山口浩一 yamaguchi koichi

研究者番号	40191225
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所属 (現在)	2025年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 2022年度 – 2023年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 2017年度 – 2019年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 2010年度: 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 教授 2008年度 – 2009年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 … もっと見る 2002年度 – 2004年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 1997年度 – 2000年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 1995年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 1991年度 – 1994年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外応用光学・量子光工学 / 電子材料工学
キーワード	研究代表者量子ドット / GaAs / InAs / 分子線エピタキシー / 走査型トンネル顕微鏡 / III-V族半導体 / 結晶成長 / フォトルミネッセンス / インジウム砒素 / 自己形成 … もっと見る / GaSb / スピン偏極走査型トンネル顕微鏡 / 磁性 / 光励起 / 微細加工 / スピン偏極電子 / ニューラルネットワーク / 量子デバイス / 均一エネルギー幅 / ２次元物質 / ミニバンド形成 / 電子的強結合 / 光伝導 / トンネル注入 / 量子ドットネットワーク / 電子的結合 / 電子デバイス / シリコン酸化膜 / 分子線堆積 / アンチモン / ガラス基板 / 分子線堆積法 / nanohole / spin / self formation / molecular beam epitaxy / quantum dot / 自己組織化 / ナノホール / スピン / 分子線エピタキシ / Si / 量子ドッド / Sb / Ge / 太陽電池 / 探針 / プラズマ / 窒素 / ラジカルビーム源 … もっと見る研究代表者以外第二高調波発生 / 4光波混合効果 / 密度行列 / 非線形光学 / Standing Wave / Cavity / Grating / Diffraction / Quasi-Phase-Matching / Phase Matching / Optical Second-Harmonic Generation / Optical Frequency Conversion / 波長変換 / 定在波 / 共振器 / グレーティング / 回折 / 疑似位相整合 / 位相整合 / 光第二高調波発生 / 光波長変換 / polycrystal Si thin film / excimer laser anneal / 分子線蒸着 / 融解再結晶 / 多結晶シリコン膜 / エキシマレーザ / レーザアニール / エキシマレーザアニール / 多結晶シリコン薄膜 / キャリアヒーティング / スペクトルホールバーニング / ツインストライプレーザ / 半導体レーザ / 直接変調 / キャリアヒ-ティング / スペクトルホ-ルバ-ニング / 半導体レ-ザ増幅器 / 半導体レ-ザ隠す

２次元量子ドットネットワーク構造の創製とそのニューラルネットワーク応用研究代表者
- 研究代表者
  
  山口浩一
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  電気通信大学
Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  山口浩一
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  電気通信大学
ナノ液滴成長法によるSiO2/Si基板上へのInGaN量子ドットの自己形成研究代表者
- 研究代表者
  
  山口浩一
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
シリコン基板上への有機薄膜/半導体量子ドットの作製とその高効率太陽電池への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  山口浩一
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
高均一半導体量子ドットへのスピン偏極電子の注入と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  山口浩一
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
光励起GaAsマイクロ探針を用いた新しいスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山口浩一
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山口浩一
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
屈折率グレーティングによる基本波の回折を利用した位相整合波長変換に関する研究
- 研究代表者
  
  小笠原長篤
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  電気通信大学
窒素ラジカルビーム源の開発と窒素系III-V族半導体薄膜の結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  山口浩一
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  電気通信大学
半導体レーザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究
- 研究代表者
  
  小笠原長篤
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学
電子ビーム励起高出力エキシマレーザによる大面積半導体薄膜のアニール
- 研究代表者
  
  岡本孝太郎
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
半導体レ-ザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究
- 研究代表者
  
  小笠原長篤
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学

[図書] Molecular Beam Epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  K. Yamaguchi（分担）
- 総ページ数
  480
- 出版者
  John Wiley & Sons Ltd.
- ISBN
  9781119355014
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[図書] 量子ドットエレクトロニクスの最前線2011
- 著者名/発表者名
  山口浩一共著
- 出版者
  エヌ・ティー・エス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[図書] Handbook of Self-Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics (Chapter 8)2008
- 著者名/発表者名
  K. Yamaguchi, S. Tsukamoto, K. Matsuda
- 総ページ数
  22
- 出版者
  Elsevier Inc
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[図書] ナノマテリアルハンドブック(国武豊喜監修)2005
- 著者名/発表者名
  山口浩一(分担執筆)
- 総ページ数
  807
- 出版者
  エヌ・ティー・エス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[図書] ナノマテリアルハンドブック(国武豊喜監修)2005
- 著者名/発表者名
  山口浩一(分担執筆)
- 総ページ数
  807
- 出版者
  エヌ・ティー・エス
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[図書] Handbook of Self-Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics, Chapter 8
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, S.Tsukamoto, K.Matsuda
- 総ページ数
  22
- 出版者
  Elsevier Inc
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Resonant Tunneling Injection of Electrons Through Double Stacked GaAs/InAs Quantum Dots with Nanohole Electrode2023
- 著者名/発表者名
  Y. Nakazato, N. Miyashita and K. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 11 ページ: 1120051-6
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad0677
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04196, KAKENHI-PROJECT-20K05682
[雑誌論文] Demonstration of in-plane miniband formation in InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots by analysis of temperature dependence of photoluminescence2022
- 著者名/発表者名
  Tatsugi Sho、Miyashita Naoya、Sogabe Tomah、Yamaguchi Koichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 10 ページ: 102009-102009
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac9349
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[雑誌論文] Molecular beam deposition of high-density InAs quantum dots on SiOx films2019
- 著者名/発表者名
  Akinori Makaino, Yuta Tanaka, and Koichi Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- NAID
  210000156067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[雑誌論文] Molecular Beam Deposition of High-Density InAs Quantum Dots on SiOx Films2019
- 著者名/発表者名
  A. Makaino, Y. Tanaka and K. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SD ページ: SDDF07-SDDF07
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0def
- NAID
  210000156067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[雑誌論文] Self-Formation of InAs Quantum Dots on SiOx/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition2018
- 著者名/発表者名
  A. Makaino, K. Sakamoto, T. Sogabe, S. Kobayashi and K. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 8 ページ: 0855011-4
- DOI
  10.7567/apex.11.085501
- NAID
  210000136322
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342, KAKENHI-PROJECT-20K20314
[雑誌論文] Stacking growth of in-plane InAs quantum-dot superlattices on GaAsSb/GaAs(001) for solar cell applications2010
- 著者名/発表者名
  T.Inaji, J.Ohta, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  2010 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
  
  ページ: 1885-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Stacking Growth of In-Plane InAs Quantum-Dot Superlattices on GaAsSb /GaAs (001) for Solar Cell Applications2010
- 著者名/発表者名
  T.Inaji, J.Ohta, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  35^<th> IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
  
  ページ: 1885-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum-Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption2010
- 著者名/発表者名
  N.Kakuda, T.Kaizu, M.Takahasi, S.Fujikawa, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: 49
- NAID
  40017294740
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum-Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption2010
- 著者名/発表者名
  N.Kakuda, T.Kaizu, M.Takahasi, S.Fujikawa, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
  
  ページ: 0956021-4
- NAID
  40017294740
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] In situ determination of Sb distribution in Sb/GaAs(00l)layer for high-density InAs quantum dot growth2008
- 著者名/発表者名
  T. Kaizu, M. Takahasi, K. Yamaguchi, J. Mizuki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 3436-3439
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Generation of highly circularly polarized light from uniform InAs/GaAs quantum dots2008
- 著者名/発表者名
  K. Kusunoki, N. Tsukiji, T. Umi, A. Tackeuchi, K. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C) 5
  
  ページ: 378-381
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Sb-mediated growth of high-density InAs quantum dots and GaAsSb embedding growth by MBE2008
- 著者名/発表者名
  N.Kakuda, T.Yoshida,K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 254
  
  ページ: 8050-8053
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Uniform formation of high-density InAs quantum dots by InGaAs capping growth2008
- 著者名/発表者名
  S.Tonomura, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 104
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Uniform formation of high-density InAs quantum dots by In GaAs capping growth2008
- 著者名/発表者名
  S. Tonomura, K. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 104
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Sb-mediated growth of high-density InAs quantum dots and GaAsSb embedding growth by MBE2008
- 著者名/発表者名
  N. Kakuda, T. Yoshida, K. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 254
  
  ページ: 8050-8053
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[雑誌論文] Control of Self-Formed GaAs Nanoholes Combined with Embedded InAs Quantum Dots2005
- 著者名/発表者名
  T.Satoh, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44, No.4B
  
  ページ: 2672-2675
- NAID
  10015705307
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  K.yamaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.275
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Control of Light Emitting Wavelength from Uniform InAs Quantum Dots by Annealing2005
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.244
  
  ページ: 88-91
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] 高均一量子ドットの自己形成2005
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 雑誌名
  
  応用物理学会誌 Vol.74 No.33
  
  ページ: 307-312
- NAID
  10014489535
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Analysis of Sb-As Surface Exchange Reaction in Molecular Beam Epitaxy of GaSb/GaAs Quantum Wells2005
- 著者名/発表者名
  T.Nakai, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44, No.6A
  
  ページ: 3803-3807
- NAID
  10016440965
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, T.Kanto
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth Vol.275
  
  ページ: 2269-2273
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Self-Assembed InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] 高均一量子ドットの自己形成2005
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 雑誌名
  
  応用物理学会誌 Vol.74 No.3
  
  ページ: 307-312
- NAID
  10014489535
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Self-Assembled GaAs/GaSb Quantum Dots by MolecularBeam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  S.Iwasaki, T.Nakai, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Trans.MRS-J Vol.29, No.1
  
  ページ: 127-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Controlled Stacking Growth of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Suzuki, T.Kaizu, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Physica E Vol.21/2-4
  
  ページ: 555-559
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Spin Relaxation Dynamics in Highly Uniform InAs Quantum Dots2004
- 著者名/発表者名
  A.Takeuchi, R.Ohtsubo, K.Yamaguchi, M.Murayama, T.Kitamura, et al.
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.84
  
  ページ: 3576-3578
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Self-Formation of Uniform InAs Quantum Dots and Quantum-Dot Chains2004
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, T.Kaizu, T.Kanto, Y.Suzuki
- 雑誌名
  
  Trans.MRS-J Vol.29, No.1
  
  ページ: 117-121
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Atomically controlled GaSb-termination of GaAs surface and its properties2004
- 著者名/発表者名
  T.Miura, T.Nakai, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.237
  
  ページ: 242-245
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Control of GaSb/GaAs Nanostructures by Molecular Beam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  T.Nakai, S.Iwasaki, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43, No.4B
  
  ページ: 2122-2124
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Direct Observation of Phonon Relaxation Bottleneck in InAs Quantum Dots of High-Uniformity2003
- 著者名/発表者名
  T.Kitamura, R.Ohtsubo, M.Murayama, T.Kuroda, K.Yamaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Phys.Status Sol.(c) Vol.0, No.4
  
  ページ: 1165-1168
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Facet Formation of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  T.Kaizu, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42, No.6B
  
  ページ: 4166-4168
- NAID
  10011258146
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Uniform Formation of Two-dimensional and Three-dimensional InAs Islands on GaAs by Molecular Beam Epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  T.Kaizu, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. No.4A
  
  ページ: 1705-1708
- NAID
  10010800060
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Shape Transition of InAs from 2-Dimensional Islands and 3-Dimensional Dots by Annealing2003
- 著者名/発表者名
  S.Iwasaki, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.216
  
  ページ: 407-412
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniform Quantum Dots2003
- 著者名/発表者名
  M.Murayama, R.Ohtsubo, T.Kitamura, T.Kuroda, K.Yamaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Phys.Status Sol.(c) Vol.0, No.4
  
  ページ: 1145-1148
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] High Quality InAs Quantum Dots Covered by InGaAs/GaAs Hetero-Capping Layer2003
- 著者名/発表者名
  R.Ohtsubo, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Phys.Status Sol.(c) Vol.0, No.3
  
  ページ: 939-943
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Size-Shrinkage Effects of InAs Quantum Dots During the Growth of GaAs Capping Layer2002
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, Y.Saito, R.Otsubo
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.190
  
  ページ: 212-217
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Size-shrinkage effects on InAs quantum dots during the growth of GaAs capping layer2002
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science Vol.190
  
  ページ: 212-217
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] One-Dimensional Quantum-Dot Chains of InAs Grown on Strain-Controlled GaAs/InGaAs Buffer Layer by Molecular Beam Epitaxy2002
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, K.Kawaguchi, T.Kanto
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41, No.9AB
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Uniform Formation Process of Self-Organized InAs Quantum Dots2002
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, T.Kaizu, K.Yujobo, Y.Saito
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth Vol.237-239
  
  ページ: 1301-1306
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Uniform formation process of self-organized InAs quantum dots2002
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Journal Crystal Growth Vol.237/239
  
  ページ: 1301-1306
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] One-dimensional quantum-dot chains of InAs grown on strain-controlled GaAs/InGaAs buffer layers by molecular beam epitaxy2002
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal Applied Physics Vol.41,No.9AB
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[雑誌論文] Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscopy Using Optically Pumped GaAs Tips2002
- 著者名/発表者名
  T.Miura, K.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41, No.6B
  
  ページ: 4382-4384
- NAID
  110006341523
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[産業財産権] 量子ドットシート、これを用いた光電子デバイス、及び量子ドットシートの作製方法2018
- 発明者名
  山口浩一、馬飼野彰宜
- 権利者名
  国立大学法人電気通信大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[産業財産権] 量子半導体装置およびその製造方法2010
- 発明者名
  山口浩一
- 権利者名
  国立大学法人電気通信大学
- 取得年月日
  2010-04-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[産業財産権] 量子半導体装置およびその製造方法2004
- 発明者名
  山口浩一
- 権利者名
  電気通信大学
- 産業財産権番号
  2004-244210
- 出願年月日
  2004-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[産業財産権] 量子ドットの形成方法2004
- 発明者名
  山口浩一
- 権利者名
  電気通信大学
- 産業財産権番号
  2004-262638
- 出願年月日
  2004-09-09
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[産業財産権] 量子半導体装置およびその製造方法2004
- 発明者名
  山口浩一
- 権利者名
  電気通信大学
- 産業財産権番号
  2004-244210
- 出願年月日
  2004-08-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[産業財産権] 量子ドットの形成方法2004
- 発明者名
  山口浩一
- 権利者名
  電気通信大学
- 産業財産権番号
  2004-262638
- 出願年月日
  2004-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[学会発表] Anomalous Photoluminescence Properties due to Strong Coupling of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dots2024
- 著者名/発表者名
  Sim jui Oon, Naoya Miyashita, Koichi Yamaguchi
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[学会発表] InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の光伝導特性2024
- 著者名/発表者名
  大山琢未，荒尾光哉，宮下直也，山口浩一
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[学会発表] Photoluminescence Properties of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum-Dot Layer with In-Plane Enenrgy Miniband2023
- 著者名/発表者名
  Sim Jui Oon, N. Miyashita and K. Yamaguchi
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[学会発表] 近接積層InAs量子ドットにおける共鳴トンネル伝導2023
- 著者名/発表者名
  中里雄次，宮下直也，山口浩一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[学会発表] Abnormal Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/InAsSb Quantum-Dot Layer2023
- 著者名/発表者名
  Sim jui Oon, Naoya Miyashita, Koichi Yamaguchi
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[学会発表] 面内超高密度InAs量子ドットの成長技術とその半導体レーザ応用2022
- 著者名/発表者名
  山口浩一，田中元幸
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会・シンポジウム「将来の光デバイスに向けた成長及びプロセス要素技術の最新動向」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[学会発表] 分子線堆積法によるSiOx膜上へのInAs量子ドットの自己形成(3)2020
- 著者名/発表者名
  佐々木一夢，馬飼野彰宜，坂本克好，山口浩一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[学会発表] 分子線堆積法によるSiOx膜上へのInAs量子ドットの自己形成(3)2019
- 著者名/発表者名
  佐々木一夢，馬飼野彰宜，坂本克好，山口浩一
- 学会等名
  2019年（平成31年）第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[学会発表] Enhancement of Photoluminescence of InAs Quantum Dots grown on SiOx Films by Molecular Beam Deposition2019
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Sasaki, A. Makaino and K. Yamaguchi
- 学会等名
  The 7th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[学会発表] Self-Formation of InAs Quantum Dots on Oxide/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition2018
- 著者名/発表者名
  K. Yamaguchi, A. Makaino, K. Sakamoto and T. Sogabe
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018 (CSW-2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[学会発表] 酸化膜上へのⅢ-Ⅴ族半導体量子ドットの成長2018
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 学会等名
  第14回量子ナノ材料セミナー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[学会発表] Fabrication of InAs Quantum Dots on SiOx Films by Molecular Beam Deposition2018
- 著者名/発表者名
  A. Makaino, Y. Tanaka and K. Yamaguchi
- 学会等名
  The 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[学会発表] 分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)2018
- 著者名/発表者名
  馬飼野彰宜, 坂本克好，曽我部東馬，山口浩一
- 学会等名
  2018年（平成30年）第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[学会発表] Self-Formation of InAs Quantum Dots on Oxide/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition2018
- 著者名/発表者名
  A. Makaino, Katsuyoshi Sakamoto, T. Sogabe and K. Yamaguchi
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018 (CSW-2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[学会発表] 分子線堆積法によるSiO2/半導体上へのInAs量子ドットの自己形成2018
- 著者名/発表者名
  ウイクラマナヤカ・ラシミ・プラビーン，馬飼野彰宜，坂本克好，山口浩一
- 学会等名
  2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[学会発表] 面内超高密度InAs最子ドットの太陽電池への応用2011
- 著者名/発表者名
  藤田浩輝, 山本和輝, 江口陽亮, 山口浩一
- 学会等名
  2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 面内超高密度InAs.量子ドット構造におけるキャリアの空間分離とその長寿命化2011
- 著者名/発表者名
  太田潤, 山口浩一
- 学会等名
  2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] GaAsSbバッファ層上のInAs騒子ドット成長における面内超高密度化2011
- 著者名/発表者名
  船原一祥, 太田潤, 山口浩一
- 学会等名
  2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] InAs/GaAs量子ドットの自己形成過程におけるGa導入効果2011
- 著者名/発表者名
  サブトラエデス, 山口浩一
- 学会等名
  2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] ナノフォトニクズ半導体量子ドットの自己形成制御2010
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 学会等名
  2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会シンポジウム講演「ナノフォトニクスを支えるナノ加工」
- 発表場所
  東海大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均一成長2010
- 著者名/発表者名
  山口浩一, 角田直輝, 築地伸和, 関口修司, 太田潤, 海津利行, 高橋正光
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会
- 発表場所
  (招待講演)学習院大学
- 年月日
  2010-04-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 自己形成InAs墨子ドットの高密度・高均一化2010
- 著者名/発表者名
  金丸豊, 角田直輝, 山口浩一
- 学会等名
  2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
- 発表場所
  畏崎大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] InAs量子ドット面内超格子構造の積層成長2010
- 著者名/発表者名
  稲次敏彦, 関口修司, 太田潤, 山口浩一
- 学会等名
  2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化2010
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 学会等名
  第6回量子ナノ材料セミナー
- 発表場所
  (招待講演)物質材料研究機構
- 年月日
  2010-10-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] InAs量子ドット面内超格子構造の自己形成2010
- 著者名/発表者名
  太田潤, 角田直輝, 山口浩一
- 学会等名
  2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] (Invited) Self-Formation Control of GaAs/InAs Quantum Dots for Solar Cells with Intermediate Bands2010
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, N.Tsukiji, S.Sekiguchi, T.Seo, J.Ohta, T.Inaji
- 学会等名
  The Japan-China Workshop on Sensitized Solar Cells
- 発表場所
  Chofu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(3)2010
- 著者名/発表者名
  山本和輝, 角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司, 山口浩一
- 学会等名
  2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Sb-Mediated Self-Formation of Ultra-High Density InAs Quantum-Dotson GaAs(001)2010
- 著者名/発表者名
  J.Ohta, K.Sakamoto, K.Yamaguchi
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
- 発表場所
  Berlin
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Stacking Growth of In-Plane InAs Quantum-Dot Superlattices on GaAsSb/GaAs (001) for Solar Cell Applications2010
- 著者名/発表者名
  T.Inaji, J.Ohta, K.Yamaguchi
- 学会等名
  35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
- 発表場所
  Honolulu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 量子ドット超格子構造太陽電池の研究開発(量子ドットの高均一・高密度化技術)2010
- 著者名/発表者名
  太田潤, 山口浩一
- 学会等名
  NEDO新エネルギー技術開発成果報告会2010, PV1-01-05
- 発表場所
  東京国際フォーラム
- 年月日
  2010-07-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Self-Formation of In-Plane InAs QD Superlattices with Long Carrier Lifetime2010
- 著者名/発表者名
  J.Ohta, H.Fujita, K.Yamaguchi
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on InnovativeSolar Cells
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Hirano, T.Seo, K.Minagawa, K.Yamaguchi
- 学会等名
  16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Beijing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均-成長2010
- 著者名/発表者名
  山口浩一, 角田直輝, 築地伸和, 関口修司, 太田潤, 海津利行, 高橋正光
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会
- 発表場所
  学習院大学(招待講演)
- 年月日
  2010-04-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Hirano, T.Seo, K.Minagawa, K.Yamaguchi
- 学会等名
  16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Beijing.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化2010
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 学会等名
  第6回量子ナノ材料セミナー
- 発表場所
  物質材料研究機構(招待講演)
- 年月日
  2010-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] (Invited) Self-Formation Control of GaAs/InAs Quantum Dots for Solar Cells with Intermediate Bands2010
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, N.Tsukiji, S.Sekiguchi, T.Seo, J.Ohta T.Inaji
- 学会等名
  The Japan-China Workshop on Sensitized Solar Cells
- 発表場所
  Chofu.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 面内超高密度InAs最子ドットの自己形成とそのキャリア寿命時間測定2010
- 著者名/発表者名
  太田潤, 山口浩一
- 学会等名
  2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 太陽電池用高密度InAs量子ドットのGe基板上への成長2009
- 著者名/発表者名
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- 学会等名
  2009年 (平成21年) 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム
- 発表場所
  東京農工大学
- 年月日
  2009-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Real-time X-ray diffraction measurements during Sb-mediated SK growth and annealing of InAs quantum dots2009
- 著者名/発表者名
  T.Kaizu, N.Kakuda, M.Takahasi, S.Fujikawa, K.Yamaguchi
- 学会等名
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14)
- 発表場所
  Kobe
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御-均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか-2009
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 学会等名
  第5回量子ナノ材料セミナー
- 発表場所
  (招待講演)埼玉大学
- 年月日
  2009-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御2009
- 著者名/発表者名
  パッチャカパットポンラチェット, 関口修司, 山口浩一
- 学会等名
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] (Invited) Density Control of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots2009
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi, Y.Kanemaru
- 学会等名
  The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Semicon Nano-2009)
- 発表場所
  Anan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Ge (001) 基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長 (2)2009
- 著者名/発表者名
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- 学会等名
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 自己形成量子ドットの精密制御法の展開2009
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 学会等名
  第21回ナノフォトニックスセミナー
- 発表場所
  (招待講演)東京大学
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定2009
- 著者名/発表者名
  角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 山口浩一
- 学会等名
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates2009
- 著者名/発表者名
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- 学会等名
  The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano-2009)
- 発表場所
  Anan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 半導体量子ドットの自己形成制御2009
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 学会等名
  2009年 (平成21年) 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム
- 発表場所
  東京農工大学
- 年月日
  2009-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長2009
- 著者名/発表者名
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- 学会等名
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 自己形成量子ドットの精密制御法の展開2009
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 学会等名
  第21回ナノフォトニックスセミナー
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 自己形成InAs量子ドットの成長中断におけるAs-Sb照射交換の影響2009
- 著者名/発表者名
  山本和輝, 山口浩一
- 学会等名
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 高密度InAs量子ドットのcoarsening過程2009
- 著者名/発表者名
  金丸豊, 角田直輝, 山口浩一
- 学会等名
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 高密度InAs量子ドットの時間分解X線回折測定とSb照射成長中断法による高品質化2009
- 著者名/発表者名
  角田直輝, 山口浩一, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司
- 学会等名
  2009年 (平成21年) 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム
- 発表場所
  東京農工大学
- 年月日
  2009-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Uniform formation of high-density InAs quanutum dots by using nanoholes2009
- 著者名/発表者名
  K. Yamaguchi, N. Kakuda, S. Sekiguchi, K. Yamamoto, Y. Kanemaru
- 学会等名
  International Symposium on Innovative Solar Cells 2009
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Uniform formation of high-density InAs quanutum dots by using nanoholes2009
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi, K.Yamamoto, Y.Kanemaru
- 学会等名
  International Symposium on Innovative Solar Cells 2009.
- 発表場所
  Tokyo.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Fabrication of High-density and High-uniformity InAs Quantum Dots on GaAs(001) and Ge(001) Substrates for Solar Cell Applications2009
- 著者名/発表者名
  N.Kakuda, S.Sekiguchi, T.Seo, K.Yamaguchi
- 学会等名
  The 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Density Control of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots2009
- 著者名/発表者名
  K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi, Y.Kanemaru
- 学会等名
  The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano-2009)
- 発表場所
  (Invited) Anan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定 (2)2009
- 著者名/発表者名
  角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司, 山口浩一
- 学会等名
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御-均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか-2009
- 著者名/発表者名
  山口浩一
- 学会等名
  第5回量子ナノ材料セミナー
- 発表場所
  埼玉大学
- 年月日
  2009-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長2009
- 著者名/発表者名
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- 学会等名
  2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] InAs量子ドット上の自己形成GaAsナノホールのモンテカルロシミュレーション2009
- 著者名/発表者名
  関口修司, 山口浩一
- 学会等名
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性2009
- 著者名/発表者名
  築地伸和, 山口浩一
- 学会等名
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物珪学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 積層InAs量子ドットの熱処理効果2009
- 著者名/発表者名
  廣瀬真幸, 山口浩一
- 学会等名
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Fabrication of High-density and High-uniformity InAs Quantum Dots on GaAs(001) and Ge(001) Substrates for Solar Cell Applications2009
- 著者名/発表者名
  N.Kakuda, S.Sekiguchi, T.Seo, K.Yamaguchi
- 学会等名
  The 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells
- 発表場所
  Tsukuba.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates2009
- 著者名/発表者名
  T.Seo, K.Hirano, K.Yamaguchi
- 学会等名
  2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Semicon Nano-2009)
- 発表場所
  Anan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定2009
- 著者名/発表者名
  山口浩一, 角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司
- 学会等名
  文部科学省ナノテクノロジー・ネットワーク/重点ナノテクノロジー支援放射光利用研究成果報告会「ナノテクノロジー放射光利用研究の最前線2008
- 発表場所
  つくば
- 年月日
  2009-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Sb照射InAs量子ドット上のGaAs薄膜成長2008
- 著者名/発表者名
  村脇史敏, 山口浩一
- 学会等名
  平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Annealing properties of InAs quantum dots grown on GaAsSb/GaAs buffer layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Hirose, Jiaying Hu, K. Yamaguchi
- 学会等名
  The 2nd IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC 2008)
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] GaAsSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのcoarsening過程2008
- 著者名/発表者名
  角田直輝, 山口浩一
- 学会等名
  平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] Narrow photoluminescence spectra of closely stacked InAs quantum dots with high dot density on GaSb/GaAs(00l)2008
- 著者名/発表者名
  S. Sekiguchi, N. Tsukiji, K. Yamaguchi
- 学会等名
  The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD-2008)
- 発表場所
  Gyeongju
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定2008
- 著者名/発表者名
  山口浩一, 高橋正光, 海津利行, 角田直輝, 水木純一郎
- 学会等名
  文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成19年度放射光グループ研究成果報告会
- 発表場所
  大阪
- 年月日
  2008-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[学会発表] 自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上近接積層InAs量子ドットの発光特性改善2008
- 著者名/発表者名
  関口修司, 山口浩一
- 学会等名
  平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560291

1. 岡本孝太郎 (80017350)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 小笠原長篤 (90134486)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
3. 李可人 (20240400)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 岡田佳子 (50231212)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 川井義雄

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

山口 浩一 yamaguchi koichi

研究課題

研究成果

共同研究者

２次元量子ドットネットワーク構造の創製とそのニューラルネットワーク応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノ液滴成長法によるSiO2/Si基板上へのInGaN量子ドットの自己形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン基板上への有機薄膜/半導体量子ドットの作製とその高効率太陽電池への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高均一半導体量子ドットへのスピン偏極電子の注入と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光励起GaAsマイクロ探針を用いた新しいスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

屈折率グレーティングによる基本波の回折を利用した位相整合波長変換に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒素ラジカルビーム源の開発と窒素系III-V族半導体薄膜の結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体レーザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

電子ビーム励起高出力エキシマレーザによる大面積半導体薄膜のアニール

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体レ-ザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

[図書] Molecular Beam Epitaxy2019

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

山口浩一 yamaguchi koichi