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今井 茂  IMAI Shigeru

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40223309
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 立命館大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2002年度 – 2004年度: 立命館大学, 理工学部, 教授
2001年度: 立命館大学, 理工学部, 助教授
1996年度 – 1998年度: 立命館大学, 理工学部, 助教授
1992年度 – 1995年度: 東京工業大学, 工学部, 助手
1994年度: 東京工業大学, 工学部電子物理工学科, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子機器工学 / 電子材料工学
キーワード
研究代表者
ゲルマニウム / 原子層エッチング / シリコン / 原子層エピタキシ- / dimethylaluminiumhydride / atomic layer deposition / Aluminium / 原子層堆積 / 原子状水素 / ジメチルアルミニウムハイライド … もっと見る / ジメチルアルミニウムハイドライド / 原子層堆積法 / アルミニウム / 極短周期超格子 / 塩素 / 単原子層超格子 / ヘテロ界面 … もっと見る
研究代表者以外
Si / Germanium / Silicon / ゲルマニウム / シリコン / InGaN / InN / HFET / RF-MBE / ALE / ヘテロ接合 / Ge人工結晶 / Atomic Hydrogen / Atomic Layr Epitaxy / 原子状水素 / 原子層成長 / crystal growth / quantum well / heterostructure / bandqap / Full Band Monte Carlo Simulation / 二次元電子ガス / GaN / AlGaN / 低温中間層 / 窒化 / 最大ドリフト速度 / モンテカルロシミュレーション / AlNバッファ / Si基板 / 極性 / バンドギャツプ / 貫通転位 / 量子井戸構造 / InAlN / 臨界膜厚 / 結晶成長 / 量子井戸 / ヘテロ構造 / バンドギャップ / 窒化インジウムガリウム / 窒化インジウム / Hetero Interface / Manmade Crystal / Hetero Structure / 超格子 / 人工結晶 / 原子層エピロキシ- / AES / 原子層エピタキシ- / Ge manmade Crystal / Tight Binding sps^* Model / Electronic Structure / Light Emission / 発光デバイス / 溶融再結晶化法 / 発光特性 / 多結晶シリコン / レーザ結晶化 / エキシマレーザ / 強束縛近似 / 電子構造 / 発光 / Hetero Epitaxy / ジエチルゲルマン / ジクロロシラン / ヘテロ成長 / 偏析 / 原子層エッチング / ヘテロ界面 / オージェ光電子分光 隠す
  • 研究課題

    (9件)
  • 共同研究者

    (11人)
  •  InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  アルミニウムの原子層堆積法の確立研究代表者

    • 研究代表者
      今井 茂
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  界面ゆらぎを完全に除去したIV族半導体の極短周期超格子の作製研究代表者

    • 研究代表者
      今井 茂
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  IV族半導体の単原子層超格子の作製研究代表者

    • 研究代表者
      今井 茂
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  シリコン系人工結晶の作製とその物性評価に関する研究

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  深さ方向分解能の高いオージェ電子分光法によるSi/Geヘテロ界面の評価

    • 研究代表者
      内田 恭敬
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      西東京科学大学
  •  1原子寸法オーダーで急峻なシリコン/ゲルマニウムヘテロ界面の形成法に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      今井 茂
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超活性ガスを用いたIV族半導体の原子層成長に関する研究

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  シリコン高効率発光デバイスの研究

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1994
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  • 1.  内田 恭敬 (80134823)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  松村 正清 (30110729)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  杉浦 修 (10187643)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  菅原 聡 (40282842)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  名西 やす之 (40268157)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  高倉 秀行 (30112022)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  荒木 努 (20312126)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  鈴木 彰 (10111931)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  播磨 弘 (00107351)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  寺口 信明
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  鈴木 章
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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