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上村 喜一  KAMIMURA Kiichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40113005
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2014年度: 信州大学, 学術研究院工学系, 教授
2012年度 – 2013年度: 信州大学, 工学部, 教授
1999年度 – 2000年度: 信州大学, 教育システム研究開発センター, 教授
1996年度 – 1998年度: 信州大学, 工学部, 助教授
1993年度 – 1994年度: 信州大学, 工学部, 助教授
1987年度 – 1990年度: 信州大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子材料工学
キーワード
研究代表者
熱フィラメント / FET / MIS / 炭化珪素 / 窒化 / スパッタ / Photochemical reaction / Nitridation / Compound semiconductor surface / ショットキー … もっと見る / 太陽電池 / ショットキー接触 / 光化学反応 / 窒化膜 / 化合物半導体表面 / Hot Filament / Contact Resistance / MIS Interface / Silicon Carbide / 高温動作素子 / サファイヤ基板 / 接触抵抗 / MIS界面 / infrared light source / pressure sensor / sensor / micromachining / silicon carbide / 圧力センサ / 温度センサ / マイクロマシニング / 耐環境性材料 / 赤外光源 / 圧力セン / センサ / マイクロマシニン / MOS / 界面準位 / 電界効果トランジスタ / プラズマ / 界面制御 / 直接窒化 / SiC / 炭化ケイ素 / カルビン / カーバイン / ナノファイバ / ナノ構造 / 炭素繊維 / sp結合 / ナノファイバー / カーボン / カーバイン(カルビン) / Chaoite / スパッタリング / Carbyne / 炭素 … もっと見る
研究代表者以外
多結晶 / 薄膜 / 炭化珪素 / polycrystalline / thin film / sputtering / silicon carbide / トランジスタ / ヘテロ接合 / スパッタリング / ピエゾ抵抗効果 / プラズマ気相成長 / 半導体薄膜 / プラズマCVD / センサ 隠す
  • 研究課題

    (9件)
  • 研究成果

    (10件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  直接熱窒化層を用いたSiCMIS構造の作製と電力用FETへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      上村 喜一
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      信州大学
  •  熱フィラメントアシストスパッタ法によるカーバイン複合薄膜の物性評価と制御研究代表者

    • 研究代表者
      上村 喜一
    • 研究期間 (年度)
      1999
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      信州大学
  •  サファイヤ基板上に形成した炭化珪素薄膜を用いた高温・大電力用FETの作製研究代表者

    • 研究代表者
      上村 喜一
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      信州大学
  •  熱フィラメントアシストスパッタ法によるカーバイン複合簿膜の物性評価と制御研究代表者

    • 研究代表者
      上村 喜一
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      信州大学
  •  熱フィラメントアシストスパッタ法によるカ-バイン複合 膜の物性評価と制御研究代表者

    • 研究代表者
      上村 喜一
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      信州大学
  •  マイクロマシニング材料としての多結晶炭化珪素薄膜の作製と応用研究代表者

    • 研究代表者
      上村 喜一
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      信州大学
  •  ドライプロセスによる多結晶炭化珪素薄膜の形成とその薄膜トランジスタへの応用

    • 研究代表者
      小沼 義治
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      信州大学
  •  炭化珪素薄膜を用いた耐環境性高感度センサの開発

    • 研究代表者
      小沼 義治
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      信州大学
  •  紫外光で励起したアンモニアによるリン化インジウム表面の直接窒化と電子素子への応用研究代表者

    • 研究代表者
      上村 喜一
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      信州大学

すべて 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Preparation and Characterization of Nitridation Layer on 4H SiC(0001) Surface by Direct Plasma Nitridation2014

    • 著者名/発表者名
      Yoshiyuki Akahane, Takuo Kano, Kyosuke Kimura, Hiroki Komatsu, Yukimune Watanabe, Tomohiko Yamakami, Kiichi Kamimura
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 778-780 ページ: 631-634

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.631

    • NAID

      120007101048

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [雑誌論文] Preparation and Characterization of Deposited Tetraethylorthosilicate - SiO2/SiCMIS Structure2013

    • 著者名/発表者名
      Mitsunori Hemmi, Takashi Sakai, Tomohiko Yamakami, Rinpei Hayashibe1and Kiichi Kamimura
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 740-742 ページ: 805-808

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.805

    • NAID

      120007101049

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [学会発表] TEOS を用いた熱CVD 法による4H-SiC MIS 特性に対するH2 アニールの効果2014

    • 著者名/発表者名
      狩野巧生, 赤羽桂幸, 小林悠太, 山上朋彦, 上村喜一
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告 電子部品・材料
    • 発表場所
      信州大学工学部
    • 年月日
      2014-07-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [学会発表] TEOS を用いた低温CVD 法によるSiC MIS 特性に対するアニールの影響2014

    • 著者名/発表者名
      狩野巧生, 小松広基, 小林悠太, 赤羽桂幸, 山上朋彦, 上村喜一
    • 学会等名
      応用物理学会北陸・信越支部第2 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
    • 発表場所
      信州大学工学部
    • 年月日
      2014-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [学会発表] 直接窒化処理におけるSiC-MIS 構造へのH2 混合ガス雰囲気の影響2014

    • 著者名/発表者名
      赤羽桂幸,木村恭輔,荻野航弥,狩野巧生,小松広樹,山上朋彦,上村喜一
    • 学会等名
      応用物理学会北陸・信越支部第2 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
    • 発表場所
      信州大学工学部
    • 年月日
      2014-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [学会発表] 熱処理によるSiO2/SiON/SiC 構造の特性改善2014

    • 著者名/発表者名
      赤羽桂幸,狩野巧生,荻野航弥,山上朋彦,上村喜一
    • 学会等名
      応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      富山大学工学部
    • 年月日
      2014-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [学会発表] TEOS を用いたSiO2/SiC 構造の作製と評価

    • 著者名/発表者名
      酒井崇史, 逸見充則, 赤羽桂幸, 狩野巧生, 丸山洋平, 山上朋彦,林部林平,上村喜
    • 学会等名
      第21 回SiC 及び関連ワイドギャップ半導体講演会
    • 発表場所
      大阪市中央公会堂
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [学会発表] Preparation and Characterization of Nitridation Layer on 4H-SiC(0001) Surface by Direct Plasma Nitridation

    • 著者名/発表者名
      Yoshiyuki Akahane, Takuo Kano, Kyosuke Kimura, Hiroki Komatsu, Yukimune Watanabe, Tomohiko Yamakami, Kiichi Kamimura
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Caride and Related Materials 2013
    • 発表場所
      宮崎市,シーガイアリゾート
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [学会発表] Preparation and Characterization of Deposited Tetraethylorthosilicate SiO2/SiCMIS Structure

    • 著者名/発表者名
      M. Hemmi, Y. Sakai, T. Yamakami, R. Hayashibe, K. Kamimura
    • 学会等名
      Europian Cnference on SiC and Related Materials 2012
    • 発表場所
      Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [学会発表] TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiCMIS特性に対するアニールの効果

    • 著者名/発表者名
      狩野巧生,赤羽桂幸,木村恭輔,小松広基,山上朋彦,上村喜一
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究会大22回講演会
    • 発表場所
      さいたま市,埼玉会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • 1.  小沼 義治 (40020979)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  菱田 美加
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  木内 光宏
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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