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中井 靖男  NAKAI Yasuo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40022719
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1995年度: 大同工業大学, 工学部, 教授
1988年度 – 1994年度: 名古屋大学, 理学部, 助教授
1987年度: 名古屋大学, 理学部, 助手
1986年度: 名大, 理学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
Surfaces of compound semiconductors / Laser irradiation / Atomic processes induced by electronic excitation / Surface exction Surface modification / Excitation of surface states / Desorption / 表面構造変化 / 表面原子脱離 / GaP / 化合物半導体 … もっと見る / レーザー照射 / 電子励起誘起原子過程 / 高密度電子励起効果 / 表面励起子 / 表面電子励起 / 表面原子放出 / CONTROL OF DEFECT ON SURFACES / LASER-INDUCED SURFACE PROCESSES / LASER IRRADIATION / DEFECT ON SURFACES / SEMICONDUCTOR SURFACE / 結晶成長 / 共鳴イオン化 / レーザー・固体表面相互作用 / 原子放出 / 表面欠陥 / 半導体表面 / 透過電子線回折位相差干渉法 / Si(III)√<3>×√<3>Ag構造 / 動力学的回折効果 / 多重散乱効果 / 構造因子の位相 / 透過電子線回折法 / 表面構造 … もっと見る
研究代表者以外
欠陥生成 / 原子放出 / 自己捕獲励起子 / surface defect / defect formation / high-density excitation effect / atomic processes induced by electronic excitation / adiabatic potential energy suraface / Laser-induced particle emmision / cascade excitation spectroscopy / transient Raman spectrscopy / 石英 / 構造変化 / アルモルフアス / イオンビーム表面解析 / 共鳴ラマン / 化合物半導体 / アルカリハライド / 励起子 / 電子励起 / レーザー誘起原子放出 / 過渡的ラマン散乱装置 / 電子励起誘起原子過程 / 表面欠陥 / 高密度励起効果 / 電子励起誘導起原子過程 / 断熱ポテンシャル曲線 / レ-ザ-誘起原子放出 / 二重励起分光装置 / 過度的ラマン散乱装置 / H center / F center / Atomic emission / Electronic excitation / Defect formation / Lattice relaxation / Exciton / 断熱ポテンシャルエネルギ-曲面 / アブイニシオ計算 / 断熱ポテンシャルエネルギー曲面 / 励起子緩和 / ハロゲン化アルカリ / 半経験的分子軌道計算 / 欠陥形成 / 光化学反応 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 共同研究者

    (11人)
  •  レーザー誘起原子放出を用いた表面微量欠陥の定量法の確立研究代表者

    • 研究代表者
      中井 靖男
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      大同工業大学
      名古屋大学
  •  固体内部および表面における電子励起誘起原子過程の量子化学的模擬

    • 研究代表者
      伊藤 憲昭
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  高速電子線回折法による固体表面原子構造の解析研究代表者

    • 研究代表者
      中井 靖男
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  固体における電子励起誘起原子過程の研究

    • 研究代表者
      伊藤 憲昭
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1991
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  固体表面における電子励起誘起原子放出研究代表者

    • 研究代表者
      中井 靖男
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  • 1.  伊藤 憲昭 (90022996)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  谷村 克己 (00135328)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  金崎 順一 (80204535)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  中村 新男 (50159068)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  松波 紀明 (70109304)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  HEIFETS E.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  PUCHIN V.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  SHLUGER A.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  V Puchin
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  E Heifets
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  A Shluger
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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