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清水 勇  SHIMIZU Isamu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40016522
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1993年度 – 1999年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
1997年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究所, 教授
1995年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 教授
1988年度 – 1993年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 教授
1991年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
1987年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究所, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 応用物性
キーワード
研究代表者
アモルファス・シリコン / ヘテロエピタキシャル成長 / in situ observation / その場観察 / シリコン薄膜 / 低温成膜 / リーク電流 / ブロッキング電流 / 非線形現象 / 中距離構造 … もっと見る / ビディコン型撮像素子 / アバランシェ増倍効果 / a-Si:H膜 / 化学アニーリング法 / 薄膜 / アモルファスシリコン / 化学アニーリング / 表面反応制御 / 超格子構造 / 低温結晶成長 / 原子状水素 / 微結晶シリコン / solar cell / SiFィイD24ィエD2 / VHF plasma / high mobility / structure control / atomic hydrogen / 分光エリプソメトリーその場観察法 / layer-by-layer法 / 二段階成長法 / 水素原子メディエータ / 半導体ヘテロ成長 / II-VI半導体薄膜 / 多結晶シリコン薄膜 / 太陽電池 / SiF_4 / VHFプラズマ / 高移動度 / 構造制御 / quantum size effects / ATM-AFM / spectroscopic ellipsometry / silicon / surface reaction / semiconductors / mesoscopic structure / ポリシリコン / アモルフアス・シリコン / 自己組織化 / 新機能創製 / 原子レベル制御 / フリーラジカル / 量子サイズ効果 / STM-AFM / 分光エリプソメトリー / シリコン / 表面反応 / 半導体 / メゾスコピック構造 / Plasma / Thin Film / Light-induced Degradation / Charged Defects / Chemical Annealing / Staebler-Wronski Effect / a-Si : H / プラズマCVD / 安定性 / プラズマ / 光劣化 / 荷電欠陥 / Staebler-Wronski効果 / a-Si:H / Layr-by Lyer Technique / auto-ellipsometry / microwave plasma / 水素化アモルファスシリコン / 基板表面反応制御 / ステブラ・ロンスキ-効果 / ナロ-バンドギャップ / 自動エリプソメトリ- / 粒界制御 / 化学アニ-リング / layer-by-layer / layer-by layer / 自動エリプソメトリー / マイクロ波プラズマ / エピタキシャル成長 / ZnTe / ZnSe / znse / II-VI族化合物半導体 / ビジコン型撮像デバイス / アバランシェ倍増効果 / ナロ-ギャップアモルファスシリコン / ワイドギャップアモルファスシリコン / バンドギャップ制御 / 中距離構造制御 / ケミカルアニーリング法 / 光電流 / アバランシェ増幅 / ブロッキング電極 / 撮像デバイス / アバランシェ増幅効果 / ワイドギャップシリコン / エキシトン / ピコ秒観察 / 二次元規則性 / IIVI族化合物混晶 / 低温結晶成長法 / 正則混晶 / 擬平衡構造 / II VI族化合物 / 光伝導度 / aーSiCx:H / 低圧プラズマ / 超微粒結晶 / 半導体薄膜 / 電子サイクロトロン共鳴プラズマ / 格子緩和 / コヒ-レント成長 / 非平衡材料 / ZnSe結晶成長 隠す
  • 研究課題

    (17件)
  • 共同研究者

    (11人)
  •  アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1999
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と光電流増倍効果研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  「水素原子」をメディエータとする半導体物質接合界面構造制御研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  アモルファス・シリコン薄膜における低ノイズ・アバランシェ増幅機能の発現研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  高安定アモルファス・シリコン薄膜の作製研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  メゾスコピック構造形成のためのフリーラジカル制御研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  二次元規則性アロイIIVI族化合物結晶の作製と新機能発現研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  化学反応制御による半導体超微粒、超薄膜結晶の作製と新物性研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  化学反応制御による半導休超微粒、超薄膜結晶の作製と新物性研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  プラズマ・固体界面の化学反応観測とその制御研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  シリコン網目構造(アモルファスから単結晶まで)制御のための化学反応解析研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  原子状水素制御によるZnSe結晶の低温成膜に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  低圧プラズマ内でのシリコン網目形成反応研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  原子状水素制御によるZnSe結晶成膜に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  反応性プラズマによるシリコン膜表面の化学反応性制御研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  水素ラジカルCVD法によるznse,zns薄膜結晶の低温成長研究代表者

    • 研究代表者
      清水 勇
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  • 1.  白井 肇 (30206271)
    共同の研究課題数: 9件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  フォートマン チャールズ (70293066)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  神谷 利夫 (80233956)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  半那 純一 (00114885)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  松田 彰久
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  小田 俊理 (50126314)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  板谷 謹悟 (40125498)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  広瀬 全孝 (10034406)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  WAGNER S.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  WRONSKI C.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  HAN-NA J.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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