• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

丹生 博彦  NIU Hirohiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40047618
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2002年度 – 2003年度: 姫路工業大学, 工学研究科, 教授
2000年度 – 2001年度: 姫路工業大学, 工学部, 教授
1996年度 – 1997年度: 姫路工業大学, 工学部, 教授
1989年度: 姫路工業大学, 工学部, 講師
1986年度: 姫路工大, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 電子機器工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
MOCVD / MFS型デバイス / PZT薄膜 / MFSデバイス / TiO_2 thin film / PFM observations / MFS device / A1_2O_3 thin film / PZT thin film / MFIS structure … もっと見る / Ferroelectric gate FET / MOCVD法 / 強誘電性のAFM観察 / TiO_2薄膜 / PFM観察 / Al_2O_3薄膜 / MFIS構造 / 強誘電体ゲートFET / Ir electrode / PZT thin films / Semiconductor interface / Ferroelectric thin films / MFS-Device / Ir / 強誘電体 / Ir電極 / 半導体界面 / 強誘電体薄膜 / 位相による位置情報 / 素子感度の調整 / MOS型光位置センサ / MOS型位置センサ / 二次元位置センサ / 光位置センサ … もっと見る
研究代表者以外
MOCVD / MOCVD法 / 二段階成長法 / Ir薄膜 / 低温成長 / 強誘電性 / 圧電応答顕微鏡 / ferroelectric thin film memory / three-dimensional capacitor / ferroelectric capacitor / Ir thin film step coverage / PZT thin film / low temperature growth / 段差被膜性 / Pb(Zr, Ti)O_3(PZT)薄膜 / NOCVD法 / PZTキャパシタ / Ir系電極 / 強誘電体薄膜メモリ / 立体構造キャパシタ / 強誘電体キャパシタ / 段差被覆性 / PZT薄膜 / 低音成長 / ultra thin PZT films / polarization reversal process / piezoresponse / ferroelectricity / grain boundary / grain size / Pb(Zr,Ti)O_3(PZT) thin films / 原子層ステップ / エピタキシャル単結晶PZT薄膜 / 初期成長過程 / PbTiO_3初期核 / グレインサイズの制御 / 強誘電体PZT薄膜 / エピタキシャルPZT薄膜 / グレインサイズ制御 / Pb(Zr, Ti)O_3(PZT) / 強誘電体メモリ / 強誘電体薄膜 / PZT極薄膜 / 分極反転機構 / 圧電応答 / グレインバウンダリ / グレインサイズ / Pb(Zr, Ti)O_3薄膜 / 圧電振動応答 / 成長機構 / 島状核 / 立体構造PZTキャパシタ / Stranski-Krastanov成長 / Volmer-Waber成長 / 三次元キャパシタ / 高品質強誘電体薄膜 / エピタキシャル成長 / 自己集合 / ナノ構造 / 極薄膜 / Pb(Zr,Ti)O_3 / 強誘電体 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  強誘電体及び電極薄膜の低温MOCVD成長と超高集積立体構造メモリへの応用

    • 研究代表者
      清水 勝
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  MOCVD法による高品質強誘電体薄膜の作製と物性評価

    • 研究代表者
      清水 勝
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  強誘電体薄膜のグレインバウンダリが電気特性に及ぼす影響の解明とメモリ素子への応用

    • 研究代表者
      清水 勝
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  強誘電体ゲートトランジスタの開発に向けての界面の改良と電子的特性評価研究代表者

    • 研究代表者
      丹生 博彦
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  強誘電体/半導体(金属)界面の解析・制御とデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      丹生 博彦
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  走査を必要としないMOS型二次元光位置センサの開発研究代表者

    • 研究代表者
      丹生 博彦
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  横方向光起電力効果を利用したMOS型光位置センサの開発研究代表者

    • 研究代表者
      丹生 博彦
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  • 1.  清水 勝 (30154305)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  藤沢 浩訓 (30285340)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  松田 哲郎 (10047582)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  安達 正利 (90026287)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  藤森 敬和
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  門倉 秀公
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi