宮田典幸 Miyata Noriyuki

研究者番号	40358130
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究主幹
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2021年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究主幹 2017年度 – 2018年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 2016年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, グループリーダー 2012年度 – 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ長 2012年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 2011年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 研究員 2007年度 – 2008年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者 X線励起光電子分光法 / 酸化膜 / 界面ダイポール / 不揮発性メモリ / 表面・界面 / 電子デバイス / 光電子分光 / 酸化物エレクトロニクス / 薄膜成長 / 抵抗変化メモリ … もっと見る / 機械学習 / データストレージ / データストレージ機械学習 / 表面・界面物性 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / XPS / MOS / アモルファス / 不揮発メモリ / ニューロモルフィック / 第一原理計算 / X線光電子分光法 / 酸化物 / 絶縁体・半導体界面 / 界面物性 / 絶縁体・半導体界 / 電界効果型トランジスタ / 半導体工学 / 半導体界面 / 絶縁膜 / 高誘電率絶縁膜 … もっと見る研究代表者以外エピタキシャル / マイクロ・ナノデバイス / 半導体物性 / Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体 / エピタキシャル成長 / MOSFET / 表面・界面物性 / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 電子・電気材料 / 高誘電率絶縁膜 / マイクロディスク / 光電子融合デバイス / 導波路 / 微小共振器 / 歪み / シミュレーション / フォトニック結晶 / 量子ドット / ゲルマニウム隠す

界面ダイポール変調の抵抗変化型メモリ応用とスイッチング機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  宮田典幸
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
多層界面ダイポール変調不揮発メモリの酸化膜界面構造最適化とアナログ動作モデリング研究代表者
- 研究代表者
  
  宮田典幸
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御
- 研究代表者
  
  安田哲二
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所
金属酸化物の表面反応性を利用したグラフェンの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  宮田典幸
- 研究期間 (年度)
  2011
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所
革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京都市大学
金属酸化膜/半導体界面におけるダイポール発生機構の解明と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  宮田典幸
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2014 2013 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2 metal-oxide-semiconductor stacks: capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies2021
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Ryousuke Sano, Reito Wada, and Hiroshi Nohira
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 7 ページ: 071005-071005
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac0b08
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[雑誌論文] Interface Dipole Modulation in HfO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf> MOS Stack Structures2018
- 著者名/発表者名
  Miyata Noriyuki、Nara Jun、Yamasaki Takahiro、Sumita Kyoko、Sano Ryousuke、Nohira Hiroshi
- 雑誌名
  
  2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  
  巻: 2018 ページ: 7.6.1-7.6.4
- DOI
  10.1109/iedm.2018.8614674
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[雑誌論文] Low temperature preparation of HfO2/SiO2 stack structure for interface dipole modulation2018
- 著者名/発表者名
  Miyata Noriyuki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 113 号: 25 ページ: 251601-251601
- DOI
  10.1063/1.5057398
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[雑誌論文] Electric-field-controlled interface dipole modulation for Si-based memory devices2018
- 著者名/発表者名
  Miyata Noriyuki
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 8 号: 1 ページ: 8486-8486
- DOI
  10.1038/s41598-018-26692-y
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[雑誌論文] Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors2014
- 著者名/発表者名
  A. Ohtake, T. Mano, N. Miyata, T. Mori, and T. Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4862542
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces2014
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata, Akihiro Ohtake, Masakazu Ichikawa, Takahiro Mori, and Tetsuji Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 23
- DOI
  10.1063/1.4882643
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] Conductance Spectroscopy Study on Interface Electronic States of HfO2/Si Structures: Comparison with Interface Dipole2009
- 著者名/発表者名
  宮田典幸, 阿部泰宏, 安田哲二
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2巻
- NAID
  210000014303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[雑誌論文] Effect of Oxide Charge Trapping on X-ray Photoelectron Spectroscopy of HfO2/ SiO2/Si Structures2009
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 宮田典幸, 池永英司, 鈴木治彦, 北村幸司, 五十嵐智, 野平博司
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48巻
- NAID
  40016559583
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[雑誌論文] Conductance Spectroscopy Study on Interface Electronic States of HfO_2/Si Structures : Comparison with Interface Dipole2009
- 著者名/発表者名
  宮田典幸
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  80020169638
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[雑誌論文] Comparison between Direct-Contact HfO2/Ge and HfO2/GeO2/Ge Struc- tures: Physical and Electrical Properties2008
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 宮田典幸, 安田哲二
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16巻
  
  ページ: 375-385
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[産業財産権] シナプス素子2018
- 発明者名
  宮田
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-546444
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[産業財産権] 不揮発性記憶素子2018
- 発明者名
  宮田典幸
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2018-194268
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[産業財産権] 不揮発性記憶素子2016
- 発明者名
  宮田典幸
- 権利者名
  宮田典幸
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2016
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[産業財産権] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/S1（111）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス2013
- 発明者名
  宮田典幸, 安田哲二, 大竹晃浩, 真野高明
- 権利者名
  産業技術総合研究所, 国立研究開発法人物質・材料研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-195290
- 出願年月日
  2013-09-20
- 取得年月日
  2017-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[産業財産権] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外検出デバイス2013
- 発明者名
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、安田哲二
- 権利者名
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、安田哲二
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-195290
- 出願年月日
  2013-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[産業財産権] 不揮発性記憶素子2013
- 発明者名
  宮田典幸
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-192920
- 出願年月日
  2013-09-18
- 取得年月日
  2017-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] HfO2/TiO2/SiO2構造の電圧印加によるTiの化学結合状態変化の観測2022
- 著者名/発表者名
  桐原芳治, 辻口良太, 伊藤俊一, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第27回研究会)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] Hard X-ray Photoemission Spectroscopy Study on Interface Dipole Modulation of HfO2/SiO2 MIM Device2021
- 著者名/発表者名
  Yoshiharu Kirihara, Ryota Tsujiguti, Reito Wada, Akira Yasui, Noriyuki Miyata, Hiroshi Nohir
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] HAXPESによる界面ダイポール変調機構の解明2021
- 著者名/発表者名
  桐原芳治、和田励虎、辻口良太、保井晃、宮田典、野平博司
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] HAXPESによる界面ダイポール変調発生の確認2021
- 著者名/発表者名
  桐原芳治、辻口良太、保井晃、宮田典幸、野平博司
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] Resistive switching in two-terminal HfO2/SiO2 stack with interface dipole modulation2020
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Reito Wada, and Hiroshi Nohira
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の検出2020
- 著者名/発表者名
  野平博司、和田励虎、保井晃、宮田典幸
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第25回研究会)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] STDP-like pulse response characteristics of interface dipole modulation FETs2020
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作2019
- 著者名/発表者名
  宮田、奈良、山崎、住田、佐野、野平
- 学会等名
  応物・電通学会共催「ULSIデバイス・プロセス技術(IEDM2018特集)」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[学会発表] Effect of EOT Scaling on Switching Operation of HfO2/SiO2-Based Interface Dipole Modulation FETs2019
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata
- 学会等名
  2019 International Workshop on ‘DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY’-
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の評価2019
- 著者名/発表者名
  野平博司、和田励虎、保井晃、宮田典幸
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] Interface dipole modulation in HfO2/SiO2 MOS stack and the analog dynamics2019
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata
- 学会等名
  Collaborative Conference on Advanced Materials 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02178
[学会発表] Interface dipole modulation memory based on multi-stack HfO2/SiO2 structure2018
- 著者名/発表者名
  N. Miyata
- 学会等名
  2018 International Conference on Small Science (ICSS 2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[学会発表] Interface dipole modulation in low-temperature-prepared HfO2/SiO2 structure2018
- 著者名/発表者名
  N. Miyata
- 学会等名
  14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), 26st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[学会発表] Gate-induced modulation of interface dipole in HfO2-based MOS structures2018
- 著者名/発表者名
  N. Miyata
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[学会発表] 酸化物界面ダイポールを用いた新規メモリの提案2018
- 著者名/発表者名
  宮田典幸
- 学会等名
  2018年春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[学会発表] A New Memory Device based on Interface Dipole Modulation in HfO2-based Gate Stack Structure2017
- 著者名/発表者名
  N. Miyata
- 学会等名
  Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2017
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[学会発表] Electric Field Controlled Analog Memory based on Interface Dipole Modulation in HfO2/SiO2 Multi-Stacked Structures2016
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata
- 学会等名
  The 6th Annual World Congress of Nano Science and Technology-2016 (Nano S&T-2016)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02335
[学会発表] Electrical Characteristics and Thermal Stability of HfO2/GaSb MOS Interfaces Formed on Clean GaSb(100)-c(2×6) Surfaces2013
- 著者名/発表者名
  N. Miyata, A. Ohtake, M. Ichikawa, T. Yasuda
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] GaSb(100)-c(2x6)表面に形成したHfO2 MOSキャパシタの電気特性2013
- 著者名/発表者名
  宮田典幸
- 学会等名
  第60回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Chemical Bonding-Induced Dipole at the HfO_2/Si Interface2008
- 著者名/発表者名
  宮田典幸
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
- 発表場所
  つくば
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] Chemical Bonding-induced Dipole at the HfO2/Si Interface2008
- 著者名/発表者名
  宮田典幸阿部泰宏, 安田哲二
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2008 )
- 発表場所
  つくば
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] HfO2/SiO2/Si 構造で観察されるHf 光電子スペクトルのブロードニング2008
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 宮田典幸, 池永英司, 鈴木治彦, 北村幸司, 五十嵐智, 野平博司
- 学会等名
  第55 回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学理工学部(船橋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] HfO2/Ge 構造における界面GeO2の電気特性への影響2008
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 宮田典幸, 安田哲二
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学(愛知県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] Comparison between Direct-Contact HfO2/Ge and HfO2/GeO2/Ge Struc- tures: Physical and Electrical Properties2008
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 宮田典幸, 安田哲二
- 学会等名
  214th Meeting of ECS
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] 薄いHfO_2膜の熱的安定性:ボイド形成に関する考察2008
- 著者名/発表者名
  宮田典幸
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部天学(愛知県)
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] 薄いHfO2膜の熱的安定性: ボイド形成に関する考察2008
- 著者名/発表者名
  宮田典幸阿部泰宏, 安田哲二
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学(愛知県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] Ge Diffusion through a Thin HfO2 Film during the Thermal Annealing2007
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 宮田典幸, 安田哲二
- 学会等名
  The 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  東京大学駒場キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] 高真空EB蒸着法で作製したHfO2/Ge構造の熱的安定性2007
- 著者名/発表者名
  阿部泰宏, 宮田典幸, 安田哲二
- 学会等名
  第68 回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学(札幌)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360149
[学会発表] Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製
- 著者名/発表者名
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、森貴洋、安田哲二
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Si(100)上のGaSbナノコンタクトへテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性
- 著者名/発表者名
  宮田典幸、大竹晃浩、市川昌和、森貴洋、安田哲二
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058

1. 野平博司 (30241110)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 12件
2. 奈良純 (30354145)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
3. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 丸泉琢也 (00398893)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 澤野憲太郎 (90409376)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 瀬戸謙修 (10420241)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 徐学俊 (80593334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 夏金松 (00434184)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 中川清和 (40324181)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 松井敏明 (20358922)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 宇佐美徳隆 (20262107)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 安田哲二 (90220152)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
13. 前田辰郎 (40357984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 大竹晃浩 (30267398)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
15. 藤代博記 (60339132)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 市川昌和 (20343147)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
17. 田中正俊 (90130400)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 阿部泰宏

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
19. 山崎隆浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
20. 住田杏子

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

宮田 典幸 Miyata Noriyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

界面ダイポール変調の抵抗変化型メモリ応用とスイッチング機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

多層界面ダイポール変調不揮発メモリの酸化膜界面構造最適化とアナログ動作モデリング研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属酸化物の表面反応性を利用したグラフェンの創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属酸化膜/半導体界面におけるダイポール発生機構の解明と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2 metal-oxide-semiconductor stacks: capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Interface Dipole Modulation in HfO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf> MOS Stack Structures2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low temperature preparation of HfO2/SiO2 stack structure for interface dipole modulation2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electric-field-controlled interface dipole modulation for Si-based memory devices2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Conductance Spectroscopy Study on Interface Electronic States of HfO2/Si Structures: Comparison with Interface Dipole2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Effect of Oxide Charge Trapping on X-ray Photoelectron Spectroscopy of HfO2/ SiO2/Si Structures2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

宮田典幸 Miyata Noriyuki