AlGaInN barrier layer2018

    • 著者名/発表者名
      D. Hosomi, K. Furuoka, H. Chen, T. Kubo, T. Egawa and M. Miyoshi
    • 学会等名
      2018 Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] 四元混晶AlGaInNバリア層を有するAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      細見 大樹、古岡 啓太、Chen Heng、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第5回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] 四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      細見 大樹、古岡 啓太、Chen Heng、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET2018

    • 著者名/発表者名
      細見 大樹、古岡 啓太、Chen Heng、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好実人
    • 学会等名
      電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] 高効率パワーエレクトロニクス機器のためのWBG半導体パワーデバイス技術と超高耐圧AlGaNトランジスタ2018

    • 著者名/発表者名
      三好 実人
    • 学会等名
      日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 学術討論会『将来のクルマを支える材料技術』
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] MOCVD法によるInAlGaN/AlGaNヘテロ構造の成長とその2DEG特性の熱的安定性評価2018

    • 著者名/発表者名
      細見 大樹、陳 桁、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] プラズマエッチング処理ならびにAl2O3-ALD成膜プロセスを経たAlGaNエピタキシャル膜のPLライフタイム測定2017

    • 著者名/発表者名
      中島 陸、森 拓磨、細見 大樹、江川孝志、三好 実人
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] 格子整合系InAlN/AlGaNヘテロ構造を用いた電界効果UVフォトトランジスタ2017

    • 著者名/発表者名
      細見 大樹、岡田 真由子、李 磊、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] AlGaNチャネル2DEGヘテロ構造の結晶評価~ヘテロ界面平坦性とAlGaN初期成長条件との関係~2017

    • 著者名/発表者名
      細見 大樹、江川 孝志、三好 実人
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] Nearly lattice-matched InAlN/AlGaN 2DEG heterostructures and filed-effect transistors for high power applications2017

    • 著者名/発表者名
      Makoto Miyoshi, Daiki Hosomi, Mayuko Okada, Riku Nakashima, Joseph J. Freedsman, and Takashi Egawa
    • 学会等名
      2017 Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] High-performance ultraviolet photodetectors based on lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors gated by transparent ITO films2017

    • 著者名/発表者名
      Lei Li, Daiki Hosomi, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa
    • 学会等名
      2017 Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] ヘテロ界面平坦性改善による InAlN/AlGaN HFET 構造の移動度向上2017

    • 著者名/発表者名
      細見 大樹,宮地 祐太,江川 孝志,三好 実人
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically-smooth heterointerface2017

    • 著者名/発表者名
      Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi
    • 学会等名
      2018 Int. Conf. on Sloid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • [学会発表] ヘテロ界面平坦性改善によるInAlN/AlGaN HFET構造の移動度向上2017

    • 著者名/発表者名
      細見 大樹, 宮地 祐太, 三好 実人, 江川 孝志
    • 学会等名
      第64回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06298
  • 1.  佐藤 威友 (50343009)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 3件
  • 2.  久保 俊晴 (10422338)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 3.  橋詰 保 (80149898)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  赤澤 正道 (30212400)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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