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弓野 健太郎  Kyuno Kentaro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40251467
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 芝浦工業大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2025年度: 芝浦工業大学, 工学部, 教授
2022年度 – 2023年度: 芝浦工業大学, 工学部, 教授
2013年度 – 2016年度: 芝浦工業大学, 工学部, 教授
2010年度: 芝浦工業大学, 工学部, 教授
2008年度 – 2009年度: 芝浦工業大学, 工学部, 准教授 … もっと見る
2001年度 – 2005年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師
2000年度: 東京大学, 工学部, 講師
1999年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手
1994年度 – 1995年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分26010:金属材料物性関連 / 無機材料・物性 / 金属物性 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 金属物性 / 構造・機能材料
キーワード
研究代表者
結晶成長 / 薄膜 / 太陽電池 / 半導体物性 / 表面・界面物性 / 構造・機能材料 / 半導体 / Molecular Thin Film / Scanning Probe Microscopy / Crystal Growth … もっと見る / Thin Film / 分子膜 / 走査型トンネル顕微鏡 / RRAM / スイッチング / ReRAM / ナノ細線 / 酸化物 / メモリ / 光磁気メモリ材料 / 金属多層膜 / 分子線エピタキシ-法 / 第一原理的電子論 / 垂直磁気異方性 … もっと見る
研究代表者以外
MEAM / シリコン / amorphous / polarizability / germanium / silicon / lanthanum oxide / yttrium oxide / hafnium oxide / high-k dielectrics / MISキャパシタ / ゲート絶縁膜 / オフアクシススパッタリング / オープンサーキットポテンシャル / スパックリング / Open Circuit Potential法 / 分光エリプソメトリー / 斜入射X線反射率測定 / 原子状酸素 / 酸化レート / 界面制御 / 基板面方位 / 高誘電率膜 / 光学フォノン / シリケート / Y2O3 / HfO2 / 界面層 / Y_2O_3 on Ge / LaYO_3薄膜 / 遠赤外特性 / Y-doped HfO_2 / High-k膜 / Y_2O_3 / La_2O_3 / HfO_2 / アモルファス / 分極率 / ゲルマニウム / 酸化ランタン / 酸化イットリウム / 酸化ハフニウム / 高誘電率絶縁膜 / Diffusivity / Cluster / Nucleation / Dissociation / Surface diffusion / Crystal growth / Scanning tunneling-microscope / Field ion microscope / 拡散係数 / クラスター / 核生成 / 解離 / 表面拡散 / 結晶成長 / 走査型トンネル顕微鏡 / 電界イオン顕微鏡 / giant magnetoresistance effect / perpendicular magnetic anisotropy / metallic multilayr / surfactant epitaxy / 金属多層膜 / 巨大磁気抵抗効果 / 垂直磁気異方性 / 金属人工格子 / サーファクタントエピタキシ- 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 研究成果

    (102件)
  • 共同研究者

    (8人)
  •  流動性を有する共晶合金の準安定相に関する研究と溶液成長likeな固相成長への応用研究代表者

    • 研究代表者
      弓野 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      2025 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分26010:金属材料物性関連
    • 研究機関
      芝浦工業大学
  •  金属触媒を利用した半導体結晶薄膜の低温形成研究代表者

    • 研究代表者
      弓野 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分26010:金属材料物性関連
    • 研究機関
      芝浦工業大学
  •  共晶系合金表面の室温での流動性の起源の解明-半導体の新規低温結晶化手法を目指して研究代表者

    • 研究代表者
      弓野 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      芝浦工業大学
  •  金属の触媒効果の利用によるシリコン薄膜の効率的な結晶化法の開発研究代表者

    • 研究代表者
      弓野 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      芝浦工業大学
  •  絶縁膜中における導電性ナノ細線の生成・消滅機構に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      弓野 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      芝浦工業大学
  •  シリコン基板上に作製した超薄膜・希土類金属酸化物の誘電率制御指針の構築

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  薄膜成長初期過程における二次元核の形状制御による薄膜の三次元構造の制御研究代表者

    • 研究代表者
      弓野 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  超薄高誘電率ゲート絶縁膜におけるシリコンとの界面制御の研究

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  二針型複合FIM・STM装置の製作

    • 研究代表者
      山本 良一
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  極限的垂直磁気異方性をもつ金属人工格子の理論的設計研究代表者

    • 研究代表者
      弓野 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  極限的金属ヘテロ界面構造制御のための薄膜成長初期過程に関する研究

    • 研究代表者
      山本 良一
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      東京大学

すべて 2024 2023 2022 2017 2016 2015 2014 2013 2011 2010 2009 2006 2005 2004 2003 2002 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Fabrication of an atomically smooth Ge(111) surface by Au-induced crystallization at 170 °C2023

    • 著者名/発表者名
      Narin Sunthornpan, Kentaro Kyuno
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 122 号: 17 ページ: 172101-172101

    • DOI

      10.1063/5.0145370

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [雑誌論文] Morphology of Ge thin films crystallized by Au-induced layer exchange at low temperature (220 °C)2022

    • 著者名/発表者名
      Sunthornpan Narin、Kimura Kenjiro、Kyuno Kentaro
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      巻: 40 号: 3 ページ: 030601-030601

    • DOI

      10.1116/6.0001774

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [雑誌論文] Fabrication of crystalline Ge thin films by co-deposition of Au and Ge at low substrate temperatures (<200 °C) without post annealing2016

    • 著者名/発表者名
      Takatoshi Sugiyama, Naoya Mishiba, Masao Kamiko, and Kentaro Kyuno
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 9 ページ: 095501-095501

    • DOI

      10.7567/apex.9.095501

    • NAID

      210000138051

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231, KAKENHI-PROJECT-15K14130
  • [雑誌論文] Effect of seed layers on structure of self-organized Ag nanodots on MgO substrates2015

    • 著者名/発表者名
      M.Kamiko,R.Suenaga,J.W.Koo,K.Kyuno,Y.Mitsuda,J.G.Ha
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Phyiscs

      巻: 54 号: 6S1 ページ: 06FH06-06FH06

    • DOI

      10.7567/jjap.54.06fh06

    • NAID

      210000145254

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K14130, KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [雑誌論文] Ge 結晶薄膜の低温合成: フレキシブルデバイスへの 応用を目指して2015

    • 著者名/発表者名
      弓野 健太郎
    • 雑誌名

      真空ジャーナル

      巻: 151 ページ: 13-15

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [雑誌論文] Effect of Ti seed layers on structure of self-organized epitaxial face-centered-cubic -Ag(001) oriented nanodots2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kamiko, R. Suenaga, J.-W. Koo, K. Nose, K. Kyuno, J.-G. Ha
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 114 号: 24 ページ: 244307-244307

    • DOI

      10.1063/1.4856975

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560874, KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of fcc-Ag(001) nanodot on MgO(001) substrate via Ti seed layer assisted agglomeration2013

    • 著者名/発表者名
      Masao Kamiko, Ryo Suenaga, Jung-Woo Koo, Kenji Nose, Kentaro Kyuno, Jae-Geun Ha
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics

      巻: 46 号: 50 ページ: 505304-505304

    • DOI

      10.1088/0022-3727/46/50/505304

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560874, KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [雑誌論文] Two-Step Forming Process in Planar-Type Cu_2O-Based Resistive Switching Devices2011

    • 著者名/発表者名
      K.Suzuki, N.Igarashi, K.Kyuno
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 4

      ページ: 51801-51801

    • NAID

      10028210204

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20510108
  • [雑誌論文] Observation of the Creations and Annihilations of Local Current Paths in HfO_2 thin films on Pt by Ultrahigh Vacuum Conductive-Atomic Force Microscopy : Evidence of Oxygen Spill Over during the Forming Process2009

    • 著者名/発表者名
      N.Sasaki, K.Kita, A.Toriumi, K.Kyuno
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48

      ページ: 60202-60202

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20510108
  • [雑誌論文] Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthanum oxide films on silicon2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88(7)

      ページ: 72904-72904

    • NAID

      10022542508

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Origin of Permittivity Enhancement of HfSiO and HfON Film with High Temperature Annealing2006

    • 著者名/発表者名
      K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      International Conference on Microelectronics and Interfaces (ICMI'06)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthanum oxide films on silicon2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 88

      ページ: 72904-72904

    • NAID

      10022542508

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Dielectric Properties of Metal-Doped HfO_2 for Higher-k Gate Insulators (invited paper)2006

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Tomida, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)

      ページ: 27-28

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] GIXR Analysis of High-k Multilayer Structure2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-

      ページ: 167-172

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Polarity Dependence of Leakage Current in HfO_2/SiO_2 Stacked Structures : An Observation by UHV-C-AFM2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-

      ページ: 309-314

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Thermally Robust Y_2O_3/Ge MOS Capacitors2005

    • 著者名/発表者名
      H.Nomura, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 858-859

    • NAID

      10022543442

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Evolution of Leakage Paths in HfO_2/SiO_2 Stacked Gate Dielectrics : A Stable Direct Observation by Ultrahigh Vacuum Conducting Atomic Force Microscopy2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 86(6)

      ページ: 63510-63510

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Kinetic Model of Si Oxidation at HfO_2/Si Interface with Post Deposition Annealing2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Pt.1,44

      ページ: 6131-6135

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Far- and Mid- Infrared Absorption Study of HfO_2/SiO_2/Si System (invited paper)2005

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, K.Tomida, H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno
    • 雑誌名

      207th Meeting of the Electrochemical Society

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Moisture Absorption-Induced Permittivity Deterioration and Surface Roughness Enhancement of Lanthanum Oxide Films on Silicon2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 546-547

    • NAID

      10022542508

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Evolution of leakage paths in HfO_2/SiO_2 stacked gate dielectrics : A stable direct observation by ultrahigh vacuum conducting atomic force microscopy2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 86(6)

      ページ: 63510-63510

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Evolution of Leakage Path in HfO^2/SiO^2 Stacked Gate Dielectrics : A Stable Direct Observation by Ultrahigh Vacuum Conducting Atomic Force Microscopy,2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno et al.
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 86(6)

      ページ: 63510-63510

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Hfo^2/SiO^2スタック構造におけるリーク電流の極性依存性 : UHV-C-AFMによる観察2005

    • 著者名/発表者名
      弓野健太郎, 他
    • 雑誌名

      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第10回

      ページ: 309-314

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] High Crystallization Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaO_x Films2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) P-11

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Ion-Implanted p/n Junction Characteristics p- and n-type Germanium2005

    • 著者名/発表者名
      T.Nishimura, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 520-521

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Effects of Germanium Surface Orientation on HfO_2/Ge Interface2005

    • 著者名/発表者名
      M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-

      ページ: 209-214

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] High Crystallization Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaOx Films2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 36

      ページ: 10-10

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Design Methodology for La_2O_3-Based Ternary Higher-k Dielectrics2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, Yi Zhao, Y.Yamamoto, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 252-253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Design Methodology for La2O_3-Based Ternary Higher-k Dielectrics2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, Yi Zhao, Y.Yamamoto, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005

      ページ: 858-859

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Kinetic Model of Si Oxidation at HfO_2/Si Interface with Post Deposition Annealing2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.Pt.1 44(8)

      ページ: 6131-6135

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] A New Hf-based Dielectric Member, HfLaO_x, for Amorphous High-k Gate Insulators in Advanced CMOS2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 254-255

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Annealing Effects on CVD-SiO_2 Films Characterized by OCP Measurement2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-

      ページ: 265-270

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) LP-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Initial Growth Mechanism Difference between HfO_2 Films on Ge and Si Substrates2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, M.Toyama, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 9th Workshop on Formation, Characterization and Reliability of Ultrathin Silicon Oxides

      ページ: 259-264

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Stable Observation of the Evolution of Leakage Spots in HfO_2/SiO_2 stacked structures.2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno et al.
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials

      ページ: 788-789

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Stable Observation of the Evolution of Leakage Spots in HfO_2/SiO_2 Stacked Structures2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 788-789

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] IR Absorption Study of HfO_2 and HfO_2/Si Interface Ranging from 200cm^<-1> to 2000cm^<-1>2004

    • 著者名/発表者名
      K.Tomida, H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions, MRS Symp.Proc. 811

      ページ: 319-324

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Difference between O_2 and N_2 Annealing Effects on CVD-SiO_2 Film Quality Studied by Open-Circuit Measurement2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 786-787

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Far Infrared Study of Structural Distortion and Transformation of HfO_2 by Introducing a Slight Amount Si2004

    • 著者名/発表者名
      K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 790-791

    • NAID

      10022540150

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Dielectric Constant Increase of Yttrium-Doped HfO_2 by Structural Phase Modification2004

    • 著者名/発表者名
      K Kita, K Kyuno, A Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 794-795

    • NAID

      10022540160

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Growth Mechanism Difference of Sputtered HfO_2 between on Ge and on Si2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 85(1)

      ページ: 52-54

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface2004

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Tomida, M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 9th Workshop on Formation, Characterization and Reliability of Ultrathin Silicon Oxides

      ページ: 265-270

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Stable Observation of the Evolution of Leakage Spots in HfO^2/SiO^2 stacked structures2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno et al.
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004

      ページ: 788-789

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Retarded Growth of Sputtered HfO_2 films on Germanium2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions, MRS Symp.Proc. 811

      ページ: 169-174

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 86(7)102906(2005).rface Specialists Conference (SISC) LP-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Advantages of Ge (111) Surface for High Quality HfO_2/Ge Interface2004

    • 著者名/発表者名
      M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 226-227

    • NAID

      10022538299

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Post-Deposition Annealing Effects on Interface States Generation in HfO_2/SiO_2/Si MOS Capacitors2004

    • 著者名/発表者名
      M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 534-535

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Generalized Model of Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface with Post-Deposition Annealing2004

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 796-797

    • NAID

      10022540167

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Oxidation-Induced Damages on Germanium MIS Capacitors with HfO_2 Gate Dielectrics2003

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, K.Tomida, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2003 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 292-293

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films with Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement2003

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42,Pt.2(6B)

    • NAID

      10011259919

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] A New Characterization Technique for Depth-Dependent Dielectric Properties of High-k Films by Open-Circuit Potential Measurement2003

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      2003 Int. Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, AIP Conf.Proc. 550

      ページ: 166-170

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Further EOT Scaling of Ge/HfO_2 over Si/HfO_2 MOS Systems2003

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, K.Tomida, M.Toyama, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Int. Workshop on Gate Insulator (IWGI)

      ページ: 186-191

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Interface Oxidation Mechanism in HfO_2/Silicon System with Post-Deposition Annealing2003

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst.Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 486-487

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] New method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films Using Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement2002

    • 著者名/発表者名
      K.Kita M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst.Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 66-67

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [産業財産権] ゲルマニウム層の製造方法、ゲルマニウム層、ゲルマニウム層付基板、ゲルマニウムナノドット、ゲルマニウムナノワイヤ付き基板及び薄膜トランジスタ2015

    • 発明者名
      弓野健太郎、大石知司、三芝直也、杉山貴俊、原浩子
    • 権利者名
      芝浦工業大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2015-016009
    • 出願年月日
      2015-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] AuSb,Au触媒を用いたアニールによるGe薄膜の結晶化及びその電気特性2024

    • 著者名/発表者名
      楊 淳祥、弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会 2024年春期講演大会(第174回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] Ag触媒を用いたMIC法による多結晶Ge薄膜の成膜プロセスおよび電気特性2024

    • 著者名/発表者名
      渡部 祐大、小林 和矢、弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会 2024年春期講演大会(第174回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] Auで被膜した加熱基板上におけるGe薄膜の結晶化:Ge膜厚依存性2024

    • 著者名/発表者名
      小杉 哲平、弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会 2024年春期講演大会(第174回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] Au薄膜上へのスパッタによるGe薄膜の結晶化と電気特性2024

    • 著者名/発表者名
      星 佑樹、弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会 2024年春期講演大会(第174回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] Auで被覆した加熱基板へのスパッタによるGe薄膜の結晶化2023

    • 著者名/発表者名
      赤坂駿英, 弓野健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会 第172回講演大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] Crystallization behavior of Ge thin films during metal-induced crystallization using Au2023

    • 著者名/発表者名
      Narin Sunthornpan, Kentaro Kyuno
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] AuSb合金を用いたMIC法で作製したGe薄膜の構造と電気特性2023

    • 著者名/発表者名
      加藤雅基, 弓野健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会 第172回講演大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] Low temperature growth of crystalline semiconductor thin films by metal-induced crystallization: A simulation based on Cahn Hilliard model2023

    • 著者名/発表者名
      Tetsunosuke Harada, Kentaro Kyuno
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] AgSb合金を用いたMIC法によるn型Ge結晶薄膜の作製と電気特性の膜厚依存性2023

    • 著者名/発表者名
      大久保拓海, 弓野健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会 第172回講演大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] Ag-Sb合金を用いたGe薄膜の低温結晶化2023

    • 著者名/発表者名
      浅野友太、弓野健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会 2023年秋期講演大会(第173回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] AuGe合金の第一原理電子状態計算2023

    • 著者名/発表者名
      原田哲之介, 弓野健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会 第172回講演大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] Realizing an atomically flat surface of Ge (111) thin film at low temperature (220°C) by gold-induced layer exchange2022

    • 著者名/発表者名
      Narin Sunthornpan, Kentaro Kyuno
    • 学会等名
      The 64th Electronic Materials Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04675
  • [学会発表] CRYSTALLIZATION OF GERMANIUM THIN FILMS USING GOLD-ANTIMONY (AuSb) AS A CATALYST2017

    • 著者名/発表者名
      Joseph B. Mutunga,Takumi Kondo,Tatsuya Suzuki,Masao Kamiko,Kentaro Kyuno
    • 学会等名
      11th South East Asian Technical University Consortium Symposium
    • 発表場所
      ベトナム
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] CRYSTALLIZATION OF GERMANIUM THIN FILMS USING GOLD-ANTIMONY (AuSb) AS A CATALYST2017

    • 著者名/発表者名
      Joseph B. Mutunga,Takumi Kondo,Tatsuya Suzuki,Masao Kamiko,Kentaro Kyuno
    • 学会等名
      11th South East Asian Technical University Consortium Symposium
    • 発表場所
      ベトナム
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K14130
  • [学会発表] AuGe/Au積層膜のアニールによるGe結晶薄膜の作成 (2)2016

    • 著者名/発表者名
      熊谷健太、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化(Ⅲ)2016

    • 著者名/発表者名
      高鳥毛怜, 神子公男, 弓野健太
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K14130
  • [学会発表] AuGe/Au積層膜のアニールによるGe結晶薄膜の作成 (2)2016

    • 著者名/発表者名
      熊谷健太、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K14130
  • [学会発表] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化(Ⅲ)2016

    • 著者名/発表者名
      高鳥毛 怜, 神子公男, 弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] AuSb induced crystallization of Ge thin films2016

    • 著者名/発表者名
      J.B.Mutunga, T.Kondo, T.Suzuki, M.Kamiko, K.Kyuno
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K14130
  • [学会発表] AuGe/Au積層膜のアニールによるGe結晶薄膜の作製(1)2016

    • 著者名/発表者名
      阿久津敏 、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] AuSb induced crystallization of Ge thin films2016

    • 著者名/発表者名
      J.B.Mutunga, T.Kondo, T.Suzuki, M.Kamiko, K.Kyuno
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] AuGe/Au積層膜のアニールによるGe結晶薄膜の作製(1)2016

    • 著者名/発表者名
      阿久津敏 、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K14130
  • [学会発表] AuとGeの同時スパッタによる Ge薄膜の結晶化の膜厚依存性2015

    • 著者名/発表者名
      山本怜,杉山貴俊,神子公男,弓野 健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化の膜厚依存性2015

    • 著者名/発表者名
      山本怜、杉山貴俊、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K14130
  • [学会発表] Au(111)表面上におけるGeのSTM観察2015

    • 著者名/発表者名
      若林陽介、橋口浩平、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] AuとGeの同時スパッタによる結晶Ge薄膜の作製:リンドープの影響2015

    • 著者名/発表者名
      鈴木竜也、高鳥毛怜、杉山貴俊、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K14130
  • [学会発表] AuとGeの同時スパッタによる結晶Ge薄膜の作製:リンドープの影響2015

    • 著者名/発表者名
      鈴木竜也 、高鳥毛怜、杉山貴俊、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Au(111)表面上におけるGeのSTM観察2015

    • 著者名/発表者名
      若林陽介、橋口浩平、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K14130
  • [学会発表] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化2014

    • 著者名/発表者名
      杉山貴俊,神子公男,弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Si/Ag(111)の表面形態のSTM観察(II)2014

    • 著者名/発表者名
      稲瀬陽介,神子公男,弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Tiシード層による自己組織化Ag薄膜の凝集過程2013

    • 著者名/発表者名
      神子公男,末永亮,野瀬健二,具正祐,弓野健太郎,光田好孝,河在根
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Cuを触媒に用いたMIC法によるSi薄膜の結晶化2013

    • 著者名/発表者名
      庫井 俊輔, 飯島 裕貴, 三芝 直也, 神子 公男, 弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会秋期講演大会
    • 発表場所
      金沢大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Cu_2Oを用いた平面型ReRAM素子におけるフォーミング過程の直接観察2010

    • 著者名/発表者名
      弓野健太郎、鈴木和典
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20510108
  • [学会発表] 平面型ReRAM素子におけるフォーミング現象初期過程の直接観察2010

    • 著者名/発表者名
      鈴木和典、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20510108
  • [学会発表] Direct observation of the forming process in crystalline Cu2O resistive switching devices2010

    • 著者名/発表者名
      N.Igarashi, K.Suzuki, K.Kyuno
    • 学会等名
      20th Materials Research Society of Japan Academic Symposium
    • 発表場所
      Yokohama
    • 年月日
      2010-12-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20510108
  • [学会発表] Improvement of the Device Yield of TiO2 based ReRAM by Oxidation of Electrodes2009

    • 著者名/発表者名
      E.Shinozaki, K.Kyuno
    • 学会等名
      Academic Symposium of MRS-Japan
    • 発表場所
      Yokohama
    • 年月日
      2009-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20510108
  • [学会発表] Direct Observation of Conductive Path after Forming Process in Planar ReRAM2009

    • 著者名/発表者名
      K.Suzuki, K.Kyuno
    • 学会等名
      Academic Symposium of MRS-Japan
    • 発表場所
      Yokohama
    • 年月日
      2009-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20510108
  • [学会発表] 平面型ReRAMにおけるフォーミング現象の直接観察2009

    • 著者名/発表者名
      鈴木和典、弓野健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20510108
  • [学会発表] 電極の酸化によるTiO2薄膜の抵抗変化スイッチング現象の安定化2009

    • 著者名/発表者名
      星野智也、弓野健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2009-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20510108
  • [学会発表] AuによるGeのMIC法における熱処理温度および膜厚依存性

    • 著者名/発表者名
      末永 容平、弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会2015年春期講演大会
    • 発表場所
      東京大学 駒場キャンパス
    • 年月日
      2015-03-18 – 2015-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Au-Ge同時スパッタによるアモルファスGeの結晶化

    • 著者名/発表者名
      小室 尚貴、神子 公男、弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会2015年春期講演大会
    • 発表場所
      東京大学 駒場キャンパス
    • 年月日
      2015-03-18 – 2015-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Alを用いたSurfactant Crystallization法による結晶Si薄膜の作製

    • 著者名/発表者名
      飯島 裕貴、弓野 健太郎、神子 公男
    • 学会等名
      日本金属学会2014年秋期講演大会
    • 発表場所
      名古屋大学 東山キャンパス
    • 年月日
      2014-09-24 – 2014-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Ag/mica上に蒸着したSiの影響によるAgの構造変化(II)

    • 著者名/発表者名
      橋口 浩平、若林 陽介、稲瀬 陽介、神子 公男、弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会2015年春期講演大会
    • 発表場所
      東京大学 駒場キャンパス
    • 年月日
      2015-03-18 – 2015-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化(Ⅱ)

    • 著者名/発表者名
      杉山 貴俊、神子 公男、弓野 健太郎
    • 学会等名
      2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学 湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Agを用いたMIC法によるSiの結晶化挙動

    • 著者名/発表者名
      谷口 公一、神子公男、弓野健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会2015年春期講演大会
    • 発表場所
      東京大学 駒場キャンパス
    • 年月日
      2015-03-18 – 2015-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Ag/mica上に蒸着したSiの影響によるAgの構造変化

    • 著者名/発表者名
      橋口 浩平、稲瀬 陽介、神子 公男、弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会2014年秋期講演大会
    • 発表場所
      名古屋大学 東山キャンパス
    • 年月日
      2014-09-24 – 2014-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • [学会発表] Au,Ge同時スパッタ法による結晶化Ge薄膜の作製

    • 著者名/発表者名
      三芝 直也、杉山 貴俊、神子 公男、弓野 健太郎
    • 学会等名
      日本金属学会2014年秋期講演大会
    • 発表場所
      名古屋大学 東山キャンパス
    • 年月日
      2014-09-24 – 2014-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289231
  • 1.  鳥海 明 (50323530)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 41件
  • 2.  神子 公男 (80334366)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 31件
  • 3.  山本 良一 (10107550)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  喜多 浩之 (00343145)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 41件
  • 5.  河 在根
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 6.  末永 亮
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 7.  具 正祐
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 8.  野瀬 健二
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件

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