川那子高暢 Kawanago Takamasa

研究者番号	30726633
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度 – 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 2016年度 – 2023年度: 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 2015年度 – 2016年度: 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 学術変革領域研究区分(Ⅱ) / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連研究代表者以外学術変革領域研究区分(Ⅱ) / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者 2次元材料 / 電界効果トランジスタ / TMDC / 先端機能デバイス / マイクロ・ナノデバイス / 自己組織化 / 絶縁膜転写 / 層状材料 / ナノ電子デバイス / 層状物質 … もっと見る / CMOSFET / WSe2 / CMOSデバイス / ナノ材料 / 表面・界面物性 / FET / 電子デバイス・機器 / ナノデバイス / 界面特性 / 二硫化モリブデン / 自己組織化単分子膜 … もっと見る研究代表者以外新機能開拓 / デバイス応用 / 物性評価 / 薄膜合成 / 14族ナノシート / スピン量子ビット / 結合量子ドット / ナノワイヤ / 正孔スピン / 量子情報素子 / シリコンナノワイヤ / ナノシリコン量子ドット / Ge/Siコアシェルナノワイヤ / 界面欠陥のコヒーレント制御 / 3重量子ドット / スピンブロッケード / 量子ビット / 熱電素子 / コアシェルナノワイヤ / ナノ結晶シリコン / シリコン量子ドット隠す

14族ナノシートに関する総括的研究
- 研究代表者
  
  黒澤昌志
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  学術変革領域研究(B)
- 審査区分
  
  学術変革領域研究区分(Ⅱ)
- 研究機関
  名古屋大学
14族ナノシートのデバイス応用研究代表者
- 研究代表者
  
  川那子高暢
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  学術変革領域研究(B)
- 審査区分
  
  学術変革領域研究区分(Ⅱ)
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用研究代表者
- 研究代表者
  
  川那子高暢
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
2次元有機・無機材料を用いたMIS界面創出とノーマリオフMoS2 FETの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  川那子高暢
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2020
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
自己組織化単分子膜を用いたMIS界面設計と新機能ナノ電子デバイスへの応用展開研究代表者
- 研究代表者
  
  川那子高暢
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
ナノシリコンドット・ナノワイヤの配列制御によるネオシリコン量子情報処理素子の創製
- 研究代表者
  
  小田俊理
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用2020
- 著者名/発表者名
  川那子高暢(分担執筆)
- 総ページ数
  479
- 出版者
  エヌ・ティー・エス出版
- ISBN
  9784860436636
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[図書] 自己組織化有機単分子膜を用いた界面制御とゲート絶縁膜技術2018
- 著者名/発表者名
  川那子高暢
- 総ページ数
  5
- 出版者
  応用物理　第87巻　第7号　511
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[雑誌論文] Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact2023
- 著者名/発表者名
  Kawanago Takamasa、Kajikawa Ryosuke、Mizutani Kazuto、Tsai Sung-Lin、Muneta Iriya、Hoshii Takuya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 11 ページ: 15-21
- DOI
  10.1109/jeds.2022.3224206
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[雑誌論文] Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V <sub> dd </sub> down to 0.5 V consisting of WSe<sub>2</sub> n/p FETs2022
- 著者名/発表者名
  Kawanago Takamasa、Matsuzaki Takahiro、Kajikawa Ryosuke、Muneta Iriya、Hoshii Takuya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SC ページ: SC1004-SC1004
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac3a8e
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[雑誌論文] Transfer printing of gate dielectric and carrier doping with poly(vinyl-alcohol) coating to fabricate top-gate molybdenum disulfide field-effect transistors2020
- 著者名/発表者名
  Kawanago Takamasa、Matsuzaki Takahiro、Oda Shunri
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 12 ページ: 120903-120903
- DOI
  10.35848/1347-4065/abc6be
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[雑誌論文] Transfer printing of Al2O3 gate dielectric for fabrication of top-gate MoS2 FET2019
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago, Tomoaki Oba, Shunri Oda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 2 ページ: 026501-026501
- DOI
  10.7567/1882-0786/aaf995
- NAID
  210000135571
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[雑誌論文] Control of threshold voltage by gate metal electrode in molybdenum disulfide field-effect transistors2017
- 著者名/発表者名
  Kawanago Takamasa、Oda Shunri
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 110 号: 13 ページ: 133507-133507
- DOI
  10.1063/1.4979610
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[雑誌論文] Use of self-assembled monolayers for selective metal removal and ultrathin gate dielectrics in MoS2 field-effect transistors2017
- 著者名/発表者名
  Wanjing Du, Takamasa Kawanago, and Shunri Oda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 4S ページ: 04CP10-04CP10
- DOI
  10.7567/jjap.56.04cp10
- NAID
  210000147672
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[雑誌論文] Fabrication of hybrid self-assembled monolayer/hafnium oxide gate dielectric by radical oxidation for molybdenum disulfide field-effect transistors2017
- 著者名/発表者名
  Kawanago Takamasa、Ikoma Ryo、Oba Tomoaki、Takagi Hiroyuki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 111 号: 20 ページ: 202904-202904
- DOI
  10.1063/1.4998313
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[雑誌論文] Utilizing self-assembled-monolayer-based gate dielectrics to fabricate molybdenum disulfide field-effect transistors2016
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago and Shunri Oda
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS
  
  巻: 108 号: 4
- DOI
  10.1063/1.4941084
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[学会発表] 低電圧動作2次元半導体CMOSインバータの研究2024
- 著者名/発表者名
  川那子高暢
- 学会等名
  二次元材料に関する第7回koineミーティング (学術変革領域研究(A)「2.5次元物質科学」第3回産学官協働ミーティング)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] TMDCを用いたFETおよびLSIについて2024
- 著者名/発表者名
  川那子高暢, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整
- 学会等名
  応用電子物性分科会2月研究例会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] Self-Aligned WOx S/D Contacts to Gate Stacks with TiOx Nucleation Layer by Multiple-Deposition Method in WSe2 pFETs2023
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET2023
- 著者名/発表者名
  梶川亮介、川那子高暢、宗田伊理也、星井拓也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] Fabrication and Characterization of Self-Aligned WSe2 p-Type Field-Effect Transistor2023
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  Electrochemical Society Meeting 243
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] Low Voltage Operation of CMOS Inverter based on WSe2 n/p FETs2022
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago
- 学会等名
  242nd ECS Meeting, Atlanta, Georgia, USA, 12, Oct. 2022.
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] アルミニウムスカンジウム合金をS/D電極に用いたWSe2 nFETの作製2022
- 著者名/発表者名
  梶川亮介, 川那子高暢, 角嶋邦之, 若林整
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] WSe2 n/p FETs を用いた低電圧動作CMOS インバータ2022
- 著者名/発表者名
  川那子高暢, 松﨑貴広, 梶川亮介, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会, 名古屋大学VBL No. 235, 2022年6月21日.
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WOx)をソース/ドレイン電極に用いたWSe2 n/p FETとCMOSインバータ応用2022
- 著者名/発表者名
  川那子高暢，梶川亮介，水谷一翔，Tsai SungLin, 宗田伊理也，星井拓也，角嶋邦之，筒井一生，若林整
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演, 22a-B202-03, 東北大学, 2022年9月22日.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] Experimental demonstration of high-gain CMOS Inverter at low Vdd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs2021
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago, T. Matsuzaki, R. Kajikawa, I. Muneta, T. Hoshii, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi
- 学会等名
  SSDM 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] 電源電圧0.5V動作の高ゲインWSe2 CMOSインバータの実証2021
- 著者名/発表者名
  川那子高暢，松﨑貴広，梶川亮介，宗田伊理也，星井拓也，角嶋邦之，筒井一生，若林整
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] Impact of Contact Doping on Electrical Characteristics in WSe2 FET2020
- 著者名/発表者名
  T. Matsuzaki, T. Kawanago, S. Oda
- 学会等名
  The Electrochemical Society PRiME 2020 (Online)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04616
[学会発表] ゲート絶縁膜転写とPVAドーピングによるトップゲートMoS2 FET の作製2020
- 著者名/発表者名
  川那子高暢，松﨑貴広，小田俊理
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Fabrication of top-gate MoS2 FET with transferred Al2O3 gate dielectric2019
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago, Tomoaki Oba, Shunri Oda
- 学会等名
  ECS 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Al2O3ゲート絶縁膜転写法を用いたトップゲートMoS2 FETの作製2019
- 著者名/発表者名
  川那子高暢，大場智明，小田俊理
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] PVA によるMoS2 FET へのキャリアドーピングと電気特性への影響2019
- 著者名/発表者名
  松﨑貴広, 大場智明，川那子高暢，小田俊理
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Polarity Control in WSe2 Field-Effect Transistors using Dual Gate Architecture2018
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Takagi, Ryo Ikoma, Tomoaki Oba, Takamasa Kawanago
- 学会等名
  2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] SAMゲート絶縁膜を用いたMoS2 FETのチャネル移動度への影響2018
- 著者名/発表者名
  川那子高暢，大場智明，小田俊理
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] 基板バイアス構造を用いたキャリア注入制御とWSe2FETの作製2018
- 著者名/発表者名
  川那子高暢, 高木寛之, 居駒遼, 大場智昭
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Two-dimensional inorganic/organic hetero interface for field-effect transistor applications2018
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago
- 学会等名
  Recent Progress Graphene Research (RPGR) 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors2018
- 著者名/発表者名
  Tomoaki Oba, Takamasa Kawanago, Shunri Oda
- 学会等名
  Recent Progress Graphene Research (RPGR) 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Two-dimensional inorganic/organic interface for field-effect transistor application2018
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago
- 学会等名
  1st Workshop on Novel 2D Device & Materials Physics (2DMaP)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] MoS2 FET fabricated by adhesion lithography2018
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago
- 学会等名
  International Symposium 3RD Japan-EU Flagship Workshop on Graphene and Related 2D Materials 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Gated Four-Probe Method to Evaluate the Impact of SAM Gate Dielectric on Mobility in MoS2 FET2018
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago, Tomoaki Oba, Ryo Ikoma, Hiroyuki Takagi, Shunri Oda
- 学会等名
  ESSDERC 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] 積層SAM/HfOxゲート絶縁膜を用いたMoS2 FETの作製2018
- 著者名/発表者名
  川那子高暢, 居駒遼, 大場智昭, 高木寛之
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] 積層SAM/HfOxゲート絶縁膜を用いたMoS2 FETの作製2017
- 著者名/発表者名
  大場智昭, 居駒遼, 川那子高暢
- 学会等名
  第７８回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Heavily-doped SOI Substrate and Transfer Printing for Charge Injection into2017
- 著者名/発表者名
  Ryo Ikoma, Takamasa Kawanago
- 学会等名
  17th International Workshop on Junction Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] 自己組織化単分子膜を用いたadhesion lithographyによるMoS2 FETの作製2017
- 著者名/発表者名
  川那子高暢，居駒遼，Wanjing Du，小田俊理
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[学会発表] Heavily-doped SOI with SAM-Based Gate Dielectrics in Application to TMDC FET2017
- 著者名/発表者名
  Ryo Ikoma, Takamasa Kawanago, Yukio Kawano
- 学会等名
  232nd ECS MEETING
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Radical Oxidation Process for Hybrid SAM/HfOx Gate Dielectrics in MoS2 FETs2017
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago, Ryo Ikoma, Tomoaki Oba, Hiroyuki Takagi
- 学会等名
  47th European Solid-State Device Research Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] 剥離転写法による高濃度ドープSOI基板を用いたTMDC-FETの作製2017
- 著者名/発表者名
  居駒遼, 川那子高暢, 河野行雄
- 学会等名
  第７８回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] 濃度SOI基板をゲート電極に用いたWSe2pFETの作製2017
- 著者名/発表者名
  高木寛之, 居駒遼, 大場智昭, 川那子高暢
- 学会等名
  第７８回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] 高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製2017
- 著者名/発表者名
  川那子高暢、居駒遼、高木寛之、小田俊理
- 学会等名
  SDM(シリコン材料・デバイス)研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Transfer printing of nanostructured membrane with elastomeric stamp and its application to TMDC-based field-effect transistors2017
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago, Wanjing Du, Ryo Ikoma, Tomoaki Oba, Hiroyuki Takagi and Shunri Oda
- 学会等名
  17th International Workshop on Junction Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14662
[学会発表] Adhesion Lithography to fabricate MoS2 FETs with Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics2016
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago, Ryo Ikoma, Du Wanjing, and Shunri Oda
- 学会等名
  ESSDERC 2016
- 発表場所
  Lausanne, Switzerland
- 年月日
  2016-09-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[学会発表] ジデシルホスホン酸(C12H25-PA)をゲート絶縁膜に用いたMoS2 FETの作製2016
- 著者名/発表者名
  居駒遼、川那子高暢、小田俊理
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[学会発表] WSe2 P-type Transistors Fabricated by Self-Assembled Monolayer for Contact Metal Patterning and Ultrathin Gate Dielectrics2016
- 著者名/発表者名
  Wanjing Du, Takamasa Kawanago, and Shunri Oda
- 学会等名
  SISC 2016
- 発表場所
  San Diego, CA
- 年月日
  2016-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[学会発表] Adhesion lithography to fabricate MoS2 FETs with self-assembled monolayer-based gate dielectrics2016
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago, R. Ikoma, W. Du, S. Oda
- 学会等名
  ESSDERC 2016
- 発表場所
  Lausanne, Switherland
- 年月日
  2016-09-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249048
[学会発表] Self-Assembled Monolayer-Based Gate Dielectrics for MoS2 FETs2016
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago, S. Oda
- 学会等名
  PRiME 2016/230th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249048
[学会発表] Multifunctional Phosphonic Acid Self-Assembled Monolayer for Metal Patterning and Ultrathin Gate Dielectrics in Fabrication of MoS2 Field-Effect Transistors2016
- 著者名/発表者名
  杜婉静, 川那子高暢, 小田俊理
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[学会発表] Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics for MoS2 FET2016
- 著者名/発表者名
  Takamasa Kawanago, and Shunri Oda
- 学会等名
  230th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii
- 年月日
  2016-10-02
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[学会発表] 自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製2016
- 著者名/発表者名
  川那子高暢、小田俊理
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
- 発表場所
  東京工業大学田町キャンパス
- 年月日
  2016-06-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[学会発表] Using Self-Assembled Monolayers for Selective Metal Removing and Ultrathin Gate Dielectrics in MoS2 Field-Effect Transistors2016
- 著者名/発表者名
  Wanjing Du, Takamasa Kawanago, and Shunri Oda
- 学会等名
  SSDM 2016
- 発表場所
  EPOCHAL TSUKUBA
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204
[学会発表] 自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製2016
- 著者名/発表者名
  川那子高暢，小田俊理
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06204

1. 小田俊理 (50126314)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
2. 小寺哲夫 (00466856)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 河野行雄 (90334250)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 黒澤昌志 (40715439)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 洗平昌晃 (20537427)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 安藤裕一郎 (50618361)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 居駒遼

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
8. ミルン W. I.

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. ウイリアムス D.

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. Du Wanjing

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件

川那子 高暢 Kawanago Takamasa

研究課題

研究成果

共同研究者

14族ナノシートに関する総括的研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

14族ナノシートのデバイス応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

2次元有機・無機材料を用いたMIS界面創出とノーマリオフMoS2 FETの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

自己組織化単分子膜を用いたMIS界面設計と新機能ナノ電子デバイスへの応用展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノシリコンドット・ナノワイヤの配列制御によるネオシリコン量子情報処理素子の創製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用2020

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

[図書] 自己組織化有機単分子膜を用いた界面制御とゲート絶縁膜技術2018

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V <sub> dd </sub> down to 0.5 V consisting of WSe<sub>2</sub> n/p FETs2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Transfer printing of gate dielectric and carrier doping with poly(vinyl-alcohol) coating to fabricate top-gate molybdenum disulfide field-effect transistors2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Transfer printing of Al2O3 gate dielectric for fabrication of top-gate MoS2 FET2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Control of threshold voltage by gate metal electrode in molybdenum disulfide field-effect transistors2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Use of self-assembled monolayers for selective metal removal and ultrathin gate dielectrics in MoS2 field-effect transistors2017

著者名/発表者名

雑誌名

川那子高暢 Kawanago Takamasa