田中敦之 TANAKA Atsushi

研究者番号	30774286
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2024年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者漏れ電流 / 転位 / パワーデバイス / 窒化ガリウム / GaN / 電界強度分布 / 電界分布計測 / 多光子PL-OBIC / キャリア分布計測 / OBIC … もっと見る / 多光子PL / 衝突電離係数 / 電子デバイス・機器 / 通電劣化 / ダイオード … もっと見る研究代表者以外 GaN / Microwave annealing / SJダイオード / Mgのメモリー効果 / Mgの偏析 / 高速エピタキシャル成長 / パワーデバイス / SJ / HVPE / SJ構造 / Mgドーピング / HVPE法 / pn接合 / 窒化物半導体隠す

シングルモードマイクロ波を用いたGaNの加熱応答の究明と加熱プロセスの開発
- 研究代表者
  
  鄭恵貞
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  名古屋大学
HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
GaNパワーデバイス実用化に向けたデバイス内部の電界強度分布直接観察に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  田中敦之
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  名古屋大学
GaNパワーデバイスの実用化に向けた、転位のデバイスに与える影響及び原理の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  田中敦之
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Reverse leakage mechanism of dislocation-free GaN vertical p-n diodes2023
- 著者名/発表者名
  Woong Kwon, Seiya Kawasaki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hirotaka Ikeda, Kenji Iso, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: early access 号: 7 ページ: 1-1
- DOI
  10.1109/led.2023.3274306
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04578
[雑誌論文] Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method2020
- 著者名/発表者名
  Tanaka Atsushi、Inotsume Syo、Harada Shunta、Hanada Kenji、Honda Yoshio、Ujihara Toru、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 257 号: 4 ページ: 1900553-1900553
- DOI
  10.1002/pssb.201900553
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[雑誌論文] Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p?n diodes and its effect on reverse leakage current2019
- 著者名/発表者名
  Usami Shigeyoshi、Mayama Norihito、Toda Kazuya、Tanaka Atsushi、Deki Manato、Nitta Shugo、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 114 号: 23 ページ: 232105-232105
- DOI
  10.1063/1.5097767
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[雑誌論文] Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown2019
- 著者名/発表者名
  Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Masaya Ogura, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 ページ: 2-2
- NAID
  120006643281
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[雑誌論文] V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate2019
- 著者名/発表者名
  Tanaka Atsushi、Nagamatsu Kentaro、Usami Shigeyoshi、Kushimoto Maki、Deki Manato、Nitta Shugo、Honda Yoshio、Bockowski Michal、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 9 ページ: 095002-095002
- DOI
  10.1063/1.5114866
- NAID
  120006877869
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[雑誌論文] m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates2018
- 著者名/発表者名
  Atsushi Tanaka, yuto Ando, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Heajeong Cheong, Barry Ousmane, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 215 ページ: 1700525-1700525
- NAID
  120006498158
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[雑誌論文] Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate2018
- 著者名/発表者名
  Usami Shigeyoshi、Ando Yuto、Tanaka Atsushi、Nagamatsu Kentaro、Deki Manato、Kushimoto Maki、Nitta Shugo、Honda Yoshio、Amano Hiroshi、Sugawara Yoshihiro、Yao Yong-Zhao、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 112 号: 18 ページ: 182106-182106
- DOI
  10.1063/1.5024704
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808, KAKENHI-PROJECT-18J12845
[雑誌論文] Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate2018
- 著者名/発表者名
  Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoshihiro Sugawara, Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 112 ページ: 182106-182106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[雑誌論文] Comparing high-purity c-and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes Grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Kentaro Nagamatsu, Yuto Ando, Zheng Ye, Osmane Barry, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 ページ: 105501-105501
- NAID
  210000149720
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[雑誌論文] Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes2017
- 著者名/発表者名
  Sang Liwen、Ren Bing、Sumiya Masatomo、Liao Meiyong、Koide Yasuo、Tanaka Atsushi、Cho Yujin、Harada Yoshitomo、Nabatame Toshihide、Sekiguchi Takashi、Usami Shigeyoshi、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 111 号: 12 ページ: 122102-122102
- DOI
  10.1063/1.4994627
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Reverse leakage mechanism of 900V GaN vertical p-n junction diodes with and without threading dislocations2022
- 著者名/発表者名
  W. Kwon, S. Kawasaki, H. Watanabe, A. Tanaka, Y. Honda, H. Ikeda, K. Iso, H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semicondoctors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04578
[学会発表] 多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案2021
- 著者名/発表者名
  八木誠、川崎晟也、隈部岳瑠、安藤悠人、田中敦之、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04578
[学会発表] 多光子励起を用いたGaNの正孔の衝突イオン化係数の測定2021
- 著者名/発表者名
  川崎晟也、安藤悠人、渡邉浩崇、田中敦之、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04578
[学会発表] GaNによるpn接合ダイオード中の光学的手法及び電気的手法による欠陥評価2021
- 著者名/発表者名
  本田善央、田中敦之、川崎晟也、出来真斗、天野浩
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04578
[学会発表] GaNパワーデバイスの実用化に向けた準備状況について2019
- 著者名/発表者名
  田中敦之、安藤悠人、高橋昌大、三浦史也、川崎晟也、渡邉浩崇、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] A novel birefringent observation for analyzing dislocations in GaN2019
- 著者名/発表者名
  Atushi Tanaka, Sho Inotsume, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda, Toru Ujihara, Hiroshi Amano
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Characterizations of high-temperature Mg ion implantation in GaN2018
- 著者名/発表者名
  M. Takahashi, K. Sone, A. Tanaka, S. Usami, M. Deki, M. Kushimoto, K. Nagamatsu, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano,
- 学会等名
  Internatinal Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p－n diodes2018
- 著者名/発表者名
  Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hayata Fukushima, Yuto Ando, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] 3DAPおよびLACBED法によるGaN自立基板上pnダイオードのリークの起源調査2018
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、菅原義弘、姚永昭、石川由加里、間山憲仁、戸田一也、安藤悠人、田中敦之、永松謙太郎、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第65会　応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] GaN自立基板上pnダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性2018
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、福島颯太、安藤悠人、田中敦之、永松謙太郎、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第65会　応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] GaNデバイスのキラーとなる転位欠陥とその低減法2018
- 著者名/発表者名
  田中敦之, 宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 久志本真希, 出来真斗,　新田州吾, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Vertical GaN pn diode with Avalanche capability structure2018
- 著者名/発表者名
  Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Improvement of Electrical Stability of ALD-Al2O3/GaN interface by UV/O3 Oxidation and Postdeposition Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Manato Deki, Kazushi Sone, Kenta Watanabe, Fumiya Watanabe, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  Internatinal Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Ammonia Decomposition and Reaction by High-Resolution Mass Spectrometry for Group III-Nitrides Epitaxial Growth2018
- 著者名/発表者名
  Zheng Ye, Shugo Nitta, Kentaro Nagamatsu, Naoki Fujimoto, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Schottky Barrier Diodes Fabricated on Miscut m-plane Substrates2018
- 著者名/発表者名
  Yuto Ando, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Manato Deki,　Ousmane 1 Barry, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  Internatinal Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] GaN中転位の三次元観察と転位がデバイスに与える影響2018
- 著者名/発表者名
  田中敦之、宇佐美茂佳、安藤悠人、永松謙太郎、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第65会　応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] 多光子PL顕微鏡による窒化ガリウム中転位の三次元観察2018
- 著者名/発表者名
  田中敦之，永松謙太郎，久志本真希，出来真斗，新田州吾，本田善央，天野浩
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Dislocation Characterization of GaN epilayer grown for power devices2018
- 著者名/発表者名
  Atsushi Tanaka
- 学会等名
  ACALED workshop
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Investigation of the Origin of the Leakage of P-N Diodes on a Free-Standing GaN Substrate Using the 3DAP and LACBED Methods2018
- 著者名/発表者名
  Shigeyoshi Usami, Yoshihiro Sugawara, Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa, Norihito Mayama, Kazuya Toda, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  The Compound Semiconductor Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] Observation of Dislocation Propagation in GaN on GaN Structure with a Multiphoton Excitation Photoluminescence Microscope2018
- 著者名/発表者名
  Atushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda HIroshi Amano
- 学会等名
  Internatinal Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808
[学会発表] 多光子PLを用いたGaN基板・GaNエピ層中の転位観察2017
- 著者名/発表者名
  田中敦之、宇佐美茂佳、安藤悠人、永松謙太郎、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  日本結晶成長国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K17808

1. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 新田州吾 (80774679)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 鄭恵貞 (10898399)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

田中 敦之 TANAKA Atsushi

研究課題

研究成果

共同研究者

シングルモードマイクロ波を用いたGaNの加熱応答の究明と加熱プロセスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GaNパワーデバイス実用化に向けたデバイス内部の電界強度分布直接観察に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GaNパワーデバイスの実用化に向けた、転位のデバイスに与える影響及び原理の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Reverse leakage mechanism of dislocation-free GaN vertical p-n diodes2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p?n diodes and its effect on reverse leakage current2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown2019

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates2018

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate2018

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Comparing high-purity c-and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes Grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy2018

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Reverse leakage mechanism of 900V GaN vertical p-n junction diodes with and without threading dislocations2022

著者名/発表者名

田中敦之 TANAKA Atsushi