川本清 Kawamoto Kiyoshi

研究者番号	40302822
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 八戸工業大学, 大学院工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2011年度: 八戸工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2007年度: 東京大学, 大学院・総合文化研究科, 助教 2006年度: 東京大学, 大学院総合文化研究科, 助手 1998年度 – 2005年度: 東京大学, 大学院・総合文化研究科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者薄膜・表面界面物性 / 表面界面物性研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 核融合学
キーワード	研究代表者仮想基板 / 基板応力制御 / ヘテロ界面 / 酸化 / 混晶表面研究代表者以外 SiGe / SiGe-OI / amplified spontaneous emission / on-off gain / current injection … もっと見る / direct-gap / proximity effect / GaSb quantum Dots / group-IV photonics / Si-based semiconductor optical amplifier / SOI導波路 / シリコンテクノロジ / 自由キャリア吸収 / 結晶欠陥 / 誘導放出光 / 電流注入モード / on-off利得 / 増幅された自然放出光 / オンオフ利得 / 電流励起 / ガリウムアンチモン量子ドット / シリコンフォトニクス / 直接遷移化 / シリコンレーザ / シリコン光増幅器 / electro-optic modulator / electroreflectance / transient response / quantum photodetector / MSM photodetecotr / anomalous above-band-gap absorption / oxidized SiGe / SOI / MSM型表面光検出器 / 不均一幅 / 格子欠陥 / シリコンゲルマニウム混晶 / 光電子量子検出器 / 基板分離構造(SOI) / 吸収変調 / 動特性 / 直線性 / 分離基板(SOI) / 近赤外長波長 / 化合物半導体 / 光照射欠陥反応促進効果 / 異常光吸収バンド / 酸化シリコンゲルマニウム / 表面近傍光電子量子検出器 / 分離基盤(SOI) / EO変調器 / エレクトロリフレクタンス / 過渡応答 / 量子検出器 / MSM検出器 / 異常吸収 / 酸化SiGe / SOI構造 / Auger recombination / real space transfer / two level system / infrared radiation / intersubband luminescence / Si heterostructures / light-emitting silicon / 分子線エピタキシー(MBE) / SiGeOI基板分離構造 / 高移動度トランジスタ(HEMT) / 非平衡電子分布 / サブバンド間遷移 / シリコン系半導体 / 電子・光閉じ込め / シリコンチャネル高移動度トランジスタ / 異常反射率 / 遠赤外光発生 / エネルギー緩和 / シリコンベース量子構造 / Auger / 実空間トランスファ / 2準位系 / 遠赤外光 / サブバンド間発光 / Siヘテロ構造 / シリコンの発光機構 / Near-surface optical absorption band / Ge content ceiling in SiGe-OI / SiOィイD22ィエD2 quantum structures / SiGe virtual substrate / SiOィイD22ィエD2 heterostructures / Epitaxial Si / Hybrid epitaxy / 高密度励起子 / SiGe混晶ベース量子構造 / 電子・光の閉じ込め / エピSi / 非晶質シリコン酸化物障壁 / ワイドギャップ・低誘電率 / 半導体ヘテロ構造 / 表面光吸収バンド / Ge組成上限 / SiO_2量子構造 / 低速イオン注入複合分子線エピタキシ法 / SiGe仮想基板層 / SiO_2拡張構造 / エピ性Si / 界面強度 / 被覆接合 / 第一壁 / タングステン隠す

電子線照射プロセス利用による超微細粒第一壁タングステン被覆開発
- 研究代表者
  
  佐藤学
- 研究期間 (年度)
  2011
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  核融合学
- 研究機関
  八戸工業大学
シリコンを障壁とする高輝度半導体量子ドットのシリコンベース光増幅器への応用
- 研究代表者
  
  深津晋
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
表面応力制御基板とエピタキシー研究代表者
- 研究代表者
  
  川本清
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東京大学
SiGe混晶表面の初期酸化過程のその場観察研究代表者
- 研究代表者
  
  川本清
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京大学
実空間トランスファを利用したシリコンベース量子構造による遠赤外光発生
- 研究代表者
  
  深津晋
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
シリコンゲルマニウム混晶の異常吸収バンドを利用した「表面」光検出器の開発研究
- 研究代表者
  
  深津晋
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
低速イオン注入複合分子線エピタキシンによる単結晶シリコン・酸化物量子構造の形成
- 研究代表者
  
  深津晋
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学

すべて 2009 2008 2007 2005 2002 2000

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Amplified spontaneous emission from GaSb quantum dots in Si grown by MBE2007
- 著者名/発表者名
  N.Yasuhara, M.Jo, Y.Sugawara, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 雑誌名
  
  J.Cyst.Growth 301-302
  
  ページ: 718-721
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[雑誌論文] Amplified spontaneous emission from GaSb quantum dots in Si grown by MBE(There are 9 peer-reviewed papers not listed here)2007
- 著者名/発表者名
  N.Yasuhara, M.Jo, Y.Sugawara, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 雑誌名
  
  J.Cyst.Growth 301-302
  
  ページ: 718-721
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[雑誌論文] A Si-based quantum-dot light emitting diode2005
- 著者名/発表者名
  M.Jo, K.Ishida, N.Yasuhara, Y.Sugawara, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[雑誌論文] Near-infrared gain in GaSb quantum dots in Si grown by MBE2005
- 著者名/発表者名
  M.Jo, N.Yasuhara, Y.Sugawara, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 278
  
  ページ: 142-145
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[雑誌論文] Laser-Induced Photoluminescence Enhancement in a Room-Temperature Emitting SiGe Based Alloy Quantum Well2002
- 著者名/発表者名
  D.Hippo, Y.Sugawara, Y.Kishimoto, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41, 12B
- NAID
  110004080971
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555085
[雑誌論文] Laser-Induced Photoluminescence Enhancement in a Room-Temperature Emitting SiGe Based Alloy Quantum Well2002
- 著者名/発表者名
  D.Hippo, Y.Sugawara, Y.Kishimoto, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41, 12B
- NAID
  110004080971
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450005
[雑誌論文] Anomalous surface absorption band at 1.2eV in Si_<1-x>Ge_x alloy-based structures2000
- 著者名/発表者名
  Y.Kishimoto, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 369
  
  ページ: 423-425
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555085
[学会発表] Siの転位起源D4蛍光と900meV,D12光利得蛍光の強い相関と電子状態間結合2009
- 著者名/発表者名
  田名網宣成, 五十嵐潤, 安武裕輔, 川本清
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大,つくば
- 年月日
  2009-04-02
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] 歪緩和GaSb-Si III-V-in-Si量子ドットにおけるサブギャップ遅延蛍光2008
- 著者名/発表者名
  寺田陽祐, 川本清, 深津晋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日大理工,船橋
- 年月日
  2008-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] シリコンの転位起源D12蛍光線の光利得2008
- 著者名/発表者名
  五十嵐潤, 川本清, 深津晋
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学,春日井
- 年月日
  2008-09-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] GaSb量子ドットを埋め込んだSiGeからの900-meV蛍光線の光利得2008
- 著者名/発表者名
  川本清, 深津晋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日大理工,船橋
- 年月日
  2008-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] Group-III-V-in-Si as opposed to III-V-on-Si as an alternative route to light harvesting in Si2008
- 著者名/発表者名
  K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 学会等名
  Materials Research Society 2008 Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2008-03-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] Optical Gain of Dislocation-related D12 Emission Line in Si2008
- 著者名/発表者名
  N.Tana-ami, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 学会等名
  Materials Research Society 2008 Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2008-12-03
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] Type-II Sil-xGex/Si(001)歪量子井戸における実空間電子移動と寿命伸展2007
- 著者名/発表者名
  寺田陽祐, 安原望, 中島法子, 川本清, 深津晋
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学,札幌
- 年月日
  2007-09-06
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] 近表面酸化SiGeベースMSM近赤外光検出器/変調器の時間応答2007
- 著者名/発表者名
  五十嵐潤, 川本清, 深津晋
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学,札幌
- 年月日
  2007-09-06
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] マルチモードSOI導波路を利用した誘導パラメトリック過程の位相整合条件の緩和2007
- 著者名/発表者名
  安田和史, 田名網宣成, 安原望, 菅原由隆, 川本清, 深津晋
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大,相模原
- 年月日
  2007-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] Origin of quantum confinement of electrons-hole pairs at the type-II heterointerface of GaSb-Si quantum dot2005
- 著者名/発表者名
  M.Jo, N.Yasuhara, Y.Sugawara, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 学会等名
  8^th International Conference on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces(ACSIN8)
- 発表場所
  Stockholm
- 年月日
  2005-07-22
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] Origin of quantum confinement of electrons-hole pairs at the type-II heterointerface of GaSb-Si quantum dot2005
- 著者名/発表者名
  M.Jo, N.Yasuhara, Y.Sugawara, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 学会等名
  8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces(ACSIN-8)(Session Misc P.418)
- 発表場所
  Stockholm
- 年月日
  2005-06-22
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] GaSb Quantum Dot Growth on Si(001) Covered with Sub-Monolayer Sb as Studied by Atomic Force2005
- 著者名/発表者名
  K.Kawamoto, M.Jo, Y.Sugawara, S.Fukatsu
- 学会等名
  Microcopy, International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI4)
- 発表場所
  Awajishima, Hyogo
- 年月日
  2005-05-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] A RooM-TEMPERATURE OPERATING si-BASED QUANTUM-DOT LED2005
- 著者名/発表者名
  M.Jo, N.Yasuhara, Y.Sugawara, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 学会等名
  European Materials Research Society 2005 Spring Meeting Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2005-05-31
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] DEMONSTRATION OF AN ELECTRICALLY PUMPED SI-BASED QUANTUM DOT OPTICAL AMPLIFIER2005
- 著者名/発表者名
  S.Fukatsu, M.Jo, N.Yasuhara, Y.Sugawara, K.Kawamoto
- 学会等名
  European Materials Research Society 2005 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2005-06-03
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] Room-temperature operation of a Si-based LED with strained-GaSb quantum- dot-embedded-silicon in the active region2005
- 著者名/発表者名
  M.Jo, N.Yasuhara, Y.Sugawara, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 学会等名
  International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-4)
- 発表場所
  Awajishima, Hyogo
- 年月日
  2005-05-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360007
[学会発表] Electromodulation of the 1.2-eV near-surface absorption band in SiGe alloys2000
- 著者名/発表者名
  Y.Kishimoto, K.Kawamoto, S.Fukatsu
- 学会等名
  61st Fall Meeing
- 発表場所
  Hokkaido Inst.Technol.
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12555085

1. 深津晋 (60199164)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 22件
2. 谷由加里

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 佐藤学 (40226006)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 阿部勝憲 (70005940)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 小比類巻孝幸 (70215375)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 迫井裕樹 (30453294)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 嶋脇秀隆 (80241587)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 信山克義 (00326638)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

川本 清 Kawamoto Kiyoshi

研究課題

研究成果

共同研究者

電子線照射プロセス利用による超微細粒第一壁タングステン被覆開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンを障壁とする高輝度半導体量子ドットのシリコンベース光増幅器への応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

表面応力制御基板とエピタキシー研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

SiGe混晶表面の初期酸化過程のその場観察研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

実空間トランスファを利用したシリコンベース量子構造による遠赤外光発生

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンゲルマニウム混晶の異常吸収バンドを利用した「表面」光検出器の開発研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低速イオン注入複合分子線エピタキシンによる単結晶シリコン・酸化物量子構造の形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Amplified spontaneous emission from GaSb quantum dots in Si grown by MBE2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Amplified spontaneous emission from GaSb quantum dots in Si grown by MBE(There are 9 peer-reviewed papers not listed here)2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] A Si-based quantum-dot light emitting diode2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Near-infrared gain in GaSb quantum dots in Si grown by MBE2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Laser-Induced Photoluminescence Enhancement in a Room-Temperature Emitting SiGe Based Alloy Quantum Well2002

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Laser-Induced Photoluminescence Enhancement in a Room-Temperature Emitting SiGe Based Alloy Quantum Well2002

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Anomalous surface absorption band at 1.2eV in Si_<1-x>Ge_x alloy-based structures2000

著者名/発表者名

川本清 Kawamoto Kiyoshi