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張 文馨  CHANG WENHSIN

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CHANG WENHSIN  チャン ウェンシン

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研究者番号 30796834
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度 – 2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
2019年度 – 2020年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
キーワード
研究代表者
Ge / 接触抵抗 / GeOI / GeOI (111) / vdW接合 / Bi2Te3 / Sb2Te3 / 三次元集積 / MOS / トランジスタ … もっと見る / 界面準位 / 半導体 / 半導体プロセス / HI / プラズマ / 原子層エッチング 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 研究成果

    (2件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  Geナノシートチャネルの精密構造制御及びvdWコンタクトにおけるキャリア輸送解明研究代表者

    • 研究代表者
      張 文馨
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  三次元集積化に向けるGe低温原子層エッチング技術開発に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      張 文馨 (CHANG WENHSIN)
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2020
    • 研究種目
      若手研究
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所

すべて 2020

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Performance and reliability improvement in Ge(100) nMOSFETs through channel flattening process2020

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, W. Mizubayashi, H. Ishii, and T. Maeda
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 169 ページ: 107816-107816

    • DOI

      10.1016/j.sse.2020.107816

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K15053, KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] HIプラズマ処理によるGe MOS界面特性の改善2020

    • 著者名/発表者名
      張文馨、入沢寿史、石井裕之、前田辰郎
    • 学会等名
      2020秋応用物理学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K15053
  • 1.  齊藤 雄太 (50738052)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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