佐藤政孝 SATO Masataka

研究者番号	40215843
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2002年度 – 2004年度: 法政大学, イオンビーム工学研究所, 教授 2000年度 – 2001年度: 法政大学, イオンビーム工学研究所, 助教授 1998年度 – 1999年度: イオンビーム工学研究所, 助教授 1997年度: 法政大学, イオンビーム工学研究所, 助教授 1997年度: 法政大学, イオン工学研究所, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者 Electrical activation / Ion implantation / Silicon carbide / リン不純物 / 再結晶化過程 / リン / 電気的活性化 / イオン注入 / 炭化シリコン / Crystallization process … もっと見る / Al impurity / P impurity / 4H-SiC(1120) / アルミニウム不純物 / 不純物効果 / 再結晶化速度 / イオン注入欠陥層 / 非晶質層 / アルミニウム / Crystallization Process / Nitrogen impurity / Phosphorus impurity / リンイオン注入 / 窒素イオン注入 / 置換格子位置 / 電気特性 / 窒素不純物 / 窒素 … もっと見る研究代表者以外 SOI / IBIEC / SiGe / CeO_2 / Nano-cluster of Fe-Co alloy / Mossbauer spectroscopy / Superparamagnetism / Tunneling conduction / Nanosized Clusters / Giant Magnetoresistance / メスバウアー分光法 / 鉄イオン注入によるグラニュラー層 / 超微粒子 / Fe-Co合金微粒子 / イオン注入によるグラニュラー層形成 / Fe-Co合金超微粒子 / メスバウアー分光 / 超常磁性 / 電子トンネリング / ナノサイズ超微粒子 / 巨大磁気抵抗効果 / Ion Beam Sputtering / Interface Reaction / Amorphous Silicon / Hetro Epitaxy / 核的散乱 / イオンの電子 / 固相エピタキシ / ランプ加熱 / イオンビームスパッタ / 界面反応 / アモルファスシリコン / イオンビーム誘起結晶化 / ヘテロエピタキシ / Thin layr / Delamination / Sol / Si / H / Ion Implantation / ハクマク / LSI / はく離 / イオン注入 / 薄膜 / デラミネーション / シリコン / 水素イオン隠す

高濃度イオン注入灰化シリコン非晶質層の再結晶化と不純物効果の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤政孝
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  法政大学
炭化シリコンヘイオン注入された窒素およびリンの置換格子位置の同定と電気的活性化研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤政孝
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  法政大学
イオン注入による巨大磁気抵抗層の作製に関する研究
- 研究代表者
  
  林伸行
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  久留米工業大学
   法政大学
イオンビーム誘起エピタキシャル結晶化による絶縁物上シリコンエピタキシャル成長
- 研究代表者
  
  山本康博
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  法政大学
イオン注入ボイドを用いた新しいSOI作製法(ボイドカット法)に関する基礎的研究
- 研究代表者
  
  原徹
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  法政大学

すべて 2006 2003

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(11-20)2006
- 著者名/発表者名
  M.Satoh, T.Hitomi, T.Suzuki
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B Vol.242, No.1-2
  
  ページ: 672-629
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560012
[雑誌論文] Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(11-20)2006
- 著者名/発表者名
  M.Satoh, T.Hitomi, T.Suzuki
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 242
  
  ページ: 672-629
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560012
[雑誌論文] High Electrical Activation of Implanted Phosphorus in the Fully Amorphized Implant-Layer by Solid-Phase Epitaxy on (1120)-Oriented 6H-SiC2003
- 著者名/発表者名
  Tomonori Nakamura, Hitoshi Tanabe, Masataka Satoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.42, Part 1 No.1
  
  ページ: 63-66
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13650019
[雑誌論文] High Electrical Activation of Implanted Phosphorus in the Fully Amorphized Implant-Layer by Solid-Phase Epitaxy on (1120)-Oriented 6H-SiC2003
- 著者名/発表者名
  T.Nakamura, H.Tanabe, M.Satoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 42
  
  ページ: 63-66
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13650019
[雑誌論文] Electrical Properties of the regrown implantation-induced amorphous layer on (1100)- and (1120)-oriented 6H-SiC2003
- 著者名/発表者名
  T.Nakamura, H.Tanabe, T.Hitomi, M.Satoh
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 206
  
  ページ: 956-959
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13650019
[雑誌論文] Electrical Properties of the regrown implantation-induced amorphous layer on (1100)- and (1120)-oriented 6H-SiC2003
- 著者名/発表者名
  Tomonori Nakamura, Hitoshi Tanabe, Takeshi Hitomi, Masataka Satoh
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B Vol.206
  
  ページ: 956-959
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13650019

1. 山本康博 (50139383)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 原徹 (00147886)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 井上知泰 (60193596)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 林伸行 (30318612)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 鳥山保 (40016176)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 蓮山寛機 (00037962)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 坂本勲

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

佐藤 政孝 SATO Masataka

研究課題

研究成果

共同研究者

高濃度イオン注入灰化シリコン非晶質層の再結晶化と不純物効果の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化シリコンヘイオン注入された窒素およびリンの置換格子位置の同定と電気的活性化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン注入による巨大磁気抵抗層の作製に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオンビーム誘起エピタキシャル結晶化による絶縁物上シリコンエピタキシャル成長

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン注入ボイドを用いた新しいSOI作製法(ボイドカット法)に関する基礎的研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(11-20)2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(11-20)2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] High Electrical Activation of Implanted Phosphorus in the Fully Amorphized Implant-Layer by Solid-Phase Epitaxy on (1120)-Oriented 6H-SiC2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] High Electrical Activation of Implanted Phosphorus in the Fully Amorphized Implant-Layer by Solid-Phase Epitaxy on (1120)-Oriented 6H-SiC2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Electrical Properties of the regrown implantation-induced amorphous layer on (1100)- and (1120)-oriented 6H-SiC2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Electrical Properties of the regrown implantation-induced amorphous layer on (1100)- and (1120)-oriented 6H-SiC2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

佐藤政孝 SATO Masataka