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奥野 公夫  OKUNO Kimio

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40103395
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1997年度: 長崎総合科学大学, 工学部, 教授
1991年度 – 1996年度: 長崎総合科学大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
表面界面物性 / 応用物性
キーワード
研究代表者
単原子層 / 薄膜 / 電界イオン顕微鏡 / 界面 / 電界放射 / 超薄膜層 / シリコン / Field ion microscope / Interface / 電界脱離 … もっと見る / Pd / Field emission / Semiconductor film / Thin-film / Ultrathin film / Silicon / 電界放射顕微鏡 / シリサイド合金 / シリサイド / 薄膜成長 / 半導体薄膜 / Film / Field emission microscope / Ultra thin film / Pseudomorph / 疑似形態 / 上層 / 成長層 / 電界電子放射顕微鏡 / 疑似形態層 / シリコン-半導体界面 / Si 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  •  半導体-金属原子界面層の高電場顕微鏡による評価研究代表者

    • 研究代表者
      奥野 公夫
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      長崎総合科学大学
  •  半導体-金属原子界面層の電界放射・イオン顕微鏡による評価研究代表者

    • 研究代表者
      奥野 公夫
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      長崎総合科学大学
  •  半導体-金属原子界面層の電界放射・イオン顕微鏡による評価研究代表者

    • 研究代表者
      奥野 公夫
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      長崎総合科学大学
  •  半導体-金属原子界面層の電界放射・イオン顕微鏡による評価研究代表者

    • 研究代表者
      奥野 公夫
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      長崎総合科学大学
  •  異種界面原子層の電界イオン顕微鏡による評価研究代表者

    • 研究代表者
      奥野 公夫
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      長崎総合科学大学

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