末益崇 Suemasu Takashi

研究者番号	40282339
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-6012-4986
外部サイト
所属 (現在)	2020年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度 – 2020年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授 2011年度 – 2016年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科(系), 教授 2013年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 2011年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授 2010年度: 国立大学法人筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 … もっと見る
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子デバイス・機器工学 / 電気電子工学およびその関連分野研究代表者以外電子・電気材料工学 / 理工系 / 無機工業材料 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・機器工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者鉄シリサイド / シリサイド半導体 / シリコン / フォトルミネッセンス / 太陽電池 / 発光ダイオード / エレクトロルミネッセンス / 分子線エピタキシー / 不純物ドーピング / 禁制帯幅 … もっと見る研究代表者以外 β-FeSi_2 / MBE / エピタキシャル成長 / 磁性 / スピンエレクトロニクス / 鉄シリサイド / 移動度 / 太陽電池 / GaN / HVPE / BaSi_2 / Si発光デバイス / 単結晶 / 発光機能 / エピタキシャル / ナノ材料 / 半導体物性 / MBE,エピタキシャル / MBE, エピタキシャル / 無機材料 / 層状・層間化合物 / 粘土鉱物 / ナノシート / 光伝導性 / トランジスタ / ペロブスカイト型ニオブ酸 / 合成サポナイト / 層状化合物ナノシート / ダイオード / ニオブ酸ナノシート / 電子デバイス / 層間・層状化合物 / 伝導性 / 光電流 / スピントロニクス / 磁性材料 / 磁気抵抗効果 / スピン分極 / 電界効果 / 先端磁性デバイス / 物性実験 / 物性理論 / 先端機能デバイス / 発光ダイオード / 赤外線 / 光配線 / フォトルミネッセンス / エレクトロルミネッセンス / シリコン / ダブルヘテロ構造 / 分子線エピタキシー / 光接続 / 凝集 / 分子線エピタキシ- / IC / light-emitting diode / mobility / infrared / optical interconnection / GaN基板 / バルクGaN / GaAs基板 / 気相成長 / 紫外レーザ / ハライド気相成長 / 青色レーザ・ダイオード / 六方晶GaN / ナイトライド / 立方晶GaN / 青色レーザー・ダイオード / 厚膜エピタキシャル成長 / bulk GaN / GaAs substrate / free standing GaN / halide vapor phase epitaxy / ultra violet laser diode / シリサイド / MBE成長 / 伝導型制御 / エネルギー・バンド構造 / エネルギーバンド構造 / 多層膜法 / 同時蒸着法 / solar battery / silicide / beta-FeSi2 / MBE growth / control of conduction type / energy band structure / ヘリコン波励起プラズマ / 酸化亜鉛 / 誘電体酸化物 / 透明導電膜 / 分布ブラッグ反射鏡 / 多層構造 / MgZnO / 酸化マグネシウム亜鉛 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 量子井戸 / Helicon-wave-excited-plasma / zinc oxide / dielectric oxides / transparent conducting oxides / distributed Bragg reflector / epitaxy / multilayer structures / magnesium zinc oxide / 窒化物薄膜 / スピン軌道トルク / 高速磁化反転隠す

スピン軌道トルク磁化反転の高効率化に向けたコヒーレント成長窒化物ヘテロ接合の応用継続中
- 研究代表者
  
  磯上慎二
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
垂直磁気異方性を有する窒化物スピントロニクス材料の探索研究代表者継続中
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  筑波大学
電流駆動超高速磁壁移動を実現する窒化物スピントロニクス材料研究代表者継続中
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2023
- 研究種目
  
  国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B))
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  筑波大学
組成比制御によるシリサイド半導体の伝導型制御とガラス上の高効率ホモ接合太陽電池研究代表者継続中
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  筑波大学
シリサイド半導体への酸素添加によるSiタンデム太陽電池用トップセルの開拓研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 研究分野
  
  電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  筑波大学
結晶Siタンデム型太陽電池に向けたSi系ワイドギャップ新材料の探索研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
強誘電体障壁強磁性トンネル接合素子の開発と電界効果によるスピン輸送制御
- 研究代表者
  
  角田匡清
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
新規シリサイド半導体の熱電物性の探索研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
粘土エレクトロニクスの創成
- 研究代表者
  
  佐藤久子
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  無機工業材料
- 研究機関
  愛媛大学
マイクロチャネルエピタキシーによる赤外線受光用大粒径鉄シリサイド膜研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  筑波大学
シリコンベース素子を用いたスピン注入効率の最適化
- 研究代表者
  
  秋永広幸
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所
シリサイド半導体の禁制帯幅拡大と伝導型制御による高効率太陽電池研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  筑波大学
アルカリ土類金属を用いたシリコンベース狭ギャップ半導体研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
Siベース発光デバイス用材料:β-FeSi2単結晶の作製とホモエピタキシャル成長
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化物半導体・誘電体エレクトロニクスの展開
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
アルカリ土類金属を用いた新しいシリコン系半導体の探探研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  筑波大学
半導体鉄シリサイドを用いた光配線用赤外発光ダイオードの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  筑波大学
環境に優しい半導体β-FeSi_2を用いた太陽電池の研究
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  筑波大学
半導体鉄シリサイドを用いた室温動作赤外発光ダイオードの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  筑波大学
直接遷移型半導体β-FeSi_2を用いたSi上発光ダイオードの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  筑波大学
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  筑波大学
直接遷移型半導体β-FeSi_2を用いたシリコン系発光素子の研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
半導体鉄シリサイドの分子線エピタキシーとSi系発光ダイオードの研究開発
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  筑波大学

[雑誌論文] Simple way of finding Ba to Si deposition rate ratios for high photoresponsivity in BaSi2 films by Raman spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Yamashita Yudai、Takahara Yuuki、Sato Takuma、Toko Kaoru、Uedono Akira、Suemasu Takashi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 12 号: 5 ページ: 055506-055506
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab14b9
- NAID
  210000155702
- ISSN
  1882-0778, 1882-0786
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767, KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Operation of BaSi2 homojunction solar cells on p+-Si(111) substrates and the effect of structure parameters on their performance2019
- 著者名/発表者名
  Kodama Komomo、Yamashita Yudai、Toko Kaoru、Suemasu Takashi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 12 号: 4 ページ: 041005-041005
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab0c4f
- NAID
  210000135679
- ISSN
  1882-0778, 1882-0786
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767, KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Impact of deposition pressure and two-step growth technique on the photoresponsivity enhancement of polycrystalline BaSi2 films formed by sputtering2019
- 著者名/発表者名
  Matsuno Satoshi、Nemoto Taira、Mesuda Masami、Kuramochi Hideto、Toko Kaoru、Suemasu Takashi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 12 号: 2 ページ: 021004-021004
- DOI
  10.7567/1882-0786/aafc70
- NAID
  210000135585
- ISSN
  1882-0778, 1882-0786
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767, KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Spectroscopic evidence of photogenerated carrier separation by built-in electric field in Sb-doped n-BaSi2/B-doped p-BaSi2 homojunction diodes2018
- 著者名/発表者名
  Komomo Kodama, Ryota Takabe, Tianguo Deng, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 5 ページ: 050310-050310
- DOI
  10.7567/jjap.57.050310
- NAID
  210000149039
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり / オープンアクセスとしている
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237, KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Detection of local vibrational modes induced by intrinsic defects in undoped BaSi2 light absorber layers using Raman spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Takuma Sato, Hirofumi Hoshida, Ryota Takabe, Kaoru Toko, Yoshikazu Terai, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 124 ページ: 025301-025301
- DOI
  10.1063/1.5029320
- NAID
  120006490062
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01477, KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Investigation of electrically active defects in undoped BaSi2 light absorber layers using deep-level transient spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Yamashita Yudai、Sato Takuma、Bayu Miftahullatif Emha、Toko Kaoru、Suemasu Takashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 7 ページ: 075801-075801
- DOI
  10.7567/jjap.57.075801
- NAID
  210000149263
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767, KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Reduction in interface defect density in p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells by a modified pretreatment of the Si substrate2018
- 著者名/発表者名
  Yudai Yamashita, Suguru Yachi, Ryota Takabe, Takuma Sato, Miftahullatif Emha Bayu, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 2 ページ: 025501-025501
- DOI
  10.7567/jjap.57.025501
- NAID
  210000148599
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865, KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Improving the photoresponse spectra of BaSi2 layers by capping with hydrogenated amorphous Si layers prepared by radio-frequency hydrogen plasma2018
- 著者名/発表者名
  Xu Zhihao、Gotoh Kazuhiro、Deng Tianguo、Sato Takuma、Takabe Ryota、Toko Kaoru、Usami Noritaka、Suemasu Takashi
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 8 ページ: 055306-055306
- DOI
  10.1063/1.5025021
- NAID
  120006463947
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Identification of Vibrational Modes in BaSi2 Epitaxial Films by Infrared and Raman Spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Hoshida Hirofumi、Murakoso Naoki、Suemasu Takashi、Terai Yoshikazu
- 雑誌名
  
  Defect and Diffusion Forum
  
  巻: 386 ページ: 43-47
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/ddf.386.43
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767, KAKENHI-PROJECT-18H01477, KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Decrease in electrical contact resistance of Sb-doped n+-BaSi2 layers and spectral response of an Sb-doped n+-BaSi2/undoped BaSi2 structure for solar cells2018
- 著者名/発表者名
  Komomo Kodama, Ryota Takabe, Suguru Yachi, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 3 ページ: 031202-031202
- DOI
  10.7567/jjap.57.031202
- NAID
  210000148697
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865, KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Transport properties of n- and p-type polycrystalline BaSi 22018
- 著者名/発表者名
  Deng T.、Suemasu T.、Shohonov D.A.、Samusevich I.S.、Filonov A.B.、Migas D.B.、Borisenko V.E.
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 661 ページ: 7-15
- DOI
  10.1016/j.tsf.2018.07.006
- NAID
  120006492143
- 査読あり / オープンアクセスとしている / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells on Si(001) with conversion efficiency approaching 10%: comparison with Si(111)2018
- 著者名/発表者名
  Deng Tianguo、Sato Takuma、Xu Zhihao、Takabe Ryota、Yachi Suguru、Yamashita Yudai、Toko Kaoru、Suemasu Takashi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 11 号: 6 ページ: 062301-062301
- DOI
  10.7567/apex.11.062301
- NAID
  210000136231
- ISSN
  1882-0778, 1882-0786
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Impact of Ba to Si deposition rate ratios during molecular beam epitaxy on carrier concentration and spectral response of BaSi2 epitaxial films2018
- 著者名/発表者名
  Ryota Takabe, Tianguo Deng, Komomo Kodama, Yudai Yamashita, Takuma Sato, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123
- DOI
  10.1063/1.4994850
- NAID
  120006490061
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237, KAKENHI-PROJECT-15J02139
[雑誌論文] Significant photoresponsivity enhancement of polycrystalline BaSi2 films formed on heated Si(111) substrates by sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Matsuno Satoshi、Takabe Ryota、Yokoyama Seiya、Toko Kaoru、Mesuda Masami、Kuramochi Hideto、Suemasu Takashi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 11 号: 7 ページ: 071401-071401
- DOI
  10.7567/apex.11.071401
- NAID
  210000136267
- ISSN
  1882-0778, 1882-0786
- 査読あり / オープンアクセスとしている
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767, KAKENHI-PROJECT-17K18865
[雑誌論文] Effect of BaSi2 template growth duration on the generation of defects and performance of p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells2018
- 著者名/発表者名
  Suguru Yachi, Ryota Takabe, Tianguo Deng, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 4 ページ: 042301-042301
- DOI
  10.7567/jjap.57.042301
- NAID
  210000148821
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865, KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Enhanced spectral response of semiconducting BaSi2 films by oxygen incorporation2017
- 著者名/発表者名
  Weijie Du, Ryota Takabe, Suguru Yachi, Kaoru Toko, Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Thin Solid FIlms
  
  巻: 629 ページ: 17-21
- DOI
  10.1016/j.tsf.2017.03.046
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Growth of BaSi2 continuous films on Ge(111) by molecular beam epitaxy and fabrication of p-BaSi2/n-Ge heterojunction solar cells2017
- 著者名/発表者名
  Ryota Takabe, Suguru Yachi, Daichi Tsukahara, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 5S1 ページ: 05DB02-05DB02
- DOI
  10.7567/jjap.56.05db02
- NAID
  210000147756
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237, KAKENHI-PROJECT-15J02139
[雑誌論文] Exploring the potential of semiconducting BaSi2 for thin-film solar cell applications2017
- 著者名/発表者名
  Takashi Suemasu, Noritaka Usami
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D: Applied Physics
  
  巻: 50 ページ: 1-18
- DOI
  10.1088/1361-6463/50/2/023001
- NAID
  120006543458
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Effect of p-BaSi2 layer thickness on the solar cell performance of p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells2017
- 著者名/発表者名
  Suguru Yachi, Ryota Takabe, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 5S1 ページ: 05DB03-05DB03
- DOI
  10.7567/jjap.56.05db03
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Negative anisotropic magnetoresistance resulting from minority spin transport in NixFe4-xN (x = 1 and 3) epitaxial films2017
- 著者名/発表者名
  F. Takata, K. Kabara, K. Ito, M. Tsunoda, T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 121
- DOI
  10.1063/1.4974002
- NAID
  120006023316
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037, KAKENHI-PROJECT-14J01804
[雑誌論文] Minority-carrier lifetime and photoresponse properties of B-doped p-BaSi2, a potential light absorber for solar cells2017
- 著者名/発表者名
  M. Emha Bayu, Cham Thi Trinh, Ryota Takabe, Suguru Yachi, Kaoru Toko, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 5S1 ページ: 05DB01-05DB01
- DOI
  10.7567/jjap.56.05db01
- NAID
  210000147755
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Electrical detection of domain wall in Fe4N nanostrip by negative anisotropic magnetoresistance effect2016
- 著者名/発表者名
  T. Gushi, K. Ito, S. Higashikozono, F. Takata, H. Oosato, Y. Sugimoto, K. Toko, S. Honda, T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 120 ページ: 113903-113903
- DOI
  10.1063/1.4962721
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037, KAKENHI-PROJECT-16J02879, KAKENHI-PROJECT-14J01804, KAKENHI-PROJECT-25820135
[雑誌論文] Measurement of valence-band offset at native oxide/BaSi2 interfaces by hard x-ray photoelectron spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  R. Takabe, W. Du, K. Ito, H. Takeuchi, K. Toko, S. Ueda, A. Kimura, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 119 ページ: 0253061-5
- DOI
  10.1063/1.4939614
- NAID
  120005691320
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15J02139, KAKENHI-PROJECT-15H02237, KAKENHI-PROJECT-26247064
[雑誌論文] Influence of air exposure duration and a-Si capping layer thickness on the performance of p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells2016
- 著者名/発表者名
  Ryota Takabe, Suguru Yachi, Weijie Du, Daichi Tsukahara, Hiroki Takeuchi, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  AIP ADVANCES
  
  巻: 6 ページ: 085107-085107
- DOI
  10.1063/1.4961063
- NAID
  120005856263
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237, KAKENHI-PROJECT-15J02139
[雑誌論文] First-principles study of twin grain boundaries in epitaxial BaSi2 on Si(111)2016
- 著者名/発表者名
  Masakazu Baba, Masanori Kohyama, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 120
- DOI
  10.1063/1.4961603
- NAID
  120005856281
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Perpendicular magnetic anisotropy in CoxMn4-xN (x = 0 and 0.2) epitaxial films and possibility of tetragonal Mn4N phase2016
- 著者名/発表者名
  Keita Ito, Yoko Yasutomi, Kazuki Kabara, Toshiki Gushi, Soma Higashikozono, Kaoru Toko, Masakiyo Tsunoda, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 6
- DOI
  10.1063/1.4942548
- NAID
  120005820924
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセスとしている
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037, KAKENHI-PROJECT-14J01804
[雑誌論文] p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells with conversion efficiency reaching 9.0%2016
- 著者名/発表者名
  Daichi Tsukahara, Suguru Yachi, Hiroki Takeuchi, Ryota Takabe, Weijie Du, Masakazu Baba, Yunpeng Li, Kaoru Toko, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 108
- DOI
  10.1063/1.4945725
- NAID
  120005743761
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Effect of amorphous Si capping layer on the hole transport properties of BaSi2 and improved conversion efficiency approaching 10% in p-BaSi2/n-Si solar cells2016
- 著者名/発表者名
  Suguru Yachi, Ryota Takabe, Hiroki Takeuchi, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 109
- DOI
  10.1063/1.4961309
- NAID
  120005856283
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Epitaxial growth and magnetic properties of NixFe4-xN (x = 0, 1, 3, and 4) films on SrTiO3(001) substrates2016
- 著者名/発表者名
  F. Takata, K. Ito, S. Higashikozono, T. Gushi, K. Toko, T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 120
- DOI
  10.1063/1.4961734
- NAID
  120005856282
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037, KAKENHI-PROJECT-14J01804
[雑誌論文] Growth and magnetic properties of epitaxial Fe4N films on insulators possessing lattice spacing close to Si(001) plane2016
- 著者名/発表者名
  K. Ito, S. Higashikozono, F. Takata, T. Gushi, K. Toko, T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 455 ページ: 66-70
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.09.036
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037, KAKENHI-PROJECT-14J01804
[雑誌論文] Evaluation of band offset at amorphous-Si/BaSi2 interfaces by hard x-ray photoelectron spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  Ryota Takabe, Hiroki Takeuchi, Weijie Du, Keita Ito, Kaoru Toko, Shigenori Ueda,5 Akio Kimura, and Takashi Suemasu
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 119 ページ: 165304-165304
- DOI
  10.1063/1.4947501
- NAID
  120005750135
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237, KAKENHI-PROJECT-26247064, KAKENHI-PROJECT-15J02139
[雑誌論文] Effects of deposition rate on the structure and electron density of evaporated BaSi2 films2016
- 著者名/発表者名
  Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, and Noritaka Usami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 120
- DOI
  10.1063/1.4959214
- NAID
  120005851317
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Formation of BaSi2 heterojunction solar cells using transparent MoOx hole transport layers2015
- 著者名/発表者名
  W. Du, R. Takabe, M. Baba, H. Takeuchi, K. O. Hara, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106
- DOI
  10.1063/1.4916348
- NAID
  120005604041
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[雑誌論文] Mossbauer study on epitaxial CoxFe4-xN films grown by molecular beam epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  K. Ito, T. Sanai, Y. Yasutomi, T. Gushi, K. Toko, H. Yanagihara, M. Tsunoda, E. Kita, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 117
- DOI
  10.1063/1.4914342
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J01804, KAKENHI-PROJECT-26249037
[雑誌論文] Fabrication of L-shaped Fe4N ferromagnetic narrow wires and position control of magnetic domain wall with magnetic field2015
- 著者名/発表者名
  T. Gushi, K. Ito, S. Honda, Y. Yasutomi, K. Toko, H. Oosato, Y. Sugimoto, K. Asakawa, N. Ota, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 2 ページ: 028003-028003
- DOI
  10.7567/jjap.54.028003
- NAID
  210000144792
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J01804, KAKENHI-PROJECT-26249037
[雑誌論文] Sign of the spin-polarization in cobalt-iron nitride films determined by the anisotropic magnetoresistance effect2014
- 著者名/発表者名
  K. Ito, K. Kabara, T. Sanai, K. Toko, Y. Imai, M. Tsunoda, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 116
- DOI
  10.1063/1.4892179
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390055, KAKENHI-PROJECT-26249037
[雑誌論文] Influence of grain size and surface oxides on minority-carrier lifetime in undoped n-BaSi2 on Si(111)2014
- 著者名/発表者名
  R. Takabe, K. O. Hara, M. Baba, W. Du, N. Shimada, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  J. App. Phys
  
  巻: (In press)
- DOI
  10.1063/1.4878159
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23655200
[雑誌論文]2012
- 著者名/発表者名
  Weijie Du, M. Suzuno, Muhammad Ajmal Khan, K. Toh, N. Nakamura, M. Baba, K. Toko, N.Usami, T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 100 ページ: 152114-152114
- DOI
  10.1063/1.3703585
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23655200
[雑誌論文] Magnetoresistance characteristics of Fe_3Si/CaF_2/Fe_3Si heterostructures grown on Si(111) by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  K.Harada, K.S.Makabe, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Physics Procedia
  
  巻: 11 ページ: 15-18
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Room temperature magnetoresistance in Fe_3Si/CaF_2/Fe_3Si MTJ epitaxially grown on Si(111)2011
- 著者名/発表者名
  K.Harada, K.S.Makabe, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 266
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Metalorganic chemical vapor deposition of β-FeSi_2 on β-FeSi_2 seed crystals formed on Si substrates2011
- 著者名/発表者名
  M.Suzuno, K.Akutsu, H.Kawakami, K.Akiyama, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  This Solid Films
  
  巻: 519 ページ: 8473-8476
- DOI
  10.1016/j.tsf.2011.05.029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-09J03500, KAKENHI-PROJECT-21360002
[雑誌論文] Magnetoresistance characteristics of Fe_3Si/CaF_2/Fe_3Si heterostructures grown on Si(111) by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  K.Harada, K.S.Makabe, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Physics Procedia 11
  
  ページ: 15-15
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Spin and orbital magnetic momonets of molecular beam epitaxy γ^1-Fe_4N films on LaAl3O(001) and MgO(001) substrates by x-ray magnetic circular dichroism2011
- 著者名/発表者名
  K.Ito, G.H.Lee, K.Harada, M.Suzuno, T.Suemasu, Y.Takeda, Y.Saitoh, M.Ye, A.Kimura, H.Akinaga
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 98
  
  ページ: 102507-102507
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Epitaxial growth of ferromagnetic Fe_4N thin films on SrTiO_3 substrates by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  K.Ito, G.H.Lee, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 266
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Effect of introducing β-FeSi_2 template layers on the defect density and minority carrier diffusion length in Si nearby p-β-FeSi_2/n-Si heterointerface2011
- 著者名/発表者名
  H. Kawakami, M. Suzuno, K. Akutsu, J. Chen, K. Jiptner, T. Sekiguchi, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 4 ページ: 041303-041303
- DOI
  10.1143/jjap.50.041303
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of β-FeSi_2 films on Si (111) substrates and its influence on minority-carrier diffusion length of Si measured by EBIC2011
- 著者名/発表者名
  H. Kawakami, M. Suzuno, K. Akutsu, J. Chen, Y. Fuxing, T. Sekiguchi, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Physics Procedia
  
  巻: 11 ページ: 23-26
- DOI
  10.1016/j.phpro.2011.01.029
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[雑誌論文] Epitaxial growth of ferromagnetic γ'-Fe_4N films on LaAlO3(001), SrTiO3(001) and MgO(001) substrates by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  K.Ito, G.H.Lee, M.Suzuno, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 322 ページ: 63-68
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Spin and orbital magnetic moments of molecular beam epitaxy γ'-Fe_4N thin films on LaAlO_3(001) and MgO(001) substrates by x-ray magnetic circular dichroism2011
- 著者名/発表者名
  K.Ito, G.H.Lee, K.Harada, M.Suzuno, T.Suemasu, Y.Takeda, Y.Saito, M.Ye, A.Kimura, H.Akinaga
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of ferromagnetic γ^1-Fe4N thin films on LaAlO_3(100), SrTiO_3(100) and MgO(100) substrates2011
- 著者名/発表者名
  K.Ito, G.H.Lee, M.Suzuno, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 266
  
  ページ: 12091-12091
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Fabrication of Fe_3Si/CaF_2 heterostructures ferromagnetic resonant tunneling diode by selected-area molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  K.S.Makabe, M.Suzuno, K.Harada, T.Suemasu, H.Akinaga
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: (In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Minority-carrier diffusion length, minority-carrier lifetime, and photoresponsivity of β-FeSi_2 layers grown by molecular-beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  K.Akutsu, H.Kawakami, M.Suzuno, T.Yaguchi, K.Jiptner, J.Chen, T.Sekiguchi, T.Ootsuka, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 109 ページ: 1-6
- DOI
  10.1063/1.3596565
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-09J03500, KAKENHI-PROJECT-21360002
[雑誌論文] Room temperature magnetoresistance in Fe_3Si/CaF_2/Fe_3Si MTJ epitaxially grown on Si(111)2011
- 著者名/発表者名
  K.Harada, K.S.Makabe, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series 266
  
  ページ: 12088-12088
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Improved Reproducibility in CaF_2/Fe_3Si/CaF_2 Ferromagnetic Resonant Tunneling Diodes on Si(111) Substrates by Selected-Area Molecular Beam Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.S.Makabe, M.Suzuno, K.Harada, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 49
  
  ページ: 60212-60212
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Improved Reproducibility in CaF_2/Fe_3Si/CaF_2 Ferromagnetic Resonant Tunneling Diodes on Si(111) Substrates by Selected-Area Molecular Beam Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Sadakuni, M.Suzuno, K.Harada, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Photoresponse Properties of Semiconducting BaSi_2 Grown on SiO_2 Substrates Using(111)-Oriented Si Layers by an Aluminum-induced Crystallization Method2009
- 著者名/発表者名
  D. Tsukada, Y. Matsumoto, R. Sasaki, M. Takeishi, T. Saito, N. Usami and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Fabrication of(111)-oriented Si layers on SiO_2 substrates by an aluminum-induced crystallization method and subsequent growth of semiconducting BaSi_2 layers for photovoltaic application2009
- 著者名/発表者名
  D. Tsukada, Y. Matsumoto, R. Sasaki, M. Takeishi, T. Saito, N. Usami and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth in press doi : 10.1016/j.jcrysgro.
  
  ページ: 39-39
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Photoresponse Properties of Semiconducting BaSi2 Films Epitaxially Grown on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Y. Matsumoto, D. Taukada, R. Sasaki, M. Takeishi and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Spin polarization of Fe4N thin films determined by point-contact Andreev Reflection2009
- 著者名/発表者名
  A. Narahara, 1 K. Ito, T. Suemasu, Y.K. Takahashi, A. Ranajikanth, K. Hono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 94
  
  ページ: 202502-202502
- NAID
  120001368674
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] CaF_2/Fe_3Si/CaF_2 Ferromagnetic Resonant Tunneling Diodes on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  K.Sadakuni, T.Harianto, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 63006-63006
- NAID
  10025086733
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] CaF2/Fe3Si/CaF2 Ferromagnetic Resonant Tunnleing Diodes on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  K. Sadakuni, T. Harianto, H. Akinaga, T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 2
  
  ページ: 63006-63006
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Spin polarization of Fe_4N thin films determined by point-contact Andreev reflection2009
- 著者名/発表者名
  A.Narahara, K.Ito, T.Suemasu, Y.K.Takahashi, A.Ranajikanth, K.Hono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 202502-202502
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Photoresponse Properties of Semiconducting BaSi_2 Films Epitaxially Grown on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Y. Matsumoto, D. Tsukada, R. Sasaki, M. Takeishi and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Control of Electron and Hole Concentrations of Semiconducting Silicide BaSi2 with Impurities Grown by Molecular Beam Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  M. Kobayashi, Y. Matsumoto, Y. Ichikawa, D. Tsukada, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- NAID
  210000014004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of semiconductor(BaSi2)/metal(CoSi2) hybrid structures on Si(111) substrates for photovoltaic application2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ichikawa, M. Kobayashi, M. Sasase and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 254
  
  ページ: 7963-7967
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Semiconductor(BaSi_2)/metal(CoSi_2)Schottky-barrier structures epitaxially grown on Si(111)by molecular beam epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu, M. Sasase, Y. Ichikawa, M. Kobayashi and D. Tsukada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1250-1255
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Control of Electron and Hole Concentrations of Semiconducting Silicide BaSi_2 with Impurities Grown by Molecular Beam Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  M. Kobayashi, Y. Matsumoto, Y. Ichikawa, D. Tsukada, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- NAID
  10025080259
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Fabrication and Current.Voltage Characteristics of Fe_3Si/CaF_2/Fe_3Si Magnetic Tunnel Junction2008
- 著者名/発表者名
  T.Harianto, K.Sadakuni, H.Akinaga, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47
  
  ページ: 6310-6310
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Semiconductor(BaSi_2)/metal(CoSi_2)Schottky-barrier structures epitaxially grown on Si(111)substrates by molecular beam epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu, M. Sasase, Y. Ichikawa, M. Kobayashi, D. Tsukada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1250-1255
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656093
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of semiconductor(BaSi_2)/metal(CoSi_2)hybrid structures on Si(111)substrates for photovoltaic application2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ichikawa, M. Kobayashi, M. Sasase and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 254
  
  ページ: 7963-7967
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Semiconductor(BaSi_2)/metal(CoSi_2)Schottky- barrier structures epitaxially grown on Si(111)by molecular beam epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu, M. Sasase, Y. Ichikawa, M. Kobayashi and D. Tsukada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1250-1255
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Fabrication and Current-Voltage Characteristics of Fe3Si/CaF2/Fe3Si Magnetic Tunnel Junction2008
- 著者名/発表者名
  T. Harianto, K. Sadakuni, H. Akinaga, T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 6310-6311
- NAID
  210000065445
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[雑誌論文] Effect of Sr addition on the crystallinity and optical absorption edges in ternary semiconducting silicide Ba_<1-x>Sr_xSi_22007
- 著者名/発表者名
  K. Morita, M. Kobayashi and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 515
  
  ページ: 8216-8218
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] 多元系シリサイドの新展開-半導体BaSi_2を例に-2007
- 著者名/発表者名
  末益崇, 今井庸二
- 雑誌名
  
  応用物理 76
  
  ページ: 264-268
- NAID
  10018560198
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of band gap tunable ternary semiconducting silicides Ba_<1-X>Sr_XSi_2 for photovoltaic application2007
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu, K. Morita, M. Kobayashi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 301-302
  
  ページ: 680-683
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656093
[雑誌論文] 多元系シリサイドの新展開-半導体BaSi_2を例に-2007
- 著者名/発表者名
  末益崇、今井庸二
- 雑誌名
  
  応用物理第76巻第3号(最近の展望)
  
  ページ: 264-268
- NAID
  10018560198
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Growth and characterization of group-III impurity-doped semiconducting BaSi_-2 films grown by molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M. Kobayashi, K. Morita and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 515
  
  ページ: 8242-8245
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Growth and characterization of group-III impurity-doped semiconducting BaSi_2 films grown by molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M. Kobayashi, K. Morita, T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 515
  
  ページ: 8242-8245
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656093
[雑誌論文] 多元系シリサイドの新展開-半導体BaSi_2を例に-2007
- 著者名/発表者名
  末益崇, 今井庸二
- 雑誌名
  
  応用物理 76
  
  ページ: 264-268
- NAID
  10018560198
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656093
[雑誌論文] Epitaxial growth of Fe_3Si/CaF_2/Fe_3Si magnetic tunnel junction structures on CaF_2/Si(111)by molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M. Kobayashi, K. Morita and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 515
  
  ページ: 8242-8245
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of band-gap-tunable ternary semiconducting silicide Ba_<1-x>Sr_xSi_2 for photovoltaic application2007
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu, K. Morita and M. Kobayashi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 301-302
  
  ページ: 597-601
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Optical and electrical properties of semiconducting BaSi_2 thin films on Si substrates grown by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  K.Morita, Y.Inomata, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 78-81
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656093
[雑誌論文] Optical and electrical properties of semiconducting BaSi_2 thin films on Si substrates grown by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  K. Morita, Y. Inomata and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 363-366
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Band Diagrams of BaSi_2/Si Structure by Kelvin Probe and Current-Voltage Characteristics2006
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu, K.Morita, M.Kobayashi, M.Saida, M.Sasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10017995975
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656093
[雑誌論文] Band Diagrams of BaSi_2/Si Structure by Kelvin Probe and Current-Voltage Characteristics2006
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu, K. Morita, M. Kobayashi, M. Saida and M. Sasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10017995975
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Optical and electrical properties of semiconducting BaSi_2 thin films on Si substrates grown by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  K.Morita, Y.Inomata, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 78-81
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Optical Absorption Edge of Ternary Semiconducting Silicide Ba_<1-x>Sr_xSi_22006
- 著者名/発表者名
  K. Morita, M. Kobayashi and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10018157819
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Optical Absorption Edge of Ternary Semiconducting Silicide Ba_<1-x>Sr_xSi_22006
- 著者名/発表者名
  K.Morita, M.Kobayashi, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10018157819
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Optical Absorption Edge of Ternary Semiconducting Silicide Ba_<1-x>Sr_x Si_22006
- 著者名/発表者名
  K.Morita, M.Kobayashi, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10018157819
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656093
[雑誌論文] Band Diagrams of BaSi_2/Si Structure by Kelvin Probe and Current-Voltage Characteristics2006
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu, 1K.Morita, M.Kobayashi, M.Saida, M.Sasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10017995975
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[雑誌論文] Investigation of direct and indirect band gaps of [100]-oriented nearly strain-free β-FeSi_2 films grown by molecular-beam epitaxy.2002
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, N.Hiroi, T.Suemasu, S.F.Chichibu, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.80, No.4
  
  ページ: 556-558
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Present Status and Future Prospects of β-FeSi_2 : An Environmentally Friendly Semiconductors2002
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Materia Vol.41, No.5
  
  ページ: 342-347
- NAID
  10010901576
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555084
[雑誌論文] 環境に優しい光半導体β-FeSi_2の現状と将来展望2002
- 著者名/発表者名
  末益崇
- 雑誌名
  
  まてりあ第41巻,5号
  
  ページ: 342-347
- NAID
  10010901576
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555084
[雑誌論文] Investigation of the energy band structure of orthorhombic BaSi_2 by optical and electrical measurements and theoretical calculations.2002
- 著者名/発表者名
  T.Nakamura, T.Suemasu, K.Takakura, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.81, No.6
  
  ページ: 1032-1034
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Influence of Si growth temperature for embedding β-FeSi_2 and resulatant strain in β-FeSi_2 on light emission from p-Si/β-FeSi_2 particles/n-Si light-emitting diodes2001
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.79, No.12
  
  ページ: 1804-1806
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555084
[雑誌論文] Influence of Si growth temperature for embedding β-FeSi_2 and resultant strain in β-FeSi_2 on light emission from p-si/ β-FeSi_2 particles/n-Si liht-emitting diodes2001
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.79,No.12
  
  ページ: 1804-1806
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555084
[雑誌論文] Influence of Si growth temperature for embedding β-FeSi2 and resultant strain in β-FeSi_2 on light emission from p-Si/β-FeSi_2 particles/n-Si light-emitting diodes.2001
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu, Y.Negishi, K.Takakura, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.79, No.12
  
  ページ: 1804-1806
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Donor and Acceptor Levels in Undoped 8-FeSi2 Films Grown on Si(001) Substrates.2001
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, T.Suemasu, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.40, No.38
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Influence of Si growth temperature for embedding ss-FeSi_2 and resultant strain in ss-FeSi_2 on light emission from p-Si/ ss-FeSi_2 particies/n-Si light-emitting diodes2001
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.79, No.12
  
  ページ: 1804-1806
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Room Temperature 1.6μm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi_2 Active Region2000
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.39, No.10B
- NAID
  110004093435
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555084
[雑誌論文] Improvement of the Electrical Properties of 8-FeSi_2 Films on Si(001) by High-Temperature Annealing.2000
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, T.Suemasu, N.Hiroi, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.39, No.3A/B
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[雑誌論文] Room Temperature 1.6μm Electrotuminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi_2 Active Region2000
- 著者名/発表者名
  T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.39,No.10B
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555084
[産業財産権] 珪化バリウム系積層材及びその製造方法2018
- 発明者名
  倉持豪人, 召田雅実, 末益崇
- 権利者名
  倉持豪人, 召田雅実, 末益崇
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- 取得年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767
[産業財産権] 珪化バリウム膜およびその製造方法2018
- 発明者名
  召田雅実、倉持豪人、末益崇
- 権利者名
  召田雅実、倉持豪人、末益崇
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- 取得年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767
[産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2018
- 発明者名
  末益崇、都甲薫、宇佐美徳隆、原康祐
- 権利者名
  末益崇、都甲薫、宇佐美徳隆、原康祐
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- 取得年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767
[産業財産権] 珪化バリウム薄膜およびその製造方法2014
- 発明者名
  末益崇、召田雅美、倉持豪人
- 権利者名
  末益崇、召田雅美、倉持豪人
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-121660
- 出願年月日
  2014-06-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630120
[産業財産権] 珪化バリウム薄膜およびその製造方法2014
- 発明者名
  末益崇、召田雅美、倉持豪人
- 権利者名
  末益崇、召田雅美、倉持豪人
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-094128
- 出願年月日
  2014-04-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630120
[産業財産権] 珪化バリウム薄膜およびその製造方法2014
- 発明者名
  末益崇、召田雅美、倉持豪人
- 権利者名
  末益崇、召田雅美、倉持豪人
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-219654
- 出願年月日
  2014-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630120
[産業財産権] 太陽電池およびその製造方法並びにBaSi_2層の成膜方法2009
- 発明者名
  末益崇、宇佐美徳隆
- 権利者名
  国立大学法人筑波大学
- 産業財産権番号
  2009-115337
- 出願年月日
  2009-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[産業財産権] シリコンをベースとする高効率薄膜太陽電池およびその製造方法2008
- 発明者名
  末益崇
- 権利者名
  科学技術振興機構
- 出願年月日
  2008-07-25
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[産業財産権] 半導体材料、それを用いた太陽電池、およびそれらの製造方法2008
- 発明者名
  末益崇
- 権利者名
  国立大学法人筑波大学
- 出願年月日
  2008-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[産業財産権] 半導体材料、それを用いた太陽電池、およびそれらの製造方法2008
- 発明者名
  末益崇
- 権利者名
  科学技術振興機構
- 出願年月日
  2008-08-27
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[産業財産権] シリコンをベースとする高効率薄膜太陽電池およびその製造方法2007
- 発明者名
  末益崇
- 権利者名
  国立大学法人筑波大学
- 出願年月日
  2007-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[産業財産権] n型半導体BaSi_2の製造方法2006
- 発明者名
  末益崇
- 権利者名
  国立大学法人筑波大学
- 出願年月日
  2006-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[産業財産権] シリコンをベースとする高効率薄膜太陽電池およびその製造方法2006
- 発明者名
  末益崇
- 権利者名
  筑波大学
- 出願年月日
  2006-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[産業財産権] シリコンをべースとする高効率薄膜太陽電池およびその製造方法2006
- 発明者名
  末益崇
- 権利者名
  筑波大学
- 出願年月日
  2006-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656093
[産業財産権] アルカリ土類金属を用いた混晶半導体薄膜の製造方法及び装置2004
- 発明者名
  末益崇
- 権利者名
  科学技術振興事業団
- 出願年月日
  2004-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656003
[学会発表] Significant impact of Ba to Si deposition rate ratios during molecular beam epitaxy on electrical and optical properties of BaSi2 absorber layers2018
- 著者名/発表者名
  Takashi Suemasu
- 学会等名
  Forum on the Science and Techonology of Silicon Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865
[学会発表] Recent achievements towards high-efficiency BaSi2 homojunction solar cells2018
- 著者名/発表者名
  Takashi Suemasu
- 学会等名
  10th International WorkShop on Crystalline Siliciond for Solar Cells
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865
[学会発表] Present status and future prospect of BaSi2 solar cells2018
- 著者名/発表者名
  Takashi Suemasu
- 学会等名
  4th International Asian School Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865
[学会発表] Present status and future prospect of BaSi2 solar cells2018
- 著者名/発表者名
  Takashi Suemasu
- 学会等名
  4th International Asian School Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767
[学会発表] Significant impact of Ba to Si deposition rate ratios during molecular beam epitaxy on electrical and optical properties of BaSi2 absorber layers2018
- 著者名/発表者名
  Takashi Suemasu
- 学会等名
  The Forum on the Science and Techonology of Silicon Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767
[学会発表] Recent achievements towards high-efficiency BaSi2 homojunction solar cells2018
- 著者名/発表者名
  Takashi Suemasu
- 学会等名
  10th International WorkShop on Crystalline Siliciond for Solar Cells
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03767
[学会発表] Dependence of solar cell characteristics on Si substrate pretreatment2017
- 著者名/発表者名
  Yudai Yamashita, Ryota Takabe, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
- 学会等名
  27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] Effect of Sb-doped n+-BaSi2 surface layer on the carrier transport properties and spectral response2017
- 著者名/発表者名
  Komomo Kodama, Ryota Takabe, Kaoru Toko, Takashi Suemasu
- 学会等名
  27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] Nitrogen-doped BaSi2 thin film on n-Si (111) by molecular beam epitaxy and radio-frequency plasma generator2017
- 著者名/発表者名
  Zhihao Xu, Tianguo Deng, Ryota Takabe Du, Miftahullatif Emha Bayu, Kaoru Toko and Takashi Suemasu
- 学会等名
  27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] Semiconducting BaSi2- Si-based new absorber-layer material for solar cells2017
- 著者名/発表者名
  末益　崇
- 学会等名
  International Conference on Solid State Materials and Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] BaSi2膜の組成比制御とホモ接合太陽電池への取り組み2017
- 著者名/発表者名
  末益　崇
- 学会等名
  日本学術振興会第175委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] Impact of Ba/Si flux ratio during molecular beam epitaxy growth on the characteristics of BaSi2 epitaxial films on Si(111)2017
- 著者名/発表者名
  Ryota Takabe, Tianguo Deng, K. Kodama, Y. Yamashita, Koaru Toko, and Takashi Suemasu
- 学会等名
  27th International Photovoltaic Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] Investigation on boron-doped p-BaSi2/n-Si hetero-junction solar cells on a textured Si(001) substrate2017
- 著者名/発表者名
  Tianguo Deng, Kazuhiro Gotoh, Ryota Takabe, Zhihao Xu, Suguru Yachi, Yudai Yamashita, Kaoru Toko, Noritaka Usami, Takashi Suemasu
- 学会等名
  27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] 逆ペロブスカイト型強磁性窒化物MnxFe4-xN 薄膜の磁気特性2017
- 著者名/発表者名
  安西聡仁, 具志俊希, 東小薗創真, 高田郁弥, 都甲薫, 末益崇
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Recent progress towards BaSi2 solar cells2016
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu
- 学会等名
  Seventh International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2016-11-23
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] Minority spin transport in epitaxially grown nickel-iron nitride films2016
- 著者名/発表者名
  F.Takata, K. Ito, K. Kabara, S. Higashikozono, T. Gushi, K. Toko, M. Tsunoda, and T. Suemasu
- 学会等名
  2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県・つくば市）
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] 異方性磁気抵抗効果を利用したFe4N 細線における磁壁の電流検出2016
- 著者名/発表者名
  具志俊希、伊藤啓太、東小薗創真、都甲薫、大里啓孝、杉本喜正、本多周太、末益崇
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] MBE法による強磁性窒化物NixFe4-xN薄膜のエピタキシャル成長2016
- 著者名/発表者名
  高田郁弥、伊藤啓太、具志俊希、東小薗創真、都甲薫、末益崇
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] エピタキシャルNixFe4-xN(x = 0, 1, 3, 4)薄膜の磁気物性の評価2016
- 著者名/発表者名
  伊藤啓太, 鹿原和樹, 高田郁弥, 東小薗創真, 具志俊希, 都甲薫, 角田匡清, 末益崇
- 学会等名
  第40回日本磁気学会学術講演会
- 発表場所
  金沢大学（石川県・金沢市）
- 年月日
  2016-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Highly oriented epitaxial (α"+α')-Fe16N2 films on α-Fe(001) buffered MgAl2O4(001) substrates and their magnetizations2016
- 著者名/発表者名
  S. Higashikozono, K. Ito, F. Takata, T. Gushi, K. Toko, and T.Suemasu
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  名古屋国際センター（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] MBE法で作製したα'-Fe16-xMnxN2(x=0,1,2)薄膜の磁気特性2016
- 著者名/発表者名
  東小薗創真, 伊藤啓太, 具志俊希, 高田郁弥, 都甲薫, 末益崇
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] NixFe4-xN(x = 1, 3)薄膜の負の異方性磁気抵抗効果2016
- 著者名/発表者名
  高田郁弥, 伊藤啓太, 鹿原和樹, 東小薗創真, 具志俊希, 都甲薫, 角田匡清, 末益崇
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] 垂直磁気異方性をもつ正方晶フェリ磁性Mn4N薄膜の磁気構造2016
- 著者名/発表者名
  伊藤啓太、具志俊希、東小薗創真、都甲薫、白井正文、角田匡清、末益崇
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Recent progress in BaSi2 thin-film solar cells2016
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu
- 学会等名
  23rd Int Workshop on active-matrix flatpanel displays and deices
- 発表場所
  龍谷大学響都ホール、京都府京都市
- 年月日
  2016-07-07
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] RFスパッタリング法による多結晶BaSi2薄膜の形成2016
- 著者名/発表者名
  横山晟也、召田雅実、倉持豪人、都甲薫、末益崇
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学(東京都目黒区)
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630120
[学会発表] Perpendicular magnetic anisotropy of CoxMn4-xN (x = 0 and 0.2) epitaxial films on SrTiO3(001) substrates2016
- 著者名/発表者名
  K. Ito, Y. Yasutomi, K. Kabara, T. Gushi, S. Higashikozono, K. Toko, M. Tsunoda, and T. Suemasu
- 学会等名
  13th Joint MMM-Intermag Conference
- 発表場所
  San Diego (USA)
- 年月日
  2016-01-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Exploration the Potential of Semiconducting BaSi2 for Thin-film Solar Cell Applications2015
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu
- 学会等名
  Symposium of B: Earth Abundant Materials for Solar Energy Harvesting, ICMAT
- 発表場所
  Singapore, Singapore
- 年月日
  2015-07-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] Recent development towards BaSi2 thin film solar cells2015
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu
- 学会等名
  5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum
- 発表場所
  University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki
- 年月日
  2015-05-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] α-Fe 下地を用いたMgAl2O4 基板上へのα '-Fe- N のエピタキシャル成長2015
- 著者名/発表者名
  東小薗創真, 伊藤啓太, 具志俊希, 都甲薫, 末益崇
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Exploration of the possibility of semiconducting BaSi2 nanofilms for solar cell applications2015
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu
- 学会等名
  Nanomeeting 2015
- 発表場所
  New Orleans, USA
- 年月日
  2015-05-29
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] RFスパッタ法により作製したBaSi2薄膜表面の粒界ポテンシャル評価2015
- 著者名/発表者名
  末益　崇
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630120
[学会発表] Observation and control of magnetic domain structure in Fe4N ferromagnetic nanowire2015
- 著者名/発表者名
  T. Gushi, K. Ito, S. Honda, Y. Yasutomi, S. Higashikozono, K. Toko, H. Oosato, Y. Sugimoto, K. Asakawa, N. Ota, and T. Suemasu
- 学会等名
  ASCO-NANOMAT (Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials) 2015
- 発表場所
  Vladivostok (Russia)
- 年月日
  2015-08-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] ヘリコン波プラズマスパッタ法によるBaSi2 薄膜の作製2015
- 著者名/発表者名
  横山晟也, 召田雅実, 倉持豪人, 都甲薫, 末益崇
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630120
[学会発表] Control of domain wall position in L-shaped Fe4N negatively spin polarized ferromagnetic nanowire2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Gushi, Keita Ito, Syuta Honda, Yoko Yasutomi, Soma Higashikozono, Kaoru Toko, Hirotaka Oosato, Yoshimasa Sugimoto, Kiyoshi Asakawa, Norio Ota, and Takashi Suemasu
- 学会等名
  IEEE International Magnetics Conference 2015
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2015-05-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Fe4N 細線における磁壁物性の細線形状依存性の評価2015
- 著者名/発表者名
  具志俊希, 伊藤啓太, 東小薗創真, 都甲薫, 大里啓孝, 杉本喜正, 本多周太, 末益崇
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Present status towards BaSi2 thin-film solar cells2015
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu
- 学会等名
  ASCO-NANOMAT 2015
- 発表場所
  Vladivostok, Russia
- 年月日
  2015-08-24
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02237
[学会発表] Fe4Nエピタキシャル薄膜の窒素原子占有度の評価2015
- 著者名/発表者名
  伊藤啓太, 具志俊希, 東小薗創真, 竹田幸治, 斎藤祐児, 都甲薫, 柳原英人, 角田匡清, 小口多美夫, 木村昭夫, 喜多英治, 末益崇
- 学会等名
  第39回日本磁気学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋大学（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Si(001)基板上BaSi2 によるトンネル接合の形成と分光感度特性の評価2013
- 著者名/発表者名
  小池信太郎, 馬場正和, 中村航太郎, K.M. Ajamal, Weijie Du, 都甲薫, 末益崇
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23655200
[学会発表] Si(111)/Al/ガラス構造上におけるBaSi2層の結晶成長と分光感度評価2013
- 著者名/発表者名
  沼田諒平，都甲薫，宇佐美徳隆，末益崇
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23655200
[学会発表] Si(001)基板上BaSi2によるトンネル接合の形成と分光感度特性の評価2013
- 著者名/発表者名
  小池信太郎，馬場正和，中村航太郎，K.M. Ajamal，Weijie Du，都甲薫，末益崇
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23655200
[学会発表] Si(001)基板上BaSi2エピタキシャル膜の分光感度特性評価2012
- 著者名/発表者名
  小池信太郎，馬場正和，中村航太郎，Ajmal Khan M，Weijie Du，都甲　薫，末益　崇
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学、松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23655200
[学会発表] XMCD measurement of γ^1-Fe_4N thin films on LAO(001) and MgO(001) substrates by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  K.Ito, G.H.Lee, K.Harada, M.Suzuno, Mao Ye, T.Suemasu, A.Kimura, H.Akinaga
- 学会等名
  AD-07
- 発表場所
  Taipei
- 年月日
  2011-04-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] Si上大粒径β-FeSi_2膜マイクロチャネルエピタキシーのための成長条件検討2011
- 著者名/発表者名
  鈴野光史, 舟瀬芳人, 秋山賢輔, 都甲薫, 末益崇
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Characterization of epitaxial β-FeSi_2 thin films on Si substrate by SEM, EBIC and EBSD imaging2011
- 著者名/発表者名
  K. Jiptner, H. Kawakami, J. Chen, T. Suemasu and T. Sekiguchi
- 学会等名
  21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2011-11-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Si基板上にエピ成長したβ-FeSi_2薄膜のSEM/EBSD/EBIC評価2011
- 著者名/発表者名
  カロリンイプトナー, 川上英輝, 陳君, 末益崇, 関口隆
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Spintronic Materials and the Application to Si-based Devices (INVITED)2010
- 著者名/発表者名
  H.Akinaga, H.Shima, K.Sadakuni-Makabe, K.Harada, K.Itoh, T.Suemasu
- 学会等名
  International Conference of AUMS
- 発表場所
  Jeju Island, Korea.
- 年月日
  2010-12-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] Fabrication of Fe_3Si/CaF_2 Heterostructures Ferromagnetic Resonant Tunneling Diode by Selected-Area Molecular Beam Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Sadakuni-Makabe, M.Suzuno, K.Harada, H.Akinaga, T.Suemasu
- 学会等名
  APAC Silicide 2010, 25-AM-IV-3
- 発表場所
  Tsukuba.
- 年月日
  2010-07-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] Reduction of carrier concentrations of β-FeSi_2 films by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K. Akutsu, M. Suzuno, H. Kawakami, and T. Suemasu
- 学会等名
  APAC Silicide
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2010-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Metalorganic Chemical Vapor Deposition of β-FeSi_2 on β-FeSi_2 Seed Crystals formed on Si substrates2010
- 著者名/発表者名
  M. Suzuno, K. Akutsu, H. Kawakami, K. Akiyama, and T. Suemasu
- 学会等名
  APAC Silicide
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2010-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Room temperature magnetoresistance in Fe_3Si/CaF_2/Fe_3Si MTJ epitaxially grown on Si(111)2010
- 著者名/発表者名
  K.Harada, K.M.Sadakuni, M.Suzuno, H.Akinaga, T.Suemasu
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications, PE-11
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2010-07-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] CaF_2/Fe_3Si/ CaF_2 heterostructures resonant tunneling diodes on Si(111) by selected-area molecular beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Sadakuni-Makabe, M.Suzuno, K.Harada, H.Akinaga, T.Suemasu
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications SB-04
- 発表場所
  Sendai.
- 年月日
  2010-07-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] マイクロチャネルエピタキシー法による大粒径β-FeSi_2膜の成長を目指して2010
- 著者名/発表者名
  鈴野光史, 阿久津恵一, 川上英輝, 秋山賢輔, 末益崇
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Molecular beam epitaxy of β-FeSi_2 films on Si (111) substrates and its influence on minority-carrier diffusion length of Si measured by EBIC2010
- 著者名/発表者名
  H. Kawakami, M. Suzuno, K. Akutsu, J. Chen, Y. Fuxing, T. Sekiguchi, and T. Suemasu
- 学会等名
  APAC Silicide
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2010-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Local Epitaxy法を用いたFe3 Si/CaF2多層構造による強磁性RTDの作製2010
- 著者名/発表者名
  貞国健司, 鈴野光史, 末益崇, 原田一範, 秋永広幸
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学, 神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] Fe_4N,Fe_3Siをベースとする共鳴トンネル型スピンフィルターの開発2010
- 著者名/発表者名
  末益崇, 他
- 学会等名
  通研共同プロジェクト研究会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2010-09-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] 原子状水素援用MBE法によるβ-FeSi_2膜のキャリア密度の低減と電気特性評価2010
- 著者名/発表者名
  阿久津恵一, 鈴野光史, 川上英輝, 末益崇
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Reduction of residual carrier concentrations in undoped β-FeSi_2 films by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  M. Suzuno, K. Akutsu, H. Kawakami, and T. Suemasu
- 学会等名
  International Conference on Nanophotonics
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] MBE法によるSi基板へのβ-FeSi_2膜の成長とEBICによる拡散長評価2010
- 著者名/発表者名
  川上英輝, 鈴野光史, 阿久津恵一, 陳君, 殷福星, 関口隆史, 末益崇
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] MBE法で形成したβ-FeSi_2膜のEBICによる拡散長評価2010
- 著者名/発表者名
  川上英輝, 鈴野光史, 阿久津恵一, 陳君, Karolin Jiptner, 関口隆史, 末益崇
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] シリサイド半導体を用いたSi系薄膜結晶太陽電池を目指して2009
- 著者名/発表者名
  末益崇
- 学会等名
  東北大多元物質科学研究所素材工学研究懇談会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2009-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Fabrication of Fe_3Si/CaF_2/Fe_3Si ferromagnetic resonant tunneling diodes on Si(111) by molecular beam epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  K.Sadakuni, T.Harianto, H.Akinaga, T.Suemasu
- 学会等名
  18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tu-eP30
- 発表場所
  Kobe.
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] 太陽電池を目指したALILE過程によるSiO_2基板への(111)高配向Si膜の形成と評価2009
- 著者名/発表者名
  塚田大, 松本雄太, 武石充智, 佐々木亮齋藤隆允, 末益崇
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(2a-ZA-1)
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] Molecular beam epitaxy and magnetoresistance in Fe_4N/MgO/Fe_4N magnetic tunnel junction2009
- 著者名/発表者名
  K.Ito, A.Narahara, H.Akinaga, T.Suemasu
- 学会等名
  18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Mo-eP82
- 発表場所
  Kobe.
- 年月日
  2009-07-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] MBE法で形成したBaSi_2/S(111)ヘテロ接合の電気特性評価2009
- 著者名/発表者名
  佐々木亮, 塚田大, 松本雄太, 武石充智, 斉藤隆允, 末益崇
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(2a-ZA-4)
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法によるSi(111)へのAlドープp型BaSi_2膜の成長と電気特性の評価2009
- 著者名/発表者名
  武石充智, 塚田大, 松本雄太, 佐々木亮, 斎藤隆允, 末益崇
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(2a-ZA-3)
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法で形成したBaSi_2エピタキシャル膜のウエットエッチングとXPSによる評価2009
- 著者名/発表者名
  齋藤隆允, 塚田大, 松本雄太, 武石充智, 佐々木亮, 末益崇
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(2a-ZA-2)
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法によるSi(111)基板上エピタキシャルBaSi_2膜の分光感度特性2009
- 著者名/発表者名
  松本雄太, 塚田大, 武石充智, 佐々木亮, 末益崇
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(2a-ZA-5)
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] シリサイド半導体のエピタキシャル成長とハンドエンジニアリング2008
- 著者名/発表者名
  末益崇, 塚田大, 松本雄太, 佐々木亮, 武石充智
- 学会等名
  日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第59回研究会
- 発表場所
  東大生産研
- 年月日
  2008-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法によるSi(111)へのSbドープn型BaSi_2膜の成長と電気特性の評価2008
- 著者名/発表者名
  松本雄太、末益崇、小林道崇
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学(29a-C-5)
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] Development of silicon-based spintronic materials and devices2008
- 著者名/発表者名
  H. Akinaga, F. Takano, H. Shima, T. Suemasu
- 学会等名
  Asian Magnetics Conference 2008
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2008-12-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] Epitaxial growth ofsemiconducting BaSrSi2 on Si(111) and hybrid structures with CoSi2 for hotovoltaic application2008
- 著者名/発表者名
  末益崇
- 学会等名
  4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Techonology
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2008-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] シリサイド半導体のエピタキシャル球長とハンドエンジニアリング2008
- 著者名/発表者名
  末益崇
- 学会等名
  結晶成長の科学と技術第161委員会第59回研究会
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所
- 年月日
  2008-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] シリサイド半導体のバンドギャップエンジニアリング-アルカリ土類金属シリサイドを例に2008
- 著者名/発表者名
  末益崇, 塚田大, 松本雄太
- 学会等名
  第69回応用物理学学術講演会結晶工学分科会・シリサイド系半導体と関連物質研究会共同企画「シリサイド系材料が開く新しい応用技術-結晶工学から斬るシリサイド系材料の可能性-」シンポジウム
- 発表場所
  中部大学(4p-ZB-3)
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] Epitaxial growth of semiconducting BaSrSi_2 on Si(111)and hybrid structures with CoSi2 for photovoltaic application2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ichikawa, M. Kobayashi, D. Tsukada, Y. Matsumoto, M. Sasase and T. Suemasu
- 学会等名
  4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Techonology(CGCT-4)
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2008-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] ショットキー型太陽電池n^+-BaSi_2/BaSi_2/CoSi_2/p^p+-Si構造のMBE成長2008
- 著者名/発表者名
  松本雄太, 塚田大, 末益崇
- 学会等名
  第69回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  中部大学(4a-ZA-3)
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] 強磁性体Fe3Si, Fe-N膜からSiへのスピン注入2008
- 著者名/発表者名
  末益崇, 楢原明理, Teddy Harianto, 貞国健司, 秋永広幸
- 学会等名
  応用物理学会2008年秋季学術講演会
- 発表場所
  中部大学, 愛知
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] Development of Silicon-based Spintronic Materials and Devices (INVITED)2008
- 著者名/発表者名
  H.Akinaga, F.Tanano, H.Shima, T.Suemasu
- 学会等名
  Asian Magnetic Conference 2008
- 発表場所
  Busan, Korea.
- 年月日
  2008-12-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] ショットキー型太陽電池に向けたBaSi_2/CoSi_2/Si構造のMBE成長2008
- 著者名/発表者名
  市川芳岳, 小林道崇, 塚田大, 末益崇, 笹瀬雅人
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] Spin and Functional-oxide electronics as beyond CMOS candidates2008
- 著者名/発表者名
  H. Akinaga, F. Takano, H. Shima, T. Suemasu
- 学会等名
  Moscow International Symposium on Magnetism 2008
- 発表場所
  Moscow, Rossua (Invited)
- 年月日
  2008-06-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] 強磁性体Fe_3Si, Fe-N膜からSiへのスピン注入(INVITED)2008
- 著者名/発表者名
  末益崇, 他
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市,中部大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] 薄膜太陽電池を目指したAIC基板上へのBaSi_2膜の作製2008
- 著者名/発表者名
  塚田大, 松本雄太, 末益崇
- 学会等名
  第69回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  中部大学(4a-ZA-4)
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] Development of silicon-based spintronic devices2008
- 著者名/発表者名
  H. Akinaga, F. Takano, H. Shima, T. Suemasu
- 学会等名
  第32回日本磁気学会学術講演会
- 発表場所
  東北学院大学, 宮城
- 年月日
  2008-09-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048030
[学会発表] シリサイド半導体のバンドギャップエンジニアリング-アルカリ土類金属シリサイドを例に2008
- 著者名/発表者名
  末益崇
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] BaSi_2をベースとする薄膜太陽電池を目指したAIC基板の作製2008
- 著者名/発表者名
  塚田大, 市川芳岳, 小林道崇, 松本雄太, 末益崇
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学(29a-C-6)
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] Si-Based Environmentally Friendly Semiconductors for Future Electronic and Photonic Devices2007
- 著者名/発表者名
  T. Suemasu, S. Murase, T. Ootsuka, M. Suzuno, K. Morita
- 学会等名
  3rd International Conference on EcoElectronics
- 発表場所
  Nanjing
- 年月日
  2007-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法によるショットキー型太陽電池に向けたBaSi_2/CoSi_2/Si構造の作製と評価2007
- 著者名/発表者名
  市川芳岳, 森田康介, 末益崇
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学(29a-P6-25)
- 年月日
  2007-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] Molecular beam epitaxy of semiconductor(BaSi_2)/metal(CoSi_2)hybrid structures on Si(111)substrates for photovoltaic application2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ichikawa, M. Kobayashi and T. Suemasu
- 学会等名
  9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  Tokyo(13Ap2-2)
- 年月日
  2007-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法によるSi(111)へのInドープp型BaSi_2膜の成長と電気特性の評価2007
- 著者名/発表者名
  小林道崇, 森田康介, 末益崇
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学(29a-P6-24)
- 年月日
  2007-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法により作製したBaSi_2膜のDLTS法による欠陥評価2007
- 著者名/発表者名
  森田康介, 末益崇
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学(29a-P6-26)
- 年月日
  2007-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法による不純物ドープBaSi_2膜のエピタキシャル成長と電気特性の評価2007
- 著者名/発表者名
  小林道崇、市川芳岳、末益崇、笹瀬雅人
- 学会等名
  第68回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学(4p-Q-10)
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法によるショットキー型太陽電池に向けたBaSi_2/CoSi_2/Si構造のエピタキシャル成長2007
- 著者名/発表者名
  市川芳岳、小林道崇、末益崇、笹瀬雅人
- 学会等名
  第68回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学(4p-Q-11)
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法によるIII族不純物ドープBaSi_2膜の成長と評価2006
- 著者名/発表者名
  小林道崇, 森田康介, 末益崇
- 学会等名
  第67回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  立命館大学(1a-RD-1)
- 年月日
  2006-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] 機能界面への挑戦 : ヘテロエピタキシャル成長2006
- 著者名/発表者名
  末益崇
- 学会等名
  第67回応用物理学学術講演会シリサイド系半導体と関連物質研究会合同企画シンポジウム「シリサイド半導体研究10年の進捗
- 発表場所
  立命館大学(30p-RD-3)
- 年月日
  2006-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法によるSi(111)基板上へのCuドープBaSi_22006
- 著者名/発表者名
  市川芳岳, 森田康介, 末益崇
- 学会等名
  第67回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  立命館大学(1a-RD-2)
- 年月日
  2006-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360005
[学会発表] MBE法によるα"-Fe16N2薄膜のエピタキシャル成長
- 著者名/発表者名
  東小薗創真、伊藤啓太、安富陽子、具志俊希、都甲薫、末益崇
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県厚木市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Enhancement of photoresponsivity, minority-carrier diffusion length and lifetime in β-FeSi_2 films grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
- 著者名/発表者名
  H. Kawakami, M. Suzuno, K. Akutsu, T. Yaguchi, J. Chen, K. Jiptner, T. Sekiguchi, and T. Suemasu
- 学会等名
  Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
- 発表場所
  Vladivostok, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] 負のスピン分極率を有するFe4N強磁性細線の磁壁形成位置の制御
- 著者名/発表者名
  具志俊希、伊藤啓太、安富陽子、東小薗創真、都甲薫、大里啓孝、杉本喜正、浅川潔、太田憲雄、本多周太、末益崇
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県厚木市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] CoxFe4-xN(x = 0, 1, 3) エピタキシャル膜のメスバウアー測定
- 著者名/発表者名
  伊藤啓太，佐内辰徳，安富陽子，具志俊希，都甲　薫，柳原英人，角田匡清，喜多英治，末益　崇
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] CoxMn4-xN 薄膜における磁気特性のCo/Mn 比依存性
- 著者名/発表者名
  安富陽子，伊藤啓太，具志俊希，都甲　薫，末益　崇
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] Mossbauer study on epitaxial CoxFe4-xN films grown by molecular beam epitaxy
- 著者名/発表者名
  K. Ito, T. Sanai, Y. Yasutomi, T. Gushi, K. Toko, H. Yanagihara, M. Tsunoda, E. Kita and T. Suemasu
- 学会等名
  59th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference
- 発表場所
  ホノルル（米国ハワイ州）
- 年月日
  2014-11-03 – 2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] MicroChannel epitaxy of β-FeSi_2 on Si (001) substrate
- 著者名/発表者名
  M. Suzuno, K. Akutsu, H. Kawakami, T. Yaguchi, K. Akiyama, and T. Suemasu
- 学会等名
  Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
- 発表場所
  Vladivostok, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] CoxMn4-xN エピタキシャル薄膜の飽和磁化と垂直磁気異方性の評価
- 著者名/発表者名
  伊藤啓太、安富陽子、鹿原和樹、具志俊希、東小薗創真、都甲薫、角田匡清、末益崇
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県厚木市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037
[学会発表] くの字型及び円弧状Fe4N 強磁性細線の作製と磁区観察
- 著者名/発表者名
  具志俊希，伊藤啓太，安富陽子，都甲　薫，大里啓孝，杉本喜正,　浅川　潔，太田憲雄，本多周太，末益　崇
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249037

1. 長谷川文夫 (70143170)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 5件
2. 磯上慎二 (10586853)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
3. 角田匡清 (80250702)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
4. 秩父重英 (80266907)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
5. 秋永広幸 (90221712)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 28件
6. 秋山賢輔 (70426360)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
7. 関口隆史 (00179334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
8. 佐藤久子 (20500359)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 舟窪浩 (90219080)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 藤原康文 (10181421)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 山内勇 (60029189)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 寺井慶和 (90360049)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
14. 白井正文 (70221306)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
15. 古門聡士 (50377719)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 本多周太 (00402553)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
17. 中堂博之 (30455282)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 柳原英人 (50302386)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 奥村宏典 (80756750)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 碓井彰

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 木村昭夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
22. 井村健一郎

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

末益 崇 Suemasu Takashi

研究課題

研究成果

共同研究者

スピン軌道トルク磁化反転の高効率化に向けたコヒーレント成長窒化物ヘテロ接合の応用継続中

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

垂直磁気異方性を有する窒化物スピントロニクス材料の探索研究代表者継続中

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電流駆動超高速磁壁移動を実現する窒化物スピントロニクス材料研究代表者継続中

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

組成比制御によるシリサイド半導体の伝導型制御とガラス上の高効率ホモ接合太陽電池研究代表者継続中

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリサイド半導体への酸素添加によるSiタンデム太陽電池用トップセルの開拓研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

結晶Siタンデム型太陽電池に向けたSi系ワイドギャップ新材料の探索研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体障壁強磁性トンネル接合素子の開発と電界効果によるスピン輸送制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新規シリサイド半導体の熱電物性の探索研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

粘土エレクトロニクスの創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

マイクロチャネルエピタキシーによる赤外線受光用大粒径鉄シリサイド膜研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンベース素子を用いたスピン注入効率の最適化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリサイド半導体の禁制帯幅拡大と伝導型制御による高効率太陽電池研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

アルカリ土類金属を用いたシリコンベース狭ギャップ半導体研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

末益崇 Suemasu Takashi