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古川 勝彦  FURUKAWA Katsuhiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40264121
所属 (現在) 2025年度: 九州大学, 学術研究・産学官連携本部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2003年度: 九州大学, 産学連携センター, 助教授
2001年度 – 2002年度: 九州大学, 先端科学技術共同研究センター, 助教授
2000年度: 九州大学, 先端科学技術共同研究センター, 助手
1999年度: 九州大学, 先端科学技術共同開発センター, 助手
1997年度 – 1998年度: 九州大学, 先端科学技術共同研究センター, 助手
1995年度: 九州大学, 先端科学技術共同研究センター, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 機能・物性・材料
研究代表者以外
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
低温形成 / XPS / AES / ECRスパッダリング / シリコン酸窒化膜 / スパッタリング / ECR / プラズマ酸化 / ゲート酸化膜 / シリコン酸化膜 … もっと見る / 構造評価 / ECRスパッタリング / シリコン系絶縁膜 / 有機磁性体モデル分子 / 有機超常磁性体 / 有機超高スピンオリゴマー … もっと見る
研究代表者以外
スパッタリング / シリコン / stack structure / sislicon nitride film / silicon oxide film / high permittivity insulating film / Sputtering / electron cyclotron resonance plasma / Silicon / 電子サイクロトロンプ共鳴ラズマ / 積層構造 / 窒化膜 / 酸化膜 / 高誘電率絶縁膜 / 電子サイクロトロンプラズマ / SPUTTERING / ELECTRICAL FUNCTIONALITY / LOW TEMPERATURE FORMATION OF THIN FILM / ECR PLASMA / VERY THIN FILM / SILICON / 低温薄膜形成 / 電気的機能性 / 低温形成 / ECRプラズマ / 極薄絶縁膜 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価

    • 研究代表者
      中島 寛
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  低温で形成された高品質シリコン酸窒化断縁膜の薄膜化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      古川 勝彦
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  低温で形成された高品質極薄シリコン系絶縁膜の構造評価に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      古川 勝彦
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  高品質極薄Si系絶縁膜の低温形成と機能評価に関する研究

    • 研究代表者
      中島 寛
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  有機超高スピン分子及び有機超常磁性体のCW及びパルスFT-ESRによる研究研究代表者

    • 研究代表者
      古川 勝彦
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      機能・物性・材料
    • 研究機関
      九州大学
  • 1.  中島 寛 (70172301)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件

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