菅原聡 Sugahara Satoshi

研究者番号	40282842
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所属 (現在)	2024年度: 東京科学大学, 総合研究院, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2024年度: 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 2016年度 – 2018年度: 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 2014年度 – 2015年度: 東京工業大学, 像情報工学研究所, 准教授 2010年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 2009年度: 東京工業大学, 理工学研究科附属像情報工学研究, 准教授 … もっと見る 2009年度: 東京工業大学, 理工学研究科附属像情報工学研究施設, 准教授 2007年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 2007年度: 東京工業大学, 理工学研究科附属像情報工学研究施設, 准教授 2006年度: 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 助教授 2006年度: 東京工業大学, 理工学研究科附属像情報工学研究施設, 助教授 2005年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助手 2005年度: 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 助手 2005年度: 東京大学, 新領域創成科学研究科, 助手 2003年度 – 2004年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 2000年度: 東工大, 工学部, 助手 1996年度 – 1999年度: 東京工業大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分60040:計算機システム関連 / 中区分60:情報科学、情報工学およびその関連分野 / 表面界面物性 / 電子デバイス・機器工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 理工系 / 電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・機器工学
キーワード	研究代表者低消費電力 / SRAM / CMOS / スピントランジスタ / スピントロニクス / Ge / Si / シリコン / PIM / アクセラレータ … もっと見る / ニューラルネットワーク / マクロ技術 / ニューラルネットワーク・アクセラレータ / processing-in-memory / 低電圧メモリ / 低電圧ロジック / 超低消費電力高速メモリ / 超低消費電力高速ロジック / 超低電圧トランジスタ / Beyond-CMOS / スピン注入源 / スピン蓄積効果 / 非局所デバイス / スピンデバイス / スピン伝導 / スピン注入 / 不揮発 / 低電圧 / メモリ / 集積回路 / フリップフロップ / ＳＲＡＭ / パワーゲーティング / SoC / マイクロプロセッサ / 待機時電力 / 強磁性ショットキー接 / MOSデバイス / シリコンテクノロジー / ナノ構造 / 強磁性半導体 / スピンエレクトロニクス / Precursor chemistry / Surface structure / STM / Atomic-layer-epitaxy / Heteropitaxy / ゲルマニウムの表面偏析 / ゲルマニウムヘテロエピタキシ- / 原子層エピタキシ- / 超格子 / ヘテロ構造 / ゲルマニウム / 原子層エピタキシー … もっと見る研究代表者以外 GaMnAs / CAICISS / ALE / Si / 強磁性半導体 / MnAs / スピントロニクス / Hetero Structure / Germanium / Silicon / 超格子 / AES / GeFe / トンネル磁気抵抗効果 / ヘテロ構造 / 分子線エピタキシー / スピン / InGaMnAs / GeMn / AFM / Super Lattice / Atomic Layer Epitaxy / 横方向成長 / SOI / 磁気光学効果 / 共鳴トンネル効果 / 強磁性トンネル接合 / スピンMOSFET / ゲルマニウム / シリコン / 横方向結晶成長 / 低消費電力 / ラテラルHBT / トンネルFE / ナノシート / バイポーラトランジスタ / トンネルFET / 化合物半導体 / 逆ピエゾ効果 / 圧電体 / 超磁歪 / サマリウム鉄 / スピン注入磁化反転 / ＭＲＡＭ / スピントランスファートルク / 磁気抵抗変化素子 / 逆磁歪効果 / waveguide-type optical isolator / tunneling magnetoresistance / magneto-optical effect / spin / semiconductor magneto-photonic crystals / 強磁性ナノクラスター / クラスター / キュリー温度 / 磁気光学結晶 / 導波路型光アイソレータ / 半導体磁気光学結晶 / Spin MOSFET / Tunneling magnetoresistance / Heterostructure / Electronic device / Spintronics / 電子スピントロニクスデバイス / キャリアスピン / ヘテロ構造電子デバイス / 磁気抵抗効果 / 強磁性転移温度 / 選択ドープヘテロ構造 / デルタドープ / スピン依存伝導 / MnAs微粒子 / 電子デバイス / super lattice / Ge hetero interface / 平坦性 / 組成分布 / サーファクタント / XPS / Geヘテロ界面 / 最表面組成 / ヘテロ成長 / Ge界面 / 原子層成長 / silicon / Atomic Lager Epitary / Display / Phase-Shift / Lateral Growth / Poly Si / Thin-Film Transistor / Excimer-Laser / デイスプレイ / シリコン薄膜 / 結晶粒径 / エキシマレーザ / SiC / 多結晶シリコン / ディスプレイ / 位相シフト / 多結晶Si / 薄膜トランジスタ / エキシマレーザ結晶化 / Hetero Interface / Manmade Crystal / 人工結晶 / 原子層エピロキシ- / ヘテロ接合 / Ge人工結晶 / 原子層エピタキシ- / ジャイロ磁気効果 / スピン波励起 / 光励起磁性 / 端面発光 / スピン発光ダイオード / スピン依存性光学遷移 / スピン注入 / スピン依存光学遷移 / 金属・半導体ハイブリッド構造 / 磁化才差運動 / 光励起現象 / スピン流 / スピンダイナミクス / キャリア誘起強磁性 / 超高速現象 / スピン光デバイス / 光誘起磁化 / スピン依存光物性 / ナノスピンデバイス / スピントランジスタを / リコンフィギャラブル / スピン起電力 / スピントラジスタ / リコンフイギャラブル / 電子デバイス・集積回路 / スピントランジスタ / 不揮発性メモリ / トンネル磁気抵抗 / 磁性半導体 / 微粒子 / スピントロニクス・デバイス / 再構成可能 / スピンデバイス / 強磁性 / 面方位 / 移動度 / GOI / MOSFET / 低誘電率膜 / 層間絶縁膜 / 低誘電卒膜 / 二酸化シリコン / テトラ・エトキシ・シラン / 液相堆積隠す

エネルギー極小点動作PIM型ニューラルネットワークアクセラレータの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  菅原聡
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分60040:計算機システム関連
- 研究機関
  東京工業大学
化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
Beyond-CMOSを用いた超低消費電力・高速集積回路・アーキテクチャ技術研究代表者
- 研究代表者
  
  菅原聡
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分60:情報科学、情報工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
CMOS/スピントロニクス融合回路による不揮発性パワーゲーティング技術研究代表者
- 研究代表者
  
  菅原聡
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
拡散/ドリフト領域におけるHanle効果を用いたスピン注入・伝導の評価研究代表者
- 研究代表者
  
  菅原聡
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
圧電素子と磁気抵抗変化素子の融合による超低消費電力磁化反転技術の創出
- 研究代表者
  
  高村陽太
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
強磁性半導体における光磁化の解明と制御
- 研究代表者
  
  宗片比呂夫
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
ナノ機能化ゲルマニウム系チャネル
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
リコンフィギャラブル・ナノスピンデバイス
- 研究代表者
  
  田中雅明
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
シリコン系強磁性半導体の創製とそのスピンデバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  菅原聡
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
   東京大学
半導体スピントロニクス・ヘテロ構造電子デバイスの研究
- 研究代表者
  
  田中雅明
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2005
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
半導体をベースとした磁気光学結晶とその応用
- 研究代表者
  
  田中雅明
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
表面状態制御によるSiGe混晶表面へのSiの単原子層吸着研究代表者
- 研究代表者
  
  菅原聡
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
Si/Ge歪み制御原子層超格子の研究
- 研究代表者
  
  松村正清
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
超高精度深さ方向分解能のAES法によるSi/Ge原子層超格子の構造評価
- 研究代表者
  
  内田恭敬
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  帝京科学大学
原子層オーダーの界面急峻性を持ったシリコン/ゲルマニウムヘテロ構造の新しい形成法研究代表者
- 研究代表者
  
  菅原聡
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
テトラ・イソシアネート・シランを用いたシリコンの液相堆積
- 研究代表者
  
  松村正清
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
システム・オン・ガラス基礎技術の研究
- 研究代表者
  
  松村正清
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
シリコン系人工結晶の作製とその物性評価に関する研究
- 研究代表者
  
  松村正清
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学

[図書] Spin-transistor technology for spintronics/CMOS hybrid logic circuits and systems2016
- 著者名/発表者名
  S. Sugahara, Y. Shuto, and S. Yamamoto
- 総ページ数
  25
- 出版者
  John Wiley & Sons, Ltd
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[図書] Comprehensive Nanoscience and Technology, Vol.4(III-V and Group-IV Based Ferromagnetic Semiconductors for Spintronics)2011
- 著者名/発表者名
  M.Tanaka, S.Ohya, Y.Shuto, S.Yada, S.Sugahara
- 出版者
  Academic Press (Oxford)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[図書] "III-V and Group-IV Based Ferromagnetic Semiconductors for Spintronics"Comprehensive Nanoscience and Technology, AcademicPress(Oxford)(Vol.40)2011
- 著者名/発表者名
  M.Tanaka, S.Ohya, Y.Shuto, S.Yada, S.Sugahara
- 総ページ数
  500
- 出版者
  Academic Press (Oxford)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[図書] Electronic Device Architectures for the Nano-CMOS Era-From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices, Chapter 52008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane and S. Sugahara
- 総ページ数
  23
- 出版者
  Pan Stanford Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[図書] Electronic Device Architectures for the Nano-CMOS Era - From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices, Chapter 52008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane and S. Sugahara
- 出版者
  Pan Stanford Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] CMOS プラットフォームを用いた新技術の創成：超低消費電力 CMOS ロジックシステム，BeyondCMOS デバイス，体温を用いた熱電発電モジュール2022
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 雑誌名
  
  日本熱電学会誌
  
  巻: 18 ページ: 159-162
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21791
[雑誌論文] Modeling and Design of a New Piezoelectronic Transistor for Ultralow-Voltage High-Speed Integrated Circuits2020
- 著者名/発表者名
  Y. Shiotsu, S. Yamamoto, Y. Shuto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa and S. Sugahara
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. on Electron Devices
  
  巻: 67 号: 9 ページ: 3852-3860
- DOI
  10.1109/ted.2020.3008891
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21791
[雑誌論文] Design and energy-efficient architectures for nonvolatile static random access memory using magnetic tunnel junctions2019
- 著者名/発表者名
  Kitagata Daiki、Yamamoto Shuu’ichirou、Sugahara Satoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBB12-SBBB12
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab00f5
- NAID
  210000135442
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[雑誌論文] Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAM2017
- 著者名/発表者名
  Y. Takamura, Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa, S. Nakagawa, S. Sugahara
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 128 ページ: 194-199
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[雑誌論文] Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAMs2016
- 著者名/発表者名
  Y. Takamura, Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa, S. Nakagawa, S. Sugahara.
- 雑誌名
  
  2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon
  
  巻: 1 ページ: 72-75
- DOI
  10.1109/ulis.2016.7440055
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870192
[雑誌論文] Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing2015
- 著者名/発表者名
  Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, and Satoshi Sugahara
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 117
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[雑誌論文] abrication and characterization of a spin injector using a high-quality B2-ordered-Co2FeSi0.5Al0.5 /MgO /Si tunnel contact2015
- 著者名/発表者名
  Yu Kawame, Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, and Satoshi Sugahara
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 117
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[雑誌論文] Analysis and design of nonlocal spin devices with bias-induced spin-transport acceleration2015
- 著者名/発表者名
  Yota Takamura, Taiju Akushichi, Yusuke Shuto, and Satoshi Sugahara
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 117
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[雑誌論文] Analysis of Hanle-effect signals observed in Si-channel spin accumulation devices2014
- 著者名/発表者名
  6.Y. Takamura, T. Akushichi, A. Sadano, T. Okihio, Y. Shuto, and S. Sugahara
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 115 号: 17
- DOI
  10.1063/1.4868502
- NAID
  120006582326
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[雑誌論文] Magnetoresistance of a Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Ferromagnetic MnAs Source and Drain Contacts2010
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, T.Harada, K.Sugiura, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  210000069374
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] High Performance Ultrathin(110)-Oriented Ge-On-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique2010
- 著者名/発表者名
  S.Dissanayake, S.Sugahara, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 3
  
  ページ: 41302-41302
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Magnetoresistance of a Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Ferromagnetic MnAs Source and Drain Contacts2010
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, T.Harada, K.Sugiura, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
- NAID
  210000069374
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] A new spin-functional MOSFET based on magnetic tunnel junction technology : pseudo-spin-MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  Y.Shuto, R.Nakane, W.Wang, H.Sukegawa, S.Yamamoto, M.Tanaka, K.Inomata, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開2009
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 雑誌名
  
  応用物理 vol. 78, no. 3
  
  ページ: 236-241
- NAID
  10024751164
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開2009
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 雑誌名
  
  応用物理 78
  
  ページ: 236-241
- NAID
  10024751164
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors2009
- 著者名/発表者名
  K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara, S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.48,no.4
- NAID
  210000066561
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2009
- 著者名/発表者名
  K.Morii, S.Dissanayake, S.Tanabe, R.Nakane, M.Takenaka, S.Sugahara, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  210000066561
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開2009
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 雑誌名
  
  応用物理 vol.78,no.3
- NAID
  10024751164
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices(Invited Paper) Vol. 55, No. 1
  
  ページ: 21-39
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] (110) Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method2008
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol. 517, Issue 1
  
  ページ: 178-180
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] (110) Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method2008
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517,Issue1
  
  ページ: 178-180
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Formation of Si and Ge-based FullHeusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the HalfMetallic Source and Drain of Spin Transistors2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane and S. Sugahara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16
  
  ページ: 945-952
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices Vol.55,No.1
  
  ページ: 21-39
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane and S. Sugahara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol. 16
  
  ページ: 945-952
- NAID
  120006581933
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance (lnvited Paper)2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. lrisawa, T. Tezuka, T.Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Electron Devices 55
  
  ページ: 21-39
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] (110)Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method2008
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 178-180
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane, S. Sugahara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.16
  
  ページ: 945-952
- NAID
  120006581933
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Magneto-optical and magneto-transport properties of anorphous ferromagnetic semiconductor Gel-xMnx thin films2008
- 著者名/発表者名
  S. Yada, M. Tanaka, and S. Sugahara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara, N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering vol.84,Issue9-10
  
  ページ: 2314-2319
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Gate Dielectric Formation and MIS interface Characterization on Ge2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K lkeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 84
  
  ページ: 2314-2319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering vol. 84, Issue 9-10
  
  ページ: 2314-2319
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Ultrathin Ge-On-lnsulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 2117-2121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] (Invited paper) Metal-Oxide-Semiconductor Based Spin Devices for Reconfigurable Logic2007
- 著者名/発表者名
  M. Tanaka and S. Sugahara
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices 54
  
  ページ: 961-976
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Structural and magnetic properties of self-organized Ge_<1-x>Mn_x nanocolumns in epitaxially grown Mn-doped Ge thin films2007
- 著者名/発表者名
  S.Yada, M.Tanaka, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  4^<th> International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (掲載決定済み)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] Metal-Oxide-Semiconductor Based Spin Devices for Reconfigurable Logic2007
- 著者名/発表者名
  M.Tanaka, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  Invited paper in the Special Issue on Spintronics, IEEE Transactions on Electron Devices Vol.54(Invited paper)
  
  ページ: 961-976
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 11
  
  ページ: 61-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Mobility- Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara, N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  ECS Trans. Vol.11,No.6
  
  ページ: 61-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Reconfigurable Logic Gates Using Single Electron Spin Transistors2007
- 著者名/発表者名
  Pham Nam Hai, S. Sugahara and M. Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 6579-6585
- NAID
  40015642830
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Metal-Oxide-Semiconductor Based Spin Devices for Reconfigurable Logic2007
- 著者名/発表者名
  M. Tanaka and S. Sugahara
- 雑誌名
  
  Invited paper in the Special Issue on Spintronics, IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 54
  
  ページ: 961-976
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol. 46, no. 4B
  
  ページ: 2117-2121
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara, S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.46,no.4B
  
  ページ: 2117-2121
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Mobility- Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  ECS Trans. Vol. 11, No. 6
  
  ページ: 61-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Reeonfigurable Logic Gates Using Single Electron Spin Transistors2007
- 著者名/発表者名
  Pham Nam Hai, S. Sugahara and M. Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46
  
  ページ: 6579-6585
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Reconfigurable Logic Gates Using Single Electron Spin Transistors2007
- 著者名/発表者名
  Pham Nam Hai, S.Sugahara, M.Tanaka,
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 46
  
  ページ: 6579-6585
- NAID
  40015642830
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Spin MOSFETs as a basis for silicon-based spin-electronics2006
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara
- 雑誌名
  
  4th Intl. Conf. on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV) 4
  
  ページ: 153-153
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] Ferromagnetism in Mn-doped amorphous Ge thin films2006
- 著者名/発表者名
  S.Yada, M.Tanaka, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  4th Int. Conf. on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV) 4
  
  ページ: 119-119
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] Spin MOSFETs As a Basis for Spintronics2006
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  ACM Trans. on Storage vol.2, no.2
  
  ページ: 197-219
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] Magneto-optical properties of a new group IV ferromagnetic semiconductor Gel-xFex grown by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  Y.Shuto, M.Tanaka, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 99
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Perspective on Field-Effect Spin-Transistor2006
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C vol.3, no.12
  
  ページ: 4405-4413
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] Magneto-optical properties of a new group IV ferromagnetic semiconductor Gel-Fex grown by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  Y.Shuto, M.Tanaka, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 99
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Preparation and characterization of ferromagnetic DO3-phase Fe3Si thin films on silicon-on-insulator substrates for Si-based spin-electronic device applications2006
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, M.Tanaka, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Magneto-optical properties of a new group IV ferromagnetic semiconductor Gel-xFex grown by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  Y.Shuto, M.Tanaka, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 99
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] スピントランジスタの研究動向2006
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 雑誌名
  
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催第34回薄膜・表面セミナー 34
  
  ページ: 59-70
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] "Schottky barrier height of ferromagnet/Si(001) junctions" Appl. Phys. Lett. 89,072110/1-3(2006).2006
- 著者名/発表者名
  K.Sugiura, R.Nakane, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (spin MOSFETs) and their integrated circuit applications2006
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  ACM Transactions on Storage Vol.2 No.2
  
  ページ: 197-219
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] A spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (spin MOSFET) using a ferromagnetic semiconductor for the channel2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 97
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping2005
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, T.Amemiya, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.Lett. 95
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] A Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (Spin MOSFET) with a Ferromagnetic Semiconductor for the Channel2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 97
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] Precipitation of Amorphous Ferromagnetic Semiconductor Phase in Epitaxially Grown Mn-Doped Ge Thin Films2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, K.L.Lee, S.Yada, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 44
- NAID
  10016873250
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] Spin MOSFETs as a basis for spintronics2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  ACM Trans.on Storage (発表予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping2005
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, T.Amemiya, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters 95
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (Spin MOSFETs) for Spin-Electronic Integrated Circuits2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara
- 雑誌名
  
  IEE Proc.Circuits, Device-Systems 152
  
  ページ: 355-365
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] スピントランジスタ2005
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会誌 (発表予定)
- NAID
  10016585491
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping2005
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, T.Ainemiya, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters 95
  
  ページ: 17201-17201
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] Precipitation of Amorphous Ferromagnetic Semiconductor Phase in Epitaxially Grown Mn-doped Ge Thin Film2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, K.L.Lee, S.Yada, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. (Express Letter) Vol.44
- NAID
  10016873250
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Precipitation of Amorphous Ferromagnetic Semiconductor Phase in Epitaxially Grown Mn-based Ge Thin Film2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, K.L.Lee, S.Yada, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics(Express Letter) 44
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] A spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (spin MOSFET)using a ferromagnetic semiconductor for the channel2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 97
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Precipitation of Amorphous Ferromagnetic Semiconductor Phase in Epitaxially Grown Mn-doped Ge Thin Film2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, K.L.Lee, S.Yada, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.(Express Letter) 44
- NAID
  10016873250
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (Spin MOSFETs) for Spin-Electronic Integrated Circuits2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara
- 雑誌名
  
  IEE Proc.Circuits, Devices & Systems (発表予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping2005
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, T.Amemiya, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Virtual Journal of Nanoscale Science ＆ Technology Vol.12, No.2
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] スピントランジスタ2005
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会誌 88
  
  ページ: 541-550
- NAID
  10016585491
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping2005
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, T.Amemiya, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Lett. 95
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping2005
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, T.Amemiya, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology Vol.12, No.2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] A Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (Spin MOSFET) with a Ferromagnetic Semiconductor for the Channel2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. (発表予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[雑誌論文] High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping2005
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, T.Amemiya, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters 95
  
  ページ: 17201-17201
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] A spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (spin MOSFET) using a ferromagnetic semiconductor for the channel2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 97
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Precipitation of Amorphous Ferromagnetic Semiconductor Phase in Epitaxially Grown Mn-doped Ge Thin Film2005
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, K.L.Lee, S.Yada, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (Express Letter) 44
- NAID
  10016873250
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] Spin-Filter Transistor2004
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
- NAID
  10013276677
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Novel Reconfigurable Logic Gates Using Spin Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors2004
- 著者名/発表者名
  T.Matsuno, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
  
  ページ: 6032-6037
- NAID
  10013573360
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] "Epitaxial growth and magnetic properties of MnAs/NiAs/MnAs spin-valve trilayers on GaAs(001) substrates (2004).2004
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physica E21
  
  ページ: 991-995
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] A spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using half-met allic-ferromagnet contacts for the source and drain2004
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 84
  
  ページ: 2307-2309
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] A spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using half-metallic-ferromagnet contacts for the source and drain2004
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 84
  
  ページ: 2307-2309
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] A spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using half-metallic-ferromagnet contacts for the source and drain2004
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 84
  
  ページ: 2307-2309
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Electrical and optical control of ferromagnetism in III-V semiconductor heterostructures at high temperature (-100 K)2004
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Kobayashi, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
- NAID
  10012039243
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] A Spin-Filter Transistor and Its Applications2004
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physica E21
  
  ページ: 996-1001
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Effect of post-growth annealing on the morphology and magnetic properties of MnAs thin films grown on GaAs(001) substrates2004
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 95
  
  ページ: 6558-6561
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Electrical and optical control of ferromagnetism in III-V semiconductor heterostructures at high temperature (〜100K)2004
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Kobayashi, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
- NAID
  10012039243
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] Novel Reconfigurable Logic Gates Using Spin Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors2004
- 著者名/発表者名
  T.Matsuno, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal Applied Physics 43
  
  ページ: 6032-6037
- NAID
  10013573360
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Epitaxial growth and magnetic properties of MnAs/NiAs/MnAs spin-valve trilayers on GaAs(001) substrates2004
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physica E21
  
  ページ: 991-995
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Novel Reconfigurable Logic Gates Using Spin Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors2004
- 著者名/発表者名
  T.Matsuno, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
  
  ページ: 6032-6037
- NAID
  10013573360
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Electrical and optical control of ferromagnetism in III-V semiconductor heterostructures at high temperature (~100K)2004
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Kobayashi, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn, J.Appl.Phys. 43
- NAID
  10012039243
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Control of Ferromagnetism in Mn Delta-doped GaAs-based Heterostructures2004
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Kobayashi, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physica E21
  
  ページ: 937-942
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] Structural and Transport Properties of Mn-delta-doped GaAs2003
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 251
  
  ページ: 303-310
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Ferromagnetism and High Curie Temperature in Semiconductor Heterostructures with Mn-delta-doped GaAs and p-type Selective Doping2003
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Phys.Rev. B67
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205003
[雑誌論文] Ferromagnetism and High Curie Temperature in Semiconductor Heterostructures with Mn-delta-doped GaAs and p-type Selective Doping2003
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Physical Review B 67
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Ferromagnetism and High Curie Temperature in Semiconductor Heterostructures with Mn-delta-doped GaAs and p-type Selective Doping2003
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B67
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Transport Properties of Mn delta-doped GaAs and the effect of selective doping2002
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 80
  
  ページ: 3120-3122
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Transport Properties of Mn delta-doped GaAs and the effect of selective doping2002
- 著者名/発表者名
  A.M.Nazmul, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 80
  
  ページ: 3120-3122
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14076207
[雑誌論文] Magneto-Optical Properties of Group IV Semiconductor Ge_<1-x>Fe_x Grown by Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy
- 著者名/発表者名
  S.Shuto, M.Tanaka, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686024
[産業財産権] 電子回路2017
- 発明者名
  菅原　聡,山本　修一郎
- 権利者名
  JST
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[産業財産権] 電子回路2017
- 発明者名
  菅原聡,北形大樹,山本修一郎
- 権利者名
  JST
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[産業財産権] 双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路2017
- 発明者名
  周藤　悠介,山本　修一郎,菅原　聡
- 権利者名
  JST
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2017
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[産業財産権] 磁気抵抗素子および記憶回路2016
- 発明者名
  菅原　聡,高村　陽太,中川　茂樹
- 権利者名
  JST
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2016
- 取得年月日
  2018
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[産業財産権] 記憶回路2015
- 発明者名
  菅原　聡,周藤　悠介,山本　修一郎
- 権利者名
  JST
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2015
- 取得年月日
  2018
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[産業財産権] ピエゾ抵抗体をチャネルに用いたトランジスタおよび電子回路2015
- 発明者名
  周藤　悠介,黒澤　実,舟窪　浩,山本　修一郎,菅原　聡
- 権利者名
  JST
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2015
- 取得年月日
  2018
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[産業財産権] ピエゾ抵抗体をチャネルに用いたトランジスタおよび電子回路2015
- 発明者名
  周藤　悠介,黒澤　実,舟窪　浩,山本　修一郎,菅原　聡
- 権利者名
  JST
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2015
- 取得年月日
  2019
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[産業財産権] 記憶回路2015
- 発明者名
  菅原　聡,周藤　悠介,山本　修一郎
- 権利者名
  JST
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2015
- 取得年月日
  2017
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[産業財産権] 双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路2015
- 発明者名
  周藤　悠介,山本　修一郎,菅原　聡
- 権利者名
  JST
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2015
- 取得年月日
  2017
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[産業財産権] 論理回路および単電子スピントランジスタ2010
- 発明者名
  ファムナムハイ, 菅原聡, 田中雅明
- 権利者名
  科学技術振興機構
- 出願年月日
  2010-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[産業財産権] 論理回路および単電子スピントランジスタ2010
- 発明者名
  ファムナムハイ, 菅原聡, 田中雅明
- 権利者名
  科学技術振興機構
- 出願年月日
  2010-08-27
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[産業財産権] 論理回路および単電子スピントランジスタ2006
- 発明者名
  ファムナムハイ, 菅原聡, 田中雅明
- 権利者名
  科学技術振興機構
- 産業財産権番号
  2007-509157
- 出願年月日
  2006-02-02
- 取得年月日
  2010-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[学会発表] 新型超低電圧リテンションSRAM (ULVR-SRAM)セルの提案2022
- 著者名/発表者名
  伊藤克俊，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21791
[学会発表] 超低電圧リテンションSRAMのパワーゲーティング性能とアーキテクチャ2021
- 著者名/発表者名
  矢野広気，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21791
[学会発表] ボディバイアス効果を用いたULVR-SRAMセルの設計とそのパワーゲーティング性能2021
- 著者名/発表者名
  塩津勇作，吉田隼，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  LSIとシステムのワークショップ2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21791
[学会発表] バルクデバイスを用いた超低電圧リテンションFlip-Flopの設計と解析2021
- 著者名/発表者名
  松﨑翼，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21791
[学会発表] ボディバイアス制御ULVR-SRAMの設計と解析2021
- 著者名/発表者名
  斎藤修平，塩津勇作，原拓実，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21791
[学会発表] 擬似不揮発性FFの速度性能優先設計とその回路性能2018
- 著者名/発表者名
  北形大樹，松﨑翼，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] デュアルモードインバータを用いた疑似不揮発性SRAMの設計と解析2018
- 著者名/発表者名
  吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] デュアルモードインバータを用いた疑似不揮発性FFの設計と解析2018
- 著者名/発表者名
  北形大樹，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Design and Performance of Virtually Nonvolatile Retention Flip-Flop Using Dual-Mode Inverters2018
- 著者名/発表者名
  D. Kitagata, S. Yamamoto, and S. Sugahara
- 学会等名
  IEEE 2nd New Generation of Circuits & Systems Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの低リーク設計とそのSRAMへの応用2018
- 著者名/発表者名
  塩津勇作，山本修一郎，舟窪浩，黒澤実，菅原聡
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] A New Architecture of Store Energy and Latency Reduction for Nonvolatile SRAM Based on Spintronics/CMOS-Hybrid Technology2018
- 著者名/発表者名
  D. Kitagata, S. Yamamoto, and S. Sugahara
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Device and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計とそのデバイス・回路性能2018
- 著者名/発表者名
  塩津勇作，山本修一郎，周藤悠介，舟窪浩，黒澤実，菅原聡
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] デュアルパワースイッチを用いた擬似不揮発性SRAMの設計と解析2018
- 著者名/発表者名
  吉田隼，北形大樹，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Design and Circuit Performance of a New Piezoelectronic Transistor2018
- 著者名/発表者名
  Y. Shiotsu, S. Yamamoto, Y. Shuto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa, and S. Sugahara
- 学会等名
  2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計方法2018
- 著者名/発表者名
  塩津勇作，山本修一郎，舟窪浩，黒澤実，菅原聡
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Virtually Nonovolatile Retention Flip-Flop Using FinFET Technology2018
- 著者名/発表者名
  D. Kitagata, S. Yamamoto, and S. Sugahara
- 学会等名
  2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Virtually Nonvolatile Retention SRAM cell Using Dual-Mode Inverters2018
- 著者名/発表者名
  D. Kitagata, H. Yoshida, S. Yamamoto, and S. Sugahara
- 学会等名
  IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] 階層型ストアフリー電源遮断を用いた不揮発性SRAMのエネルギー性能2018
- 著者名/発表者名
  北形大樹，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] 不揮発性SRAMの設計とエネルギー性能の解析2017
- 著者名/発表者名
  北形大樹，周藤悠介，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2017-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] 不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能2017
- 著者名/発表者名
  北形大樹，周藤悠介，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  電気情報通信学会集積回路研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Analysis of Spin Accumulation in a Si Channel Using CoFe/MgO/Si Spin Injectors2017
- 著者名/発表者名
  T. Akushichi, D. Kitagata, Y. Shuto, and S. Sugahara
- 学会等名
  Electron Device Technology and Manufacturing Conference
- 発表場所
  Toyama, Japan
- 年月日
  2017-02-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Hierarchical Store-Free Architecture for Nonvolatile SRAM Using STT-MTJs2017
- 著者名/発表者名
  D.Kitagata, S.Yamamoto, and S.Sugahara
- 学会等名
  EEE International Electron Devices Meeting (IEDM) MRAM special session 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] 強磁性トンネル接合を用いた不揮発性SRAMの待機時電力削減能力2017
- 著者名/発表者名
  北形大樹，山本修一郎，菅原聡
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Piezoelectronic Transistor for Low-Voltage High-Speed Integrated Electronics2017
- 著者名/発表者名
  Sugahara, Y.Shuto, S.Yamamoto, H.Funakubo, and M.K.Kurosawa
- 学会等名
  IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Robust Design of Electric-field-assisted Nonlocal Si-MOS Spin-devices2016
- 著者名/発表者名
  D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara
- 学会等名
  2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2016)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2016-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Spin injection into silicon using CoFe/TiO2/Si tunnel contacts2016
- 著者名/発表者名
  Y. Ikuse, T. Akushichi, Y. Shuto, Y. Takamura, and S. Sugahara
- 学会等名
  The 13th Joint MMM-Intermag Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2016-01-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Nonvolatile Power-gating Architecture for SRAM using SOTB Technology2016
- 著者名/発表者名
  Y. Shuto, S. Yamamoto, and S. Sugahara
- 学会等名
  2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2016)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2016-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Design and Implementation of Nonvolatile Power-Gating SRAM Using SOTB Technology2016
- 著者名/発表者名
  Y. Shuto, S. Yamamoto, and S. Sugahara
- 学会等名
  International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2016-08-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] New power-gating architectures using nonvolatile retention: Comparative study of nonvolatile power-gating (NVPG) and normally-off architectures for SRAM2016
- 著者名/発表者名
  Y. Shuto, S. Yamamoto, and S. Sugahara
- 学会等名
  29th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2016-03-28
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] 電界アシスト4端子非局所MOSデバイスの解析と設計2016
- 著者名/発表者名
  北形大樹，悪七泰樹，菅原聡
- 学会等名
  第21回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-21)
- 発表場所
  札幌市
- 年月日
  2016-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Energy Performance of Nonvolatile Power-Gating SRAM Using SOTB Technology2016
- 著者名/発表者名
  Y. Shuto, S. Yamamoto, and S. Sugahara
- 学会等名
  46th European Solid-State Device/Circuit Conference (ESSDERC/ESSCIRC)
- 発表場所
  Lausanne, Switzerland
- 年月日
  2016-09-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAMs2016
- 著者名/発表者名
  Y. Takamura, Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Funakubo, M.K. Kurosawa, S. Nakagawa, S. Sugahara
- 学会等名
  EUROSOI-ULIS 2016
- 発表場所
  Vienna, Austlia
- 年月日
  2016-01-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870192
[学会発表] Spin Accumulation in a Si Channel using High-Quality CoFe/MgO/Si Spin Injectors2016
- 著者名/発表者名
  T. Akushichi, D. Kitagata, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara
- 学会等名
  2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2016)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2016-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] 不揮発性SRAMを用いたパワーゲーティングアーキテクチャの定量比較2015
- 著者名/発表者名
  周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市, 愛知
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] CoFe/TiO2/Siトンネルコンタクトを用いたSiへのスピン注入2015
- 著者名/発表者名
  生瀬裕之, 悪七泰樹, 周藤悠介, 髙村陽太, 菅原聡
- 学会等名
  第20回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-20)
- 発表場所
  仙台市, 宮城
- 年月日
  2015-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Design and analysis of electric-field-assisted nonlocal silicon-channel spin devices2015
- 著者名/発表者名
  Daiki Kitagata, Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara
- 学会等名
  2015 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2015)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-06-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] CMOS/スピントロニクス融合技術による待機時消費電力削減アーキテクチャ2015
- 著者名/発表者名
  周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡
- 学会等名
  応用物理学会スピントロニクス研究会
- 発表場所
  千代田区, 東京
- 年月日
  2015-11-12
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Fabrication of high quality Co2FeSi0.5Al0.5/CoFe/MgO/Si tunnel contacts for Si-channel spin devices2015
- 著者名/発表者名
  T. Kondo, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara
- 学会等名
  第20回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-20)
- 発表場所
  仙台市, 宮城
- 年月日
  2015-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Fabrication of high-quality Co2FeSi0.5Al0.5/CoFe/MgO/Si spin injectors for Si-channel spin devices2015
- 著者名/発表者名
  Tsuyoshi Kondo, Yu Kawame, Yota Takamura, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara
- 学会等名
  2015 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2015)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-06-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Design of electric-field-assisted nonlocal silicon-channel spin devices2015
- 著者名/発表者名
  D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara
- 学会等名
  第20回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-20)
- 発表場所
  仙台市, 宮城
- 年月日
  2015-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Quantitative comparison of power-gating architectures for FinFET-based nonvolatile SRAM using spintronics retention technology2015
- 著者名/発表者名
  Yusuke Shuto, Shuu’ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara
- 学会等名
  4th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems (E3S)
- 発表場所
  Berkeley, CA, USA
- 年月日
  2015-10-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Inverse-magnetostriction-induced switching current reductionfor spin-transfer torque MTJs2015
- 著者名/発表者名
  Yota Takamura , Shigeki Nakagawa , Satoshi Sugahara
- 学会等名
  The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015
- 発表場所
  NAGOYA CONGRESS CENTER
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870192
[学会発表] スピントランジスタによる新しいエレクトロニクスの展開2009
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  大岡山, 東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Spin-functional MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 学会等名
  International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 : Prospects by World's Leading Scientists
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Electrical Properties of(110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique2009
- 著者名/発表者名
  S.Dissanayake, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] スピン機能MOSFETとその集積回路応用2009
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 学会等名
  日本磁気学会第168回研究会第26回スピンエレクトロニクス専門研究会
- 発表場所
  仙台、富城
- 年月日
  2009-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance(110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique2009
- 著者名/発表者名
  S.Dissanayake, S.Sugahara, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  International Conference on Solid Sate Devices and Materials(SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] SOI-Based Spin- Transistor Technologies (invited)2009
- 著者名/発表者名
  S. Sugahara, Y. Takamura
- 学会等名
  215th ECS Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Spin-functional MOSFETs (invited)2009
- 著者名/発表者名
  S. Sugahara
- 学会等名
  International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] スピン機能MOSFETとその集積回路応用(invited)2009
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 学会等名
  日本磁気学会第168回研究会第26回スピンエレクトロニクス専門研究会
- 発表場所
  仙台, 宮城
- 年月日
  2009-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance (110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique2009
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  SSDM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Spin-Transistor Electronics with Spin-MOSFETs (invited)2009
- 著者名/発表者名
  Satoshi Sugahara
- 学会等名
  Symposium: Integration of Metallic and Semiconductor Systems in Spin Electronics, The 32nd Annual Conference on Magnetics in Japan
- 発表場所
  Tagajo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開(invited)2009
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第111回研究集会
- 発表場所
  大岡山, 東京
- 年月日
  2009-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] SOI-Based Spin-Transistor Technologies2009
- 著者名/発表者名
  S.Sugahara, Y.Takamura
- 学会等名
  1st International Symposium on Graphene and Emerging Materials for Post-CMOS Applications, 215th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] スピントランジスタによる新しいエレクトロニクスの展開(invited)2009
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  大岡山, 東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] SpihTransistor Electronics with Spin-MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Satoshi Sugahara
- 学会等名
  Symposium : Integration of Metallic and Semiconductor Systems in Spin Electronics, The 32nd Annual Conference on Magnetics in Japan
- 発表場所
  Tagajo, Japan(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical MOS Interfaces by using Metal Source/Drain GOI MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara and S. Takaai
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] RTAを用いて作製したフルホイスラー合金Co2FeSi、Co2FeGeの構造2008
- 著者名/発表者名
  高村陽太, 長浜陽平, 西島輝, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  於日本大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Electrical Characteristics of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2008
- 著者名/発表者名
  Sanjeewa Dissanayake, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  於中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication Technique of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloys for Half-metallic Source/Drain Spin MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Yota Takamura, Akira Nishijima, Yohei Nagahama, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara
- 学会等名
  4th Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Spin transport across depletion region and energy barriers in GaAs -AlGaAs heterostructures2008
- 著者名/発表者名
  H.Munekata, J.Hayafuji, Y.Gyoda, M.Yarimizu, W.Terui, S.Sugahara
- 学会等名
  5th Intern'l Conf.on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors
- 発表場所
  Foz do Iguasu, Parana Brazil
- 年月日
  2008-08-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19048020
[学会発表] スピンMOSFETとその高機能ロジックへの応用2008
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 学会等名
  STRJワークショップ2007
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication Technique of Si and Ge-based FullHeusler Alloys for Half-metallic Source/Drain Spin MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane and S. Sugahara
- 学会等名
  4th Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] スピン機能MOSFETとその高機能ロジックへの展開-電荷とスピンの融合による新しい高性能・高機能集積回路技術-2008
- 著者名/発表者名
  菅原聡
- 学会等名
  JST Innovation Bridge
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors2008
- 著者名/発表者名
  Yota Takamura, Yohei Nagahama, Akira Nishijima, R. Nakane, S. Sugahara
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2008)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical MOS Interfaces by using Metal Source/Drain GOI MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Kiyohito Morii, Sanjeewa Dissanayake, Satoshi Tanabe, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, Satoshi Sugahara, Shinichi Takagi
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V), pp. 233-234
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] (110)Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
- 学会等名
  5th international Conference on SiGe(C)Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille, France
- 年月日
  2007-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
- 学会等名
  34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Germanium-on-insulator (GOI)基板を用いたホイスラー合金の作製とその評価2007
- 著者名/発表者名
  高村陽太, 西島輝, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  於北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Gate Dielectric Formation and MIS interface Characteriation on Ge(invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. lkeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 学会等名
  15th lnsulating Films on Semiconductors(INFOS2007)
- 発表場所
  Athens, Greece
- 年月日
  2007-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces-for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Rapid thermal annealingを用いたフルホイスラー合金の作製と評価2007
- 著者名/発表者名
  高村陽太, 西島輝, 長浜陽平, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡
- 学会等名
  第12回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会
- 発表場所
  吹田
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structure and Application to pMOSFET Devices2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  2nd International Conference on Industrial and Information Systems (ICIIS 2007)
- 発表場所
  Sri Lanka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effects of Annealing on (110) GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  於北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara, N. Sugiyama
- 学会等名
  15th Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007)
- 発表場所
  Athens, Greece
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 学会等名
  15th Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007), pp. 2314-2319
- 発表場所
  Athens, Greece
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara
- 学会等名
  34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Evaluation of SiO2/GeO2/Ge MlS Interface Properties by Low Temperature Conductance Method2007
- 著者名/発表者名
  H. Matsubara, H. Kumagai, S. Sugahara and M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Evaluation of SiO2/GeO2/Ge MIS Interface Properties by Low Temperature Conductance Method2007
- 著者名/発表者名
  H. Matsubara, H. Kumagai, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  Ext. Abs. SSDM
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] (110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara, S. Takagi
- 学会等名
  5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Understanding and Control of Ge MIS Interface Properties (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Nishikawa, H. Kumagai, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
- 学会等名
  4th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology
- 発表場所
  Dallas, USA
- 年月日
  2007-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] (110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
- 学会等名
  5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, pp. 57-58
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara and M. Takenaka
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces-for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2007-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication of(110)GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/(110)SOI Structure and Application to pMOSFET Devices2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  2nd International Conference on Industrial and Information Systems(ICIIS 2007)
- 発表場所
  University of Peradeniya, Sri Lanka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] (110) surface Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, H. Kumagai, Y. Shuto, S. Sugahara, S. Takagi
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  於北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Ultra-thin Ge-on-Insulator (GOI) Metal S/D p-channel MOSFETs fabricated by low temperature MBE growth2006
- 著者名/発表者名
  T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara, S. Takagi
- 学会等名
  Ext. Abs. SSDM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication of SiO2/Ge MIS structures by plasma oxidation of ultrathin Si films grown on Ge2006
- 著者名/発表者名
  H. Kumagai, M. Shichijo, H. Ishikawa, T. Hoshii, S. Sugahara, Y. Uchida, S. Takagi
- 学会等名
  Ext. Abs. SSDM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structures2006
- 著者名/発表者名
  Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
- 学会等名
  2006秋応物第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  於立命館大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Metal Source/Drain Ge MOSFET Technologies (invited)2006
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, K. Ikeda, T. Maeda, S. Nakaharai, N. Sugiyama, T. Uehara, S. Sugahara
- 学会等名
  Workshop on Gate Stack and Contact Engineering for sub-30nm FETs
- 発表場所
  Monterey Plaza Hotel, Monterey CA, USA
- 年月日
  2006-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Near-threshold voltage operation of nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture
- 著者名/発表者名
  7.Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, and Satoshi Sugahara
- 学会等名
  2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S2014)
- 発表場所
  Millbrae, CA, USA
- 年月日
  2014-10-06 – 2014-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Analysis and design of nonlocal spin devices with bias-induced spin-transport acceleration
- 著者名/発表者名
  Yota Takamura, Taiju Akushichi, Yusuke Shuto, and Satoshi Sugahara
- 学会等名
  59th Annual Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM2014)
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2014-11-03 – 2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] 0.5V operation and performance of nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture
- 著者名/発表者名
  8.Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, and Satoshi Sugahara
- 学会等名
  2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2014)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-09-09 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] “Fabrication of a CoFe/TiO2/Si tunnel contact and its spin-injector application
- 著者名/発表者名
  Yusuke Shuto, Katsunori Takahashi, Taiju Akushichi, and Satoshi Sugahara
- 学会等名
  59th Annual Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM2014)
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2014-11-03 – 2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing
- 著者名/発表者名
  Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, and Satoshi Sugahara
- 学会等名
  59th Annual Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM2014)
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2014-11-03 – 2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630153
[学会発表] Comparative Study of Power-Gating Architectures for Nonvolatile SRAM Cells Based on spintronics Technology
- 著者名/発表者名
  Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara
- 学会等名
  2014 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS2014)
- 発表場所
  Okinawa, Japan
- 年月日
  2014-11-17 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Electrical Properties of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  2008年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Comparative study of power-gating architectures for nonvolatile FinFET-SRAM using spintronics-based retention technology
- 著者名/発表者名
  Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara
- 学会等名
  18th Design, Automation and Test in Europe (DATE15)
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2015-03-09 – 2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049
[学会発表] Design and performance of nonvolatile SRAM cells based on pseudo-spin-FinFET architecture
- 著者名/発表者名
  Y. Shuto, S. Yamamoto, and S. Sugahara
- 学会等名
  2014 IEEE Silicon Nanotechnology Workshop (SNW2014)
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249049

1. 松村正清 (30110729)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 内田恭敬 (80134823)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
3. 田中雅明 (30192636)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 53件
4. 竹中充 (20451792)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 29件
5. 中根了昌 (50422332)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 5件
6. 北本仁孝 (10272676)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 高木信一 (30372402)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 50件
8. 大矢忍 (20401143)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
9. 宗片比呂夫 (60270922)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
10. 井上順一郎 (60115532)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 高村陽太 (20708482)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
12. 中川茂樹 (60180246)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
13. 舟窪浩 (90219080)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 黒沢実 (70170090)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 山本修一郎 (50313375)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
16. 周藤悠介 (80523670)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
17. ファムナム　ハイ (50571717)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
18. 橋本佑介 (20400989)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 今井茂 (40223309)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 宮本恭幸 (40209953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 福田浩一 (00586282)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 荒井昌和 (90522003)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 後藤高寛 (70827914)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 葉山浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 黒澤実

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
26. 船窪浩

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

菅原 聡 Sugahara Satoshi

研究課題

研究成果

共同研究者

エネルギー極小点動作PIM型ニューラルネットワークアクセラレータの研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Beyond-CMOSを用いた超低消費電力・高速集積回路・アーキテクチャ技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

CMOS/スピントロニクス融合回路による不揮発性パワーゲーティング技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

拡散/ドリフト領域におけるHanle効果を用いたスピン注入・伝導の評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン系強磁性半導体の創製とそのスピンデバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

表面状態制御によるSiGe混晶表面へのSiの単原子層吸着研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

菅原聡 Sugahara Satoshi