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直江 正彦  NAOE Masahiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40016465
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1997年度 – 1999年度: 東京工業大学, 工学部, 教授
1990年度 – 1995年度: 東京工業大学, 工学部, 教授
1987年度 – 1988年度: 東京工業大学, 工学部, 教授
1985年度: 東京工業大学, 工, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
巨大磁気抵抗効果 / スパッタリング / Co / Cu多層膜 / スピンバルブ / Giant Magneto-resistance / 垂直磁気記録 / 対向ターゲット式スパッタ法 / 多層膜 / multilayer technique … もっと見る / Polymer tape substrate / Role coating system / High rate deposition / Recording tape / Co-Cr thin film, Perpendicular Magnetic Recording / ミラートロン放電 / 高速薄膜形成技術 / 低温 / 高密度磁気記録媒体 / 多層膜技術 / 連続スパッタ成膜装置 / 高速成膜法 / 磁気テープ / Co-Cr薄膜 / Plasma-free Film Formation / Alternate Deposition Type of Aputtering Method / Artificial Lattice type of Multilayered film / Ferromagnetic Heusler Alloy / Giant Kerr Rotation Angle Materials / Magneto-optical Recording Media / 人工格子膜 / 巨大カー回転角材料 / 人工格子形多層膜 / 巨大カー回転能材料 / 対向ターゲット式スパッタ装置 / プラズマフリー膜形成 / 交互堆積スパッタ法 / 人工格子型多層膜 / 強磁性ホイスラ合金 / 巨大力ー回転能材料 / 光磁気記録媒体 / Low temperature deposition / perpendicular recording media / High rate sputtering / 多層膜連続形成法 / 高速低温膜堆積 / 垂直磁気記録媒体 / Cu multilayer / Si underlayer / Antiferromagnetic layer / Exchange Bias Field / Tunneling Effect / Spin Valve / Si_3N_4絶縁層 / 不揮発性メモリー / デュアルスピンバルブ / スピン偏極電子 / Si下地層 / 反強磁性層 / 交換バイアス磁界 / トンネル効果 / Dual ion beam sputtering / Control of Interface / Ion irradiation / Spin valve / GMR effect / イオンビームスパッタ / Ni-Fe / メモリー素子 / デュアルイオンビームスパッタ法 / デュアルイオンビームスバッタ法 / 界面制御 / イオン照射 / Micro lithography technique / Thin Film Recording Heads / Soft Magnetic Thin Films / High Density Recording / Perpendicular Magnetic Recording / Dual Track Complimentary Heads / イオンビームスパッタ装置 / デュアルトラック / 微細加工技術 / 薄膜磁気ヘッド / 軟磁性薄膜 / 高密度記録 / デュアルトラック相補型薄膜磁気ヘッド / Facing Targets Sputtering Method / Epitaxial Growth / Multilayered Films / Ferrodielectric Thin Films / Ferrimagnetic Thin Film / 対向タ-ゲット式スパッタ法 / ZnO / コバルトフェライト / 光導波デバイス / 強誘電体 / フェリ磁性体 / エピタキシャル成長 / 強誘電体薄膜 / フェリ磁性体薄膜 / 軟磁気特性 / Fe系多層膜 / 鉄属遷移金属 / 希土類 / 巨大磁歪膜 / 人工格子 / イオンビ-ムスパッタ法 / 垂直磁化膜 / プラズマフリ-・スパッタ法 / アルミニウム多層膜 / 磁性合金 / 対向タ-ゲット式スパッタ装置 / 三元金属人工格子膜 隠す
  • 研究課題

    (9件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  スピン編極電子トンネル型大容量・高速ランダムアクセスメモリー研究代表者

    • 研究代表者
      直江 正彦
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  巨大磁気抵抗効果を用いたスビンバルブ型スタティックメモリー素子の開発研究代表者

    • 研究代表者
      直江 正彦
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  デュアルトラック相補型薄膜磁気ヘッドの開発と超高密度磁気記録システムへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      直江 正彦
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  イオンビ-ムスパッタ法によるREーTM系金属間化合物人工格子型巨大磁歪膜の材製研究代表者

    • 研究代表者
      直江 正彦
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  フェリ磁性体/強誘電体エピタキシャル多層膜の作製と光導波デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      直江 正彦
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  対向タ-ゲット式スパッタ法による三元金属人工格子膜の作製と磁気デバイスの応用研究代表者

    • 研究代表者
      直江 正彦
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  人工格子堆積式スパッタ法による強磁性ホイスラ合金膜の磁気光学特性向上に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      直江 正彦
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  垂直記録式磁気テープ試作用超高速スパッタ装置の開発に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      直江 正彦
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超高密度垂直磁気記録用三層媒体の連続高速スパッタ装置の開発研究代表者

    • 研究代表者
      直江 正彦
    • 研究期間 (年度)
      1984 – 1985
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  • 1.  中川 茂樹 (60180246)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  松下 伸広 (90229469)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  新村 嘉朗
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  金田 久美子 (10108227)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  星 陽一 (20108228)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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