西澤伸一 Nishizawa Shin-ichi

研究者番号	40267414
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 九州大学, 応用力学研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2020年度: 九州大学, 応用力学研究所, 教授 2016年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 省エネルギー研究部門, 上級主任研究員 2015年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー技術部門, 研究員 2015年度: 産業技術総合研究所, エネルギー技術部門, グループリーダー 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー技術研究部門, グループ長 … もっと見る 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー技術部門, 研究グループ長 2013年度 – 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー技術研究部門, 研究グループ長 2013年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 電力エネルギー基盤グループ, グループ長 2012年度: 産業技術総合研究所, エネルギー技術研究部門, 研究グループ長 2012年度: 産業技術総合研究所, エネルギー技術部門, グループ長隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連研究代表者以外結晶工学 / 電力工学・電力変換・電気機器 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者数値解析 / SiC / エネルギー / 多形 / 表面 / 不純物 / 結晶成長 / 炭化ケイ素研究代表者以外結晶成長 / 結晶工学 … もっと見る / 欠陥制御 / マルチフジックス / マルチフィジックス / シミュレーション / 実装 / 高温動作 / パワーMOSFET / パワーSOC / 集積化パワーシステム / DC-DCコンバータ / パワーIC / SOD / パワーSoC / ウエハー接合技術 / SOD基板 / 抜熱 / 排熱 / Si on Diamond / 集積化電源 / 3次元解析 / 結晶性長 / 残留応力 / 転位 / シリコンカーバイド / SiC / ワイドバンドギャップ / 昇華法隠す

速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス研究代表者
- 研究代表者
  
  西澤伸一
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  九州大学
マルチレベルフィジックスによる超高予測精度結晶成長シミュレータの実現
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  九州大学
省エネ用半導体の実現に向けたマクロ・ナノ統合結晶成長法の構築
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州大学
超高密度パワーＳＯＣ（Ｓｕｐｐｌｙ　ｏｎ　Ｃｈｉｐ）用集積回路基板の研究
- 研究代表者
  
  松本聡
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  九州工業大学

すべて 2021 2019 2018 2015 2014 2013 2012 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Investigation of acceptable breakdown voltage variation for parallel-connected SiC MOSFETs during unclamped inductive switching test2021
- 著者名/発表者名
  Zaiqi Lou, Wataru Saito and Shin-ichi Nishizawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBD18-SBBD18
- DOI
  10.35848/1347-4065/abebc1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01891
[雑誌論文] Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability2019
- 著者名/発表者名
  S.Nishizawa,, F.Mercier
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 518 ページ: 99-102
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.04.018
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01891
[雑誌論文] Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in Czochralski silicon crystal growth2018
- 著者名/発表者名
  Liu Xin、Harada Hirofumi、Miyamura Yoshiji、Han Xue-feng、Nakano Satoshi、Nishizawa Shin-ichi、Kakimoto Koichi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 499 ページ: 8-12
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.07.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Relationship between carbon concentration and carrier lifetime in CZ-Si crystals2018
- 著者名/発表者名
  Miyamura Y.、Harada H.、Nakano S.、Nishizawa S.、Kakimoto K.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 486 ページ: 56-59
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.01.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Study of the effect of doped impurities on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2014
- 著者名/発表者名
  T. Shiramomo, B. Gao, F. Mercier, S. Nishizawa, S. Nakano, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 385 ページ: 95-99
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.03.036
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Impact of Silicon on Diamond Structure for Power-Supply on Chip Application2014
- 著者名/発表者名
  K. Nakagawa, T. Kodama, S. Matsumoto, T. Yamada, M. Hasegawa, and S. Nishizawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 4S ページ: 1-4
- DOI
  10.7567/jjap.53.04ep16
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360111
[雑誌論文] Impact of silicon on diamond structure for power-supply on chip applications2014
- 著者名/発表者名
  K. Nakagawa, T. Kodama, S. Matsumoto, T. Yamada, M. Hasegawa, and S. Nishizawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 4S ページ: 04DP09-04DP09
- DOI
  10.7567/jjap.54.04dp09
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360111
[雑誌論文] Analysis of growth velocity of SiC growth and by the Physical vapor transport method2012
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Bing Gao, Takuya Shiramomo, Satoshi Nakano and Shin-ichi Nishizawa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 25-28
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Thermodynamical analysis of polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2012
- 著者名/発表者名
  T Shiramomo, B. Gao, F. Mercier, S. Nishizawa, S. Nakano Y Kangawa, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 352 号: 1 ページ: 177-180
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.01.023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Effect of Nitrogen / Aluminum on Silicon Carbide Poly-type Stability2018
- 著者名/発表者名
  Shin-ichi NISHIZAWA and Frédéric Mercier
- 学会等名
  the 9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01891
[学会発表] The Silicon on Diamond Structure by low temperature bonding technique2015
- 著者名/発表者名
  S. Duangchan, U. Uchikawa, U. Koshikawa, A. baba, K. Nakagawa, S.Matsumoto, M.Hasagawa, and S.Nishizawa
- 学会等名
  IEEE Electric Components and Technology Conference 2015 (ECTC2015)
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2015-05-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360111
[学会発表] PVT を用いたSiC 結晶成長における不純物混入解析2014
- 著者名/発表者名
  柿本浩一，Bing Gao，中野　智，寒川義裕，西澤伸一
- 学会等名
  第61 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Study of the effect of doped nitrogen and aluminum on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2013
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Takuya Shiramomo, Bing Gao, Frederic Mercier, Shin-ichi Nishizawa, Satoshi Nakano
- 学会等名
  17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] SiCバルク結晶成長の現状と将来2013
- 著者名/発表者名
  柿本浩一、Gao Bing 、白桃拓哉、寨川義裕、西澤伸一
- 学会等名
  パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料にする研究会(第3回) 2013年千葉工業大学
- 発表場所
  千葉工業大学(招待講演)
- 年月日
  2013-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] PVT成長法におけるAlexander-Haasenモデルを用いた4H-SiC単結晶の転位密度塑性挙動モデル2013
- 著者名/発表者名
  高冰，西澤伸一，柿本浩一
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 昇華法成長SiC結晶中への不純物混入解析2013
- 著者名/発表者名
  柿本浩一，高冰，白桃拓哉，西澤伸一，中野智，寒川義裕
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Dislocation density-based modeling of plastic deformation of 4H-SiC single crystals by the Alexander-Haasen model during PVT growth2013
- 著者名/発表者名
  B. Gao, S. Nishizawa, K. Kakimoto
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Numerical predict ions of a new SOI structure using thin-diamond film used as insulator2012
- 著者名/発表者名
  T. Kodama, S. Matsumoto, T. Yamada, M. Hasegawa, and S. Nishizawa
- 学会等名
  International Workshop on Power Supply on Chip
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2012-11-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360111
[学会発表] PVTを用いたSiCバルク結晶成長における転位および多結晶分布の非定常数値解析2012
- 著者名/発表者名
  高冰, 中野智, 西澤伸一, 柿本浩一
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議NCCG-42
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] ダイヤモンド薄膜を絶縁膜として用いたパワーSOC用SOI基板のシミュレーションによる検討2012
- 著者名/発表者名
  児玉拓也、松本聡、西澤伸一
- 学会等名
  電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会
- 発表場所
  浜松
- 年月日
  2012-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360111
[学会発表] 二次元核形成理論を用いたSiC昇華法成長における多形安定性の非定常解析
- 著者名/発表者名
  荒木清道，高冰，中野智，西澤伸一，柿本浩一
- 学会等名
  NCCG-44
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Impact of Silicon on Diamond Structure for Power-Supply on Chip Applications
- 著者名/発表者名
  K. Nakagawa, T. Kodama, S. Matsumoto, T. Yamada, M. Hasegawa, and S. Nishizawa
- 学会等名
  2013 Solid State Devices & Materials
- 発表場所
  福岡
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360111
[学会発表] Wafer technology for future power device
- 著者名/発表者名
  S.Nishizawa
- 学会等名
  7TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES
- 発表場所
  Delhi
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360111
[学会発表] 私達の生活を支えるエレクトロニクス材料
- 著者名/発表者名
  西澤伸一
- 学会等名
  第１６５回ICSEADアジア講座
- 発表場所
  北九州
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360111
[学会発表] 二次元核形成理論を用いたSiC 昇華法成長における多形安定性の非定常解析
- 著者名/発表者名
  荒木清道，高　　冰，中野　智，西澤伸一，柿本浩一
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012

1. 柿本浩一 (90291509)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 14件
2. 中野智 (80423557)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 11件
3. 松本聡 (10577282)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
4. 新海聡子 (90374785)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 馬場昭好 (80304872)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

西澤 伸一 Nishizawa Shin-ichi

研究課題

研究成果

共同研究者

速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

マルチレベルフィジックスによる超高予測精度結晶成長シミュレータの実現

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

省エネ用半導体の実現に向けたマクロ・ナノ統合結晶成長法の構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高密度パワーＳＯＣ（Ｓｕｐｐｌｙ ｏｎ Ｃｈｉｐ）用集積回路基板の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Investigation of acceptable breakdown voltage variation for parallel-connected SiC MOSFETs during unclamped inductive switching test2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in Czochralski silicon crystal growth2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Relationship between carbon concentration and carrier lifetime in CZ-Si crystals2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Study of the effect of doped impurities on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Impact of Silicon on Diamond Structure for Power-Supply on Chip Application2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Impact of silicon on diamond structure for power-supply on chip applications2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Analysis of growth velocity of SiC growth and by the Physical vapor transport method2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermodynamical analysis of polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Effect of Nitrogen / Aluminum on Silicon Carbide Poly-type Stability2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] The Silicon on Diamond Structure by low temperature bonding technique2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

西澤伸一 Nishizawa Shin-ichi

超高密度パワーＳＯＣ（Ｓｕｐｐｌｙ　ｏｎ　Ｃｈｉｐ）用集積回路基板の研究