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前田 辰郎  Maeda Tatsurou

研究者番号 40357984
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0001-9092-6226
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究主幹
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2017年度 – 2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究主幹
2016年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員
2015年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員
2012年度 – 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学
キーワード
研究代表者
ハフニウム窒化物 / 窒化膜ゲートスタック / 窒化ハフニウム / スパッタリング / 窒化膜 / 高移動度チャネル材料 / 非酸化物 / 窒化物 / ゲートスタック / ゲルマニウム / 高移動度チャネル … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る 真空デバイス / フォトミキシング / MOSFET / ユニポーラーレーザー / Γ点バレー占有 / 量子協奏 / 音響フォノン / Geナノシート / トランジスタ / 光電変換 / THz級電磁波 / フォトダイオード / パルス波 / 空間電子走行 / テラヘルツ波発生 / アレー集積 / パルスビーム / 真空フォトダイオード / テラヘルツ波 / 光電変換デバイス / III-V半導体 / III-V族半導体 / III-V / Ge / 結晶ひずみ / 移動度 / 3次元集積 / III-V族化合物半導体 / ゲルマニウム / 赤外透過率 / 飽和溶融帯移動法 / シリコンゲルマニウム / 電子材料 / 結晶成長 / SiGe / エピタキシャル / マイクロ・ナノデバイス / 半導体物性 / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / エピタキシャル成長 / 表面・界面物性 / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 電子・電気材料 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 研究成果

    (84件)
  • 共同研究者

    (23人)
  •  真空光トランジスタの創成と超高周波電磁波発生

    • 研究代表者
      加藤 和利
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      九州大学
  •  電子・フォノン・光の量子協奏がもたらす通信波長帯IV族半導体レーザー

    • 研究代表者
      深津 晋
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      東京大学
  •  自由空間電子走行型光電変換デバイスの創生とテラヘルツ波パルスビームの実現

    • 研究代表者
      加藤 和利
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      九州大学
  •  layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御

    • 研究代表者
      高木 信一
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  最高速CPU開発に向けた高品質バルク混晶シリコンゲルマニウム単結晶育成方法の確立

    • 研究代表者
      荒井 康智
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
  •  Ⅲ‐Ⅴ族pチャネルMOSFETのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御

    • 研究代表者
      安田 哲二
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所
  •  次世代高移動度チャネル材料向け全窒化膜ゲートスタック技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      前田 辰郎
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Surface reaction via cyclic HI and O2 plasma treatments for Ge digital dry etching2022

    • 著者名/発表者名
      H. Ishii, W. H. Chang, H. Ishii, M. Ke, and T. Maeda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 61

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] Low thermal budget epitaxial lift off (ELO) for Ge (111)-on-insulator structure2022

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, H. -W. Wan, Yi. -T. Cheng, Y. -H. G. Lin, T. Irisawa, H Ishii, J. Kwo, M. Hong, and T. Maeda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 61 号: SC ページ: SC1024-SC1024

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac3fca

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] Layer Transfer Technology for Stacked Multi-Channel Semiconductor-on-Insulator Platform2021

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T.-Z. Hong, P.-J. Sung, T. Irisawa, H. Ishii1, Y.-J. Lee and T. Maeda
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 102(4) 号: 4 ページ: 17-26

    • DOI

      10.1149/10204.0017ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] High and broadband sensitivity front- side illuminated InGaAs photo field- effect transistors (photoFETs) with SWIR transparent conductive oxide (TCO) gate2021

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, K. Ohishi, H. Ishii, W. H. Chang, T. Shimizu, A. Endo, H. Fujisiro and T. Koida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 119 号: 19 ページ: 192101-192101

    • DOI

      10.1063/5.0065776

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-20K05339
  • [雑誌論文] 転写技術を用いたSi基板上の表面照射型InGaAs PhotoFETsによる赤外線検出2021

    • 著者名/発表者名
      OISHI Kazuaki、ISHII Hiroyuki、CHANG Wen-Hsin、SHIMIZU Tetsuji、ISHII Hiroto、FUJISHIRO Hiroki、ENDOH Akira、MAEDA Tatsuro
    • 雑誌名

      表面と真空

      巻: 64 号: 2 ページ: 74-79

    • DOI

      10.1380/vss.64.74

    • NAID

      130007985482

    • ISSN
      2433-5835, 2433-5843
    • 年月日
      2021-02-10
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] Optical study of electron and acoustic phonon confinement in ultrathin-body germanium-on-insulator nanolayers2021

    • 著者名/発表者名
      V. Poborchii, J. Groenen, P. I. Geshev, J. Hattori, W. H. Chang, H. Ishii, T. Irisawa, and T. Maeda
    • 雑誌名

      Nanoscale

      巻: 13 号: 21 ページ: 9686-9697

    • DOI

      10.1039/d1nr01355f

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] Spectral Responsivity Characteristics of Front‐Side Illumination InGaAs PhotoFETs on Si2020

    • 著者名/発表者名
      O. Ohishi, H. Ishii, W. H. Chang, H. Ishii, A. Endo, H. Fujisiro and T. Maeda
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi A

      巻: 218(3) 号: 3

    • DOI

      10.1002/pssa.202000439

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] Performance and reliability improvement in Ge(100) nMOSFETs through channel flattening process2020

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, W. Mizubayashi, H. Ishii, and T. Maeda
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 169 ページ: 107816-107816

    • DOI

      10.1016/j.sse.2020.107816

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K15053, KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] (Invited) Epitaxial Growth of Ge/III-V Films and Hetero-Layer Lift-off for Ultra-Thin GeOI Fabrication2020

    • 著者名/発表者名
      Maeda Tatsuro、Irisawa Toshifumi、Ishii Hiroyuki、Chang Wen Hsin
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 98 号: 5 ページ: 157-167

    • DOI

      10.1149/09805.0157ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] InGaAs photo field-effect-transistors (PhotoFETs) on half-inch Si wafer using layer transfer technology2020

    • 著者名/発表者名
      Maeda Tatsuro、Ishii Hiroyuki、Chang Wen Hsin、Shimizu Tetsuji、Ishii Hiroto、Ohishi Kazuaki、Endoh Akira、Fujishiro Hiroki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SG ページ: SGGE03-SGGE03

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab5b44

    • NAID

      210000157638

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] Physical Mechanisms of Mobility Enhancement in Ultrathin Body GeOI pMOSFETs Fabricated by HEtero-Layer-Lift-Off Technology2018

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, N. Uchida and T. Maeda
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 66 号: 3 ページ: 1182-1188

    • DOI

      10.1109/ted.2019.2895349

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] Ultra-thin germanium-tin on insulator structure through direct bonding technique2018

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka and N. Uchida
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology

      巻: 33 号: 12 ページ: 124002-124002

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aae620

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [雑誌論文] High performance UTB GeOI n and pMOSFETs featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology2018

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida, and T. Maeda
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 86 号: 10 ページ: 25-34

    • DOI

      10.1149/08610.0025ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] Si1-XGeX bulk single crystals for substrates of electronic devices2017

    • 著者名/発表者名
      Kyoichi Kinoshita,Yasutomo Arai, Tatsuro Maeda, Osamu Nakatsuka
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 70 ページ: 12-16

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.10.012

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K04671
  • [雑誌論文] First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs2017

    • 著者名/発表者名
      W.-H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida, and T. Maeda
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Electron Devices

      巻: 64 号: 11 ページ: 4615-4621

    • DOI

      10.1109/ted.2017.2756061

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [雑誌論文] Hole Hall mobility of SiGe alloys grown by the traveling liquidus-zone method2015

    • 著者名/発表者名
      Tatsuro Maeda, Hiroyuki Hattori, Wen Hsin Chang, Yasutomo Arai and Kyoichi Kinoshita
    • 雑誌名

      Applied physics letters

      巻: 107 号: 15 ページ: 152104-152104

    • DOI

      10.1063/1.4933330

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K04671
  • [雑誌論文] Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures2015

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, and Tatsuro Maeda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 54 号: 2 ページ: 021201-021201

    • DOI

      10.7567/jjap.54.021201

    • NAID

      210000144768

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246058
  • [雑誌論文] 金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究2014

    • 著者名/発表者名
      三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎
    • 雑誌名

      第19回ゲートスタック研究会(主催 応用物理学会薄膜・表面物理分科会,シリコンテクノロジー分科会)

      巻: 19 ページ: 163-166

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560390
  • [雑誌論文] Solid phase epitaxy of GeSn alloys on silicon and integration in MOSFET devices2014

    • 著者名/発表者名
      Ruben R. Lieten, Tatsuro Maeda, Jin Won Seo, Wipakorn Jevasuwan, Hiroyuki Hattori, Noriyuki Uchida, Shu Miura, Masatoshi Tanaka, Claudia Fleischmanna, Andre Vantomme, Brett C. Johnson, Jean-Pierre Locquet
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 64 ページ: 149-160

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560390
  • [雑誌論文] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013

    • 著者名/発表者名
      後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 113 ページ: 37-42

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246058
  • [雑誌論文] 窒素組成制御による 金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究2013

    • 著者名/発表者名
      三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎
    • 雑誌名

      第18回ゲートスタック研究会

      巻: 18 ページ: 159-162

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560390
  • [学会発表] HI/O2プラズマを用いた常温でのGeサイクルドライエッチングの検討2022

    • 著者名/発表者名
      大石和明、石井寛仁、張文馨、石井裕之、遠藤聡、藤代博記、前田辰郎
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜ゲートを用いた表面照射型InGaAs PhotoFETsの特性評価2022

    • 著者名/発表者名
      大石和明、石井寛仁、張文馨、石井裕之、遠藤聡、藤代博記、前田辰郎
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] In2O3系近赤外域透明導電膜ゲートを用いた InGaAs PhotoFETsの動作実証2022

    • 著者名/発表者名
      大石和明、石井寛仁、張文馨、石井裕之、遠藤聡、藤代博記、前田辰郎
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第27回研究会)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Heterogeneous material integration by layer transfer technology2021

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda
    • 学会等名
      IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] UTB-GeOI の量子化準位の顕微フォトリフレクタンス測定2021

    • 著者名/発表者名
      公平拓見、安武裕輔、張文馨、入沢寿史、石井裕之、前田辰郎、深津晋
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] 異種半導体材料の積層化およびデバイス集積化技術2021

    • 著者名/発表者名
      前田辰郎
    • 学会等名
      第5回3次元積層半導体量子イメージセンサ研究会
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] 寄生抵抗を考慮した近赤外InGaAs PhotoFETsの感度評価2021

    • 著者名/発表者名
      大石和明、石井寛仁、張文馨、石井裕之、遠藤聡、藤代博記、前田辰郎
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Low Thermal Budget Epitaxial Lift Off for Ge (111)-on-Insulator Structure2021

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, H. -W. Wan, Yi. -T. Cheng, Y. -H. G. Lin, T. Irisawa, H Ishii, J. Kwo, M. Hong, and T. Maeda
    • 学会等名
      53rd International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] 近赤外域透明導電性酸化膜ゲートによる表面照射型InGaAs PhotoFETs2021

    • 著者名/発表者名
      大石和明、石井寛仁、張文馨、石井裕之、遠藤聡、藤代博記、前田辰郎
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Surface reaction via cyclic HI and O2 plasma treatments for Ge digital dry etching2021

    • 著者名/発表者名
      H. Ishii, W. H. Chang, H. Ishii, M. Ke, and T. Maeda
    • 学会等名
      34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] エピタキシャルリフトオフ(ELO)法によるGeOI(111)構造の作成2021

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, H. -W. Wan, Yi. -T. Cheng, Y. -H. G. Lin, T. Irisawa, H Ishii, J. Kwo, M. Hong, and T. Maeda
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Layer Transfer Technology for Stacked Multi-Channel Semiconductor-on-Insulator Platform2021

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T.-Z. Hong, P.-J. Sung, T. Irisawa, H. Ishii1, Y.-J. Lee and T. Maeda
    • 学会等名
      239th Electrochemical Society (ECS) Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] 異種半導体転写によるヘテロジーニアスインテグレーション2020

    • 著者名/発表者名
      前田辰郎
    • 学会等名
      SSISフォーラム(一般社団法人半導体産業人協会)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Advanced Layer Transfer Technology of post-Si Materials for Heterogeneous Integration2020

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, T. Irisawa, H. Ishii, and W. H. Chang
    • 学会等名
      4th IEEE Electron Device Technology and Manufacturing (EDTM) Conference
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Ultrathin-body GeOI の円偏光フォトルミネッセンス2020

    • 著者名/発表者名
      公平拓見、安武裕輔、張文馨、入沢寿史、石井裕之、内田紀行、前田辰郎、深津晋
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Layer transfer technology for heterogeneous material integration2020

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda
    • 学会等名
      Symposia on VLSI Technology and Circuits, Short Course
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Ultrathin-body GeOI における量子閉じ込め電子ラマン散乱2020

    • 著者名/発表者名
      公平拓見、安武裕輔、張文馨、入沢寿史、石井裕之、内田紀行、前田辰郎、深津晋
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Y2O3/Ge pMOSFETsにおけるGe表面清浄化プロセスの検討2020

    • 著者名/発表者名
      石井寛仁,張文馨, 石井裕之, 森田行則,遠藤聡, 藤代博記,前田辰郎
    • 学会等名
      SATテクノロジー・ショーケース2020
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Advanced Layer Transfer Technology of post-Si Materials for Heterogeneous Integration2020

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, T. Irisawa, H. Ishii, and W. H. Chang
    • 学会等名
      4th IEEE Electron Device Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2020
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Geチャネル平坦化プロセスにおけるGe nMOSFETsの面方位依存性2020

    • 著者名/発表者名
      石井寛仁,張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 水林亘,前田辰郎
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Ge表面清浄プロセスを用いたY2O3/Ge pMOSFETsの作製と評価2020

    • 著者名/発表者名
      石井寛仁,張文馨, 石井裕之, 森田行則,遠藤聡, 藤代博記,前田辰郎
    • 学会等名
      「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第25回研究会)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Ge/III-V Films and Hetero-Layer Lift-Off for Ultra-Thin GeOI Fabrication2020

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, T. Irisawa, H. Ishii, and W. H. Chang
    • 学会等名
      PRiME 2020 G03: SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 9
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Performance and Reliability Improvement in Ge nMOSFETs with Different Surface Orientation through Channel Flattening Process2020

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, W. Mizubayashi, H. Ishii, and T. Maeda
    • 学会等名
      4th IEEE Electron Device Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2020
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] 転写技術を用いたSi基板上の表面照射型InGaAs PhotoFETの実証2020

    • 著者名/発表者名
      大石和明,石井寛仁,張文馨, 石井裕之, 清水鉄司,遠藤聡, 藤代博記,前田辰郎
    • 学会等名
      「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第25回研究会)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Si 基板上表面照射型 InGaAs PhotoFET の近赤外域分光感度特性2020

    • 著者名/発表者名
      大石和明、石井寛仁、張文馨、石井裕之、遠藤聡、藤代博記、前田辰郎
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Performance and Reliability Improvement in Ge nMOSFETs with Different Surface Orientation through Channel Flattening Process2020

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, W. Mizubayashi, H. Ishii, and T. Maeda
    • 学会等名
      4th IEEE Electron Device Technology and Manufacturing (EDTM) Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Ge清浄表面からのY2O3/Ge pMOSFETsの作製2019

    • 著者名/発表者名
      石井寛仁,張文馨, 石井裕之, 森田行則,遠藤聡, 藤代博記,前田辰郎
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] デバイスの三次元化とその課題2019

    • 著者名/発表者名
      前田辰郎
    • 学会等名
      日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会第4回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] 新しいⅣ族半導体のトランスファー&ビルトによる新機能集積技術2019

    • 著者名/発表者名
      前田辰郎
    • 学会等名
      科学技術振興機構新技術説明会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Impact of Channel Flattening Process on Device Performance of Ge nMOSFETs with Different Surface Orientations2019

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, N. Uchida and T. Maeda
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Germanium Layer Transfer with Low Temperature Direct Bonding and Epitaxial Lift-off Technique for Ge-based monolithic 3D integration2019

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, Y. Kurashima, H. Takagi and N. Uchida
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] InGaAs photo field-effect-transistors (PhotoFETs) on Half-inch Si Wafer Using Layer Transfer Technology2019

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, H. Ishii, W. H. Chang, T. Shimizu, H. Ishii, O. Ohishi, A. Endo and H. Fujisiro
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] モノリシック3次元CMOS集積に向けたGe-On-Insulator技術2019

    • 著者名/発表者名
      前田 辰郎, 張 文馨, 入沢 寿史, 石井 裕之, 倉島優一、髙木秀樹、内田 紀行
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] 高移動度半導体薄膜接合転写とデバイス応用2019

    • 著者名/発表者名
      前田辰郎
    • 学会等名
      日本学術振興会 接合界面創成技術第191委員会第23回講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] 転写技術による表面照射型近赤外InGaAs PhotoFET の開発2019

    • 著者名/発表者名
      大石和明,石井寛仁,張文馨, 石井裕之, 清水鉄司,遠藤聡, 藤代博記,前田辰郎
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Ge基板の平坦化RTAを用いたin-situ Ge MOS構造の作製2018

    • 著者名/発表者名
      石井 寛仁,張 文馨, 石井 裕之, 森田行則,遠藤聡, 藤代博記,前田 辰郎
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs2018

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, N. Uchida and T. Maeda
    • 学会等名
      2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Significant Performance Enhancement of UTB GeOI pMOSFETs by Advanced Channel Formation Technologies2018

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, N. Uchida and T. Maeda
    • 学会等名
      Symposia on VLSI Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] High performance UTB GeOI n and pMOSFETs featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology2018

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida, and T. Maeda
    • 学会等名
      AiMES 2018 (ECS and SMEQ Joint International Meeting), Symposium G03: SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] UTB-GeOI構造の超平坦化による正孔移動度向上2018

    • 著者名/発表者名
      張 文馨, 入沢 寿史, 石井 裕之, 内田 紀行, 前田 辰郎
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] チャネル形成技術の高度化による極薄GeOI pMOSFETsの性能向上2018

    • 著者名/発表者名
      張 文馨, 入沢 寿史, 石井 裕之, 内田 紀行, 前田 辰郎
    • 学会等名
      第210回シリコンテクノロジー研究集会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] モノリシック3D CMOS に向けたUTB-GeOI 構造の開発2018

    • 著者名/発表者名
      前田 辰郎, 張 文馨, 入沢 寿史, 石井 裕之, 内田 紀行
    • 学会等名
      第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Ge系デバイスのヘテロジニアスインテグレーション技術2018

    • 著者名/発表者名
      前田辰郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会 システムナノ技術に関する時限研究専門委員会第3回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] High quality UTB GeOI by HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology for future Ge CMOS application2018

    • 著者名/発表者名
      W.-H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, Hi. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida, T. Maeda
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Ultra-thin germanium-tin on insulator structure through direct bonding technique2018

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka and N. Uchida
    • 学会等名
      ISTDM/ICSI 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] UTB-GeOIチャネル構造における裏面Siパッシベーションの効果2018

    • 著者名/発表者名
      張 文馨, 入沢 寿史, 石井 裕之, 内田 紀行, 前田 辰郎
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] Electron and Acoustic Phonon Confinement in Ultrathin-Body Ge on Insulator2018

    • 著者名/発表者名
      V. Poborchii, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, N. Uchida, J. Groenen, P. Geshev and T. Maeda
    • 学会等名
      2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] 超薄膜ゲルマニウムのバンド構造2018

    • 著者名/発表者名
      前田辰郎, 張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 服部浩之, 内田紀行, 山内 淳
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs2017

    • 著者名/発表者名
      W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida and T. Maeda
    • 学会等名
      Sympia on VLSI technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148
  • [学会発表] TLZ法を利用した均一組成バルクSiGe結晶(2)移動度評価2016

    • 著者名/発表者名
      前田辰郎, 服部浩之、Wen Hsin Chang, 木下恭一、荒井康智
    • 学会等名
      応用物理学会年会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K04671
  • [学会発表] Homogeneous bulk SiGe crystals grown on board the International Space Station2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Arai, K. Kinoshita, T. Tsukada, K. Abe, S. Sumioka,, M. Kubo, S. Baba, T. Maeda, Y. Inatomi
    • 学会等名
      ICCGE-18
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K04671
  • [学会発表] Hall hole mobility of single crystalline random SiGe alloys2015

    • 著者名/発表者名
      Tatsuro Maeda, Hiroyuki Hattori, Wen Hsin Chang, Yasutomo Arai and Kyoichi Kinoshita
    • 学会等名
      9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal, Quebec, Canada
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K04671
  • [学会発表] Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討2014

    • 著者名/発表者名
      後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246058
  • [学会発表] Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates2013

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Goto, Sachie Fujikawa, Hiroki Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda
    • 学会等名
      44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 発表場所
      Arlington, VA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246058
  • [学会発表] GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証2013

    • 著者名/発表者名
      後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246058
  • [学会発表] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013

    • 著者名/発表者名
      後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会 ED研
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246058
  • [学会発表] 金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究

    • 著者名/発表者名
      三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎
    • 学会等名
      第19回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      ニューウェルシティー湯河原(静岡県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560390
  • [学会発表] 窒素組成制御による 金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究

    • 著者名/発表者名
      三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎
    • 学会等名
      第18回ゲートスタック研究会(主催 応用物理学会薄膜・表面物理分科会,シリコンテクノロジー分科会)
    • 発表場所
      ニューウェルシティー湯河原(静岡県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560390
  • [学会発表] GaSb表面の純窒化プロセスの検討

    • 著者名/発表者名
      後藤高寛、藤川紗千恵、藤代博記、小倉睦郎、安田哲二、前田辰郎
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学 湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246058
  • [学会発表] 窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価

    • 著者名/発表者名
      後藤高寛、藤川紗千恵、藤代博記、小倉睦郎、安田哲二、前田辰郎
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246058
  • [学会発表] Metal and Insulator HfNx films for Ge MIS structure by controlling nitrogen composition

    • 著者名/発表者名
      三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎
    • 学会等名
      European Materials Research Society, 2013 Spring Meeting
    • 発表場所
      Congress Center - Strasbourg, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560390
  • [学会発表] 窒素組成制御によるGe向け金属性HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究

    • 著者名/発表者名
      三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560390
  • [学会発表] 窒素組成制御による高移動度チャネル材料向け金属HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究

    • 著者名/発表者名
      三浦 脩, 田中 正俊, 安田 哲二, 前田 辰郎
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560390
  • 1.  安田 哲二 (90220152)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 15件
  • 2.  田中 正俊 (90130400)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 8件
  • 3.  加藤 和利 (10563827)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  宮田 典幸 (40358130)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  大竹 晃浩 (30267398)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  奈良 純 (30354145)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  藤代 博記 (60339132)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 8.  市川 昌和 (20343147)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  荒井 康智 (90371145)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 10.  高木 信一 (30372402)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 11.  入沢 寿史 (40759940)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 35件
  • 12.  永妻 忠夫 (00452417)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  硴塚 孝明 (20522345)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  金谷 晴一 (40271077)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  高畑 清人 (40780797)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  久保木 猛 (50756236)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  西谷 智博 (40391320)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  本田 善央 (60362274)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  三上 裕也 (80943662)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  深津 晋 (60199164)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  神野 莉衣奈 (50915022)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  安武 裕輔 (10526726)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  CHANG WENHSIN
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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