宮本恭幸 Miyamoto Yasuyuki

… 別表記

宮本泰幸 MIYAMOTO Yasuyuki

研究者番号	40209953
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-2676-7264
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 東京科学大学, 工学院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2024年度: 東京工業大学, 工学院, 教授 2013年度 – 2015年度: 東京工業大学, 理工学研究科, 教授 2013年度: 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 教授 2012年度: 東京工業大学, 理工学研究科, 准教授 2007年度 – 2011年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 … もっと見る 2007年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 2006年度: 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 助教授 2000年度 – 2005年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教授 1992年度 – 1999年度: 東京工業大学, 工学部, 助教授 1988年度 – 1991年度: 東京工業大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 表面界面物性 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 理工系 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子機器工学 / 電子材料工学 … もっと見る / 電子デバイス・電子機器 / 工学 / 理工系 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / マイクロ・ナノデバイス / 電子デバイス・機器工学隠す
キーワード	研究代表者 InP / ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / GaInAs / 電子ビーム露光 / ヘテロ構造 / 電子線リソグラフィー / InP HBT / Attractive Potential / 化合物半導体 / トンネルFET … もっと見る / InGaAs / ホットエレクトロントランジスタ / 選択成長 / ラテラルヘテロ接合バイポーラトランジスタ / 横方向結晶成長 / トンネルFE / 横方向成長 / バイポーラトランジスタ / ナノシート / 低消費電力 / ラテラルHBT / 2次元材料 / 低消費電力デバイス / 遷移金属ダイカルコゲナイド / HfS2 / 原子層物質 / 超低消費電力デバイス / ファンデルワールス(vdW)ヘテロ接合 / 二硫化ハフニウム / トンネルトランジスタ / Kirk effect / Collector transit time / Narrow emitter / Collector capacitance / Ballistic electron / Electron beam lithography / Heterojunction bipolar transistor / カーク効果 / コレクタ走行時間 / 極小エミッタ / コレクタ容量 / バリステック電子走行 / ヘテロ接合バイポーラトランジ / Metalorganic Vapor Phase Epitaxy / Electron Beam Lithography / Two-dimensional Electron Gas / Hot Electron Transistors / Heterojunction Bipolar Transistors / Nano metal electrodes / フリーステンディングワイヤ / 移動度 / フリースタンディングワイヤ / 有機金属気相成長法 / 引力ポテンシャル / 2次元電子ガス / ナノ金属細線 / Formation of Mesa Sidewall / Suppression of Undercut Etching / Electron Beam Exposure / Miniaturization of Emitter / Heterojunction Bipolar Transistor / GalnAs / メサ側面形成 / アンダーカットエッチング抑制 / エミッタ微細化 / Double Barrier Resonant Emitter / OMVPE Embedding Tungsten / Lateral Coherence / Coherent Emitter / Biprism / Electron Wave / Tungsten Wire / GaAs MOVPE / タングステン抵抗評価 / タングステンの抵抗評価 / ラテラル成長 / タングステンRIE / InP MOVPE / タングステン細線埋込 / 絶縁体-半導体界面 / 格子緩和成長 / 分子線エピタキシー / InGaAs MIS構造 / タイプIIヘテロ構造 / 化合物半導体MOSFET / スタガード型ヘテロ構造 / ヘテロ接合 / 絶縁ゲート / ヘテロランチャー / 縦型電子デバイス / モンテカルロシミュレーション / バリスティック電子 / III-V MOS / 電子ランチャー / ホットエレクトロン / 微細コンタクト穴開け / アンダーカット / 化学エッチング / InP系HBT / コレクタアップ構造 / 外部ベース層下エッチング / 弗化カルシウム / 電子波 / ホットエレクトロン観測 / 電子ビーム露光法 / 金属絶縁体ヘテロ構造 / 多層レジスト構造 / 電子線露光 / GaInP / 微細電極 / 電子の波動性 / 平面型冷陰極 … もっと見る研究代表者以外 GaInAs / ホットエレクトロン / InP / OMVPE / 共鳴トンネルダイオード / Electron Wave / ホットエレクトロンエミッタ / 電子波回折 / 電子波 / 有機金属気相成長法 / 電子の波動性 / SAM / AlAs / Double Barrier Resonant Emitter / Attractive Potential / OMVPE Embedding Tungsten / Lateral Coherence / Coherent Emitter / Biprism / Tungsten Wire / 引力ポテンシャル / コヒーレントエミッタ / hot electron / STM / バリスティック伝導 / Epitaxial Growth / Hot electron / OMVPE埋め込み成長 / 電子波回析 / 極微細構造 / テラヘルツ波 / 極性制御 / CMOS / GaN / 窒化アルミニウム / ワイドギャップ半導体 / 極性反転 / 2次元正孔ガス / 2次元電子ガス / 窒化ガリウム / テラヘルツ/赤外材料 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / マイクロナノデバイス / 半導体超微細化 / テラヘルツ／赤外材料 / 周波数可変発振素子 / 室温テラヘルツ光源 / テラヘルツ光デバイス / テラヘルツ電子デバイス / テラヘルツ分光分析 / テラヘルツレーダー / テラヘルツイメージング / テラヘルツ無線通信 / 周波数可変テラヘルツ光源 / テラヘルツ発振 / 半導体ナノデバイス / OMVPE Embedding / Quantum Wire Laser / Dry Etching / Electron Wave Reflection / Wet Chemical Etching / Electron Beam Exposure / Organometallic Vapor Phase Epitaxy / Ultrafine Structure / ウェットケミカルエッチング / 電子ビーム露光法 / 有機金属気相成長 / 電子波長 / 量子サイズ / 量子細線レ-ザ / ドライエッチング / 電子波反射 / 化学エッチング / 電子ビ-ム露光法 / Low-damage dry etching / Quantum box / Quantum wire / Ultra-high-speed optical device / Multidimensional quantum-well laser / 屈折率反射型光スイッチ / 多次元量子井戸構造 / 低損傷ドライエッチング / 交差型光スイッチ / 量子箱 / 量子細線 / CaInAs / 超高速光デバイス / 多次元量子井戸レ-ザ / Superlattice / Electron Beam Lithography / Metalorganic Vapor Phase Epitaxy / Ballistic Transport / Hot Electron / Ultrafast Transistor / 高速デバイス / 電子波多重反射 / ホットエクレトロン / 超格子 / 電子ビームリソグラフィ / 超高速トランジスタ / FDTD method for quantum mechanics / Fourier Transformation by electron wave / quantum effect device / reciprocity principle / BEEM / electron diffraction / scanning probe / 半導体 / バリシティック電子輸送 / 位相シフタ / 波面 / 量子相反性 / 弾道電子放出顕微鏡 / 電子波フーリエ変換デバイス / 相反原理 / 量子FDTD法 / 電子波フーリエ交換デバイス / 量子効果デバイス / 相反性 / 弾道電子放出顕微鏡(BEEM) / 走査プローブ / shadow mask / scanning probe microscopy / molecular nano-device / conductance switching / negative difference conductance / monolayer / self-assembled monolayer / FET / トンネル電流 / 変位電流 / 電界効果トランジスタ / シャドウマスク / 走査型プローブ / 分子ナノデバイス / コンダクタンススイッチング / 負性微分コンダクタンス / 単分子膜 / 自己組織化 / コヒーレンス性 / 微細タングステン細線 / 量子干渉デバイス / 電子波バイプリズム / GaAs MOVPE / タングステンパック / 埋め込みタングステン細線 / free-standing wire / タングステンスパッタ / 埋め込み金属ホットエレクトロントランジスタ / 固体バイプリズム / タングステン細線埋込 / Energy Relaxation Characteristics / Ballistic Electron Transport / GaInAs Heterostructure / Hot Electron Emitter / Spatial Distribution of Tunnel Transmission / Noise Characteristics of Tunneling Current / Scanning Hot Electron Microscope / Hot Electron Detection / エネルギ緩和特性 / バリスティック電子輸送 / GaInAsヘテロ構造 / トンネル透過率空間分布 / トンネル電流ノイズ特性 / 走査ホットエレクトロン顕微鏡 / ホットエレクトロン検出 / ステンシルリフトオフ法 / 電子波干渉 / 埋め込み金属細線 / メタルステンシル法 / 量子ビーム伝搬法 / 引力ポテンシャル場 / ダブルバリア共鳴電子エミッタ / OMVPEタングステン埋込 / 横コヒーレンス / バイプリズム / タングステン細線 / low work function metal / noise reduction by phase sensitive detection / noise in tunnel current / hot electron emitter / 超高真空STM / 低仕事関数 / ノイズ除法 / 低仕事関数金属 / 位相同期検出 / STMにおけるノイズ電流 / Resonant tunneling diode / Electron wave grating / Electron beam mark detection / InP OMVPE / Quantum size structure / Electron wave diffraction / Electron coherence / 相関関数 / 電子波ファブリペロー共振器 / 位相コヒーレント伝導 / InPヘテロ構造 / OMVPE成長法 / InP有機金属気相成長法 / 電子波グレーティング / 電子ビームマーク検出 / InpOMVPE / 量子サイズ構造形成 / 電子波コヒーレンス / Hot Electron Transistor / Resonant Tunneling Transistor / Resonant Tunneling Diode / Insulator Fluoride / Metalic Silicide / Metal-Insulator Heterostructure / Ultra-High Speed Electron Devices / 電子波デバイス / 超高速三端子電子デバイス / イオンビ-ムエピタキシ- / Si基板上結晶成長 / コバルトシリサイド / 弗化カルシウム / 金属・絶縁体極薄膜ヘテロ構造 / 共鳴トンネルトランジスタ / ホットエレクトロントランジスタ / 弗化物絶縁体 / 金属シリサイド / エピタキシャル成長 / 金属・絶縁体ヘテロ接合 / 超高速電子デバイス / SCH structure / Single facet output / High efficiency / BIG structure / High power / DR laser / Distributed reflector laser / Dynamic single mode Laser / SCH構造 / 片端面光出力 / 高効率 / BIG構造 / 高出力 / DRレ-ザ / 分布反射型レ-ザ / 動的単一モ-ドレ-ザ / Organo-metallic vapor phase epitaxy / Buried growth / Electron beam lithography / Lateral superlattice / Electron wave phenomenon / OMVPE選択成長 / 横超格子 / 埋め込み成長 / 電子ビ-ム露光 / 横超格子構造 / 電子波現象 / 周波数変調 / 直接変調 / 室温テラヘルツ発振 / 集積スロットアンテナ / テラヘルツ発振デバイス / テラヘルツ波の変調 / 微細スロットアンテナ / 大容量無線通信 / テラヘルツデバイス / 電子デバイス・集積回路 / 光電融合 / テラヘルツ / トランジスタ / 半導体レーザ / グローバル配線 / インターコネクション隠す

SiO2空洞内への選択成長によるラテラルヘテロ接合バイポーラトランジスタの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2025
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
結晶のヘテロ極性制御を利用したGaN CMOSモノリシック集積回路化技術の開発
- 研究代表者
  
  林侑介
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2025
- 研究種目
  
  国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B))
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
電子の走行と遷移が融合したテラヘルツ放射の解明によるデバイス限界の打破
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  東京工業大学
HfS2を用いた原子層厚ヘテロ接合による超低消費電力デバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
ヘテロ構造設計と微細化により低電圧・高速動作を目指した相補型縦型トンネルFET研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
テラヘルツ波による大容量無線通信実現の為のデバイス・システムの開拓
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
Si系LSI内広帯域配線層の為のInP系メンブレン光・電子デバイス
- 研究代表者
  
  荒井滋久
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2011
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  東京工業大学
絶縁ゲートを持つ縦型InP系ホットエレクトロントランジスタの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
InP系HBTでのコレクタ層内バリステック電子走行による超高速動作に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
マスク蒸着法による自己組織化単分子層トランジスタに関する研究
- 研究代表者
  
  真島豊
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  東京工業大学
相反原理に基づく走査プローブによる電子波回折観測
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
化合物半導体中へのナノ金属細線埋込み構造による極小/高速電子デバイスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
ホットエレクトロン顕微鏡による固体電子波現象の直接観測技術の研究
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
金属細線上へのラテラル成長化合物半導体の結晶性向上に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
メサ側面再結合電流抑性による極微細GaInAs/InP HBTの超高速化研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
半導体中に埋め込まれた金属による量子干渉デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
タングステン細線バイプリズムによる干渉を用いた半導体中電子波の横コヒーレンス解明
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
外部ベース層下エッチングを特徴とする超高速コレクタアップInP系HBT研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本泰幸
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
半導体中のバリスティックエレクトロンを観測する新しいSTM技術の研究
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
真空電子波デバイスの為のエピタキシャル金属/絶縁体構造平面放出型冷陰極研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
真空電子波デバイスのための基礎研究-平面型フィールドエミッタの試作と電子波干渉現象-研究代表者
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
コヒーレントホットエレクトロン生成とその超高速デバイス応用に関する基礎研究
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
金属・絶縁体単結晶極薄膜超高速電子デバイスの基礎研究
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
横超格子内でのホットエレクトロンを用いる超高速電子波デバイスの基礎研究
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
高出力新型分布反射型(DR)レ-ザに関する研究
- 研究代表者
  
  荒井滋久
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
多次元量子井戸構造による超高速光デバイスの研究
- 研究代表者
  
  浅田雅洋, 末松安晴
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1990
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
超微細構造GaInAs/InPデバイス作製技術に関する研究
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
バリスティック電子の回折をもちいるGaInAs超高速トランジスタの基礎研究
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1988
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子機器工学
- 研究機関
  東京工業大学

[図書] グリーンナノテクノロジー, 編集(ナノテクノロジーネットワーク編集委員会委員)2011
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 総ページ数
  217
- 出版者
  日刊工業新聞社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[図書] 電子デバイス2009
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 総ページ数
  153
- 出版者
  培風館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Calculation of GaInSb PNP lateral HBT for complementary bipolar logic technology2024
- 著者名/発表者名
  Miyamoto Yasuyuki、Honjyo Makoto、Fukuda Koichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 3 ページ: 03SP63-03SP63
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad2919
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01384
[雑誌論文] GaAsSb/InGaAs tunnel FETs using thick SiO2 mask for regrowth2024
- 著者名/発表者名
 Fan Jiawei、Xu Ruifeng、Arai Masakazu、Miyamoto Yasuyuki
- 雑誌名
 
 Japanese Journal of Applied Physics
 
 巻: 63 号: 3 ページ: 03SP75-03SP75
- DOI
 10.35848/1347-4065/ad27be
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-21H01384
[雑誌論文] Wet etching for isolation of N-polar GaN HEMT structure by electrodeless photo-assisted electrochemical reaction2021
- 著者名/発表者名
  Aota T.、Hayasaka A.、Makabe I.、Yoshida S.、Gotow T.、Miyamoto Y.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SC ページ: SCCF06-SCCF06
- DOI
  10.35848/1347-4065/abe7c0
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Simulation of the Short Channel Effect in GaN HEMT with a Combined Thin Undoped Channel and Semi-Insulating Layer2020
- 著者名/発表者名
  MIYAMOTO Yasuyuki、GOTOW Takahiro
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E103.C 号: 6 ページ: 304-307
- DOI
  10.1587/transele.2019FUS0002
- NAID
  130007850075
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 年月日
  2020-06-01
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Fabrication of Si photonic waveguides by electron beam lithography using improved proximity effect correction2020
- 著者名/発表者名
  Eissa Moataz、Mitarai Takuya、Amemiya Tomohiro、Miyamoto Yasuyuki、Nishiyama Nobuhiko
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 12 ページ: 126502-126502
- DOI
  10.35848/1347-4065/abc78d
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292, KAKENHI-PROJECT-19H02193
[雑誌論文] Annealing temperature dependence of alloy contact for N-polar GaN HEMT structure2019
- 著者名/発表者名
  Hotta Koushi、Tomizuka Yumiko、Itagaki Kosuke、Makabe Isao、Yoshida Shigeki、Miyamoto Yasuyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCD14-SCCD14
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1063
- NAID
  210000156132
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Performance improvement of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling FET by UV-O3 treatment2019
- 著者名/発表者名
  Zhang Wenlun、Kanazawa Toru、Miyamoto Yasuyuki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 6 ページ: 065005-065005
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab2199
- NAID
  210000156022
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Circuit speed oriented device design scheme for GaAsSb / InGaAs double gate hetero-junction tunnel FETs2019
- 著者名/発表者名
  Fukuda Koichi、Nogami Naoya、Kunisada Shogo、Miyamoto Yasuyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGA06-SGGA06
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab6569
- NAID
  210000157896
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Regrown source/drain in InGaAs multi-gate MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  Miyamoto Yasuyuki、Kanazawa Toru、Kise Nobukazu、Kinoshita Haruki、Ohsawa Kazuto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 522 ページ: 11-15
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.06.014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] GaAsSb/InGaAs double-gate vertical tunnel FET with a subthreshold slope of 56 mV dec?1 at room temperature2019
- 著者名/発表者名
  Aonuma Ryosuke、Kise Nobukazu、Miyamoto Yasuyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBA08-SBBA08
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab027a
- NAID
  210000135458
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Effect of increasing gate capacitance on the performance of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor2019
- 著者名/発表者名
  W. Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBH02-SBBH02
- DOI
  10.7567/1347-4065/aaf699
- NAID
  210000135286
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06082, KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Type-II HfS2/MoS2 Heterojunction Transistors2018
- 著者名/発表者名
 Netsu Seiko、Kanazawa Toru、Uwanno Teerayut、Amemiya Tomohiro、Nagashio Kosuke、Miyamoto Yasuyuki
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E101.C 号: 5 ページ: 338-342
- DOI
 10.1587/transele.E101.C.338
- NAID
 130006729710
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 年月日
 2018-05-01
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PUBLICLY-16H00905, KAKENHI-PROJECT-16H04343, KAKENHI-PROJECT-16H06082
[雑誌論文] A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-gate MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  Netsu Seiko、Hellenbrand Markus、Zota Cezar B.、Miyamoto Yasuyuki、Lind Erik
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 6 ページ: 408-412
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2806487
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks2017
- 著者名/発表者名
  K. Ohsawa, S. Netsu, N. Kise, S. Noguchi, and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 56 号: 4S ページ: 04CG05-04CG05
- DOI
  10.7567/jjap.56.04cg05
- NAID
  210000147612
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046, KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Performance Improvement of HfS2 Transistors by Atomic Layer Deposition of HfO22017
- 著者名/発表者名
  Kanazawa Toru、Amemiya Tomohiro、Upadhyaya Vikrant、Ishikawa Atsushi、Tsuruta Kenji、Tanaka Takuo、Miyamoto Yasuyuki
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nanotechnology
  
  巻: 16 号: 4 ページ: 582-587
- DOI
  10.1109/tnano.2017.2661403
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292, KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[雑誌論文] Vacuum Annealing and Passivation of HfS2 FET for Mitigation of Atmospheric Degradation2017
- 著者名/発表者名
 UPADHYAYA Vikrant、KANAZAWA Toru、MIYAMOTO Yasuyuki
- 雑誌名
 
 IEICE Transactions on Electronics
 
 巻: E100.C 号: 5 ページ: 453-457
- DOI
 10.1587/transele.E100.C.453
- NAID
 130005631606
- ISSN
 0916-8524, 1745-1353
- 言語
 英語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-16H06292, KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[雑誌論文] 二次元材料HfS2を用いたMOSトランジスタ2016
- 著者名/発表者名
  金澤徹, 雨宮智宏, 宮本恭幸
- 雑誌名
  
  月刊機能材料
  
  巻: 36 ページ: 46-52
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[雑誌論文] InGaAs/AlAs triple-barrier p-i-n junction diode for realizing superlattice-based FET for steep slope2016
- 著者名/発表者名
  A. Yukimachi and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: vol.55 号: 11 ページ: 118004-118004
- DOI
  10.7567/jjap.55.118004
- NAID
  210000147254
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292, KAKENHI-PROJECT-26249046
[雑誌論文] Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain2016
- 著者名/発表者名
  N. Kise,H. Kinoshita, A. Yukimachi, T. Kanazawa and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: vol.126 ページ: 92-95
- DOI
  10.1016/j.sse.2016.09.009
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292, KAKENHI-PROJECT-26249046, KAKENHI-PROJECT-16K18087
[雑誌論文] Few Layer HfS2 Transistor2016
- 著者名/発表者名
  Toru Kanazawa, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Vikrant Upadhyaya, Kenji Tsuruta, Takuo Tanaka, Yasuyuki Miyamoto
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 6 号: 1 ページ: 22277-22277
- DOI
  10.1038/srep22277
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05763, KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[雑誌論文] Recent progress in compound semiconductor electron devices2016
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  IEICE Electronics Express
  
  巻: 13 号: 18 ページ: 20162002-20162002
- DOI
  10.1587/elex.13.20162002
- NAID
  130005266591
- ISSN
  1349-2543
- 言語
  英語
- 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292, KAKENHI-PROJECT-26249046
[雑誌論文] GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるソースおよびドレイン不純物濃度依存性2016
- 著者名/発表者名
  岩田真次郎,大橋一水, 林文博, 福田浩一, 宮本恭幸
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）
  
  巻: 136 号: 4 ページ: 467-473
- DOI
  10.1541/ieejeiss.136.467
- NAID
  130005141655
- ISSN
  0385-4221, 1348-8155
- 言語
  日本語
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046, KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] III-V族チャネルを持つMOSFET2016
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）
  
  巻: 136 号: 4 ページ: 437-443
- DOI
  10.1541/ieejeiss.136.437
- NAID
  130005141657
- ISSN
  0385-4221, 1348-8155
- 言語
  日本語
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046, KAKENHI-PROJECT-16H06292
[雑誌論文] Scaling limit for InGaAs/GaAsSb heterojunction double-gate tunnel FETs from the viewpoint of direct band-to-band tunneling from source to drain induced off-characteristics deterioration2016
- 著者名/発表者名
  W. Lin, S.Iwata, K. Fukuda and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: vol.55 号: 7 ページ: 070303-070303
- DOI
  10.7567/jjap.55.070303
- NAID
  210000146742
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292, KAKENHI-PROJECT-26249046
[雑誌論文] Body width dependence of subthreshold slope and on-current in GaAsSb/InGaAs double-gate vertical tunnel FETs2015
- 著者名/発表者名
  K. Ohashi, M. Fujimatsu, S. Iwata and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl.Phys
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DF10-04DF10
- DOI
  10.7567/jjap.54.04df10
- NAID
  210000145011
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[雑誌論文] Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density2014
- 著者名/発表者名
  K. Ohsawa, A. Kato, T. Kanazawa, E. Uehara and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  IEICE Electronics Express
  
  巻: 11 号: 14 ページ: 20140567-20140567
- DOI
  10.1587/elex.11.20140567
- NAID
  130004725760
- ISSN
  1349-2543
- 言語
  英語
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[雑誌論文] High open-circuit voltage gain in vertical InGaAs channel metal-insulator semiconductor field effect transistor using heavily doped drain region and narrow channel mesa2013
- 著者名/発表者名
  M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: vol.52 号: 4S ページ: 04CF05-04CF05
- DOI
  10.7567/jjap.52.04cf05
- NAID
  110009569440
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] Reduction of Output Conductance in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region2012
- 著者名/発表者名
  H.Saito, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: vol.5 号: 2 ページ: 024101-024101
- DOI
  10.1143/apex.5.024101
- NAID
  10030155693
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009, KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] Deviation From Proportional Relationship Between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operating at High Current Density2011
- 著者名/発表者名
  M.Yamada, T.Uesawa, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett.
  
  巻: vol.32 ページ: 491-493
- NAID
  110007999989
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with Buried SiO2 Wires2011
- 著者名/発表者名
  N.Takebe, T.Kobayashi, H.Suzuki, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E94-C 号: 5 ページ: 830-834
- DOI
  10.1587/transele.E94.C.830
- NAID
  10029506179
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009, KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with High Current Density2011
- 著者名/発表者名
  H.Saito, Y.Matsumoto, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: vol.50
- NAID
  40017446831
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source andAl_2O_3gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm2011
- 著者名/発表者名
  R.Terao, T.Kanazawa, S.Ikeda, Y.Yonai, A.Kato, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: vol.4 号: 5 ページ: 054201-054201
- DOI
  10.1143/apex.4.054201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009, KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] Deviation from Proportional Relationship between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operationg at High Current Dentity2011
- 著者名/発表者名
  M.Yamada, T.Uesawa, Y.Miyamoto, K. Furuya
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett
  
  巻: vol.32 号: 4 ページ: 491-493
- DOI
  10.1109/led.2011.2107497
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009, KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] Monte Carlo Analysis of Base Transi Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Graded Bases2010
- 著者名/発表者名
  T.Uesawa, M.Yamada, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n^+-Source2010
- 著者名/発表者名
  T.Kanazawa, K.Wakabayashi, H.Saito, R.Terao, S.Ikeda, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: vol.3
- NAID
  10026690574
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] Fabrication of Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with a 15-nm-wide Mesa Structure and a Drain Current Density of 7 MA/cm^22010
- 著者名/発表者名
  H.Saito, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: vol.3
- NAID
  10026586520
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] 極微細ヘテロ接合トランジスタ2010
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 第79巻ページ: 1010-1013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[雑誌論文] Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector2010
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto, S.Takahashi, T.Kobayashi, H.Suzuzki, K.Furuya
- 雑誌名
  
  IEICE TRANSACTIONS on Electronics vol.E-93C(5月掲載決定)
- NAID
  10026825631
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Graded Bases2010
- 著者名/発表者名
  T.Uesawa, M.Yamada, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.49
- NAID
  40016982521
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[雑誌論文] Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector2010
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, S. Takahashi, T. Kobayashi, H. Suzuzki, K. Furuya
- 雑誌名
  
  IEICE TRANSACTIONS on Electronics vol.E-93C
  
  ページ: 644-647
- NAID
  10026825631
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Estimation of Collector Current Spreading in InGaAs SHBT Having 75-nm-Thick Collector2010
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto, S.Takahashi, T.Kobayashi, H.Suzuzki, K.Furuya
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.Electron.
  
  巻: vol.E93-C ページ: 644-647
- NAID
  10026825631
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] Estimation of Collector Current Spreading in InGaAs SHBT Having 75-nm-Thick Collector2010
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.Electron.
  
  巻: vol.E93-C ページ: 644-647
- NAID
  10026825631
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[雑誌論文] 極微細ヘテロ接合トランジスタ2010
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 第79巻ページ: 1010-1013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[雑誌論文] Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultra thin Graded Bases2010
- 著者名/発表者名
  T. Uesawa, M. Yamada, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys vol.49
  
  ページ: 24302-24302
- NAID
  40016982521
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain2009
- 著者名/発表者名
  H. Saito, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express vol.2,no.3
  
  ページ: 34501-34501
- NAID
  10025085180
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[雑誌論文] Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain2009
- 著者名/発表者名
  H. Saito, Y. Miyamoto, and K. Furuya
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: vol.2, no.3 ページ: 34501-34501
- NAID
  10025085180
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[雑誌論文] Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain2009
- 著者名/発表者名
  H. Saito, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 34501-34501
- NAID
  10025085180
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance, High Voltage Gain2009
- 著者名/発表者名
  H. Saito, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 巻2
  
  ページ: 3451-3451
- NAID
  10025085180
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Cutoff Frequency Characteristics of Gate-Control Hot Electron Transistors by Monte Carlo Simulation2008
- 著者名/発表者名
  M. Igarashi, K. Furuya, Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Physica Statu s Solidi(C) 巻5
  
  ページ: 70-73
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Cutoff Frequency Characteristics of Gate-Control Hot Electron Transistors by Monte Carlo Simulation2008
- 著者名/発表者名
  M. Igarashi, K. Furuya, and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Physicsa Status Solidi(C) 5
  
  ページ: 70-73
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Inp buried growth of SiO2 wires toward reduction of collector capacitance in HBT2007
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 298
  
  ページ: 867-870
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] InP buried growth of Si02 wires toward reduction of collector capacitance in HBT2007
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  J. Cryst, Growth 298
  
  ページ: 867-870
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] InP buried growth of Si02 wires toward reduction of collector capacitance in HBT2007
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  J.Cryst, Growth 298
  
  ページ: 867-870
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] InP/InGaAs hot electron transistors with insulated gate2007
- 著者名/発表者名
  A. Suwa, T. Hasegawa, T. Hino, H. Saito, M. Oono, Y. Miyamoto, and K. Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl Phys., 46
- NAID
  210000064020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] InP/InGaAs hot electron transistors with insulated gate2007
- 著者名/発表者名
  A. Suwa, T. Hasegawa, T. Hino, H. Sa ito, M. Oono, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 巻46
- NAID
  210000064020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[雑誌論文] Current Gain and Voltage Gain in Hot Electron Transistor without Base Layer2006
- 著者名/発表者名
  Yasuyuki MIYAMOTO
- 雑誌名
  
  Trans. IECE of Japan E89-C, 7
  
  ページ: 972-978
- NAID
  110007538774
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Current Gain and Voltage Gain in Hot Electron Transistors without Base Layer2006
- 著者名/発表者名
  Yasuyuki MIYAMOTO
- 雑誌名
  
  Trans.IECE of Japan E89-C, 7
  
  ページ: 972-978
- NAID
  110007538774
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Current Gain and Voltage Gain in Hot Electron Transistors without Base Layer2006
- 著者名/発表者名
  Yasuyuki MIYAMOTO
- 雑誌名
  
  Trans. IECE of Japan E89-C, 7
  
  ページ: 972-978
- NAID
  110007538774
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] InP Buried growth of SiO2 wires toward reduction of collector capacitance in HBT2006
- 著者名/発表者名
  Yasuyuki Miyamoto
- 雑誌名
  
  Thirteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy(ICMOVPE-XIII) (発表予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Current gain and voltage gain in hot electron transistors without base layer2006
- 著者名/発表者名
  Yasuyuki Miyamoto
- 雑誌名
  
  Trans IEICE E89-C(発表予定)
- NAID
  110007538774
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Analysis of lateral current spreading in collector of submicron HBT2005
- 著者名/発表者名
  Yasuyuki Miyamoto
- 雑誌名
  
  International Conference on Indium Phoshide and Related WP-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Tungsten buried growth by using thin flow-liner for small collector capacitance in InP HBT2005
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (発表予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Tungsten Buried Growth by Using Thin Flow-Liner for Small Collector Capacitance in InP HBT2005
- 著者名/発表者名
  Yasuyuki Miyamoto
- 雑誌名
  
  International Conference on Indium Phoshide and Related Tu-A-1-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] ディープサブミクロンInP系HBT2005
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 雑誌名
  
  電気学会電子デバイス研究会 EDD-05-39
  
  ページ: 13-13
- NAID
  10015554592
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] 20 nm Periodical Pattern by Calixarene Resists : Comparison of CMC[4]AOMe with MC[6]AOAc2004
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto et al.
- 雑誌名
  
  International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2004
  
  ページ: 196-197
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] InP hot-electron transistors with emitter mesa fabricated between gate electrodes for reduction in emitter-gate gate-leakage current2004
- 著者名/発表者名
  K.Takeuchi, H.Maeda, R.Nakagawa, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.43, no.2A
- NAID
  10012039015
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Observation of Current Modulation thorough Self-Assembled Monolayer Molecule in Transistor Structure2004
- 著者名/発表者名
  Kazuki Sasao, Yasuo Azuma, Naotaka Kaneda, Eiji Hase, Yasuyuki Miyamoto, Yutaka Majima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15310103
[雑誌論文] 20 nm Periodical Pattern by Calixarene Resists : Comparison of CMC[4] AOMe with MC[6]AOAc2004
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto, Y.Shirai, M.Yoshizawa, K.Furuya
- 雑誌名
  
  2004 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 28P-6-51
  
  ページ: 196-197
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] 20 nm Periodical Pattern by Calixarene Resists : Comparison of CMC[4]AOMe with MC[6]AOAc2004
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Conference Prodeedings of 2004 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 28P-6-54
  
  ページ: 196-196
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Observation of Current Modulation through Self-Assembled Monolayer Molecule in Transistor Structure2004
- 著者名/発表者名
  Kazuki Sasao, Yasuo Azuma, Naotaka Kaneda, Eiji Hase, Yasuyuki Miyamoto, Yutaka Majima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
- NAID
  10012704857
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15310103
[雑誌論文] InP hot electron transistors with reduced emitter width for controllability of collector current by gate bias2004
- 著者名/発表者名
  R.Nakagawa, K.Takeuchi, Y.Yamada, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  International Conference on Indium Phosphide and Related Material(IPRM2004)
  
  ページ: 179-182
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Young's double-slit interference experiment of hot electron in semi-conductors(invited talk)2003
- 著者名/発表者名
  K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Japan-UK 10+10 Meeting
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate2003
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto, R.Yamamoto, H.Maeda, K.Takeuchi, N.Mchida, L.Wernersson, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.42, no.12
  
  ページ: 7221-7226
- NAID
  10011839800
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] InP hot electron transistors using modulation of gate electrodes sandwiching emitter mesa2003
- 著者名/発表者名
  K.Takeuchi, H.Maeda, R.Nakagawa, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  2003 International Conference on Solid State Devices and Materials E-7-3
  
  ページ: 834-835
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Experiment of Hot Electron in Semiconductors2003
- 著者名/発表者名
  K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  6th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems & Fourth International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices, 1.6, Hawaii
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Observation of Hot Electrons in semiconductors2003
- 著者名/発表者名
  K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Mchida, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters vol.19, no.21
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Wet Etching for Self-Aligned 0.1-mm-wide Emitter in InP/InGaAs HBT2003
- 著者名/発表者名
  K.Takeuchi, H.Maeda, R.Nakagawa, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM'03) W-11
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate2003
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 42
  
  ページ: 7221-7226
- NAID
  10011839800
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Fabrication of GaInAs/InP Heterojunction Bipolar Transistors with a Single Tungsten Wire as Collector Electrode2003
- 著者名/発表者名
  K.Yokoyama, K.Matsuda, T.Nonaka, K.Takeuchi, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.42, no.12B
- NAID
  10011841445
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Young's Double-Slit Interference of Hot Electron in Semiconductors2003
- 著者名/発表者名
  K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  13th International Conference on Non-equilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS 13), Th11.17, Modena
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ、及びその製造方法2009
- 発明者名
  宮本恭幸、前田寛、竹内克彦
- 権利者名
  東京工業大学
- 取得年月日
  2009-08-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ、及びその製造方法2009
- 発明者名
  宮本恭幸、前田寛、竹内克彦
- 権利者名
  東京工業大学
- 出願年月日
  2009-08-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[産業財産権] バイポーラトランジスタの製造方法2009
- 発明者名
  山幡章司、栗島賢二、宮本恭幸、山下浩明
- 権利者名
  NTT
- 産業財産権番号
  2009-017616
- 出願年月日
  2009-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ、及びその製造方法2009
- 発明者名
  宮本恭幸, 前田寛, 竹内克彦
- 出願年月日
  2009-08-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ2005
- 発明者名
  宮本, 古屋, 浅田, 町田
- 権利者名
  東工大
- 産業財産権番号
  2005-334326
- 出願年月日
  2005-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[産業財産権] 光信号送信装置及び光信号伝送システム2005
- 発明者名
  宮本, 浅田
- 権利者名
  JST
- 産業財産権番号
  2005-356694
- 出願年月日
  2005-12-09
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[産業財産権] バイポーラトランジスタ及びその製造方法2005
- 発明者名
  宮本, 山本, 石田
- 権利者名
  JST
- 産業財産権番号
  2005-334991
- 出願年月日
  2005-11-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ2005
- 発明者名
  宮本, 古屋, 浅田, 町田
- 権利者名
  東工大
- 産業財産権番号
  2005-334326
- 出願年月日
  2005-11-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[産業財産権] 半導体装置の製造方法
- 発明者名
  井田実、山幡章司、齋藤尚史、宮本恭幸
- 権利者名
  日本電信電話、東京工業大学
- 産業財産権番号
  2010-100797
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ、及びその製造方法
- 発明者名
  宮本恭幸、前田寛、竹内克彦
- 権利者名
  東京工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] GaAsSb/InGaAs tunnel FETs using thick SiO2 mask for regrowt2023
- 著者名/発表者名
  R. Xu, J. Fan, M. Arai, Y. Miyamoto
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01384
[学会発表] "Calculation of pnp GaInSb pnp lateral HBT for Complementary Bipolar Logic Technology2023
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, M. Honjyo and K. Fukuda
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01384
[学会発表] Fabrication of Si Photonics Waveguides by Thick Resist-Mask Electron Beam Lithography Proximity Effect Correction2019
- 著者名/発表者名
  Moataz Eissa, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto
- 学会等名
  International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Evaluation of fabrication method of InGaAs nanosheet2019
- 著者名/発表者名
  M.Kitamura, T.Kanazawa, and Y.Miyamoto
- 学会等名
  Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Si-based Orbital Angular Momentum Mux/Demux Module2019
- 著者名/発表者名
  T. Amemiya, T. Yoshida, Y. Atsumi, N. Nishiyama, Y. Miyamoto, Y. Sakakibara, S. Arai
- 学会等名
  IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Simulation of the Short Channel Effect in GaN HEMT with a Combined Thin Undoped Channel and Semi-Insulating Layer2019
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Orbital Angular Momentum Mux/Demux Module Using Vertically Curved Si Waveguides2019
- 著者名/発表者名
  T. Amemiya, T. Yoshida, Y. Atsumi, N. Nishiyama, Y. Miyamoto, Y. Sakakibara, S. Arai
- 学会等名
  2019 Optical Fiber Communication Conference (OFC 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Siフォトニクスによる光渦MUX/DEMUXモジュール2019
- 著者名/発表者名
  雨宮智宏, 吉田知也, 渥美裕樹, 西山伸彦, 宮本恭幸, 榊原陽一, 荒井滋久
- 学会等名
  電子情報通信学会 2019年総合大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] N-polar GaN HEMT with Al2O3 gate insulator2019
- 著者名/発表者名
  A. Hayasaka, R. Aonuma, K. Hotta, I. Makabe, S. Yoshida, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Fabrication of Si Photonics Waveguides by Thick Resist-Mask Electron Beam Lithography Proximity Effect Correction2019
- 著者名/発表者名
  Moataz Eissa, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Circuit speed oriented device design scheme for double gate hetero tunnel FETs2019
- 著者名/発表者名
  K. Fukuda, N. Nogami, S. Kunisada and Y. Miyamoto
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric2018
- 著者名/発表者名
  W. Zhang, S. Netsu, Toru Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source2018
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, K. Ohsawa, T. Amemiya, N. Kise, R. Aonuma, Y. Miyamoto
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018: 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Si湾曲カプラ用いた光渦MUX/DEMUXモジュール2018
- 著者名/発表者名
  雨宮智宏, 吉田知也, 渥美裕樹, 西山伸彦, 宮本恭幸, 榊原陽一, 荒井滋久
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] GaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFETの低温測定による評価2018
- 著者名/発表者名
  木瀬信和, 青沼遼介, 宮本恭幸
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] GaAsSb/InGaAsダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の検討‐正孔バンドの取り扱い2018
- 著者名/発表者名
  國貞彰吾、福田浩一、宮本恭幸
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Regrown Source / Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFET2018
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, and K. Ohsawa
- 学会等名
  Int. Conf. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] GaAsSb/InGaAs double gate tunnel FET operating below 60 mv/decade and temperature dependence of band-edge decay parameters2018
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, N. Kise and R. Aonuma
- 学会等名
  Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Improvement in GaAsSb/InGaAs double-gate tunnel FET using thermal evaporation for gate electrode and Al2O3/ZrO2 for gate insulator2018
- 著者名/発表者名
  R. Aonuma, N. Kise, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] ヘテロ接合をもちいたトンネルFET ‐化合物半導体と二次元系半導体でのアプローチ例2018
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸，金澤徹
- 学会等名
  電子情報通信学会システムナノ技術第三回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] 埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET2018
- 著者名/発表者名
  張文倫, 祢津誠晃, 金澤徹, 雨宮智宏, 宮本恭幸
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Siフォトニクスによる光渦MUX/DEMUXモジュール2018
- 著者名/発表者名
  雨宮智宏, 吉田知也, 渥美裕樹, 西山伸彦, 宮本恭幸, 榊原陽一, 荒井滋久
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] InGaAsナノシートトランジスタの作製2018
- 著者名/発表者名
  金澤徹、大澤一斗、雨宮智宏、木瀬信和、青沼遼介、宮本恭幸
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるゲート金属形成プロセスの影響2018
- 著者名/発表者名
  木瀬信和、青沼遼介、宮本恭幸
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Type II HfS2/MoS2 heterojunction Tunnel FET2017
- 著者名/発表者名
  S. Netsu, T. Kanazawa,V. Upadhyaya,T.Uwanno,T. Amemiya, K. Nagashio,and Y. Miyamoto
- 学会等名
  Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] InGaAs/GaAsSbダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の影響2017
- 著者名/発表者名
  國貞彰吾、福田浩一、宮本恭幸
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] GaAsSb/InGaAs Double-Gate Vertical Tunnel FET with a Subthreshold Swing of 68mV/dec at Room Temperature2017
- 著者名/発表者名
  N. Kise, S. Iwata, R. Aonuma, K. Ohsawa and Y. Miyamoto
- 学会等名
  2017 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 29th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)]
- 発表場所
  dbb forum, Germany
- 年月日
  2017-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] InAlGaN/GaN-HEMT Device Technologies for High-Power-Density W-band Amplifiers2017
- 著者名/発表者名
  K. Makiyama, T. Ohki, S. Ozaki, Y. Niida, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, T. Ishiguro,K. Joshin, N. Nakamura,and Y. Miyamoto
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017 )
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Development of Field-Effect Transistor Using 2D Layered Hafnium Disulfide2017
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa and Y. Miyamoto
- 学会等名
  International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Advanced HEMTs and MMICs Technologies for Next Generation Millimeter-wave Amplifiers2017
- 著者名/発表者名
  K. Makiyama, S. Ozaki, Y. Niida, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Yoichi Kamada, K. Joshin, N. Nakamura, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 12)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] GaAsSb/InGaAs Double-Gate Vertical Tunnel FET with a Subthreshold Swing of 68mV/dec at Room Temperature2017
- 著者名/発表者名
  N. Kise, S. Iwata, R. Aonuma, K. Ohsawa and Y. Miyamoto
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week (CSW2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] HfS2/MoS2 ヘテロジャンクションの温度依存電流特性2017
- 著者名/発表者名
  祢津誠晃、金澤徹、雨宮智宏、宮本恭幸
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] GaN HEMT Device Technology for W-band Power Amplifiers2017
- 著者名/発表者名
  K. Makiyama, Y. Niida, S. Ozaki, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe, Y. Miyamoto
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week　（CSW2017）
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発2017
- 著者名/発表者名
  大澤一斗、金澤徹、木瀬信和、雨宮智宏、宮本恭幸
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] 68mV/decのSSをもつGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFET2017
- 著者名/発表者名
  木瀬信和、岩田真次郎、青沼遼介、宮本恭幸
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Type II型HfS2/MoS2ヘテロジャンクションを有するTFET2017
- 著者名/発表者名
  祢津誠晃, 金澤徹, ヴィクラントウパディヤヤ, ウワンノーティーラユット, 雨宮智宏, 長汐晃輔, 宮本恭幸
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜 (神奈川県横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[学会発表] HfS2系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション2017
- 著者名/発表者名
  金澤徹, 雨宮智宏, 祢津誠晃, Vikrant Upadhyaya, 福田浩一, 宮本恭幸
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜 (神奈川県横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[学会発表] Multi-level inverter by GaN HEMT on semi-insulating substrate2017
- 著者名/発表者名
  D. Nakajun, R. F. T. Fathulah, H. Fujita, E. Yagyu, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] HfS2/MoS2 ヘテロジャンクションの温度依存電流特性2017
- 著者名/発表者名
  祢津誠晃、金澤徹、雨宮智宏、宮本恭幸
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[学会発表] ヘテロ構造電子デバイスとMOVPE/MBE2017
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  日本結晶学会ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Type II HfS2/MoS2 Heterojunction Tunnel FET2017
- 著者名/発表者名
  Netsu Seiko、Kanazawa Toru、Upadhyaya Vikrant、Uwanno Teerayut 、Amemiya Tomohiro、Nagashio Kosuke、Miyamoto Yasuyuki
- 学会等名
  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[学会発表] High speed GaN HEMT for power electronics2017
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, D. Nakajun, R. F. T. Fathulah, H. Fujita, and E. Yagyu
- 学会等名
  International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 12)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Development of Field-Effect Transistor Using 2D Layered Hafnium Disulfide2017
- 著者名/発表者名
  Kanazawa Toru、Miyamoto Yasuyuki
- 学会等名
  XIX International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[学会発表] 短チャネルTFETにおけるソース-ドレイン間直接トンネリングのオフ電流への寄与2016
- 著者名/発表者名
  林文博, 岩田真次郎, 福田浩一，宮本恭幸
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Steep slope devices with InGaAs channel for post Si CMOS application2016
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto
- 学会等名
  China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC) 2016
- 発表場所
  SHICC Shanghai International Convention Center,China
- 年月日
  2016-03-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Evaluation of electrical properties of HfS2 thin flakes obtained by mechanical exfoliation2016
- 著者名/発表者名
  Vikrant Upadhyaya, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  静岡大学 (静岡県浜松市)
- 年月日
  2016-05-19
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[学会発表] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作2016
- 著者名/発表者名
  木下治紀木瀬信和祢津誠晃金澤徹宮本恭幸
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Deposition Temperature and Al2O3 Thickness Dependence on the Mobility of HfO2/Al2O3/InGaAs Gate Stacks2016
- 著者名/発表者名
  K. Ohsawa, N. Kise and Y. Miyamoto
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県）
- 年月日
  2016-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Deposition Temperature and Al2O3 Thickness Dependence on the Mobility of HfO2/Al2O3/InGaAs Gate Stacks2016
- 著者名/発表者名
  K. Ohsawa, N. Kise and Y. Miyamoto
- 学会等名
  48th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2016-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Vacuum annealing and passivation of HfS2 FET for mitigation of atmospheric degradation2016
- 著者名/発表者名
  Vikrant Upadhyaya, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto
- 学会等名
  2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2016)
- 発表場所
  函館国際ホテル (北海道函館市)
- 年月日
  2016-07-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[学会発表] Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain2016
- 著者名/発表者名
  H. Kinoshita, N. Kise, A. Yukimachi, T. Kanazawa, Y. Miyamoto
- 学会等名
  2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)]
- 発表場所
  富山国際会議場
- 年月日
  2016-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Steep sub-threshold slope in short-channel InGaAs TFET2016
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, W. Lin, S.Iwata, and K. Fukuda
- 学会等名
  The 18th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2016)
- 発表場所
  Ramada Plaza Jeju Hotel, Korea
- 年月日
  2016-07-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Effect of the HfO2 passivation on HfS2 Transistors2016
- 著者名/発表者名
  Toru Kanazawa, Tomohiro Amemiya, Vikrant Upadhyaya, Atsushi Ishikawa, Kenji Tsuruta, Takuo Tanaka, Yasuyuki Miyamoto
- 学会等名
  16th International Conference on Nanotechnology (IEEE NANO 2016)
- 発表場所
  仙台国際センター (宮城県仙台市)
- 年月日
  2016-08-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[学会発表] HfO2パッシベーションによるHfS2 FETの特性改善2016
- 著者名/発表者名
  金澤徹, Vikrant Upadhyaya, 雨宮智宏, 石川篤, 鶴田健二, 田中拓男, 宮本恭幸
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ (新潟県新潟市)
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-16H00905
[学会発表] Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain2016
- 著者名/発表者名
  H. Kinoshita, N. Kise, A. Yukimachi, T. Kanazawa, Y. Miyamoto
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week (CSW2016)
- 発表場所
  富山国際会議場（富山県）
- 年月日
  2016-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Experimental approach for feasibility of superlattice FETs2016
- 著者名/発表者名
  M. Kashiwano, A. Yukimachi and Y. Miyamoto
- 学会等名
  2016 Lester Eastman Conference (LEC)
- 発表場所
  Lehigh University, USA
- 年月日
  2016-08-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Steep sub-threshold slope in short-channel InGaAs TFET2016
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, W. Lin, S.Iwata, and K. Fukuda
- 学会等名
  International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2016)
- 発表場所
  Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju (Korea)
- 年月日
  2016-07-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] Experimental approach for feasibility of superlattice FETs2016
- 著者名/発表者名
  M. Kashiwano, A. Yukimachi and Y. Miyamoto
- 学会等名
  Lester Eastman Conference
- 発表場所
  Lehigh University, Bethlehem (USA)
- 年月日
  2016-08-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292
[学会発表] H.Kinoshita,S.Netsu,Y.Mishima,T.Kanazawa and Y.Miyamoto Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain2015
- 著者名/発表者名
  H.Kinoshita,S.Netsu,Y.Mishima,T.Kanazawa and Y.Miyamoto
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 発表場所
  HIDA HOTEL PLAZA, Takayama, Gifu
- 年月日
  2015-08-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Operation of 13-nm channel length InGaAs-MOSFET with n-InP source2015
- 著者名/発表者名
  K. Ohsawa, Y. Mishima and Y. Miyamoto
- 学会等名
  27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  University of California Santa Barbara, CA USA
- 年月日
  2015-07-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] InGaAs channel for low supply voltage2015
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto,T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, M. Fujimatsu, K. Ohashi, S. Nestu, and S. Iwata
- 学会等名
  47th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sapporo Convention Center
- 年月日
  2015-09-28
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Design of drain for low off current in GaAsSb/InGaAs tunnel FETs2015
- 著者名/発表者名
  S. Iwata, W. Lin, K. Fukuda and Y. Miyamoto
- 学会等名
  47th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sapporo Convention Center
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Improvement of Interface Property of HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Using Nitrogen Plasma Cleaning and Hydrogen Annealing2015
- 著者名/発表者名
  S. Netsu, T. Kanazawa, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  University of California Santa Barbara, CA USA
- 年月日
  2015-07-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける界面準位の導入による性能の劣化2015
- 著者名/発表者名
  岩田真次郎, 大橋一水, 祢津　誠晃, 福田　浩一，宮本恭幸
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Steep subthreshold slope in InGaAs MOSFET2015
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, M. Fujimatsu, K. Ohashi, A. Yukimachi and S. Iwata
- 学会等名
  SemiconNano2015
- 発表場所
  Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  2015-09-07
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] 再成長ソース / ドレインを有する InGaAs マルチゲート MOSFET 作製プロセス2015
- 著者名/発表者名
  木下治紀、金澤徹、祢津誠晃、三嶋裕一、宮本恭幸
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Heavily doped epitaxially grown source in InGaAs MOSFET for high drain current density2013
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, K. Ohsawa, M. Oda, T. Irisawa, and T. Tezuka
- 学会等名
  IEEE Semiconductor Interface Specialists Conf.(SICS 2013)
- 発表場所
  Arlington, VA
- 年月日
  2013-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] High current density of InGaAs MOSFET by epitaxially grown source2012
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Technical meeting on Electron Devices IEE of Japan
- 発表場所
  Atami
- 年月日
  2012-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFETの高電流密度化2012
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  熱海
- 年月日
  2012-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] High-currento-density InP ultrafine devices for high-speed operation2011
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
- 発表場所
  Huston, USA
- 年月日
  2011-10-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] High-currento-density InP ultrafine devices for high-speed operation2011
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
- 発表場所
  Huston(招待講演)
- 年月日
  2011-10-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] InP系化合物半導体を用いたMOSFETの技術動向2011
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  Meeting of Electronics, Information and Systems Society, The Institute of Electrical Engineers of Japan
- 発表場所
  Toyama
- 年月日
  2011-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] High current density of InGaAs MOSFET2011
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  IEICE Technical Report of meeting on Electron Devices
- 発表場所
  Sendai(招待講演)
- 年月日
  2011-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] InP系化合物半導体を用いたMOSFETの技術動向2011
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2011-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] InGaAs MOSFETの高電流密度化2011
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  電子デバイス研究会(ED)
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2011-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] InGaAs MISFET with epitaxially grown source2010
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  The 3rd Int.Symp.Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2010)
- 発表場所
  Toyama, Japan
- 年月日
  2010-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n+-source/drain buried into channel undercut2010
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM20 10)
- 発表場所
  香川県高松市
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] テラヘルツ帯におけるトランジスタ2010
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  応用電子物性分科会研究例会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Submicron-channel InGaAs MISFET with epitaxially grown source2010
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  10th IEEE Int.Conf.Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2010)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2010-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] InGaAs MISFET with epitaxially grown source2010
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  The 3rd Int.Symp.Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies(EM-NANO 2010)
- 発表場所
  Toyama, Japan
- 年月日
  2010-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] Transistors in terahertz range2010
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Japan.Appl.Phys.Soc., Applied Solid State Physics Division
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] Submicron-Channel InGaAs MISFET with epitaxially grown source2010
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  10th IEEE Int.Conf.Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2010-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] Selective undercut etching for ultra narrow mesa structure in vertical InGaA s channel MISFET2010
- 著者名/発表者名
  H. Saito, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM20 10)
- 発表場所
  香川県高松市
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] テラヘルツ帯におけるトランジスタ(招待講演)2010
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  応用電子物性分科会研究例会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] InGaAs/InP MISFET2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2009-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFET2009
- 著者名/発表者名
  齋藤尚史, 楠崎智樹, 松本豊, 宮本恭幸, 古屋一仁
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Vertical InGaAs FET with hetero-launcher and undoped channel2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN)
- 発表場所
  Maui, HI, USA
- 年月日
  2009-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] Evaluation of collector current spreading of InGaAs SHBT with 75-nm-thick collector2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] In-situ Etching in MOCPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO_2 Wire2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM 2009)
- 発表場所
  Nagano, Japan
- 年月日
  2009-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Vertical InGaAs FET with hetero-launcher and undoped channel2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN)
- 発表場所
  Maui, HI, USA
- 年月日
  2009-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Vertical InGaAs FET with hetero-launcher and undoped channel2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN)
- 発表場所
  Maui, HI, USA
- 年月日
  2009-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] Lateral Buried Growth of N+-InGaAs Source/Drain Region to Undercut InGaAs Channel Structure for High Drive Current N-type MOSFET2009
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, H. Saito, K. Wakabayashi, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008)
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2009-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Evaluation of collector current spreading of InGaAs SHBT with 75-nm-thick collector2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] InGaAs/InP MISFET with ep itaxially grown source (Invited)2009
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto
- 学会等名
  2009 A sia-Pacific Workshop on Fundamentals an d Applications of Advanced Semiconducto r Devices (AWAD)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] InGaAs/InP MISFET (Invited)2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2009-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] InGaAs MISFET with hetero-laucher (Invited)2009
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto
- 学会等名
  2009 RCIQE International Seminar on "Advaneed Semiconductor Materials and Devices"
- 発表場所
  札幌市
- 年月日
  2009-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] In-situ Etching in MOVPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO_2 Wire2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Topical Workshop on Heterostructure Materials(TWHM 2009)
- 発表場所
  Nagano, Japan
- 年月日
  2009-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] In-situ Etching in MOVPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO_2 Wire2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Topical Workshop on Heterostructure Materials(TWHM 2009)
- 発表場所
  Nagano, Japan
- 年月日
  2009-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] InGaAs/InP MISFET2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2009-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製2009
- 著者名/発表者名
  齋藤尚史, 金澤徹, 宮本恭幸, 古屋一仁
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  静岡県熱海市
- 年月日
  2009-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source (Invited)2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 発表場所
  Busan, Korea,
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] InGaAs MISFET with hetero-laucher (Invited)2009
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto
- 学会等名
  2009 RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices"
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2009-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] III-Vナノデバイス2009
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸, 金澤徹
- 学会等名
  電子情報通信学会2009年全国大会
- 発表場所
  松山市
- 年月日
  2009-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] III-Vナノデバイス2009
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  電子情報通信学会2009年全国大会
- 発表場所
  松山市
- 年月日
  2009-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] InGaAs/InP MISFET (Invited)2009
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto
- 学会等名
  Int. Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2009-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Evaluation of collector current spreading of InGaAs SHBT with 75-nm-thick collector2009
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD),
- 発表場所
  Busan, Korea,
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] InGaAs MISFET with hetero-launcher (Invited)2009
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto
- 学会等名
  2009 RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices"
- 発表場所
  Sapporo (Japan)
- 年月日
  2009-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] InP系バリスティックトランジスタ2008
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  電子情報通信学会ED研究会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2008-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] Hot electron transistor controlled by insulated gate with 70nm-wide emitter2008
- 著者名/発表者名
  H. Saito, T. Hino, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  20th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008)
- 発表場所
  Versailles, France
- 年月日
  2008-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] モンテカルロ計算によるゲート制御ホットエレクトロトランジスタの遮断周波数解析2008
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  Technical Meeting on Electron Devices, IEE Japan
- 発表場所
  水上
- 年月日
  2008-03-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] InP系バリスティックトランジスタ(招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸、古屋一仁
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2008-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] RF Characteristics of Schottky-Gate-Controlled Hot Electron Transistor2008
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, T. Hasegawa, H. Saito, K. Furuya
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008
- 発表場所
  京都市
- 年月日
  2008-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] 絶縁ゲート制御型ホットエレクトロントランジスタの電圧利得向上2008
- 著者名/発表者名
  齋藤尚史、孟伶我、宮本恭幸、古屋一仁
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  千葉県船橋市
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] RF Characteristics of Schottky-Gate-Controlled Hot Electron Transistor2008
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008
- 発表場所
  Kyoto (Japan)
- 年月日
  2008-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19002009
[学会発表] 絶縁ゲート制御型ホットエレクトロントランジスタのゲート制御能力向上2008
- 著者名/発表者名
  齋藤尚史, 孟伶我, 宮本恭幸, 古屋一仁
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] InP系バリスティックトランジスタ2008
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸、古屋一仁
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2008-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] モンテカルロ計算によるゲート制御ホットエレクトロントランジスタの遮断周波数解析2008
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸、五十嵐満彦、山田朋宏、上澤岳史、古屋一仁
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  群馬県みなかみ町
- 年月日
  2008-03-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] ゲート制御ホットエレクトロントランジスタのバリスティックモデル解析2008
- 著者名/発表者名
  上澤岳史、山田朋宏、古屋一仁、宮本恭幸
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  千葉県船橋市
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Lateral Buried Growth of N+-InGaAs Source/Drain Region to Undercut InGaAs Channel Structure for High Drive Current N-type MOSFET2008
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, H. Saito, K. Wakabayashi, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  2008 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2008)
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2008-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Hot electron transistor controlled by insulated gate with 70nm-wide emitter2008
- 著者名/発表者名
  H. Saito, T. Hino, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Versailles - France
- 年月日
  2008-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Fabrication of hot electron transistors controlled by insulated gate2007
- 著者名/発表者名
  T. Hino, A. Suwa, T. Hasegawa, H. Saito, M. Oono, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  19th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007)
- 発表場所
  島根県松江市
- 年月日
  2007-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] ホットエレクトロントランジスタにおけるゲート絶縁性の確認2007
- 著者名/発表者名
  日野高宏, 齋藤尚史, 宮本恭幸,古屋一仁
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Cutoff Frequency Characteristics of Insulated-gate Hot-electron Transistors by Monte Carlo Simulation2007
- 著者名/発表者名
  M. Igarashi, N. Machida, Y. Miyamoto, and K. Furuya
- 学会等名
  15th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors
- 発表場所
  東京都文京区
- 年月日
  2007-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Fabrication of hot electron transistors controlled by insulated gate2007
- 著者名/発表者名
  T. Hino, A. Suwa, T. Hasegawa, H. Saito, M. Oono, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'07)
- 発表場所
  島根県松江市
- 年月日
  2007-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] 先端ノンドープ構造ホットエレクトロンエミッタ充電時間解析2007
- 著者名/発表者名
  山田朋宏, 古屋一仁, 宮本恭幸
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206038
[学会発表] Body width dependence of subthreshold slope and on-current in GaAsSb/InGaAs Double Gate Vertical Tunnel FETs
- 著者名/発表者名
  K. Ohashi, M. Fujimatsu and Y. Miyamoto
- 学会等名
  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, M. Fujimatsu, M. Kashiwano , K. Ohsawa, and K. Ohashi
- 学会等名
  26th International Conference on InP and Related Materials (IPRM 2014)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Improvement of Interface Property of HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Using Nitrogen Plasma Cleaning and Hydrogen Annealing
- 著者名/発表者名
  S. Netsu, T. Kanazawa, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Santa Barbara, CA
- 年月日
  2015-06-28 – 2015-07-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain
- 著者名/発表者名
  Y. Mishima, T. Kanazawa, H. Kinoshita, E. Uehara, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  72nd Device Research Conference (DRC)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA
- 年月日
  2014-06-22 – 2014-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] GaAsSb/InGaAs縦型トンネルFET
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  IEICE Technical Meeting on Electron Devices
- 発表場所
  京都大学（京都府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] 超高速トランジスタ技術の現状と展望
- 著者名/発表者名
  宮本恭幸
- 学会等名
  2013年電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  岐阜大学（岐阜県）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226010
[学会発表] Operation of 13-nm channel length InGaAs-MOSFET with n-InP source
- 著者名/発表者名
  K. Ohsawa, Y. Mishima and Y. Miyamoto
- 学会等名
  27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Santa Barbara, CA
- 年月日
  2015-06-28 – 2015-07-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, T. Irisawa, M. Oda, and T. Tezuka
- 学会等名
  72nd Device Research Conference (DRC)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA
- 年月日
  2014-06-22 – 2014-06-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046

1. 古屋一仁 (40092572)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 11件
2. 浅田雅洋 (30167887)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
3. 須原理彦 (80251635)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
4. 荒井滋久 (30151137)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
5. 西山伸彦 (80447531)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 8件
6. 町田信也 (70313335)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 3件
7. 鈴木左文 (40550471)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 丸山武男 (60345379)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 金澤徹 (40514922)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
10. 真島豊 (40293071)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
11. 渡辺正裕 (00251637)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 鈴木寿一 (80362028)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 末松安晴 (40016316)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 林侑介 (00800484)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 上杉謙次郎 (40867305)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 佐々木拓生 (90586190)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 福田浩一 (00586282)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
19. 菅原聡 (40282842)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 荒井昌和 (90522003)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
21. 後藤高寛 (70827914)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 雨宮智宏

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

宮本 恭幸 Miyamoto Yasuyuki

宮本 泰幸 MIYAMOTO Yasuyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

SiO2空洞内への選択成長によるラテラルヘテロ接合バイポーラトランジスタの創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

HfS2を用いた原子層厚ヘテロ接合による超低消費電力デバイス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ヘテロ構造設計と微細化により低電圧・高速動作を目指した相補型縦型トンネルFET研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

絶縁ゲートを持つ縦型InP系ホットエレクトロントランジスタの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InP系HBTでのコレクタ層内バリステック電子走行による超高速動作に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

化合物半導体中へのナノ金属細線埋込み構造による極小/高速電子デバイスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

宮本恭幸 Miyamoto Yasuyuki

宮本泰幸 MIYAMOTO Yasuyuki