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多田 哲也  Tada Tetsuya

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40188248
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2016年度 – 2017年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ付
2015年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 部門付
2011年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ長
2011年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロ二クス研究部門, グループ長
2010年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 … もっと見る
2009年度: (独)産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長
2008年度: 独立行政法人 産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長
2007年度: 産業技術総合研究所, 次世代半導体研究センター, 主任研究員
2004年度 – 2006年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 次世代半導体研究センター, 主任研究員
1988年度 – 1990年度: 東京大学, 理学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者以外
薄膜・表面界面物性 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 理工系
キーワード
研究代表者以外
微細加工 / 準周期系 / ナノ材料 / 原子分子処理 / ナノエレクトロニクス / 2次元電子系 / 原子層シリサイド半導体 / クラスター凝集 / シリサイド / ショットキー障壁 … もっと見る / コンタクト抵抗 / 原子層薄膜 / 半導体シリサイド / electronic materials / nano-materials / scanning tunneling microscopy / atomic process / surface and interface / 反転層形成 / カーボンナノチューブトランジスタ / 電荷移動型ドーピング / イオントラップ / シリコン表面 / 走査トンネルスペクトル / 第一原理計算 / 走査トンネル顕微鏡 / 遷移金属内包シリコンクラスター / 電子・電気材料 / 走査プローブ顕微鏡 / 表面・界面物性 / 電気伝導度 / 光吸収スペクトル / シリコンクラスター / レーザアブレーション / シリコン / クラスター / 超薄膜 / 遷移金属内包Siクラスター / 第三音波 / 二次元電子系 / 準結晶 隠す
  • 研究課題

    (6件)
  • 研究成果

    (17件)
  • 共同研究者

    (8人)
  •  原子層シリサイド半導体による革新的エレクトロニクス要素技術

    • 研究代表者
      内田 紀行
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  配列ナノ空間物質を利用した次世代半導体デバイス

    • 研究代表者
      金山 敏彦
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2011
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所
  •  金属原子内包シリコンクラスターの原子数制御合成に基づく界面ナノ構造形成

    • 研究代表者
      金山 敏彦
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所
  •  微細加工による準周期構造の電子状態の研究

    • 研究代表者
      大塚 洋一
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  微細加工による準周期構造の電子状態の研究

    • 研究代表者
      大塚 洋一
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  微細加工による準周期構造の電子状態の研究

    • 研究代表者
      大塚 洋一
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学

すべて 2012 2011 2009 2008 2007 2006 2005 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Electric field effect in amorphous2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Yusuke Matsushita, Kenichiro Samaeshima, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 1 ページ: 121502-121502

    • DOI

      10.1143/apex.1.121502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Synthesis of New Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express (APEX) 1

    • NAID

      10025083656

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Synthesis of New Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      pplied Physics Express (APEX) 1

    • NAID

      10025083656

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] グラフェンを用いる半導体装置及びその製造方法2007

    • 発明者名
      多田哲也, 金山敏彦, 日浦英文, 二瓶 史行
    • 権利者名
      産総研, 日本電気(株)
    • 産業財産権番号
      2007-052887
    • 出願年月日
      2007-03-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2006

    • 発明者名
      多田哲也, 金山敏彦, 日浦英文, 東口達
    • 権利者名
      産総研, 日本電気(株)
    • 産業財産権番号
      2006-315050
    • 出願年月日
      2006-11-22
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2005

    • 発明者名
      多田哲也, 金山敏彦, 日浦英文
    • 権利者名
      産総研, 日本電気(株)
    • 産業財産権番号
      2005-315627
    • 出願年月日
      2005-10-31
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] ドーパント材料、ドーパント材料の製造方法およびこれを用いた半導体素子2005

    • 発明者名
      多田哲也, 金山敏彦, 日浦英文
    • 権利者名
      産総研, 日本電気(株)
    • 産業財産権番号
      2005-001422
    • 出願年月日
      2005-01-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] ドーパント材料、ドーパント材料の製造方法およびこれを用いた半導体素子2005

    • 発明者名
      日浦 英文, 多田 哲也, 金山 敏彦
    • 権利者名
      日本電気(株), 産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2005-001422
    • 出願年月日
      2005-01-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [学会発表] Si・シリサイドナノ結晶コンポジット半導体膜の熱伝導率2012

    • 著者名/発表者名
      内田紀行、大石祐治、黒崎健、山中伸介、多田哲也、金山敏彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関連学術講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electronic properties of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, S.J.Park, T.Tada, T.Kanayama
    • 学会等名
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2011-11-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Interfacial structure analysis of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2011

    • 著者名/発表者名
      S.J.Park, N.Uchida, T.Tada, T.Kanayama
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形県)
    • 年月日
      2011-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis of Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, H. Kintou, Y. Matsushita, T. Tada, T. Kanayama
    • 学会等名
      International Conference on Nanoscience and Quantum Physics (nanoPHYS'09)
    • 発表場所
      東京都 港区
    • 年月日
      2009-02-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis of Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Yusuke Matsushita, Hiroshi Kintou, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      International Conference on Nanoscience and Quantum Physics (nanoPHYS'09)
    • 発表場所
      Minato-ku, Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters2008

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, H. Kintou, Y. Matsushita, T. Tada, K. Kirihara, H. Oyanagi, T. Kanayama,
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      茨城県 つくば市 つくば国際会議場
    • 年月日
      2008-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター薄膜のラマン散乱測定2008

    • 著者名/発表者名
      金藤 浩史, 松下 祐介, 内田 紀行, 多田 哲也, 金山 敏彦, 村上 浩一
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛知県 春日井市 中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters"2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Kazuhiho Kirihara, Hiroyuki Oyanagi, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Ibaraki, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Kazuhiho Kirihara, Hiroyuki Oyanagi, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Ibaraki
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • 1.  大塚 洋一 (50126009)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  金山 敏彦 (70356799)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 12件
  • 3.  宮崎 剛英 (10212242)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 4.  内田 紀行 (60400636)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 12件
  • 5.  小林 俊一 (90029471)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  島田 宏 (60216067)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  宮崎 吉宣 (30610844)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  日浦 英文
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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