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藤永 清久  FUJINAGA Kiyohisa

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40285515
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2013年度: 北海道科学大学, 創生工学部, 教授
2010年度 – 2012年度: 北海道工業大学, 創生工学部, 教授
2004年度 – 2006年度: 北海道工業大学, 工学部, 教授
1998年度 – 2000年度: 北海道工業大学, 工学部, 教授
1997年度: 北海道工業大学, 工学部・経営工学科, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者
SOI / MOSFET / 電界効果素子 / SIMOX / SiGe / CVD / 量子井戸 / Hole Mobility / Buried Channel / Quantum Well … もっと見る / 移動度 / 正孔 / 転位密度 / 電界効果デバイス / サブスレッショルド特性 / ダブルチャネル / ホール移動度 / 埋め込みチャネル / hole current / transistor / quantum well / germanium / silicon / 電界解効果素子 / ホール電流 / 気相成長法 / トランジスタ / ゲルマニウム / シリコン / 光誘起 / 光誘起電流 / SiGe量子井戸 / シミュレーション / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / 先端機能デバイス / 結晶成長 / 実効移動度 / 正孔電流 / バックゲート / シリコン・ゲルマニウム 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (19件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  光誘起電流変調を利用した多値化信号生成素子を創成するSiGeヘテロ接合特性の評価研究代表者

    • 研究代表者
      藤永 清久
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      北海道科学大学
  •  ナノメータSOIデバイス構造に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      藤永 清久
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      北海道工業大学
  •  SOI基板上に形成したSiGe多重量子井戸チャネル電界効果素子の電気的特性を評価する研究代表者

    • 研究代表者
      藤永 清久
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      北海道工業大学

すべて 2014 2013 2012 2007 2006 2005 2004

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] SIMOX基板の埋め込み酸化膜をゲートに用いたSiGe p-MOSFETの電気特性2014

    • 著者名/発表者名
      藤永清久
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌C

      巻: J97-C ページ: 246-248

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560339
  • [雑誌論文] SIMOX基板の埋め込み酸化膜をゲート酸化膜に用いたSiGe p-MOSFETの電気特性2014

    • 著者名/発表者名
      藤永清久
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌C

      巻: Vol. J97-C,No. 5 ページ: 246-248

    • URL

      http://search.ieice.org/bin/index.php?category=C&lang=J&curr=1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560339
  • [雑誌論文] 学生に達成感を感じさせるHDL教育の実践2014

    • 著者名/発表者名
      藤永清久
    • 雑誌名

      工学教育

      巻: 62 号: 1 ページ: 1_72-1_76

    • DOI

      10.4307/jsee.62.1_72

    • NAID

      130003393184

    • ISSN
      1341-2167, 1881-0764
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560339
  • [雑誌論文] Effective hole mobility in SiGe buried-channel well MOSFETs on SOI by low-pressure CVD2013

    • 著者名/発表者名
      K. Fujinaga
    • 雑誌名

      ECS. J. Solid State Sci. Technol.

      巻: Vol. 2, No. 9 号: 9 ページ: Q142-Q146

    • DOI

      10.1149/2.007309jss

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560339
  • [雑誌論文] Effective Hole mobilities in the buried channel of multiple SiGe quantum wells grown by ultra-clean low-pressure CVD2007

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      Semiconductor Technology 2007・1

      ページ: 15-22

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [雑誌論文] Effective hole mobilities in the buried channel of multiple SiGe quantum wells grown by ultra-clean low-pressure CVD2007

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      Semiconductor Technology PV2007-03

      ページ: 15-22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [雑誌論文] Buried-channel field effect transistors of triple SiGe quantum wells on SOI2006

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      SiGe and Ge : Materials, Processing, and Devices 3・7

      ページ: 973-979

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [雑誌論文] Buried-channel field effect transistors of triple SiGe quantum wells on SOI.2006

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      SiGe & Ge Materials, Processing, and Devices Vol.3

      ページ: 973-979

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [雑誌論文] Buried - channel field effect transistors of triple SiGe quantum wells on SOI2006

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      SiGe & Ge Materials,Processing,and Devices 13

      ページ: 973-979

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [雑誌論文] Electrical investigation of Si/SiGe layers grown on a nanometer-thick SOI by CVD.2005

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Lett. Vol.7

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [雑誌論文] Electrical investigation of Si/SiGe layers grown on a nanometer - thick SOI by CVD2005

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Lett 7

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [雑誌論文] A check system of process machine schedules by mobile agents2004

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      Proceedings of 5^<th> APIEMS 2004

      ページ: 1911-1917

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [雑誌論文] Electrical Investigation of Si/SiGe layers grown on a nanometer-thick SOI by CVD2004

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters 7

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [雑誌論文] Hole mobilities in the Si/SiGe grown on nanometer SOI of SIMOX2004

    • 著者名/発表者名
      K.Fujinaga
    • 雑誌名

      Proceedings of 7^<th> IEEE-ICSICT 2004

      ページ: 2218-2221

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560305
  • [学会発表] エージェント生産システムにおけるハイブリッドスケジューリングに関する研究2013

    • 著者名/発表者名
      蔵徹郎,藤永清久
    • 学会等名
      電子情報通信学会北海道支部インターネットシンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560339
  • [学会発表] ジョブショップスケジューリングにおけるGAと再帰的伝搬法の比較検討2012

    • 著者名/発表者名
      蔵徹郎,藤永清久
    • 学会等名
      日本経営工学会秋季研究大会
    • 発表場所
      大阪工業大学(予稿集,D16)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560339
  • [学会発表] 機械故障による生産遅延発生時における再スケジューリングの最適化2012

    • 著者名/発表者名
      蔵徹郎,藤永清久
    • 学会等名
      電子情報通信学会基礎・境界ソサイエティ大会
    • 発表場所
      岐阜大学(基礎・境界論文集,A-12-8)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560339
  • [学会発表] 再帰的伝搬法に基づく自立分散型のマシンスケジューリング2012

    • 著者名/発表者名
      蔵徹郎,藤永清久
    • 学会等名
      電子情報通信学会北海道支部インターネットシンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560339
  • [学会発表] GAと再帰的伝搬法を用いたジョブショップスケジューリング2012

    • 著者名/発表者名
      蔵徹郎,藤永清久
    • 学会等名
      電気・情報関係学会北海道支部連合大会
    • 発表場所
      北海道大学(No. 189)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560339
  • 1.  渋谷 正弘 (00196453)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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