張旭芳 Zhang Xufang

研究者番号	30857404
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2022年度: 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 特任助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者 interface / Interface / diamond / Al2O3 / チャネル移動度 / 界面準位 / ダイヤモンドMOS / Characterization / Electrical property / Al2O3/diamond interface / Diamond inversion MOSFET / MOS

Atomic structure elucidation and modulation for Al2O3/diamond interface研究代表者
- 研究代表者
  
  張旭芳
- 研究期間 (年度)
  2022
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  金沢大学
ダイヤモンド反転型MOSFETにおけるチャネル移動度の制約因子の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  張旭芳
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2021
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  金沢大学

すべて 2022 2021 2020

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Inversion-type p-channel diamond MOSFET issues2021
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Satoshi Yamasaki, Christoph E. Nebel, Takao Inokuma, and Norio Tokuda
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Research
  
  巻: 36 号: 23 ページ: 4688-4702
- DOI
  10.1557/s43578-021-00317-z
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K14773, KAKENHI-PROJECT-18KK0383
[雑誌論文] Inversion channel MOSFET on heteroepitaxially grown free-standing diamond2021
- 著者名/発表者名
  Zhang Xufang、Matsumoto Tsubasa、Nakano Yuta、Noguchi Hitoshi、Kato Hiromitsu、Makino Toshiharu、Takeuchi Daisuke、Ogura Masahiko、Yamasaki Satoshi、Nebel Christoph E.、Inokuma Takao、Tokuda Norio
- 雑誌名
  
  Carbon
  
  巻: 175 ページ: 615-619
- DOI
  10.1016/j.carbon.2020.11.072
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0383, KAKENHI-PROJECT-19K15042, KAKENHI-PROJECT-20K14773
[雑誌論文] Insight into Al2O3/diamond interface states with high-temperature conductance method2020
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Mitsuru Sometani, Satoshi Yamasaki, Christoph E. Nebel, Takao Inokuma, and Norio Tokuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 9 ページ: 092104-092104
- DOI
  10.1063/5.0021785
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K14773, KAKENHI-PROJECT-18KK0383, KAKENHI-PROJECT-19K15042
[雑誌論文] Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method2020
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Satoshi Yamasaki, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, Takao Inokuma, and Norio Tokuda
- 雑誌名
  
  CARBON
  
  巻: 168 ページ: 659-664
- DOI
  10.1016/j.carbon.2020.07.019
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K14773, KAKENHI-PROJECT-18KK0383, KAKENHI-PROJECT-19K15042
[学会発表] Impact of wet annealing treatments on Al2O3/diamond MOS interface2022
- 著者名/発表者名
  X. Zhang, T. Matsumoto , M. Sometani, M. Ogura, T. Makino, D. Takeuchi, C.E. Nebel, T. Inokuma, S. Yamasaki, and N. Tokuda
- 学会等名
  New Diamond and Nano Carbons 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14287
[学会発表] Electrical characterization of Al2O3/diamond MOS interface under various wet-annealing times2022
- 著者名/発表者名
  X. Zhang, T. Matsumoto , M. Sometani, M. Ogura, T. Makino, D. Takeuchi, C.E. Nebel, T. Inokuma, S. Yamasaki, and N. Tokuda
- 学会等名
  The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14287
[学会発表] Recent Progress in Electrical Characterization of Al2O3/Diamond Interface2022
- 著者名/発表者名
  X. Zhang, T. Matsumoto , M. Sometani, M. Ogura, T. Makino, D. Takeuchi, C.E. Nebel, T. Inokuma, S. Yamasaki, and N. Tokuda
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14287
[学会発表] High-temperature conductance analysis for Al2O3/diamond interface states2021
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Noriyuki Iwamuro, Satoshi Yamasaki, Christoph E. Nebel, Takao Inokuma, and Norio Tokuda
- 学会等名
  IWDTF
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K14773
[学会発表] Deep Interface Trap Analysis for Al2O3/Diamond MOS Structure by High-temperature Conductance Method2021
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Satoshi Yamasaki, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, Takao Inokuma, and Norio Tokuda
- 学会等名
  NDNC
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K14773
[学会発表] Deep Interface Trap Analysis for Al2O3/Diamond MOS Structure by High-temperature Conductance Method2020
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang
- 学会等名
  NDNC
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K14773

1. 徳田規夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

張 旭芳 Zhang Xufang

研究課題

研究成果

共同研究者

Atomic structure elucidation and modulation for Al2O3/diamond interface研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ダイヤモンド反転型MOSFETにおけるチャネル移動度の制約因子の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Inversion-type p-channel diamond MOSFET issues2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Inversion channel MOSFET on heteroepitaxially grown free-standing diamond2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Insight into Al2O3/diamond interface states with high-temperature conductance method2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Impact of wet annealing treatments on Al2O3/diamond MOS interface2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Electrical characterization of Al2O3/diamond MOS interface under various wet-annealing times2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Recent Progress in Electrical Characterization of Al2O3/Diamond Interface2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] High-temperature conductance analysis for Al2O3/diamond interface states2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Deep Interface Trap Analysis for Al2O3/Diamond MOS Structure by High-temperature Conductance Method2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Deep Interface Trap Analysis for Al2O3/Diamond MOS Structure by High-temperature Conductance Method2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

張旭芳 Zhang Xufang