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岩谷 素顕  IWAYA MOTOAKI

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40367735
その他のID
所属 (現在) 2024年度: 名城大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度 – 2024年度: 名城大学, 理工学部, 教授
2010年度 – 2020年度: 名城大学, 理工学部, 准教授
2009年度: 名城大学, 名城大学理工学部, 准教授
2008年度: 名城大学, 准教授
2007年度 – 2008年度: 名城大学, 理工学部, 准教授
2005年度 – 2006年度: 名城大学, 理工学部, 講師
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
小区分30010:結晶工学関連 / 大区分D / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 光工学・光量子科学 / 結晶工学 / 理工系 … もっと見る / 電子・電気材料工学 / 工学 / 理工系 / 応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・電子機器 / 理工系 / 医用システム 隠す
キーワード
研究代表者
AlGaN / GaN / 窒化アルミニウム / 電子線励起 / レーザ / 基板剥離 / LED / トンネル接合 / GaInN / 光励起レーザ … もっと見る / 窒化アルミニウムガリウム混晶 / 高品質結晶 / ミラー / 光励起 / レーザー / AlN / 紫外レーザ / 窒化アルミニウムガリウム / 紫外線レーザ / キャリア注入 / 紫外 / 高性能レーザー / 半導体物性 / 結晶成長 / 光強度 / 低閾値 / ウェットエッチング / 光共振器 / 窒化ガリウム / 電子線 / 窒化物半導体 / ナノ粒子 / 不純物の添加 / レーザ剥離技術 / アンチモン / ナノ金属 / ブロードスペクトル / 貼り合わせ / Moth-eye構造 / 多層膜反射鏡 / ITO / その場観察 / 貼り合わせ技術 / 緑色LED / 光取り出し効率 / ナノ構造 / プラズモン / 貼りあわせ技術 / 白色LED / 透明導電膜 / 光の3原色 / Pn接合 / III族窒化物半導体 / 緑・赤領域 / タンデム構造 / p型GaInN / 窒化物半導体太陽電池 / 緑・赤色領域 / レーザリフトオフ / 超格子 / 半導体 / Off比 / On / リーク電流 / オン抵抗 / HFET / 耐圧 / 低リーク電流 / p型ゲート / ノーマリオフ型素子 / 電力変換素子 / AIN / AIGaN … もっと見る
研究代表者以外
窒化物半導体 / 分極ドーピング / トンネル接合 / ワイドギャップ半導体 / SiC / GaN / 光デバイス / エピタキシャル / ナノワイヤ / ナノ構造 / 半導体 / LED / AIN / p型 / 発光効率 / AlGaN / AlN / 発光ダイオード / ラマン分光 / 縦光学フォノン制御 / 電子散乱 / フォノン制御 / 光導波路 / 量子計算 / 強誘電体 / 自発パラメトリック下方変換 / 第二高調波発生 / 量子光学 / 非線形光学 / エピタキシャル成長 / 半導体物性 / 誘電体物性 / トンネル現象 / 正孔 / ワイドギャップ / 低温成長 / 分極 / 光物性 / Ｘ線 / 結晶工学 / 半導体レーザ / 量子構造 / 発光素子 / 量子閉じ込め / ナノ材料 / 不純物 / 半導体発光デバイス / 量子効果 / 特異構造 / 超格子 / 半導体発光材料 / 微細構造評価 / 光学特性 / ポーラス結晶 / 結晶成長 / 半導体レーザー / 選択成長 / 量子殻 / Junction hetero FET / High breakdown voltage / High power switching / group III nitride / Normally off FET / p-GaN gate / オフ電流 / オン抵抗 / エンハンスメントモード / FET / 高耐圧 / ハイパワースイッチング素子 / GaN系FET / ノーマリーオフ / JHFET / p-GaNゲート / 電子線励起電流 / 電子線励起深紫外レーザ / ソーラーブラインド紫外線検出器 / バルクAlN / ナノカーボン電極 / 分極半導体 / グラフェン / カーボンナノチューブ / 低加速電圧SEM / 分極電荷エンジニアリング / 電子線ホログラフィ / バルクAlN基板 / 深紫外発光素子 / 深紫外 / 熱処理 / ナノカーボン / 結晶成長その場観察 / 電気・電子材料 / 水素脱離 / メモリー効果 / Mg偏析 / 電流狭窄 / 水素脱理 / 低抵抗化 / エッチング / リソグラフィー / Moth-Eye / moth-eye / 窒化物 / 光制御 / 光取り出し効率 / モスアイ構造 / 電子線露光 / 光取出し効率 / レーザダイオード / シミュレーション / 転位 / 原子ステップ / 横方向成長 / 高温MOVPE / AIN基板 / 昇華法 / 量子効率 / 結晶欠陥 / 窒化アルミニウム / 紫外線レーザ / 低転位化 / デバイスシミュレータ / 紫外発光ダイオード / 紫外半導体レーザ / 低転位 / 内部量子効率 / 紫外LD / 紫外LED / LED・LD / UV・DUV / MOVPE / 紫外線 / 光線治療 隠す

  • 研究課題

    (17件)

  • 研究成果

    (887件)

  • 共同研究者

    (23人)

  •  光・電子デバイス設計概念の革新をもたらす光学・音響フォノン統合制御

    • 研究代表者
      石谷 善博
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      千葉大学

  •  ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

    • 研究代表者
      竹内 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名城大学

  •  ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

    • 研究代表者
      竹内 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 審査区分
      大区分D
    • 研究機関
      名城大学

  •  遠紫外線C波AlGaN系電子線励起レーザ研究代表者

    • 研究代表者
      岩谷 素顕
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名城大学

  •  強誘電体・常誘電体積層光導波路を用いた量子計算システムの開発

    • 研究代表者
      片山 竜二
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      光工学・光量子科学
    • 研究機関
      大阪大学

  •  多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

    • 研究代表者
      上山 智
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名城大学

  •  電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ研究代表者

    • 研究代表者
      岩谷 素顕
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      名城大学

  •  ワイドギャップ半導体における正孔注入手法の革新と新規発光素子への展開

    • 研究代表者
      竹内 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      名城大学

  •  分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

    • 研究代表者
      天野 浩
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      理工系
      工学
    • 研究機関
      名古屋大学

  •  太陽光スペクトルに近い究極的な照明用・蛍光体フリー・白色ＬＥＤ研究代表者

    • 研究代表者
      岩谷 素顕
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学

  •  ワイドギャップ半導体トンネル接合による新規電流注入構造の実現

    • 研究代表者
      竹内 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学

  •  革新的・ハイブリッド・タンデム型白色LED研究代表者

    • 研究代表者
      岩谷 素顕
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      名城大学

  •  ワットクラス超高出力紫外レーザダイオードの実現

    • 研究代表者
      天野 浩
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学

  •  光制御のための半導体ナノ構造作製

    • 研究代表者
      上山 智
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      名城大学

  •  AlN系ナイトライドによる次世代小型・超高出力・高効率パワーデバイス研究代表者

    • 研究代表者
      岩谷 素顕
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      名城大学

  •  次世代大電力制御用超高効率デバイス

    • 研究代表者
      天野 浩
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名城大学

  •  紫外発光ダイオードを用いた皮膚病治療システム

    • 研究代表者
      天野 浩
    • 研究期間 (年度)
      2005
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      医用システム
    • 研究機関
      名城大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 第3章第1節"MOVPE-サファイア基板上へのc面GaNの成長メカニズム"2012
    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕
    • 総ページ数
      8
    • 出版者
      サイエンスアンドテクノロジー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [図書] 第3章第1節"MOVPE-サファイア基板上へのc面GaNの成長メカニズム"2012
    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕
    • 出版者
      サイエンスアンドテクノロジー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [図書] 月刊ディスプレイ2月号「超高輝度GaN系LEDの開発動向」2010
    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕
    • 総ページ数
      6
    • 出版者
      テクノタイムズ社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [図書] 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性2009
    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕、川島毅士、飯田大輔、千田亮太、上山智、天野浩、赤崎勇
    • 出版者
      CMC出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [図書] オプトロニクス9月号「注目の無極性面・半極性面窒化物半導体発光デバイス」2009
    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕
    • 総ページ数
      6
    • 出版者
      テクノタイムズ社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [図書] Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar Al(Ga, In)N films on lattice-mismatched substrates Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.KGaA(Editor : T.Paskova)2008
    • 著者名/発表者名
      H.Amano, T.Kawashima, D.Iida, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
    • 出版者
      Nitrides with Nonpolar Surfaces
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [図書] Nitrides with Nonpolar Surfaces, Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar A1(Ga, In)N films on lattice-mismatched substrates Editor(s) : T. Paskova, 108-1182008
    • 著者名/発表者名
      H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    • 総ページ数
      464
    • 出版者
      Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [図書] Nitrides with Nonpolar Surfaces, "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar Al(Ga,In)N films on lattice-mismatched substrates"2008
    • 著者名/発表者名
      H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    • 総ページ数
      464
    • 出版者
      Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA (Editor(s): T.Paskova)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [図書] Advances in Light Emitting Materials, Edited by Bo Monemar, Martin Kittler and Hermann Grimmeisss, AlN and AlGaN by MOVPE for UV Light Emitting Devices pp.175-2102008
    • 著者名/発表者名
      H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    • 総ページ数
      278
    • 出版者
      Trans Technical Publications
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Performance of Ultraviolet‐B Laser Diodes on AlGaN Templates Prepared using Different Fabrication Methods2023
    • 著者名/発表者名
      Matsubara Eri、Omori Tomoya、Hasegawa Ryota、Yamada Kazuki、Yabutani Ayumu、Kondo Ryosuke、Nishibayashi Toma、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: - 号: 16

    • DOI

      10.1002/pssa.202200836

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [雑誌論文] Suppression of (0001) plane emission in GaInN/GaN multi-quantum nanowires for efficient micro-LEDs2022
    • 著者名/発表者名
      Katsuro Sae、Lu Weifang、Ito Kazuma、Nakayama Nanami、Yamamura Shiori、Jinno Yukimi、Inaba Soma、Shima Ayaka、Sone Naoki、Han Dong-Pyo、Huang Kai、Iwaya Motoaki、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi
    • 雑誌名

      Nanophotonics

      巻: 11 号: 21 ページ: 4793-4804

    • DOI

      10.1515/nanoph-2022-0388

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [雑誌論文] A method for exfoliating AlGaN films from sapphire substrates using heated and pressurized water2022
    • 著者名/発表者名
      Matsubara Eri、Hasegawa Ryota、Nishibayashi Toma、Yabutani Ayumu、Yamada Ryoya、Imoto Yoshinori、Kondo Ryosuke、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Shojiki Kanako、Kumagai Shinya、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 15 号: 11 ページ: 116502-116502

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac97dc

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K14612, KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [雑誌論文] High-quality n-type conductive Si-doped AlInN/GaN DBRs with hydrogen cleaning2022
    • 著者名/発表者名
      Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Takayuki Tanaka, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Toshihiro Kamei
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 15 号: 11 ページ: 112007-112007

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac9bc9

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00353, KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [雑誌論文] Demonstration of ultraviolet-B AlGaN-based laser diode operation with a peak light output power of 150 mW by improving injection efficiency through polarization charge modulation2022
    • 著者名/発表者名
      Kondo Ryosuke、Yabutani Ayumu、Omori Tomoya、Yamada Kazuki、Matsubara Eri、Hasegawa Ryota、Nishibayashi Toma、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 121 号: 25 ページ: 253501-253501

    • DOI

      10.1063/5.0135033

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [雑誌論文] Superlattice-Induced Variations in Morphological and Emission Properties of GaInN/GaN Multiquantum Nanowire-Based Micro-LEDs2022
    • 著者名/発表者名
      Inaba Soma、Lu Weifang、Ito Kazuma、Katsuro Sae、Nakayama Nanami、Shima Ayaka、Jinno Yukimi、Yamamura Shiori、Sone Naoki、Huang Kai、Iwaya Motoaki、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 14 号: 44 ページ: 50343-50353

    • DOI

      10.1021/acsami.2c13648

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [雑誌論文] n-type GaN surface etched green light-emitting diode to reduce non-radiative recombination centers2021
    • 著者名/発表者名
      DP. Han, R. Fujiki, R. Takahashi, Y. Ueshima, S. Ueda, W. Lu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 118 号: 2 ページ: 021102-021102

    • DOI

      10.1063/5.0035343

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] High-quality AlInN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic vapor phase epitaxy2020
    • 著者名/発表者名
      T. Akagi, Y. Kozuka, K. Ikeyama, S. Iwayama, M. Kuramoto, T. Saito, T. Tanaka, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 12 ページ: 125504-125504

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abc986

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-20H00353

  • [雑誌論文] MOVPE growth of n-GaN cap layer on GaInN/GaN multi-quantum shell LEDs2020
    • 著者名/発表者名
      N. Goto, N. Sone, K. Iida, W. Lu, A. Suzuki, H. Murakami, M. Terazawa, M. Ohya, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 539 ページ: 125571-125571

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2020.125571

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire2020
    • 著者名/発表者名
      K. Sato, S. Yasue, K. Yamada, S. Tanaka, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura, Y. Ogino, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 3 ページ: 031004-031004

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab7711

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Voltage-Controlled Anodic Oxidation of Porous Fluorescent SiC for Effective Surface Passivation2020
    • 著者名/発表者名
      K. Yanai, W. Lu, Y. Yamane, DP. Han, H. Ou, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Nanomaterials

      巻: 10 号: 10 ページ: 2075-2075

    • DOI

      10.3390/nano10102075

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Development of Monolithically Grown Coaxial GaInN/GaN Multiple Quantum Shell Nanowires by MOCVD2020
    • 著者名/発表者名
      K. Ito, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, R. Okuda, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Nanomaterials

      巻: 10 号: 7 ページ: 1354-1354

    • DOI

      10.3390/nano10071354

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Characterizations of GaN nanowires and GaInN/GaN multi-quantum shells grown by MOVPE2020
    • 著者名/発表者名
      N. Goto, W. Lu, H. Murakami, M. Terazawa, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, K. Hono, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SG ページ: SGGE05-SGGE05

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab70aa

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of GaInN-based light-emitting diodes operated by quasi-resonant optical excitation2020
    • 著者名/発表者名
      DP. Han, CH. Oh, DS. Shin, JI. Shim, M. Iwaya, T. Takeuchi, . Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 128 号: 12 ページ: 123103-123103

    • DOI

      10.1063/5.0008041

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with lateral optical confinements and conducting distributed Bragg reflectors2020
    • 著者名/発表者名
      Iida Ryosuke、Ueshima Yusuke、Muranaga Wataru、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Iwaya Motoaki、Akasaki Isamu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SG ページ: SGGE08-SGGE08

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab6e05

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01055, KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Correlation between Optical and Structural Characteristics in Coaxial GaInN/GaN Multiple Quantum Shell Nanowires with AlGaN Spacers2020
    • 著者名/発表者名
      W. Lu, Y. Miyamoto, R. Okuda, K. Ito, N. Sone, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 12 号: 45 ページ: 51082-51091

    • DOI

      10.1021/acsami.0c15366

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Aperture diameter dependences in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with nano-height cylindrical waveguide formed by BCl3 dry etching2020
    • 著者名/発表者名
      R. Iida, Y. Ueshima, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, M. Kuramoto, T. Kamei
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 1 ページ: 012003-012003

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abcfd7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-20H00353

  • [雑誌論文] Color-tunable emission in coaxial GaInN/GaN multiple quantum shells grown on three-dimensional nanostructures2020
    • 著者名/発表者名
      W. Lu, K. Ito, N. Sone, R. Okuda, Y. Miyamoto, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 539 ページ: 148279-148279

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2020.148279

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Internal loss of AlGaN-based ultraviolet-B band lasr diodes with p-type AlGaN cladding layer using polarization doping2020
    • 著者名/発表者名
      T. Omori, S. Ishizuka, S. Tanaka, S. Yasue, K. Sato, Y. Ogino, S. Teramura, K. Yamada, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 7 ページ: 071008-071008

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab9e4a

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Identifying the cause of thermal droop in GaInN-based LEDs by carrier-and thermo-dynamics analysis2020
    • 著者名/発表者名
      DP. Han, GW. Lee, SM., Dong-Soo Shin, Jong-In Shim, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 10 号: 1 ページ: 1-11

    • DOI

      10.1038/s41598-020-74585-w

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] In situ wafer curvature measurement and strain control of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2020
    • 著者名/発表者名
      Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 5 ページ: 055506-055506

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab88c6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01055, KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Controlled synthesis of nonpolar GaInN/GaN multiple-quantum-shells on GaN nanowires by metal-organic chemical vapour deposition2020
    • 著者名/発表者名
      W. Lu, N. Goto, H. Murakami, N. Sone, K. Iida, M. Terazawa, D.-P. Han, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: None 号: 8 ページ: 145271-145271

    • DOI

      10.1021/nl034422t

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Growth and Characterization of Core-Shell Structures Consisting of GaN Nanowire Core and GaInN/GaN Multi-Quantum Shell2020
    • 著者名/発表者名
      S Kamiyama, W Lu, T Takeuchi, M Iwaya, I Akasaki
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 9 号: 1 ページ: 015007-015007

    • DOI

      10.1149/2.0252001jss

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Photoluminescence Characterization of Fluorescent SiC with High Boron and Nitrogen Concentrations2020
    • 著者名/発表者名
      D. Tanaka, W. Lu, S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 1004 ページ: 265-271

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.1004.265

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Efficiency Enhancement Mechanism of an Underlying Layer in GaInN‐Based Green Light ;Emitting Diodes2020
    • 著者名/発表者名
      DP. Han, S. Ishimoto, R. Mano, W. Lu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 217 号: 7 ページ: 1900713-1900713

    • DOI

      10.1002/pssa.201900713

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Room-temperature continuous-wave operations of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with buried GaInN tunnel junctions2020
    • 著者名/発表者名
      K. Kiyohara, M. Odawara, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, T. Saito
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 11 ページ: 111003-111003

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abbe80

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-20H00353

  • [雑誌論文] Analysis of Spontaneous Subpeak Emission from the Guide Layers of the Ultraviolet‐B Laser Diode Structure Containing Composition‐Graded p‐AlGaN Cladding Layers2020
    • 著者名/発表者名
      K. Sato, S. Yasue, Y. Ogino, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 217 号: 14 ページ: 1900864-1900864

    • DOI

      10.1002/pssa.201900864

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2019
    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Reports on Progress in Physics

      巻: 82 号: 1 ページ: 012502-012502

    • DOI

      10.1088/1361-6633/aad3e9

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-17H01055

  • [雑誌論文] Tuning the Resonant Frequency of a Surface Plasmon by Double-Metallic Ag/Au Nanoparticles for High-Efficiency Green Light-Emitting Diodes2019
    • 著者名/発表者名
      Ryoya Mano, Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Seiji Ishimoto, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Science

      巻: 9 号: 2 ページ: 305-305

    • DOI

      10.3390/app9020305

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Effect of AlGaN undershell on the cathodoluminescence properties of coaxial GaInN/GaN multiple-quantum-shells nanowires2019
    • 著者名/発表者名
      W. Lu, N. Sone, N. Goto, K. Iida, A. Suzuki, D.-P. Han, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Nanoscale

      巻: 11 号: 40 ページ: 18746-18757

    • DOI

      10.1039/c9nr07271c

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Doping profiles in low resistive GaN tunnel junctions grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019
    • 著者名/発表者名
      Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 2 ページ: 025502-025502

    • DOI

      10.7567/1882-0786/aafca8

    • NAID

      210000135591

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-17H01055

  • [雑誌論文] Determination of internal quantum efficiency in GaInN-based light-emitting diode under electrical injection: carrier recombination dynamics analysis2019
    • 著者名/発表者名
      Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Seiji Ishimoto, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 3 ページ: 032006-032006

    • DOI

      10.7567/1882-0786/aafca2

    • NAID

      210000135589

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Electrical properties of relaxed p-GaN/p-AlGaN superlattices and their application in ultraviolet-B light-emitting devices2019
    • 著者名/発表者名
      Kosuke Sato, Shinji Yasue, Yuya Ogino, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Jaoanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SC1016-SC1016

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab07a3

    • NAID

      210000155940

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Hybrid simulation of light extraction efficiency in multi-quantum-shell NW LED2019
    • 著者名/発表者名
      M. Terazawa, M. Ohya, K. Iida, N. Sone, A. Suzuki, K. Nokimura, M. Takebayashi, N. Goto, H. Murakami, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SCCC17-SCCC17

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab06b6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Study on N and B Doping by Closed Sublimation Growth Using Separated Ta Crucible2019
    • 著者名/発表者名
      D Tanaka, H Kurokawa, S Kamiyama, T Takeuchi, M Iwaya, I Akasaki
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 963 ページ: 34-37

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.963.34

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers using n-type conductive AlInN/GaN bottom distributed Bragg reflectors with graded interfaces2019
    • 著者名/発表者名
      Wataru Muranaga, Takanobu Akagi, Ryouta Fuwa, Shotaro Yoshida, Junichiro Ogimoto, Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Jaoanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SCCC01-SCCC01

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab1253

    • NAID

      210000155770

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-17H01055

  • [雑誌論文] Improved Uniform Current Injection into Core‐Shell‐Type GaInN Nanowire LEDs by Optimizing Growth Condition and Indium‐Tin‐Oxide Deposition2019
    • 著者名/発表者名
      N. Sone, A. Suzuki, H. Murakami, N. Goto, M. Terazawa, W. Lu , D.-P. Han, K. Iida, M. Ohya, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      phys. Stat. sol. (a)

      巻: None 号: 7 ページ: 1900715-1900715

    • DOI

      10.1002/pssa.201900715

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] 窒化物半導体による青色レーザーおよび光電変換素子の現状と展望2018
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 雑誌名

      レーザー研究

      巻: 46 ページ: 711-715

    • NAID

      130007957688

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] 高効率 GaN 面発光レーザの現状と展望2018
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌 C

      巻: 101(8) ページ: 312-318

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Growth of High-Quality AlN and AlGaN Films on Sputtered AlN/Sapphire Templates via High-Temperature Annealing2018
    • 著者名/発表者名
      Junya Hakamata, Yuta Kawase, Lin Dong, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya,
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi B

      巻: 1700506 号: 5 ページ: 1700506-1700506

    • DOI

      10.1002/pssb.201700506

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] A GaN-Based VCSEL with a Convex Structure for Optical Guiding2018
    • 著者名/発表者名
      Natsumi Hayashi, Junichiro Ogimoto, Kenjo Matsui, Takashi Furuta, Takanobu Akagi, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 1700648 号: 10 ページ: 1700648-1700648

    • DOI

      10.1002/pssa.201700648

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-17H01055, KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] GaN 系量子殻構造の成長と光学特性評価2018
    • 著者名/発表者名
      上山 智・竹内 哲也・岩谷 素顕・赤﨑 勇
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 45

    • NAID

      130006727555

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Characterization of nonpolar a-plane GaN epi-layers grown on high-density patterned r-plane sapphire substrates2018
    • 著者名/発表者名
      Daiki Jinno, Shunya Otsuki, Shogo Sugimori, Hisayoshi Daicho, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 484 ページ: 50-55

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.12.036

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] High-quality AlN film grown on a nanosized concave-convex surface sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy2017
    • 著者名/発表者名
      Akira Yoshikawa, Takaharu Nagatomi, Tomohiro Morishita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 111 号: 16 ページ: 162102-162102

    • DOI

      10.1063/1.5008258

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] High-performance solar-blind Al0.6Ga0.4N/Al0.5Ga0.5N MSM type photodetector2017
    • 著者名/発表者名
      Akira Yoshikawa, Saki Ushida, Kazuhiro Nagase, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 111 号: 19 ページ: 191103-191103

    • DOI

      10.1063/1.5001979

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] Characterization and optimization of sputtered AlN buffer layer on r-plane sapphire substrate to improve the crystalline quality of nonpolar a-plane GaN2017
    • 著者名/発表者名
      Daiki Jinno, Shunya Otsuki, Shogo Sugimori, Hisayoshi Daicho, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 480 ページ: 90-95

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.10.018

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] Demonstration of electron beam laser excitation in the UV range using a GaN/AlGaN multiquantum well active layer2017
    • 著者名/発表者名
      Takafumi Hayashi, Yuta Kawase, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Takahiro Matsumoto
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 7 号: 1 ページ: 2944-2944

    • DOI

      10.1038/s41598-017-03151-8

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] High quality Al0.99Ga0.01N layers on sapphire substrates grown at 1150 °C by metalorganic vapor phase epitaxy2017
    • 著者名/発表者名
      Shota Katsuno, Toshiki Yasuda, Koudai Hagiwara, Norikatsu Koide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 1 ページ: 015504-015504

    • DOI

      10.7567/jjap.56.015504

    • NAID

      210000147346

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-26286045, KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Relationship between lattice relaxation and electrical properties in polarization doping of graded AlGaN with high AlN mole fraction on AlGaN template2017
    • 著者名/発表者名
      Toshiki Yasuda, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hirsoshi Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 号: 2 ページ: 025502-025502

    • DOI

      10.7567/apex.10.025502

    • NAID

      210000135770

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-26286045, KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [雑誌論文] Reduction of contact resistance in V-based electrode for high AlN molar fraction n-type AlGaN by using thin SiNx intermediate layer2017
    • 著者名/発表者名
      Noriaki Nagata, Takashi Senga, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: - 号: 8 ページ: 1600243-1600243

    • DOI

      10.1002/pssc.201600243

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] Theoretical investigation of nitride nanowire-based quantum-shell lasers2017
    • 著者名/発表者名
      Yuki Kurisaki, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: - 号: 8 ページ: 1600867-1600867

    • DOI

      10.1002/pssa.201600867

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] Low-ohmic-contact-resistance V-based electrode for n-type AlGaN with high AlN molar fraction2016
    • 著者名/発表者名
      Kazuki Mori, Kunihiro Takeda, Toshiki Kusafuka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FL03-05FL03

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fl03

    • NAID

      210000146566

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] GaInN-based tunnel junctions with graded layers2016
    • 著者名/発表者名
      Daiki Takasuga, Yasuto Akatsuka, Masataka Ino, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 8 ページ: 081005-081005

    • DOI

      10.7567/apex.9.081005

    • NAID

      210000138004

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-26286045, KAKENHI-PROJECT-15K13959

  • [雑誌論文] Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2016
    • 著者名/発表者名
      Kazuki Ikeyama, Yugo Kozuka, Kenjo Matsui, Shotaro Yoshida, Takanobu Akagi, Yasuto Akatsuka, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 10 ページ: 102101-102101

    • DOI

      10.7567/apex.9.102101

    • NAID

      210000138061

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] Electrical properties of n-type AlGaN with high Si concentration2016
    • 著者名/発表者名
      Kunihiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FE02-05FE02

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fe02

    • NAID

      210000146516

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] Realization of high-performance hetero-field-effect-transistor-type ultraviolet photosensors using p-type GaN comprising three-dimensional island crystals2016
    • 著者名/発表者名
      Yuma Yamamoto, Akira Yoshikawa, Toshiki Kusafuka, Toshiki Okumura, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FJ07-05FJ07

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fj07

    • NAID

      210000146549

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] High-photosensitivity AlGaN-based UV heterostructure-field-effect-transistor-type photosensors2016
    • 著者名/発表者名
      Akira Yoshikawa, Yuma Yamamoto, Takuya Murase, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FJ04-05FJ04

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fj04

    • NAID

      210000146546

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] Room-temperature CW operation of a nitride-based vertical-cavity surface-emitting laser using thick GaInN quantum wells2016
    • 著者名/発表者名
      Takashi Furuta, Kenjo Matsui, Kosuke Horikawa, Kazuki Ikeyama, Yugo Kozuka, Shotaro Yoshida, Takanobu Akagi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FJ11-05FJ11

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fj11

    • NAID

      210000146553

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] Electron and hole accumulations at GaN/AlInN/GaN interfaces and conductive n-type AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2016
    • 著者名/発表者名
      Shotaro Yoshida, Kazuki Ikeyama, Toshiki Yasuda, Takashi Furuta, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FD10-05FD10

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fd10

    • NAID

      210000146512

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [雑誌論文] GaN barrier layer dependence of critical thickness in GaInN/GaN superlattice on GaN characterized by in situ X-ray diffraction2016
    • 著者名/発表者名
      Junya Osumi, Koji Ishihara, Taiji Yamamoto, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FD11-05FD11

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fd11

    • NAID

      210000146513

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] 窒化物半導体面発光レーザーの現状2016
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    • 雑誌名

      照明学会誌

      巻: 100 ページ: 189-189

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] 窒化物半導体面発光レーザの現状と照明応用に向けた将来展望2016
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤崎　勇
    • 雑誌名

      J. Illum. Engng. Inst. Jpn.

      巻: 100 ページ: 189-192

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [雑誌論文] GaNSb alloys grown with H2 and N2 carrier gases2016
    • 著者名/発表者名
      Daisuke Komori, Kaku Takarabe, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FD01-05FD01

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fd01

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13959, KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [雑誌論文] Polarization dilution in a Ga-polar UV-LED to reduce the influence of polarization charges2015
    • 著者名/発表者名
      Toshiki Yasuda, Kento Hayashi, Syouta Katsuno, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a)

      巻: 212 号: 5 ページ: 920-924

    • DOI

      10.1002/pssa.201431730

    • 説明
      オンラインのみ
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [雑誌論文] GaInN-based tunnel junctions with high InN mole fractions grown by MOVPE2015
    • 著者名/発表者名
      Daichi Minamikawa, Masataka Ino, Shunsuke Kawai, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (b)

      巻: 252 号: 5 ページ: 1127-1131

    • DOI

      10.1002/pssb.201451507

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [雑誌論文] Low Resistive and Low Absorptive Nitride-Based Tunnel Junctions2015
    • 著者名/発表者名
      Daichi Minamikawa, Daiki Takasuka, Masataka Ino, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      2014 MRS Fall Meeting Proceeding

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [雑誌論文] Internal quantum efficiency enhancement of GaInN/GaN quantum-well structures using Ag nanoparticles2015
    • 著者名/発表者名
      Daisuke Iida, Ahmed Fadil, Yuntian Chen, Yiyu Ou, Oleksii Kopylov, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Haiyan Ou
    • 雑誌名

      AIP Publishing

      巻: 5 号: 9 ページ: 097169-097169

    • DOI

      10.1063/1.4931948

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [雑誌論文] Laser lift-off technique for freestanding GaN substrate using an In droplet formed by thermal decomposition of GaInN and its application to light-emitting diodes2014
    • 著者名/発表者名
      Daisuke Iida, Syunsuke Kawai, Nobuaki Ema, Takayoshi Tsuchiya, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 105 号: 7 ページ: 072101-072101

    • DOI

      10.1063/1.4893757

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文]2014
    • 著者名/発表者名
      H. Kurokawa, M. Kaga, T. Goda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and Amano
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 7 ページ: 341041-341041

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Control of crystallinity of GaN grown on sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy using in situ X-ray diffraction monitoring method2014
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Taiji Yamamoto, Daiki Tanaka, Daisuke Iida, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 401

      巻: 401 ページ: 367-371

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2013.11.010

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文] 分極制御AlGaN : 層設計と結晶成長2014
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 41 ページ: 21-32

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [雑誌論文] GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討2014
    • 著者名/発表者名
      小森 大資, 笹島 浩希, 鈴木 智行,竹内 哲也, 上山 智, 岩谷 素顕, 赤崎 勇
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 114 ページ: 7-10

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [雑誌論文] Homoepitaxial growth of AlN layers on freestanding AlN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy2014
    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Morishita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 390 ページ: 46-50

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2013.12.023

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [雑誌論文] Over 1000 channel nitride-based micro-light-emitting diode arrays with tunnel junctions2014
    • 著者名/発表者名
      M. Watanabe, K. Nakajima, M. Kaga, Y. Kuwano, D. Minamikawa, T. Suzuki, K. Yamashita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL06-05FL06

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fl06

    • NAID

      210000143866

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] 分極制御AlGaN：層設計と結晶成長2014
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、天野　浩、赤﨑　勇
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 41 ページ: 21-32

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [雑誌論文] 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響2014
    • 著者名/発表者名
      勝野翔太、林　健人、安田俊輝、岩谷素顕、竹内哲也、上山　智、赤﨑　勇、天野　浩
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 114 ページ: 75-80

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [雑誌論文] 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響2014
    • 著者名/発表者名
      勝野翔太, 林健人, 安田俊輝, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 天野浩
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 114 ページ: 75-80

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [雑誌論文]2014
    • 著者名/発表者名
      M. Watanabe, K. Nakajima, M. Kaga, Y. Kuwano, D. Minamikawa, T. Suzuki, K. Yamashita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 53

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Multijunction GaInN-based solar cells using a tunnel junction2014
    • 著者名/発表者名
      H. Kurokawa, M. Kaga, T. Goda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 3 ページ: 341041-341044

    • DOI

      10.7567/apex.7.034104

    • NAID

      210000137029

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Investigations of Polarization-Induced Hole Accumulations and Vertical Hole Conductions in GaN/AlGaN Heterostructures2013
    • 著者名/発表者名
      T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JJ05-08JJ05

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jj05

    • NAID

      210000142710

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015, KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [雑誌論文] Trench-Shaped Defects on AlGaInN Quantum Wells Grown under Different Growth Pressures2013
    • 著者名/発表者名
      Tomoyuki Suzuki, Mitsuru Kaga, Kouichi Naniwae, Tsukasa Kitano, Keisuke Hirano, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 82 号: 8S ページ: 08JF02-08JF02

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jf02

    • NAID

      210000142621

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文] Study on Efficiency Component Estimation of 405 nm Light Emitting Diodes from Electroluminescence and Photoluminescence Intensities2013
    • 著者名/発表者名
      Kazuki Aoyama, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 82 号: 8S ページ: 08JL16-08JL16

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jl16

    • NAID

      210000142741

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文]2013
    • 著者名/発表者名
      Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 52

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Nitride-based hetero-field-effect transistor-type photosensors with extremely high photosensitivity2013
    • 著者名/発表者名
      Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi RRL 7

      巻: 7 号: 3 ページ: 215-217

    • DOI

      10.1002/pssr.201206483

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文]2013
    • 著者名/発表者名
      T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 52

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Analysis of strain relaxation process in GaInN/GaN heterostructure by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor-phase epitaxial growth2013
    • 著者名/発表者名
      D. Iida, Y. Kondo, M. Sowa, T. Sugiyama, M. Iwaya, I. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi RRL

      巻: 7 号: 3 ページ: 211-214

    • DOI

      10.1002/pssr.201307023

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文] GaInN-Based Tunnel Junctions in n–p–n Light Emitting Diodes2013
    • 著者名/発表者名
      Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Yuka Kuwano, Kouji Yamashita, Kouta Yagi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 82 号: 8S ページ: 08JH07-08JH07

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jh07

    • NAID

      210000142699

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文] Carrier Injections in Nitride-Based Light Emitting Diodes Including Two Active Regions with Mg-Doped Intermediate Layers2013
    • 著者名/発表者名
      Kenjo Matsui, Koji Yamashita, Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Tomoyuki Suzuki, Tetsuya Takeuch, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 82 号: 8S ページ: 08JG02-08JG02

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jg02

    • NAID

      210000142677

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文] Lateral hydrogen diffusion at p-GaN layers in nitride-based light emitting diodes with tunnel junctions2013
    • 著者名/発表者名
      Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JK12-08JK12

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jk12

    • NAID

      210000142725

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] AlN mole fraction dependence of polarization induced hole concentrations in GaN/AlGaN heterostructures2013
    • 著者名/発表者名
      T. Yasuda, K. Yagi, Tomoyuki Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 印刷中

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Combination of Indium–Tin Oxide and SiO2/AlN Dielectric Multilayer Reflective Electrodes for Ultraviolet-Light-Emitting Diodes2013
    • 著者名/発表者名
      Tsubasa Nakashima, Kenichiro Takeda, Hiroshi Shinzato, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 82 号: 8S ページ: 08JG07-08JG07

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jg07

    • NAID

      210000142682

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003, KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [雑誌論文]2013
    • 著者名/発表者名
      M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 52

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] GaInN-based tunnel junctions in n-p-n light emitting diodes2013
    • 著者名/発表者名
      M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 印刷中

    • NAID

      210000142699

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Combination of Indium-in Oxide and SiO_2/AlN Dielectric Multilayer Reflective Electrodes for Ultraviolet-Light-Emitting Diodes2013
    • 著者名/発表者名
      Yuko Matsubara, Tomoaki Yamada, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      physica status solidi C

      巻: 10 号: 11 ページ: 1537-1540

    • DOI

      10.1002/pssc.201300265

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [雑誌論文] GaInN-Based Tunnel Junctions in n–p–n Light Emitting Diodes2013
    • 著者名/発表者名
      M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JH06-08JH06

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jh06

    • NAID

      210000142699

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Crack-Free AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors on AlN Templates2012
    • 著者名/発表者名
      K.Yagi, M. Kaga, K. Yamashita, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi,S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 5R ページ: 051001-051001

    • DOI

      10.1143/jjap.51.051001

    • NAID

      210000140586

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Indium-Tin Oxide/Al Reflective Electrodes for Ultraviolet Light-Emit Diodes2012
    • 著者名/発表者名
      K. Takehara, K. Takeda, S. Ito, H. Aoshiia. M. Iwaya. T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 4R ページ: 42101-1

    • DOI

      10.1143/jjap.51.042101

    • NAID

      210000140419

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文] Laser lift-off of AlN/sapphire for UV light-emitting diodes2012
    • 著者名/発表者名
      H. Aoshima, K. Takeda, K. Takehara, S. Ito, M. Mori, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.9 ページ: 753-753

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Growth of GaN and AlGaN on(100)β-Ga2O3 substrates2012
    • 著者名/発表者名
      S. Ito, K. Takeda, K. Nagata, H. Aoshima, K. Takehara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.9 ページ: 519-519

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Growth and light properties of fluorescent SiC for white LEDs2012
    • 著者名/発表者名
      M. Syvajarvi, R. Yakimova, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, and S Kamiyama
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: Vols. 717-720 ページ: 87-92

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Growth of GaN and AlGaN on (100) β-Ga203 substrates2012
    • 著者名/発表者名
      Shun Ito, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Hiroki Aoshima, Kosuke Takehara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi c

      巻: 9 号: 3-4 ページ: 519-522

    • DOI

      10.1002/pssc.201100499

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Indium-Tin Oxide/Al Reflective Electrodes for Ultraviolet Light-Emitting Diodes2012
    • 著者名/発表者名
      K. Takehara, K. Takeda, S. Ito, H. Aoshima, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H Amano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.51 ページ: 42101-42101

    • NAID

      210000140419

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Properties of nitride-based photovoltaic cells under concentrated light illumination2012
    • 著者名/発表者名
      S. Yamamoto, M. Mori, Y. Kuwahara, T. Fujii, T. Nakao, S. Kondo, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 雑誌名

      Rapid Research Letters

      巻: Vol.6 ページ: 145-145

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Laser lift-off of AIN/sapphire for UV light-emitting diodes2012
    • 著者名/発表者名
      H Aoshima, K. Takeda, K. Takehara. S. Ito, M. Mori、M Iwaya, T. Takeuchi. S. Kamiyama, I. Akasaki, R Amano
    • 雑誌名

      physica status solidi C

      巻: 9 号: 3-4 ページ: 753-75

    • DOI

      10.1002/pssc.201100358

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文] Epitaxial Indium Tin Oxide Film Deposited on Sapphire Substrate by Solid-Source Electron Cyclotron Resonance Plasma2012
    • 著者名/発表者名
      S. Kaneko, H. Torii, M. Soga, K. Akiyama, M. Iwaya, M. Yoshimoto, and T. Amazawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.51

    • NAID

      210000140049

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] White light-emitting diode based on fluorescent SiC2012
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, R. Yakimova, M. Syvajarvi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 522 ページ: 23-25

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2012.02.017

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686003

  • [雑誌論文] Fabrication of AlInN/AlN/GaInN/GaN heterostructure field-effect transistors2012
    • 著者名/発表者名
      K. Ikeda, Y. Isobe, H. Ikki, T. Sakakibara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.9 ページ: 942-942

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Internal Quantum Efficiency of Whole-Composition-Range AlGaN Multiquantum Wells2011
    • 著者名/発表者名
      Kazuhio Ban, Jun-ichi Yamamoto, Kenichro Takeda, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4 号: 5 ページ: 052101-052101

    • DOI

      10.1143/apex.4.052101

    • NAID

      10028210215

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes2011
    • 著者名/発表者名
      S.Kamiyama, M.Iwaya, T.Takeuchi, I.Akasaki, M.Syvajarvi, R.Yakimova
    • 雑誌名

      Journal of Semiconductors

      巻: 32 号: 1 ページ: 013004-013004

    • DOI

      10.1088/1674-4926/32/1/013004

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Fabrication of Nonpolar a-Plane Nitride-Based Solar Cell on r-Plane Sapphire Substrate2011
    • 著者名/発表者名
      T. Nakao, T. Fujii, T. Sugiyama, S. Yamamoto, D. Iida, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.4 ページ: 101001-101001

    • NAID

      10029790429

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Freestanding Highly Crystalline Single Crystal AlN Substrates Grown by a Novel Closed Sublimation Method2011
    • 著者名/発表者名
      Masayasu Yamakawa, Kazuki Murata, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Masanobu Azuma
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028209940

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] 窒化物半導体トンネル接合の作製2011
    • 著者名/発表者名
      加賀 充、飯田大輔、北野　司、山下 浩司、矢木 康太、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 111 ページ: 105-110

    • NAID

      110008725972

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文]2011
    • 著者名/発表者名
      山下浩司、加賀充、矢木康太、鈴木敦、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 111 ページ: 99-99

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] GaInN-based solar cells using GaInN/GaInN superlattices2011
    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, Y. Kuwahara, D. Iida, Y. Fujiyama, Y. Morita, T. Sugiyama, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Volume 8 ページ: 2463-2465

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製2011
    • 著者名/発表者名
      矢木 康太、加賀 充、山下 浩司、竹田 健一郎、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 111 ページ: 89-93

    • NAID

      110008725969

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Microstructures of GaInN/GaInN Superlattices on GaN Substrates2011
    • 著者名/発表者名
      T.Sugiyama, Y.Kuwahara, Y.Isobe, T.Fujii, K.Nonaka, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4 ページ: 15701-15701

    • NAID

      10027782720

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文]2011
    • 著者名/発表者名
      加賀充、飯田大輔、北野司、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 111 ページ: 105-105

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Freestanding Highly Crystalline Single Crystal AlN Substrates Grown by a Novel Closed Sublimation Method2011
    • 著者名/発表者名
      M.Yamakawa, K.Murata, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano, M.Azuma
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 4

    • NAID

      10028209940

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes2011
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, M. Syvajarvi, and R. Yakimova
    • 雑誌名

      Journal of Semiconductors

      巻: Vol.32 ページ: 13004-13004

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路の検討2011
    • 著者名/発表者名
      山下 浩司、加賀 充、矢木 康太、鈴木敦志、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 111 ページ: 99-104

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [雑誌論文] Microstructures of GaInN/GaInN Superlattices on GaN Substrates2011
    • 著者名/発表者名
      T. Sugiyama, Y. Kuwahara, Y. Isobe, T. Fujii, K. Nonaka, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.4 ページ: 15701-15701

    • NAID

      10027782720

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] GaInN-Based Solar Cells Using Strained-Layer GaInN/GaInN Superlattice Active Layer on a Freestanding GaN Substrate2011
    • 著者名/発表者名
      Y. Kuwahara, T. Fujii, T. Sugiyama, D. Iida, Y. Isobe, Y. Fujiyama, Y. Morita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.4 ページ: 21001-21001

    • NAID

      10027782804

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Fabrication of Nonpolar a-Plane Nitride-Based Solar Cell on r-Plane Sapphire Substrate2011
    • 著者名/発表者名
      T.Nakao, T.Fujii, T.Sugiyama, S.Yamamoto, D.Iida, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4 号: 10 ページ: 101001-101001

    • DOI

      10.1143/apex.4.101001

    • NAID

      10029790429

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Internal Quantum Efficiency of Whole-Composition-Range AlGaN Multiquantum Wells2011
    • 著者名/発表者名
      Kazuhito Ban, Jun-ichi Yamamoto, Kenichiro Takeda, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028210215

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] GaInN-based solar cells using GaInN/GaInN superlattices2011
    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, Y.Kuwahara, D.Iida, Y.Fujiyama, Y.Morita, T.Sugiyama, Y.Isobe, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano
    • 雑誌名

      physica status solidi c

      巻: 8 号: 7-8 ページ: 2463-2465

    • DOI

      10.1002/pssc.201001152

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] その場観察X線回折測定を用いた窒化物半導体の有機金属化合物気相成長2011
    • 著者名/発表者名
      飯田大輔、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: Vol.38 ページ: 227-227

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Internal quantum efficiency and internal loss of ultraviolet laser diodes on the low dislocation density AlGaN underlying layer2011
    • 著者名/発表者名
      K.Takeda, K.Nagata, T.Ichikawa, K.Nonaka, Y.Ogiso, Y.Oshimura, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano, H.Yoshida, M.Kuwabara, Y.Yamashita, H.Kan
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 8 ページ: 464-466

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Growth and characterization of GaN grown on moth-eye patterned sapphire substrates2010
    • 著者名/発表者名
      A. Ishihara, R. Kawai, T. Kitano, A. Suzuki, T. Kondo, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.7 ページ: 2056-2058

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Realization of extreme light extraction efficiency for moth-eye LEDs on SiC substrate using high-reflection electrode2010
    • 著者名/発表者名
      R. Kawai, T. Kondo, A. Suzuki, F. Teramae, T. Kitano, K. Tamura, H. Sakurai, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Chen, A. Li, and K. Su
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.7 ページ: 2180-2182

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Compensation effect of Mg-doped a- and c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy2010
    • 著者名/発表者名
      D.Iida, K.Tamura, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 312 ページ: 3131-3135

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Compensation effect of Mg-doped a- and c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy2010
    • 著者名/発表者名
      D.Iida, K.Tamura, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 312 ページ: 3131-3135

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] GaInN/GaN p-i-n light-emitting solar cells2010
    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiyama, Y.Kuwahara, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 7 ページ: 2382-2385

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Nitride-based light-emitting solar cell2010
    • 著者名/発表者名
      Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.7 ページ: 1807-1809

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] GaInN/GaN p-i-n light-emitting solar cells2010
    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiyama, Y. Kuwahara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.7 ページ: 2382-2385

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Realization of Nitride-Based Solar Cell on Freestanding GaN Substrate2010
    • 著者名/発表者名
      Y. Kuwahara, T. Fujii, Y. Fujiyama, T. Sugiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.3 ページ: 111001-111001

    • NAID

      10027441681

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Strain Relaxation Mechanisms in AlGaN Epitaxy on AlN Templates2010
    • 著者名/発表者名
      Z.Wu, K.Nonaka, Y.Kawai, T.Asai, F.A.Ponce, C.Chen, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • NAID

      10027441702

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Misfit strain relaxation in m-plane epitaxy of InGaN on ZnO2010
    • 著者名/発表者名
      Z.H.Wu, K.W.Sun, Q.Y.Wei, A.M.Fischer, F.A.Ponce, Y.Kawai, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 96 ページ: 71909-71909

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Defects in highly Mg-doped AlN2010
    • 著者名/発表者名
      K.Nonaka, T.Asai, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 207 ページ: 1299-1301

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] High-output-power AlGaN/GaN ultraviolet-light-emitting diodes by activation of Mg-doped p-type AlGaN in oxygen ambient2010
    • 著者名/発表者名
      K.Nagata, T.Ichikawa, K.Takeda, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 207 ページ: 1393-1396

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Realization of Nitride-Based Solar Cell on Freestanding GaN Substrate2010
    • 著者名/発表者名
      Y.Kuwahara, T.Fujii, Y.Fujiyama, T.Sugiyama, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3 ページ: 111001-111001

    • NAID

      10027441681

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Improved Efficiency of 255-280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes2010
    • 著者名/発表者名
      Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • NAID

      10027014973

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Realization of extreme light extraction efficiency for moth-eye LEDs on SiC substrate using high-reflection electrode2010
    • 著者名/発表者名
      R.Kawai, T.Kondo, A.Suzuki, F.Teramae, T.Kitano, K.Tamura, H.Sakurai, M.Iwaya, H.Amano, S.Kamiyama, I.Akasaki, M.Chen, A.Li, K.Su
    • 雑誌名

      pnysica status solidi (c)

      巻: 7 ページ: 2180-2182

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Growth of low-dislocation-density AlGaN using Mg-doped AlN underlying layer2010
    • 著者名/発表者名
      T.Asai, K.Nonaka, K.Ban, K.Nagata, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 7 ページ: 2101-2103

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Atomic layer epitaxy of AlGaN2010
    • 著者名/発表者名
      Kentaro Nagamatsu, Daisuke Iida, Kenichiro Takeda, Kensuke Nagata, Toshiaki Asai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 7 ページ: 2368-2370

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Internal quantum efficiency of GaN/AlGaN-based multi quantum wells on different dislocation densities underlying layers2010
    • 著者名/発表者名
      K.Takeda, F.Mori, Y.Ogiso, T.Ichikawa, K.Nonaka, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 7 ページ: 1916-1918

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Compensation effect of Mg-doped aand c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy2010
    • 著者名/発表者名
      D. Iida, K. Tamura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 312 ページ: 3131-3135

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Activation energy of Mg in a-plane Ga_<1-x> In_xN(0<x<0.17)2009
    • 著者名/発表者名
      D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(b)

      巻: Vol.246 ページ: 1188-1190

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Misfit strain relaxation by stacking fault generation in InGaN quantum wells grown on m-plane GaN2009
    • 著者名/発表者名
      Fischer, Alec M., Wu, Zhihao, Sun, Kewei, Wei, Qiyuan, Huang, Yu, Senda, Ryota, Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Amano, Hiroshi, Ponce, Fernando A.
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10025085540

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Activation energy of Mg in Al_<0.25>Ga_<0.75>N and Al_<0.5>Ga_<0.5>N2009
    • 著者名/発表者名
      K.Nagamatsu, K.Takeda, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi C 6

      ページ: 437-439

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Strong Emission from GaInN/GaN Multiple Quantum Wells on High-Crystalline-Quality Thick m-Plane GaInN Underlying Layer on Grooved GaN2009
    • 著者名/発表者名
      R. Senda, T. Matsubara, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.2 ページ: 61004-61004

    • NAID

      10025086396

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] High-performance UV detector based on AlGaN/GaN junction heterostructure field-effect transistor with a p-GaN gate2009
    • 著者名/発表者名
      M. Iwaya, Shuichi Miura, Takahiro Fujii, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.6

    • NAID

      40016818863

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] InGaN growth with various InN mole fractions on m-plane ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy2009
    • 著者名/発表者名
      Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: Volume 311 ページ: 2929-2932

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Misfit Strain Relaxation by Stacking Fault Generation in InGaN Quantum Wells Grown on m-Plane GaN2009
    • 著者名/発表者名
      A. M. Fischer, Z. Wu, K. Sun, Q. Wei, Y. Huang, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, H. Amano, and F. A. Ponce
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.2 ページ: 4102-4102

    • NAID

      10025085540

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Realization of high crystalline-quality and thick GaInN films2009
    • 著者名/発表者名
      R. Senda, T. Matsubara, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Optimization of electrode configuration in large GaInN light-emitting diodes2009
    • 著者名/発表者名
      落合渉、河合良介、鈴木敦志、岩谷素顕、天野浩、上山智、赤崎勇
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (C) Vol.6, Issue 6

      ページ: 1416-1419

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560353

  • [雑誌論文] Relaxation and recovery processes of Al_xGa_<1-x>N grown on AlN underlying layer2009
    • 著者名/発表者名
      Asai, Toshiaki, Nagata, Kensuke, Mori, Toshiaki, Nagamatsu, Kentaro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2850-2852

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Strong Emission from GaInN/GaN Multiple Quantum Wells on High-Crystalline-Quality Thick m-Plane GaInN Underlying Layer on Grooved GaN2009
    • 著者名/発表者名
      Ryota Senda, Tetsuya Matsubara, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

      ページ: 61004-61004

    • NAID

      10025086396

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer2009
    • 著者名/発表者名
      Tsuzuki, Hirotoshi, Mori, Fumiaki, Takeda, Kenichiro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu, Yoshida, Harumasa, Kuwabara, Masakazu, Yamashita, Yoji, et al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2860-2863

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Improvement of crystalline quality of InGaN epilayers on various crystal planes of ZnO substrate by metal-organic vapor phase epitaxy2009
    • 著者名/発表者名
      Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Activation energy of Mg in a-plane Ga_<1-x>In_xN(0<x<0.17)2009
    • 著者名/発表者名
      Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B 246

      ページ: 1188-1190

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Activation energy of Mg in a -plane Ga_<1-x>In_xN(0<x<0.17)2009
    • 著者名/発表者名
      Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(b) 246

      ページ: 1188-1190

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] High-reflectivity Ag-based ohmic contacts for blue light-emitting diodes2009
    • 著者名/発表者名
      河合良介、森俊晶、落合渉、鈴木敦志、岩谷素顕、天野浩、上山智、赤崎勇
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (C) Vol.6, Issue S2

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560353

  • [雑誌論文] High-reflectivity Ag-based p-type ohmic contacts for blue light-emitting diodes2009
    • 著者名/発表者名
      R. Kawai, T. Mori, W. Ochiai, A. Suzuki, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Strong emission from GaInN/GaN multiple quantum wells on high-crys talline-quality thick m-plane GaInN underlying layer on grooved GaN2009
    • 著者名/発表者名
      Senda, Ryota, Matsubara, Tetsuya, Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Growth of thick GaInN on grooved(10-1-1) GaN/(10-1-2) 4H-SiC2009
    • 著者名/発表者名
      T. Matsubara, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: Volume 311 ページ: 2926-2928

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [雑誌論文] Growth of thick GaInN on grooved(1011)GaN/(1012)4H-SiC2009
    • 著者名/発表者名
      Matsubara, Tetsuya, Senda, Ryota, Iids, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2926-2928

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] One-sidewall-seeded epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by metalorganic vapor-phase epitaxy2009
    • 著者名/発表者名
      Iids, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2887-2890

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices2008
    • 著者名/発表者名
      H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum 590

      ページ: 175-210

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Growth of high-quality thick AlGaN by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy2008
    • 著者名/発表者名
      N. Kato, S. Sato, H. Sugimura, T. Sumii, N. Okada, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi and A. Bandoh
    • 雑誌名

      Phys, Stat. Sol. (c) 5

      ページ: 1559-1561

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of AlN on 6H-SiC substrates2008
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 2308-2313

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Microstructure of threading dislocations caused by grain boundaries in AlN on sapphire substrates2008
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
    • 雑誌名

      Phys, Stat. Sol. (c) 5

      ページ: 1582-1584

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of AlN on 6H-SiC substrates2008
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 310

      ページ: 2308-2313

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices2008
    • 著者名/発表者名
      H.Amano, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Mater.Sci.Forum 590

      ページ: 175-210

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Effect of c-plane sapphire misorientation on the growth of AlN by high-temperature MOVPE2008
    • 著者名/発表者名
      K. Nagamatsu, N. Okada, N. Kato, T. Sumii, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol. (c) 5

      ページ: 3048-3050

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Control of p-type conduction in a-plane Ga_<1-x>In_xN(0<x<0.10)grown on r-plane sapphire substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy2008
    • 著者名/発表者名
      Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4996-4998

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Optimization of underlying layer and the device structure for group-III-nitride-based UV emitters on sapphire2008
    • 著者名/発表者名
      K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, F. Mori, H. Tsuzuki, Y. Yamashita, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi and A. Bandoh
    • 雑誌名

      Phys, Stat. Sol. (c) 5

      ページ: 2142-2144

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of A1N on 6H-SiC substrates2008
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, H.Sugimura, N.Okada, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 2308-2313

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] High-efficiency AlGaN-based UV light-emitting diode on laterally overgrown AlN2008
    • 著者名/発表者名
      K. Nagamatsu, N. Okada, H. Sugimura, H. Tsuzuki, F. Mori, K. Iida, A. Bando, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 310

      ページ: 2326-2329

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode Al_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact2007
    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, and I.Akasaki
    • 雑誌名

      phys.stat.sol. (c)4

      ページ: 2708-2711

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE2007
    • 著者名/発表者名
      N.Okada, N.Kato, S.Sato, T.Sumii, N.Fujimoto, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Takagi, T.Noro, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300

      ページ: 141-144

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AIN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300

      ページ: 136-140

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers2007
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, K. Nakano, G. Narita, N. Fujimoto, N. Okada, . K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 257-260

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of A1N on trench-patterned AlN layers2007
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, K. Nakano, G. Narita, N. Fujimoto, N. Okada,. K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 257-260

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300

      ページ: 136-140

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers2007
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakano, G.Narita, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 257-260

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2007
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 1458-1462

    • NAID

      10018900504

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AIN on trench-patterned AIN layers2007
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakano, G.Narita, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 257-260

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode Al_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact2007
    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      physics status solidi (c) Vol.4

      ページ: 2708-2711

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18760259

  • [雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007
    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 115-118

    • NAID

      10018704414

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode Al_XGa_(1-X) N/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact2007
    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c)4

      ページ: 2708-2711

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate2007
    • 著者名/発表者名
      K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, K. Nagamatsu, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol. (a) 204

      ページ: 1848-1852

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification2007
    • 著者名/発表者名
      N.Okada, N.Kato, S.Sato, T.Sumii, T.Nagai, N.Fujimoto, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, H.Maruyama, T.Takagi, T.Noro, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 349-353

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Void assisted dislocation reduction in AlN and AlGaN by high temperature MOVPE2007
    • 著者名/発表者名
      K. Balakrishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      physica status solidi(c) 4

      ページ: 2272-2276

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode A1_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effecttransistors with p-type GaN gate contact2007
    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c)4

      ページ: 2708-2711

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Microstructure of a-plane AlN grown on r-plane sapphire and on patterned AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2007
    • 著者名/発表者名
      N. Okada, M. Imura, T. Nagai, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      physica status solidi(c) 4

      ページ: 2528-2531

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE2007
    • 著者名/発表者名
      N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balak rishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 400

      ページ: 141-144

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Epitaxial lateral growth of m-plane GaN and Al_<0.18>Ga_<0.82>N on m-plane 4H-SiC and 6H-SiC substrates2007
    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima, T.Nagai, D.Iida, A.Miura, Y.Okadome, Y.Tsuchiya, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 261-264

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Influence of High Temperature in the Growth of Low Dislocation Content AIN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007
    • 著者名/発表者名
      K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2007
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 1458-1462

    • NAID

      10018900504

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_XGa_(1-X) N/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007
    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 115-118

    • NAID

      10018704414

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007
    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.46

      ページ: 115-118

    • NAID

      10018704414

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18760259

  • [雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300

      ページ: 136-140

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_xGa_1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007
    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 115-118

    • NAID

      10018704414

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of Al_xGa_<1-x>N (x>0.2) on sapphire and its application to UV-B-light-emitting devices2007
    • 著者名/発表者名
      K.Iida, T.Kawashima, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 265-267

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Microstructure in nonpolar m-plane GaN and AlGaN films2007
    • 著者名/発表者名
      T.Nagai, T.Kawashima, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 288-292

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Optical properties of GaN/AlGaN QW nanostructures with different well and barrier widths2007
    • 著者名/発表者名
      M Esmaeili, M Sabooni, H Haratizadeh, P P Paskov, B Monemar, P O Holz, S Kamiyama and M Iwaya
    • 雑誌名

      J. Phys.: Condens. Matter 19

      ページ: 356218-356218

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] High-speed growth of AlGaN having high-crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE2007
    • 著者名/発表者名
      N.Kato, S.Sato, T.Sumii, N.Fujimoto, N.Okada, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, H.Maruyama, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 215-218

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Photoluminescence study of MOCVD-grown GaN/AlGaN MQW nanostructures : influence of Al composition and Si doping2007
    • 著者名/発表者名
      M.Esmaeili, H.Haratizadeh, B.Monemar, P.P.Paskov, P.O.Holtz, P.Bergman, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Nanotechnology 18

      ページ: 25401-25401

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Mg-doped high-quality Al_xGa_<1-x>N(x=0-1)grown by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy2007
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, N. Kato, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      physica status solidi(c) 4

      ページ: 2502-2505

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate2007
    • 著者名/発表者名
      K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, K. Nagamatsu, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
    • 雑誌名

      physica status solidi(a) 204

      ページ: 1848-1852

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Annihiation mechanism of threading dislocations in AIN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bando
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 400

      ページ: 136-140

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AIN grown by growth form modification method using V/III ratio2007
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300

      ページ: 136-140

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Growth of High-Quality AlN with High Growth Rate by High Temperature MOVPE2006
    • 著者名/発表者名
      N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (To be published)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17650155

  • [雑誌論文] High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AIN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio2006
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 8639-8643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AlN layers on patterned sapphire substrates2006
    • 著者名/発表者名
      K.Nakano, M.Imura, G.Narita, T.Kitano, Y.Hirose, N.Fujimoto, N.Okada, T.Kawashima, K.Iida, K.Balakrishnan, M.Tsuda, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a) 203

      ページ: 1632-1635

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE2006
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakano, T.Kitano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a) 203

      ページ: 1626-1631

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT2006
    • 著者名/発表者名
      Yoshikazu Hirose, Akira Honshio, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Michinobu Tsuda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. E89-C

      ページ: 1064-1067

    • NAID

      110007538789

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Microstructure of epitaxial lateral overgrown AlN on trench-patterned AlN template by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy2006
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakano, T.Kitano, N.Fujimoto, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 89

      ページ: 21901-21901

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Optical signatures of dopants in GaN2006
    • 著者名/発表者名
      B.Monemar, P.P.Paskov, J.P.Bergman, A.A.Toropov, T.V.Shubina, S.Figge, T.Paskova, D.Hommel, A.Usui, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing 9

      ページ: 168-174

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Low-leakage-current enhancement-mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact2006
    • 著者名/発表者名
      N.Tsuyukuchi, K.Nagamatsu, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018158654

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Anisotropically biaxial strain in a-plane AlGaN on GaN grown on r-plane sapphire2006
    • 著者名/発表者名
      M.Tsuda, H.Furukawa, A.Honshio, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 2509-2513

    • NAID

      40007227459

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio2006
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 8639-8643

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrate2006
    • 著者名/発表者名
      M.Imura, A.Honshio, Y.Miyake, K.Nakano, N.Tsuchiya, M.Tsuda, Y.Okadome, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Physica B : Condensed Matter 376-377

      ページ: 491-495

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Thermodynamic Aspects of Growth of AlGaN by High-Temperature Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2006
    • 著者名/発表者名
      N.Okada, N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45, No.4a(未定)

    • NAID

      40007227457

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17650155

  • [雑誌論文] Radiative recombination mechanism in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells2006
    • 著者名/発表者名
      B.Arnaudov, P.P.Paskov, H.Haratizadeh, P.O.Holtz, B.Monemar, S.Kamiyama, M.Iwaya, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 3

      ページ: 523-1526

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer2006
    • 著者名/発表者名
      Tsuzuki, Hirotoshi, Mori, Fumiaki, Takeda, Kenichiro, Ichikawa, Tomoki, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu, Yoshida, Harumasa, Kuwabara, Masakazu, et al.
    • 雑誌名

      Physics Status Solidi A 206

      ページ: 1199-1204

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT2006
    • 著者名/発表者名
      Y.Hirose, A.Honshio, T.Kawashima, M.Iwaya, S.Kamiyama, M.Tsuda, H.Amano and I.Akasaki
    • 雑誌名

      IEICE Trans.Electron. E89-C

      ページ: 1064-1067

    • NAID

      110007538789

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Low-leakage-current enhancement-mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact2006
    • 著者名/発表者名
      N. Tsuyukuchi, K. Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018158654

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_xGa_<1-x>N/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact2006
    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018340710

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio2006
    • 著者名/発表者名
      M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 8639-8643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Growth of high-quality AlN at high growth rate by high-temperature MOVPE2006
    • 著者名/発表者名
      N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 3

      ページ: 1617-1619

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT2006
    • 著者名/発表者名
      Yoshikazu Hirose, Akira Honshio, takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Michinobu Tsuda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. E89-C

      ページ: 64-1067

    • NAID

      110007538789

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] A hydrogen-related shallow donor in GaN?2006
    • 著者名/発表者名
      B.Monemar, P.P.Paskov, J.P.Bergman, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Physica B : Condensed Matter 376-377

      ページ: 460-463

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Thermodynamic aspects of growth of AlGaN by high-temperature metal organic vapor phase epitaxy2006
    • 著者名/発表者名
      N.Okada, N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 2502-2504

    • NAID

      40007227457

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] Low-leakage-current enhancement-mode AIGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact2006
    • 著者名/発表者名
      N.Tsuyukuchi, K.Nagamatsu, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC substrates2006
    • 著者名/発表者名
      K.Balakrishnan, N.Fujimoto, T.Kitano, A.Bandoh, M.Imura, K.Nakano, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Takagi, T.Noro, K.Shimono, T.Riemann, J.Christen
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 3

      ページ: 1392-1395

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] X-ray diffraction reciprocal lattice space mapping of a-plane AlGaN on GaN2006
    • 著者名/発表者名
      M.Tsuda, H.Furukawa, A.Honshio, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (b) 243

      ページ: 1524-1528

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_xGa_1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact2006
    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.tsuyukuchi, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018340710

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [雑誌論文] Dominant shallow acceptor enhanced by oxygen doping in GaN2006
    • 著者名/発表者名
      B.Monemar, P.P.Paskov, F.Tuomisto, K.Saarinen, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, S.Kimura
    • 雑誌名

      Physica B : Condensed Matter 376-377

      ページ: 440-443

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [雑誌論文] High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGal-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact2006
    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18760259

  • [産業財産権] 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法2019
    • 発明者名
      上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇、他
    • 権利者名
      名城大、豊田合成、小糸製作所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2019-182829
    • 出願年月日
      2019
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [産業財産権] 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法2019
    • 発明者名
      上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇、W. Lu、他
    • 権利者名
      名城大、豊田合成、小糸製作所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2019-164083
    • 出願年月日
      2019
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [産業財産権] 紫外線受光素子及び紫外線受光素子の製造方法2018
    • 発明者名
      岩谷素顕、牛田彩希、吉川陽、永瀬和宏、永富隆清
    • 権利者名
      名城大学、旭化成
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2018-007606
    • 出願年月日
      2018
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [産業財産権] 紫外線受光素子2017
    • 発明者名
      岩谷素顕、牛田彩希、吉川陽、永瀬和宏
    • 権利者名
      名城大学、旭化成
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-116187
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [産業財産権] 発光体発光素子および発光体発光素子の製造方法2017
    • 発明者名
      上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-127720
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [産業財産権] ⅲ族窒化物半導体発光素子とその製造方法2017
    • 発明者名
      竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇、小島久範、安田俊輝、飯田一喜
    • 権利者名
      名城大学、豊田合成
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-217383
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [産業財産権] 窒化物半導体基板とその製造方法2017
    • 発明者名
      岩谷素顕、吉川陽、森下朋浩
    • 権利者名
      名城大学、旭化成
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2017
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [産業財産権] 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法2017
    • 発明者名
      上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-127720
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2017
    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤塚泰斗、岩山章、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-217351
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2017
    • 発明者名
      竹内哲也、不破亮太、岩谷素顕、岩山章、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-217348
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [産業財産権] 半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子の製造方法2016
    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、赤木孝信
    • 権利者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、赤木孝信
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-144041
    • 出願年月日
      2016-07-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [産業財産権] 窒化物半導体素子及びその製造方法2016
    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、赤塚泰斗、赤木孝信
    • 権利者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、赤塚泰斗、赤木孝信
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-154227
    • 出願年月日
      2016-08-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [産業財産権] 窒化物半導体AlGaN系紫外半導体レーザ2016
    • 発明者名
      岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、川瀬祐太、安田俊樹
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-242891
    • 出願年月日
      2016-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子2016
    • 発明者名
      竹内哲也、高須賀大貴、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 権利者名
      竹内哲也、高須賀大貴、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-038890
    • 出願年月日
      2016-03-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [産業財産権] npn型窒化物半導体発光素子の製造方法、およびnpn型窒化物半導体発光素子2015
    • 発明者名
      竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2015-02-23
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子及びその製造方法2015
    • 発明者名
      竹内哲也、小森大資、財部覚、岩谷素顕、赤崎勇
    • 権利者名
      竹内哲也、小森大資、財部覚、岩谷素顕、赤崎勇
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2015-084802
    • 出願年月日
      2015-04-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子2014
    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤崎　勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2014-06-16
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、および窒化物半導体発光素子2014
    • 発明者名
      竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、赤崎 勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-035192
    • 出願年月日
      2014-02-26
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [産業財産権] 電流狭窄を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法2013
    • 発明者名
      竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    • 権利者名
      竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-025361
    • 出願年月日
      2013-02-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [産業財産権] 電流狭窄を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法2013
    • 発明者名
      竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、上山 智、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-025361
    • 出願年月日
      2013-02-13
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [産業財産権] 半導体発光素子アレイおよびその製造方法2013
    • 発明者名
      竹内哲也、渡邉雅大、岩谷素顕、赤崎 勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-155760
    • 出願年月日
      2013-07-26
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子2013
    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2013-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [産業財産権] 半導体発光素子アレイおよびその作成方法2013
    • 発明者名
      竹内哲也、 渡邉雅大、岩谷素顕、赤崎 勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-155760
    • 出願年月日
      2013-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560015

  • [産業財産権] 分極を有する半導体を用いた半導体光素子2013
    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇、天野浩
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2013-12-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [産業財産権] 自立基板の製造方法、AlN自立基板及びIII族窒化物半導体デバイス2011
    • 発明者名
      天野浩、岩谷素顕
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権番号
      2011-060889
    • 出願年月日
      2011-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069011

  • [産業財産権] 半導体素子、及び半導体素子の転位低減方法2010
    • 発明者名
      岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
    • 権利者名
      名城大学
    • 公開番号
      2012-009784
    • 出願年月日
      2010-06-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [産業財産権] 特許III族窒化物系太陽電池2010
    • 発明者名
      岩谷素顕、竹内哲也、上山智、天野浩、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権番号
      2010-146771
    • 出願年月日
      2010
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [産業財産権] 特許III族窒化物系太陽電池及びその製造方法2010
    • 発明者名
      岩谷素顕、竹内哲也、上山智、天野浩
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権番号
      2010-146773
    • 出願年月日
      2010
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [産業財産権] 白色発光ダイオード2010
    • 発明者名
      岩谷素顕、上山智、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 公開番号
      2011-249460
    • 出願年月日
      2010-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [産業財産権] 特許半導体素子、及び半導体素子の転位低減方法2010
    • 発明者名
      岩谷素顕、竹内哲也、上山智、天野浩、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権番号
      2010-146772
    • 出願年月日
      2010
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686034

  • [産業財産権] 発光素子、発光素子用サファイア基板、および発光素子用サファイア基板の製造方法2008
    • 発明者名
      上山智、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇、鈴木敦志、金子由基夫
    • 権利者名
      エルシード(株)
    • 産業財産権番号
      2008-242943
    • 出願年月日
      2008-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560353

  • [産業財産権] 発光素子及びその製造方法2008
    • 発明者名
      上山智, 岩谷素顕, 天野浩, 赤崎勇, 鈴木敦志, 寺前文晴, 北野司, 近藤俊行
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権番号
      2008-283595
    • 出願年月日
      2008-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560353

  • [産業財産権] 発光素子、発光素子用サファイア基板及び発光素子用サファイア基板の製造方法2008
    • 発明者名
      上山智, 岩谷素顕, 天野浩, 赤崎勇, 鈴木敦志, 金子由基夫
    • 権利者名
      エルシード(株)
    • 産業財産権番号
      2008-242943
    • 出願年月日
      2008-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560353

  • [産業財産権] 発光素子及びその製造方法2008
    • 発明者名
      上山智、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇、鈴木敦志、寺前文晴、北野司、近藤俊行
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権番号
      2008-283595
    • 出願年月日
      2008-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560353

  • [産業財産権] 窒化物系半導体の気相成長方法とそれを用いた窒化物系半導体エピタキシャル基板並びに自立基板、及び半導体装置2006
    • 発明者名
      津田 道信, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇
    • 権利者名
      京セラ株式会社、学校法人名城大学
    • 出願年月日
      2006-02-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [産業財産権] 窒化物系半導体の気相成長方法、及び、エピタキシャル基板とそれを用いた半導体装置2006
    • 発明者名
      津田 道信, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇
    • 権利者名
      京セラ株式会社、学校法人名城大学
    • 出願年月日
      2006-03-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206036

  • [学会発表] Progress in UV-B laser diodes fabricated on lattice relaxed AlGaN2023
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Ryosuke Kondo, Ryota Hasegawa, Ayumu Yabutani, Eri Matsubara, Toma Nishibayashi, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
    • 学会等名
      SPIE Photonics West Gallium Nitride Materials and Devices XVIII
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [学会発表] Development of AlGaN-based laser diodes in the UV-A to UV-B regions2023
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
    • 学会等名
      SPIE Photonics West Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXII
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [学会発表] Fabrication of vertical UV light-emitting devices by separation of sapphire substrates2023
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Toma Nishibayashi, Moe Shimokawa, Ryota Hasegawa, Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Ryosuke Kondo, Ayumu Yabutani, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Kohei Miyoshi, Koichi Naniwae, Akihiro Yamaguchi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVII
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [学会発表] Increasing the light output power of AlGaN-based ultraviolet-B band laser diodes fabricated on periodic AlN nanopillars2022
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors 2022
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [学会発表] 高品質AlGaN結晶の作製とデバイス応用2022
    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕，岩山　章，竹内　哲也, 上山　智, 三宅秀人
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体学会　チュートリアル：ワイドギャップ半導体光・電子デバイスの最前線
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [学会発表] AlGaN-based UV-B laser diode fabricated on sapphire substrate and its progress2022
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
    • 学会等名
      APWS 2022
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [学会発表] AlGaN-Based UV-B Laser Diodes Fabricated on Lattice-Relaxed AlGaN Formed on Sapphire Substrates2022
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi , Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
    • 学会等名
      The 5th International workshop on ultraviolet materials and devices
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [学会発表] 深紫外LDの最近の進展2022
    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕，岩山　章，竹内　哲也, 上山　智, 三宅秀人
    • 学会等名
      光とレーザーの科学技術フェア2022
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22H00304

  • [学会発表] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討2021
    • 著者名/発表者名
      山根耀真、Weifang Lu、柳井光佑、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] AlGaN系UV-B LD構造における注入効率向上に関する検討2021
    • 著者名/発表者名
      薮谷歩武，大森智也，田中隼也，山田和輝，佐藤恒輔，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaInN 系量子殻の光学特性改善のためのGaInN/GaN超格子の検討2021
    • 著者名/発表者名
      中山奈々美、Weifang Lu、曽根直樹、伊藤和真、宮本義也、奥田廉士、勝呂紗衣、神野幸美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Improvement of device performance in UV-B laser diodes2021
    • 著者名/発表者名
      M. Iwaya, S. Tanaka, Y. Ogino, M. Shimokawa,K. Yamada, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura,K. Sato, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama,I. Akasaki, H. Miyake
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2021
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 量子殻特異構造の作製と光デバイス応用2021
    • 著者名/発表者名
      上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 高温スパッタ法によるScAlMgO4基板上AlNバッファ層の検討2021
    • 著者名/発表者名
      寶藏圭祐、韓東杓、眞野稜也、高橋遼、藤木領人、平松稜也、澤井奏人、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、福田承生、藤井高志
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] In-situ activation of MOVPE-grown GaN tunnel junctions2021
    • 著者名/発表者名
      T. Ito, M. Odawara, M. Tasaki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 2つの手法を組み合わせたシミュレーション法によるナノパターン化基板を用いたGaInN系緑色LEDの光取り出し効率の計算2021
    • 著者名/発表者名
      平松稜也, 韓東杓, 眞野稜也, 高橋遼, 藤木領人, 澤井奏人, 寶藏圭祐、上山智, 竹内哲也、 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 量子殻デバイスへのトンネル接合導入のためのm面GaN基板上トンネル接合成長に関する検討2021
    • 著者名/発表者名
      山村志織、宮本義也、曽根直樹、Weifang Lu、奥田廉士、伊藤和真、神野幸美、中山奈々美、勝呂紗衣、奥野浩司、水谷浩一、飯田一喜、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] トンネル接合を用いた量子殻レーザの実現に向けたn-GaNへの電極形成に関する検討2021
    • 著者名/発表者名
      神野幸美,　奥田廉士,　水谷浩一,　奥野浩司,　飯田一喜,　宮本義也,　山村志織,　曽根直樹,　伊藤和真,　勝呂紗衣,　Weifang Lu、中山奈々美、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Emission wavelength control of GaInN/GaN multi-quantum shells /nanowires grown by metalorganic vapour phase epitaxy2021
    • 著者名/発表者名
      K. Ito, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, R. Okuda, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] MOVPE growth and fabrication of multi-quantum-shell-based blue lasers2021
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, W. Lu, N. Sone, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Crystal growth of n-GaN on nanowire-based light emitter including multiple-quantum-shell and tunnel junction2021
    • 著者名/発表者名
      Y. Miyamoto, N. Sone, W. Lu, K. Ito, R. Okuda, K. Iida, M. Ohya, K. Okuno, K. Mizutani, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Fabrication of index-guided multi-quantum shell lasers toward room-temperature pulsed lasing operation2021
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama T. Takeuchi, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 量子殻/トンネル接合を用いたナノワイヤLD実現に向けたGaN結晶中の不純物ドーピング評価2021
    • 著者名/発表者名
      曽根直樹、宮本義也、奥田廉士、伊藤和真、山村志織、神野幸美、勝呂紗衣、中山奈々美、奥野浩司、水谷浩一、飯田一喜、Weifang Lu、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaInN系量子殻LEDのEL特性2021
    • 著者名/発表者名
      勝呂紗衣、Weifang Lu、伊藤和真、中山奈々美、曽根直樹、奥田廉士、宮本義也、神野幸美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Device fabrication for multiple quantum shell nanowires based laser diodes2021
    • 著者名/発表者名
      R. Okuda, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, K. Ito, K. Iida, M. Ohya, K. Okuno, K. Mizutani, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 量子殻活性層及びトンネル接合を有するレーザ構造の作製と評価2021
    • 著者名/発表者名
      奥田廉士、Weifang Lu、曽根直樹、飯田一喜、奥野浩司、水谷浩一、宮本義也、伊藤和真、神野幸美、勝呂紗衣、中山奈々美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] トンネル接合を用いた屈折率導波型量子殻レーザ構造の検討2020
    • 著者名/発表者名
      奥田廉士、Weifang Lu、曽根直樹、飯田一喜、大矢昌輝、奥野浩司、水谷浩一、宮本義也、伊藤和真、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第８１回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 高品質AlGaN結晶の結晶成長とその上に作製したUV-B半導体レーザ2020
    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕、佐藤恒輔、田中隼也、手良村昌平、大森智也、山田和輝、石塚彩花、下川萌葉、荻野雄矢、岩山章、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
    • 学会等名
      第８１回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] ITOを用いた窒化物半導体量子殻LED長波長発光デバイスの作製2020
    • 著者名/発表者名
      伊藤和真、Weifang Lu、曽根直樹、宮本義也、奥田廉士、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] AlGaN UVB レーザダイオードのキャリア注入効率の算出2020
    • 著者名/発表者名
      佐藤恒輔、大森智也、山田和輝、田中隼也、石塚彩花、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、三宅秀人、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] ミスト供給法を用いたAlInN層の熱酸化の低温化2020
    • 著者名/発表者名
      松本浩輝、岩山章、小出典克、小田原麻人、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、丸山隆浩、赤崎 勇
    • 学会等名
      第８１回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] ナノワイヤ径及びピッチ制御によるナノワイヤLEDの発光波長制御2020
    • 著者名/発表者名
      伊藤和真、W. Lu、曽根直樹、村上ヒデキ、後藤七美、寺澤美月、宮本義也、奥田廉士、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] トンネル接合を用いた量子殻LD 実現に向けた結晶成長評価2020
    • 著者名/発表者名
      曽根直樹、奥田廉士、宮本義也、伊藤和真、飯田一喜、奥野浩司、水谷浩一、大矢昌輝、Weifang Lu、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第８１回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] サファイア基板上AlGaN材料UVBレーザダイオード の構造検討2020
    • 著者名/発表者名
      佐藤恒輔，山田和輝, 石塚 彩花,田中隼也, 大森智也, 手良村昌平, 岩山章, 三宅秀人,岩谷 素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇
    • 学会等名
      第８１回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 組成傾斜AlGaNクラッド層を用いた UV -B LDの内部ロス評価2020
    • 著者名/発表者名
      大森智也、石塚彩花、田中隼也、佐藤恒輔、安江信次、荻野雄矢、山田和輝、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
    • 学会等名
      第８１回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] UV -B LDにおける分極ドーピングp型AlGaNクラッド層のAl組成およびMg濃度依存性2020
    • 著者名/発表者名
      山田和輝、佐藤恒輔、大安江信次、田中隼也、手良村昌平、荻野雄矢、大森智也、石塚彩花、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人、寒川義裕、K. Sakowski
    • 学会等名
      第８１回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] ナノパターンを形成したAlNおよび Al0.55Ga0.45N上へのAl0.55Ga0.45Nの結晶成長2020
    • 著者名/発表者名
      手良村昌平、下川萌葉, 岩山章, 岩谷素顕 , 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇、正直花奈子、三宅秀人
    • 学会等名
      第８１回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討2020
    • 著者名/発表者名
      山根耀真, 田中大稀, W. Lu, 柳井光佑, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GRIN-SCH構造を用いたAlGaN系UV-Bレーザダイオードの最適化2020
    • 著者名/発表者名
      田中隼也、佐藤恒輔、安江信次、荻野雄矢、山田和輝、石塚彩花、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
    • 学会等名
      第８１回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 量子殻/トンネル接合発光デバイスの実現に向けたn-GaN埋め込み成長に関する検討2020
    • 著者名/発表者名
      宮本義也、後藤七美、曽根直樹、飯田一喜、W. Lu、村上ヒデキ、寺澤美月、伊藤和真、奥田廉士、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討2020
    • 著者名/発表者名
      宮本義也、曽根直樹、Weifang Lu、奥田廉士、伊藤和真、奥野浩司、飯田一喜、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlNテンプレート上に成長した Al 0.6Ga 0.4N厚膜のホモエピタキシャルAlN層依存性2020
    • 著者名/発表者名
      下川萌葉，手良村昌平，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人
    • 学会等名
      第49回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Crystal growth and optical property2020
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2020
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 高濃度のホウ素・窒素が添加された蛍光SiCにおける光学特性2019
    • 著者名/発表者名
      田中大稀，W. Lu，上山智，竹内哲也，岩谷素顕，赤﨑勇
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Cathodoluminescence enhancement in InGaN/GaN multiquantum shell/GaN nanowires core structure by using AlGaN undershells2019
    • 著者名/発表者名
      W. Lu, N. Goto, N. Sone, K. Iida, A. Suzuki, H. Murakami, M. Terazawa, K. Nokimura, M. Takebayashi, M. Ohya, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Crystal growth and optical property of GaInN/GaN multi-quantum shells and GaN nanowire cores by metalorganic vapor phase epitaxy2019
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, W. Lu, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      IEEE Photonics Conference 2019
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] White LED in combination with bulk and porous fluorescent SiC2019
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, A. Suzuki, W. Lu, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] MOCVD法によるナノワイヤLED上n-GaNキャップ層成長2019
    • 著者名/発表者名
      後藤七美、曽根直樹、飯田一喜、Weifang Lu、鈴木敦志、軒村恭平、竹林穣、村上ヒデキ、寺澤美月、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 近接昇華法を用いた6H-SiCへのB,Nの高濃度コドーピングの検討2019
    • 著者名/発表者名
      田中大稀, 黒川広朗, 上山智, 岩谷素顕, 竹内哲也, 赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] コアシェル型ナノワイヤLEDのp-GaNシェル成長に関する検討2019
    • 著者名/発表者名
      曽根直樹、後藤七美、飯田一喜、大矢昌輝、Weifang Lu、村上ヒデキ、寺澤美月、埋橋淳, 大久保忠勝, 宝野和博, 上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] ミラー形成にTMAHTMAHTMAHウェットエチングを用いたUV デバイスの デバイスのデバイスの特性評価2019
    • 著者名/発表者名
      安江信次，佐藤恒輔，川瀬雄太，池田隼也、櫻木勇介，岩山章，岩谷素顕，上山智，竹内哲也，赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 量子殻構造LEDのp型殻用電極に関する検討2019
    • 著者名/発表者名
      鈴木敦志, 村上ヒデキ, 軒村恭平,竹林 穣,後藤七美, 寺澤美月, Weifang Lu,曽根直樹, 飯田一喜,大矢昌輝, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Improved Uniform Current Injection into Core-shell Type GaInN Nanowire LEDs by Optimizing Growth Condition and Indium-Tin-Oxide Deposition2019
    • 著者名/発表者名
      N. Sone, A. Suzuki, H. Murakami, K. Nokimura, Minoru Takebayashi, Nanami Goto, Mizuki Terazawa, W. Lu, K. Iida, M. Ohya, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaNナノワイヤとGaInN/GaN多重量子殻のMOVPE成長と構造評価2019
    • 著者名/発表者名
      後藤七美、曽根直樹、飯田一喜、W. Lu、村上ヒデキ、寺澤美月、埋橋淳, 関口隆史, 大久保忠勝, J. Chen, W. Yi, 宝野和博、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 様々なAlNテンプレート上に形成した緩和AlGaN層に作製したUV-Bレーザ2019
    • 著者名/発表者名
      手良村昌平，川瀬雄太, 池田隼也，櫻木勇介，安江信次, 田中隼也，荻野雄矢，岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 岩山章, 赤﨑勇, 三宅秀人
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Optical characterization of fluorescent SiC with high boron and nitrogen concentrations2019
    • 著者名/発表者名
      D. Tanaka, W. Lu, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Luminescent properties of coaxial InGaN/GaN multi-quantum shell with AlGaN undershell grown on GaN nanowire2019
    • 著者名/発表者名
      W. Lu, N. Goto, N. Sone K. Iida, A. Suzuki, H. Murakami, M. Terazawa, K. Nokimura, M. Tekebayashi, M. Ohya, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      E-MRS 2019 Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] MOVPE growth of n-GaN cap layer on GaInN/GaN multi-quantum shell LEDs2019
    • 著者名/発表者名
      N. Goto, N. Sone, K. Iida, W. Lu, A. Suzuki, H. Murkami, M. Terazawa, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Crystal Growth and Eptaxy
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 高効率緑色LEDのための二重金属Ag/Auナノ粒子による表面プラズモン共鳴波長の制御2019
    • 著者名/発表者名
      真野稜也，ハン・ドンピョ,石本聖治,山本賢吾,上山智, 竹内哲也,岩谷素顕,赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Fabrication and Characterization of Multi-Quantum-Shell light emitting diodes with Tunnel Junction2019
    • 著者名/発表者名
      H. Murakami, A. Suzuki, K. Nokimura, M. Takebayashi, N. Goto, M. Terazawa, W. Lu, N. Sone, K. Iida, M. Ohya, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 高反射率AlInN/GaN多層膜反射鏡のためのその場観察反り測定2019
    • 著者名/発表者名
      平岩恵，村永亘，岩山章，竹内哲也，上山智，岩谷素顕，赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Growth of GaN nanowire and GaInN/GaN multi-quantum shell (MQS) grown by metal-organic vapor phase epitaxy2018
    • 著者名/発表者名
      Naoki Sone, Nanami Goto, Mizuki Terazawa, Hideki Murakami, Kyohei Nokimura, Minoru Takebayashi,, Atsushi Suzuki, Kazuyoshi Iida, Masaki Ohya, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] AlN molar fraction dependence of TMAH wet etching on AlGaN2018
    • 著者名/発表者名
      Shinji Yasue, Kosuke Sato, Yuta Kawase, Junya Ikeda, Yusuke Sakuragi, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya,, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] A 1.8mW GaN-based VCSEL with an n-type conducting bottom DBR2018
    • 著者名/発表者名
      Wataru Muranaga,youta Fuwa, Takanobu Akagi, Sho Iwayama, Shotaro Yoshida,Yasuto Akatsuka, Junichiro Ogimoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaN-based VCSELs: Their Progress and Prospects2018
    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      23rd Microoptics Conference
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 深紫外LED発光特性の基板オフ角・方向依存性2018
    • 著者名/発表者名
      小島久範、小笠原多久満、金明姫、飯田一善、小出典克、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Realization of high photosensitivity AlGaN-based photosensors2018
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Akira Yoshikawa
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Realization of high performance AlGaN-based UV emitters and detectors2018
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Ceramic Congress,
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] AlGaN/アニール処理スパッタAlNテンプレート上に作製した紫外レーザ2018
    • 著者名/発表者名
      川瀬雄太、池田隼也、櫻木勇介、安江信次、岩山章、金明姫、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅 秀人
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Optical and structural characterization of GaInN/GaN multiple quantum wells grown on nonpolar a-plane GaN templates by MOVPE2018
    • 著者名/発表者名
      Shunya Otsuki, Daiki Jinno, Hisayoshi Daicho, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] AlGaN系材料に対するTMAHウェットエッチングのAlNモル分率依存性2018
    • 著者名/発表者名
      安江信次、佐藤恒輔、川瀬雄太、池田隼也、櫻木勇介、岩山章、岩谷素顕、上山智、竹内哲也、赤崎勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] n-GaN電流拡散層を用いたGaInN系量子殻LEDの光学シミュレーション2018
    • 著者名/発表者名
      寺澤美月、大矢昌輝、飯田一喜、曽根直樹、鈴木敦志、軒村恭平、竹林穣、後藤七美、村上ヒデキ、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] High photosensitivity AlGaN/GaInN/GaN heterojunction field-effect transistor type visible photosensors2018
    • 著者名/発表者名
      Megumi Sakata, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Kamiyama
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 量子殻構造を有する LED のデバイス特性評価2018
    • 著者名/発表者名
      村上ヒデキ、鈴木敦志、軒村恭平、竹林穣、後藤七美、寺澤美月、曽根直樹、飯田一喜、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] UV laser fabricated on relaxed AlGaN high temperature annealed and sputtered AlN Sapphire templates2018
    • 著者名/発表者名
      Yuta Kawase, Junya Ikeda, Yusuke Sakuragi, shinji Yasue, Sho Iwayama, Myunghee Kim, Motoaki Iwaya,, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hideto Miyake
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] MOVPE-grown GaN-based tunnel junction and its application2018
    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West OPTO
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Reduction of threading dislocation density in AlInN/GaN DBRs for GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers2018
    • 著者名/発表者名
      Takanobu Akagi, Yugo Kozuka, Kazuki Ikeyama, Sho Iwayama, Masaru Kuramoto, Tatsuma Saito, Tetsuya, Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Crystal growth of high quality AlGaN for UV lasers2018
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaInN VCSELs with semiconductor-based DBRs2018
    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      SPIE photonics Europe
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Realization of High Performance UV Emitters and detectors by using AlGaN Materials2018
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on Nanomaterials and Nanotechnology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Study on GaInN/GaN multi-quantum shells for high-performance optoelectronic devices2018
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Growth of GaInN yellow-green LEDs2018
    • 著者名/発表者名
      Junya Yoshinaga, Tatsuya Ichikawa, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Growth mechanism of GaInN/GaN multi-quantum shells and GaN nanowire structure grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018
    • 著者名/発表者名
      Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 19th World Congress on Materials Science and Engineering
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] ZrO2 /AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計2018
    • 著者名/発表者名
      山口 修平，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063

  • [学会発表] Observation of crystal growth of group III nitride semiconductors by using in situ X-ray diffraction attached metalorganic vapor phase epitaxial equipment2018
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] AlGaN-based electron beam excitation UV lasers using AlGaN well layer2018
    • 著者名/発表者名
      Yusuke Sakuragi, Yuta Kawase, Jyunya Ikeda, Shinji Yasue, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama,, Tetsuya Takeuchi, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] MOVPE　growth of thick and smooth surface GaInN on semipolar (1011) and (1011) GaN substrate and it sapplication of solar cell2018
    • 著者名/発表者名
      Noboru Muramatsu, Toru Takanishi, Syun Mitsufujji, Kazuya Takahashi, Motoaki Iwayaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Effects of underlying layers on electrical properties of p-(Al)GaN/p-AlGaN superlattices2018
    • 著者名/発表者名
      Kosuke Sato,Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 緑色LEDにおける表面プラズモン効果のためのp-GaN層の最適化2018
    • 著者名/発表者名
      山本賢吾、ハン ドンピョ、石本聖治、真野稜也、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Study on emission wavelength control of GaInN multi-quantum-shell / GaN nanowire2018
    • 著者名/発表者名
      Nanami Goto, Kohei Sasai, Kazuyoshi Iida, Naoki Sone, Atushi Suzuki, Kyohei Nokimura, Minoru Takebayashi, Satoshi Kamiyama, Tetuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Electrically-injected GaN-based VCSELs2018
    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Substrate off-angle and direction dependences on DUV-LED characteristics2018
    • 著者名/発表者名
      Hisanori Kojima, Takuma Ogasawara, Myunghee Kim, Yoshiki Saito, Kazuyoshi Iida, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Optical simulation of GaInN-based Multi-Quantum-Shell (MQS) LED using n-GaN current diffusing layer2018
    • 著者名/発表者名
      Mizuki Terazawa, Masaki Ohya, Kazuyoshi Iida, Naoki Sone, Atsushi Suzuki, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaInN系面発光レーザーの開発と展望2018
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第38回年次大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Growth and characterization of GaInN/GaN multi-quantum shell (MQS) /GaN nanowire2018
    • 著者名/発表者名
      Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      World Congress on Nano Science and Technology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaInN/GaN multi-quantum shells for high-performance optoelectronic devices2018
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West OPTO
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Determination of Internal Quantum Efficiency in Light-emitting Diode under Electrical Injection: IQE Degradation Mechanism Analysis2018
    • 著者名/発表者名
      Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Seiji Ishimoto, Ryoya Mano, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製2018
    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063

  • [学会発表] Blue edge-emitting laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers2018
    • 著者名/発表者名
      Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] EB excitation of UV lasers using the GaN/AlGaN MQW active layers2018
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      EMN meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 電子線励起による GaN/AlGaN 系レーザー2018
    • 著者名/発表者名
      岩谷素顕、岩山章、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、松本 貴裕
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第38回年次大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Optimization of ITO deposition condition for surface plasmon enhanced green LED2018
    • 著者名/発表者名
      Kengo Yamamoto, Dong-Pyo Han, Seiji Ishimoto, Ryoya Mano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Influence of trap level on Al0.6Ga0.4N/Al0.5Ga0.5N-MSM UV photodetector2018
    • 著者名/発表者名
      Akira Yoshikawa, Saki Ushida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Modification of underlying layers to improve quantum efficiency in green light emitting diodes2018
    • 著者名/発表者名
      Seiji Ishimoto, Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Ryoya Mano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 下地GaN/GaInN超格子による緑色LEDの発光特性の変化2018
    • 著者名/発表者名
      石本聖治、Han Dong-Pyo、山本賢吾、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with MOVPE-grown AlInN/GaN DBRs2018
    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Fabrication of GaN-based multi-quantum shell LED2018
    • 著者名/発表者名
      Kyohei Nokimura, Naoki Sone, Atsushi Suzuki, Kazuyoshi Iida, Minoru Takebayashi, Satoshi Kamiyama,, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 高効率GaN面発光レーザの現状と展望2017
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也・上山　智・岩谷素顕・赤﨑　勇
    • 学会等名
      電子情報通信学会　総合大会
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2017-03-22
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Modified Shockley diode equation suitable for InGaN-based light-emitting diodes2017
    • 著者名/発表者名
      Dong-Pyo Han, Jong-In Shim, Dong-Soo Shin, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価2017
    • 著者名/発表者名
      清木 良麻、澁谷 弘樹、今井 康彦、隅谷 和嗣、木村 滋、岩瀬 航平、宮嶋 孝夫、上山 智、今井 大地、竹内 哲也、岩谷 素顕、赤崎 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Nitride-based nanowire and multi-quantum shell active layer for advanced photonic devices2017
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 3rd Congress on Materials Science and Engineering
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Semipolar (10-1-1) GaInN/GaN p-i-n lightemitting2017
    • 著者名/発表者名
      N. Muramatsu, T. Takanishi, S. Mitsufuji, M. Iwaya, T. Takeuchi, S.Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN-based VCSELs with AlInN/GaN DBRs2017
    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics west
    • 発表場所
      San Fransisco
    • 年月日
      2017-01-29
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Nitride-based nanowire and multi-quantum shell active layer for advanced photonic devices2017
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 3rd Congress on Materials Science and Engineering
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaNナノワイヤ結晶の限定領域形成に関する基礎検討2017
    • 著者名/発表者名
      竹林穣、栗崎勇気、澁谷弘樹、M. Kim、上山智、竹内 哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaN-based VCSELs towards high efficiency2017
    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      OPIC 2017 LDC’17
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] High-performance GaN-based VCSELs2017
    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      2017 IEEE Photonics Conference
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017
    • 著者名/発表者名
      N. Hayashi, K. Matsui, T. Furuta, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      ISPlasma 2017
    • 発表場所
      Chubu University, Japan
    • 年月日
      2017-02-28
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 紫外発光素子に向けたp層側光吸収低減の検討2017
    • 著者名/発表者名
      安田俊輝、桑原奈津子、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO32017
    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama
    • 学会等名
      紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063

  • [学会発表] Structural analysis of GaInN/GaN multiquantum wells grown on a GaN {1-100} sidewall of nanowire by using an x-ray micro beam2017
    • 著者名/発表者名
      R. Seiki, H. Shibuya, Y. Imai, K.Sumitani, S. Kimura, K. Iwase, T. Miyajima, S. Kamiyama, D. Imai, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] r面サファイア基板上スパッタリング成膜AlNバッファ層の結晶品質と熱処理効果2017
    • 著者名/発表者名
      大槻 隼也、神野 大樹、大長 久芳、上山 智、竹内 哲也、岩谷 素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Modified Shockley diode equation suitable for InGaN-based light-emitting diodes2017
    • 著者名/発表者名
      D.-P. Han, J.-I. Shim, D.-S. Shin, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Fabrication of GaInN/GaInP/GaAs/Ge 4-junction solar cell using wafer bonding technology2017
    • 著者名/発表者名
      Kazuya Takahashi Ryoji Shinoda Syun Mitsufuji Motoaki Iwaya Tetsuya Takeuchi Satoshi Kamiyama Tomokazu Hattori Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaInN vertical-cavity surface-emitting lasers with AlInN/GaN DBRs2017
    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 12th international conference on nitride semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討2017
    • 著者名/発表者名
      高橋 一矢、篠田 涼二、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、服部 友一、赤崎 勇、片山 竜二、上向井 正裕
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Study on growth condition of 3D nanowire/GaInN-based multi-quantum shell active layer2017
    • 著者名/発表者名
      K. Nokimura, M. H. Kim, A. suzuki, Y. Kurisaki, M. Takebayashi, H. Shibuya, K. Sasai. S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      Materials Research Society Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaNナノワイヤ結晶の限定領域形成に関する基礎検討2017
    • 著者名/発表者名
      林 菜摘、松井 健城、古田 貴士、赤木 孝信、竹内 哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 名城大学におけるGaInN系面発光レーザの現状とその展望2017
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
    • 学会等名
      光電相互変換第125委員会　第236回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN/GaN tunnel junctions grown by MOVPE2017
    • 著者名/発表者名
      Ryota Fuwa, Daiki Takasuka, Yasuto Akatsuka, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      LEDIA'17
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] 横方向光閉じ込め構造を有するGaN系面発光レーザ2017
    • 著者名/発表者名
      林 菜摘，松井 健城，古田 貴士，赤木 孝信，竹内 哲也，上山 智，岩谷 素顕，赤﨑 勇
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] r面サファイア基板上スパッタリング成膜AlNバッファ層の結晶品質と熱処理効果2017
    • 著者名/発表者名
      大槻隼也, 神野大樹, 大長久芳, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Demonstration of AlGaN/GaN UV lasers by electron beam pumping2017
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya,　Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2017-03-05
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN-based VCSELs towards high efficiency2017
    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      Laser Disply Conference 2017
    • 発表場所
      Yokohama
    • 年月日
      2017-04-18
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Structure of porous SiC by voltage controlled anodic oxidation method2017
    • 著者名/発表者名
      H. Kurokawa, S. Kamiyama, I. Akasaki, T. Takeuchi, M. Iwaya, Y. Iwasa
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] アニール処理したスパッタ AlN膜上に形成したAlGaNの特性2017
    • 著者名/発表者名
      袴田 淳哉、川瀬 雄太、岩山 章、岩谷 素顕、上山 智、竹内 哲也、赤﨑 勇、三宅 秀人
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaInN/GaN Multi-Quantum-Shell (MQS) on GaN Nanowire for 3D Light-Emitting Diode2017
    • 著者名/発表者名
      M. H. Kim, K. Nokimura, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      European Materials Research Society Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 紫外発光素子に向けたp層側光吸収低減の検討2017
    • 著者名/発表者名
      安田 俊輝、桑原 奈津子、竹内 哲也、岩谷 素顕、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaNナノワイヤを用いた高出力LED作製に向けた検討2017
    • 著者名/発表者名
      軒村 恭平、栗崎 湧気、上山 智、竹内 哲也、岩谷 素顕、赤崎 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Feasibility study on limited area formation of GaN nanowires for multi-quantum shell LDs2017
    • 著者名/発表者名
      Minoru Takebayashi, Yuki Kurisaki, Hiroki Shibuya, Myunghee Kim, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] AlGaN系紫外レーザの現状と期待2017
    • 著者名/発表者名
      岩谷　素顕, Ling Dong , 岩山　章 ，川瀬雄太 ，竹内　哲也, 上山　智, 赤﨑　勇，三宅秀人
    • 学会等名
      第46回日本結晶成長学会国内会議
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Feasibility study on limited area formation of GaN nanowires for multi-quantum shell LDs2017
    • 著者名/発表者名
      M. Takebayashi, Y. Kurisaki, H. Shibuya, M. Kim, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaN/GaN tunnel junctions grown by MOVPE2017
    • 著者名/発表者名
      R. Fuwa, D. Takasuka, Y. Akatsuka, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama,and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Formation and characterization of porous SiC by anodic oxidation using potassium persulfate solution2017
    • 著者名/発表者名
      Y. Iwasa, S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE NanoPhotonics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発2017
    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063

  • [学会発表] 極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計2017
    • 著者名/発表者名
      山口 修平，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063

  • [学会発表] Demonstration of AlGaN/GaN-based UV lasers excited by electron beam2017
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya,　Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      SPIE Photonics west
    • 発表場所
      San Fransisco, USA
    • 年月日
      2017-01-29
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] X 線マイクロビームを用いた 窒化物系単一ナノワイヤ上 Ga1-xInxN/GaN 量子井戸の構造評価2017
    • 著者名/発表者名
      清木良麻，澁谷弘樹，今井康彦，隅谷和嗣，木村滋，岩瀬航平， 宮嶋孝夫，上山智，今井大地，竹内哲也，岩谷素顕，赤崎 勇
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 高効率窒化物半導体発光素子に向けた新展開2017
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第104回合同研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017
    • 著者名/発表者名
      N. Hayashi, K. Matsui, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Low-temperature embedded growth over III-nitride nanowires2017
    • 著者名/発表者名
      H. Shibuya, Y. Kurisaki,S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi and I. Akasaki
    • 学会等名
      ISPlasma 2017
    • 発表場所
      Nagoya
    • 年月日
      2017-03-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaN-based VCSELs Towards High Efficiency2017
    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Demonstration of electron beam pumped GaN-based laser2017
    • 著者名/発表者名
      T. Hayashi, N. Nagata, T. Senga, S. Iwayama, M. Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I. Akasaki, and T. Matsumoto
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Fabrication and characterization of AlGaN templates on annealed sputtering AlN layer2017
    • 著者名/発表者名
      J. Hakamata, Y. Kawase, S. Iwayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとHVPE法によるホモエピ成長・口頭2017
    • 著者名/発表者名
      劉 怡康、三宅 秀人、平松 和政、岩谷 素顕、赤崎 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Electron beam excitation of ultraviolet laser using a GaN/AlGaN multi quantum well active layer2017
    • 著者名/発表者名
      Takafumi Hayashi, Lin Dong, Yuta Kawase, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 横方向光閉じ込め構造を有するGaN系面発光レーザ2017
    • 著者名/発表者名
      林 菜摘、松井 健城、古田 貴士、赤木 孝信、竹内 哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 蛍光SiCの発光特性評価2017
    • 著者名/発表者名
      上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第370回蛍光体同学会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Alternative hole injections in nitride-based light-emitting devices2017
    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017
    • 著者名/発表者名
      N. Hayashi, K. Matsui, T. Furuta, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      ISPlasma 2017
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] AlN epitaxial growth with Ga supply on off-cut sapphire substrate2017
    • 著者名/発表者名
      Takuma Ogasawara, Toshiki Yasuda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      LEDIA'17
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO32017
    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063

  • [学会発表] GaInN vertical-cavity surface-emitting lasers with AlInN/GaN DBRs2017
    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 電子線励起法によるGaN/AlGaN-MQW レーザ2017
    • 著者名/発表者名
      林 貴文、永田 訓章、千賀 崇史、岩山 章、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Design of polarity-inverted multilayer AlN waveguide for deep UV second harmonic generation2017
    • 著者名/発表者名
      S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063

  • [学会発表] 横方向光閉じ込め構造を有するGaN系面発光レーザ2017
    • 著者名/発表者名
      林 菜摘，松井 健城，古田 貴士，赤木 孝信，竹内 哲也，上山 智，岩谷 素顕，赤﨑 勇
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017
    • 著者名/発表者名
      N. Hayashi , K. Matsui , T. Takeuchi , S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 窒化物半導体における新しい導電性制御：トンネル接合と分極ドーピング2017
    • 著者名/発表者名
      竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤﨑　勇
    • 学会等名
      第36回電子材料シンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Acceleration Voltage Dependence of Threshold Power Density in AlGaN/GaN Based Electron2017
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Takafumi Hayash, Noriaki Nagata,Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      11th International Symposium on
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Optical characteristics of plasmonic LEDs with and without dielectic films2017
    • 著者名/発表者名
      S. Matsuo, J. Ohsumi, K. Niwa, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Realization of electron beam excitation of UV laser using a AlGaN/GaN multi quantum well active layer2017
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      European Material Research Scociety Symposium Fall meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] High electron concentrations in MOCVD-grown Si-doped dilute AlxGa1-xN on sapphire2017
    • 著者名/発表者名
      B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 紫外発光素子に向けたp層側光吸収低減の検討2017
    • 著者名/発表者名
      安田俊輝、桑原奈津子、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] GaNナノワイヤを用いた高出力LED作製に向けた検討2017
    • 著者名/発表者名
      軒村恭平, 栗崎湧気, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤崎 勇
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Fabrication of high-quality AlN template by high-temperature annealing for deepultraviolet2017
    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaInN トンネル接合と n 型 GaNSb による低温 p 側構造の作製2016
    • 著者名/発表者名
      鈴木 健太、財部 覚、高須賀 大貴、小出 典克、 竹内 哲也、岩谷 素顕、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Observation of AlGaN/GaN heterostructure by in situ XRD attached metalorganic vapor phase epitaxial equipment2016
    • 著者名/発表者名
      J. Osumi, R. Kanayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki,
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      Nagoya/Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Polarization induced hole accumulations in nitride semiconductor heterostructures2016
    • 著者名/発表者名
      T. Yasuda, S. Yoshida, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 学会等名
      LEDIA’16
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] ITO/Ga2O3 multilayer electrodes towards deep UV-LEDs2016
    • 著者名/発表者名
      N. Kuwabara, T. Yasuda, S. Katsuno, N. Koide, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      LEDIA’16
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Determination of the Site of Sb Occupation in MOCVD-Grown GaN1xSbx Using X-Ray Absorption Fine-Structure Measurements2016
    • 著者名/発表者名
      Takao Miyajima, Daisuke Komori, Toshiaki Ina, Ryoma Seiki, Kiyofumi Nitta, Tetsuya Takeuchi, Tomoya Uruga, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki,
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] アニール処理AlN下地層上AlGaN/AlN-MQWの光学特性2016
    • 著者名/発表者名
      袴田 淳哉、草深 敏匡、千賀 崇史、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、三宅 秀人、赤崎 勇
    • 学会等名
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      東京/日本
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] X線吸収微細構造測定によるAl0.82In0.18Nの局所構造解析2016
    • 著者名/発表者名
      清木 良麻、小森 大資、池山 和希、伊奈 稔哲、小沼 猛儀、宮嶋 孝夫、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、赤崎 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 3-mW RT-CW GaN-Based VCSELs and Their Temperature Dependence2016
    • 著者名/発表者名
      Kenjo Matsui, Takashi Furuta, Natsumi Hayashi, Yugo Kozuka, Takanobu Akagi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki,
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] High Temperature Annealing of Sputtered AlN Buffer Layer on r-Plane Sapphire Substrate and its Effect on Crystalline Quality of a-Plane GaN2016
    • 著者名/発表者名
      Daiki Jinno, Shun Otsuki, Teruyuki Niimi, Hisayoshi Daicho, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 低温下におけるⅢ族窒化物ナノワイヤの埋め込み成長に関する研究2016
    • 著者名/発表者名
      澁谷 弘樹、上山 智、岩谷 素顕、竹内 哲也、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] アニール処理AlN下地層上AlGaN/AlN-MQWの光学特性2016
    • 著者名/発表者名
      袴田 淳哉、草深 敏匡、千賀 崇史、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、三宅 秀人、赤崎 勇
    • 学会等名
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      東京/日本
    • 年月日
      2016-03-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Low Temperature Photoluminescence in Highly Si-Doped AlxGa1-xN with x < 0.092016
    • 著者名/発表者名
      Bo Monemar, Plamen P. Paskov, K. Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 3-mW RT-CW GaN-based VCSELs and their temperature dependence2016
    • 著者名/発表者名
      K. Matsui, T. Furuta, N. Hayashi, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] サファイア基板上AlNエピタキシャル層へのGa添加の効果2016
    • 著者名/発表者名
      小笠原多久満、安田俊輝、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    • 学会等名
      2016結晶工学未来塾
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Characterization of AlGaN/GaN Heterostructure by In Situ X-Ray Diffraction Attached Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2016
    • 著者名/発表者名
      Ryousuke Kanayama, Junya Osumi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Local Structural Analysis around In Atoms in Al0.82In0.18N alloy by Using X-Ray Absorption Fine-Structure Measurements2016
    • 著者名/発表者名
      Ryoma Seiki, Daisuke Komori, Kazuki Ikeyama, Toshiaki Ina, Takeyoshi Onuma, Takao Miyajima, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Theoretical Investigation of Nitride Nanowire-Based QuantumShell Lasers2016
    • 著者名/発表者名
      Yuki Kurisaki, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Si3N4による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化2016
    • 著者名/発表者名
      永田 訓章、森 一喜、武田 邦宏、草深 敏匡、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      東京/日本
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] AlGaN多重量子井戸構造のレーザ発振特性のSi濃度依存性2016
    • 著者名/発表者名
      千賀 崇史、永田 訓章、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      東京/日本
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] ITO/Ga2O3 Multilayer Electrodes Towards Deep UV-LEDs2016
    • 著者名/発表者名
      N. Kuwabara, T. Yasuda, S. Katsuno, N. Koide, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki,
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 発表場所
      Yokohama/Japan
    • 年月日
      2016-05-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN-based VCSELs using Periodic Gain Structures2016
    • 著者名/発表者名
      K. Matsui, K. Ikeyama, T. Furuta, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 発表場所
      Yokohama/Japan
    • 年月日
      2016-05-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Physical Property of the High Photosensitive Field Effect Transistor Type UV Photosensors with AlGaN/AlGaN Hetero Structure2016
    • 著者名/発表者名
      Akira Yoshikawa, Saki Ushida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] AlGaN多重量子井戸構造のレーザ発振特性のSi濃度依存性2016
    • 著者名/発表者名
      千賀 崇史、永田 訓章、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      東京/日本
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Room temperature CW operation of GaN-based VCSELs2016
    • 著者名/発表者名
      K. Matsui, T. Furuta, N. Hayashi, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      IEEE 2016 Lester Eastman Conference
    • 発表場所
      Bethlehem, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Low Resistivity Ohmic Contact V-Based Electrode Contributed by Using Thin SiNx Intermediate Layer for High AlN Molar Fraction n-Type AlGaN2016
    • 著者名/発表者名
      Noriaki Nagata, Takashi Senga, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Temperature Dependence in AlGaN-Based Heterostructure Field-Effect Transistor Type UV Photosensors2016
    • 著者名/発表者名
      Saki Ushida, Akira Yoshikawa, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Design and Fabrication of Modulation-Doped GaN-Based Vertical Cavities for Blue Surface-Emitting Lasers&nbsp;2016
    • 著者名/発表者名
      J. Ogimoto, Y. Kozuka, T. Akagi, N. Hayashi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Polarization Induced Hole Accumulations in Nitride Semiconductor Heterostructures2016
    • 著者名/発表者名
      T. Yasuda, S. Yoshida, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 発表場所
      Yokohama/Japan
    • 年月日
      2016-05-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN-based VCSELs using Periodic Gain Structures2016
    • 著者名/発表者名
      K. Matsui , K. Ikeyama , T. Furuta , Y. Kozuka , T. Akagi , T. Takeuchi , S. Kamiyama , M. Iwaya , and I. Akasaki
    • 学会等名
      LEDIA’16
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] X線その場観察MOVPEによるAlGaN/GaNヘテロ構造評価2016
    • 著者名/発表者名
      金山 亮介、大角 純也、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Polarization induced holes for ultraviolet emitting devices2016
    • 著者名/発表者名
      T. Yasuda, S. Yoshida, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 学会等名
      IEEE 2016 Lester Eastman Conference
    • 発表場所
      Bethlehem, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] 分極電荷による高ホール濃度を有するp型AlGaNの作製2016
    • 著者名/発表者名
      安田 俊輝、竹内 哲也、岩谷 素顕、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 1.7-mW nitride-based vertical-cavity surface-emitting lasers using AlInN/GaN bottom DBRs2016
    • 著者名/発表者名
      T. Furuta, K. Matsui, Y. Kozuka, S. Yoshida, N. Hayasi, T. Akagi, N. Koide, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] XAFS法を用いたGaN1-xSbx混晶半導体中のSb占有位置評価2016
    • 著者名/発表者名
      宮嶋 孝夫、小森 大資、清木 良麻、伊奈 稔哲、新田 清文、鈴木 健太、竹内 哲也、宇留賀 朋哉、上山 智、岩谷 素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Group-III nitride-based nanostructures for novel optoelectronic devices2016
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I Akasaki
    • 学会等名
      Nano Science & Technology 2016
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2016-10-26
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] 窒化物系ナノワイヤーおよび量子殻構造の作製と、光デバイス応用2016
    • 著者名/発表者名
      上山 智、竹内 哲也、岩谷 素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN-based VCSEL using a periodic gain structure consisting of two GaInN 5QWs2016
    • 著者名/発表者名
      K. Matsui, T. Furuta, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      第35回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      滋賀
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Nitride-based tunnel junctions with graded GaInN layers2016
    • 著者名/発表者名
      D. Takasuka, M. Ino, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    • 学会等名
      ISPlasma/IC-PLANTS 2016
    • 発表場所
      Nagoya
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] High hole accumulation and low p-contact resistande with graded-AlGaN layers2016
    • 著者名/発表者名
      Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      Nagoya/Japan
    • 年月日
      2016-03-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] High hole accumulation and low p-contact resistande with graded-AlGaN layers2016
    • 著者名/発表者名
      Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      Nagoya/Japan
    • 年月日
      2016-03-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] 電子線励起法によるGaInN/GaN-MQW レーザ2016
    • 著者名/発表者名
      林 貴文、永田 訓章、千賀 崇史、金山 亮介、岩山 章、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] MOVPE-grown GaN-based vertical cavity surface emitting lasers2016
    • 著者名/発表者名
      K. Matsui, T. Furuta, N. Hayashi, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
    • 学会等名
      EMN Meeting on Epitaxy
    • 発表場所
      Budapest, Hungary
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Nano-size concavo-convex (NCC)サファイア基板を用いた高品質 AlN 膜成長2016
    • 著者名/発表者名
      吉川 陽、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Temperature Dependence of the Nitride-based HFET Structure Photosensors2016
    • 著者名/発表者名
      S. Ushida, A. Yoshikawa, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 発表場所
      Yokohama/Japan
    • 年月日
      2016-05-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 窒化物半導体 HFET 型光センサの動作に関する温度依存性2016
    • 著者名/発表者名
      牛田 彩希、吉川 陽、岩谷 素顕、上山 智、竹内 哲也、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Low resistiveGaInN tunneljunctionswith high Si concentrations2016
    • 著者名/発表者名
      Y. Akatsuka, D. Takasuka, M. Ino, T. Akagi, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasak
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      Nagoya/Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] 深紫外LEDのためのITO/Ga203 多層膜透明電極の検討2016
    • 著者名/発表者名
      桑原 奈津子, 安田 俊輝, 勝野翔太, 小出 典克, 竹内 哲也, 岩谷 素顕, 上山 智, 赤﨑 勇
    • 学会等名
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      東京/日本
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] 高温アニール処理のスパッタ AlN 層における効果2016
    • 著者名/発表者名
      袴田 淳哉、岩谷 素顕、上山 智、竹内 哲也、三宅 秀人、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Growth and characterization of GaInN/GaN multi-quantum shell active layer for novel optoelectronic devices2016
    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I Akasaki
    • 学会等名
      Collaborative Conference on Crystal Growth
    • 発表場所
      San Sebastian, Spain
    • 年月日
      2016-09-04
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06416

  • [学会発表] Hole accumulation to polarization charges in relaxed AlGaN heterostructures with high AlN mole fractions2016
    • 著者名/発表者名
      T. Yasuda, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Low-Temperature Grown p-Side Structure with GaInN Tunnel Junction and n-GaNSb2016
    • 著者名/発表者名
      281.K. Suzuki, K. Takarabe, D. Komori, D. Takasuka, N. Koide, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 発表場所
      Yokohama/Japan
    • 年月日
      2016-05-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Si3N4による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化2016
    • 著者名/発表者名
      永田 訓章、森 一喜、武田 邦宏、草深 敏匤、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      東京/日本
    • 年月日
      2016-03-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Improvement of p-type electrical property by polarization-doping in graded-AlGaN layer2016
    • 著者名/発表者名
      安田俊輝、勝野翔太、桑原奈津子、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
    • 学会等名
      第35回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      滋賀
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Improvement of p-type electrical property by polarization-doping in graded-AlGaN layer2016
    • 著者名/発表者名
      Y. . Yasuda, S. Katsuno, N. Kuwabara, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 学会等名
      35th Electronic Materilas Symposium
    • 発表場所
      Moriyama, Japan
    • 年月日
      2016-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] AlGaN系HFET型光センサのSiNxパッシベーション効果2016
    • 著者名/発表者名
      牛田 彩希、吉川 陽、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第７７回応用物理学会秋季講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaN-based VCSEL using a periodic gain structure consisting of two GaInN 5QWs2016
    • 著者名/発表者名
      K. Matsui, T. Furuta, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      35th Electronic Materilas Symposium
    • 発表場所
      Moriyama, Japan
    • 年月日
      2016-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaInN-based tunnel junctionsfor novel optoelectronic devices2016
    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      EMN Meeting on Photovoltaics
    • 発表場所
      HongKong
    • 年月日
      2016-01-20
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Buried Tunnel Junctions Using Low Resistive GaInN Tunnel Junctions with High Si Concentrations2016
    • 著者名/発表者名
      Yasuto Akatsuka, Daiki Takasuka, Takanobu Akagi, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Hole Accumulations to Polarization Charges in Relaxed AlGaN Heterostructures with High AlN Mole Fractions2016
    • 著者名/発表者名
      Toshiki Yasuda, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Si concentration dependence of laser oscillation characteristics in AlGaN multiple quantum well active layer2016
    • 著者名/発表者名
      T. Senga, N. Nagata, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      Nagoya/Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Buried tunnel junctions using low resistive GaInN tunnel junctions with high Si concentrations2016
    • 著者名/発表者名
      Y. Akatsuka, D. Takasuka, T. Akagi, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] GaNSb alloys grown under H2carrier gases2015
    • 著者名/発表者名
      Daisuke Komori, Kaku Takarabe, Kenta Suzuki, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] サファイア上AlN テンプレートの表面平坦性の検討2015
    • 著者名/発表者名
      勝野 翔太, 萩原 康大, 安田 俊輝, 小出 典克,岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇, 天野浩
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] AlN Epitaxial Growth on Sapphire with an Intermediate Layer2015
    • 著者名/発表者名
      S. Katsuno, T. Yasuda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
    • 発表場所
      Yokohama/Japan
    • 年月日
      2015-04-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Growth of high-quality AlN on sapphire using annealing technique2015
    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, S. Tamaki, D. Yasui, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
    • 学会等名
      9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      韓国
    • 年月日
      2015-11-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] Carrier Gas Dependence on GaNSb MOVPE Growth2015
    • 著者名/発表者名
      D. Komori, H. Sasajima, K. Takarabe, K. Suzuki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 3rd International Confenerce on Light-Emitting Devices and thier Induatrial Applications
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2015-04-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] RF加熱式HVPE法を用いたAlN成長2015
    • 著者名/発表者名
      安井, 三宅, 平松, 岩谷, 赤崎, 天野
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] Correlation between crystal qualities and electrical properties in Si-doped AlGaN2015
    • 著者名/発表者名
      Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
    • 発表場所
      Yokohama/Japan
    • 年月日
      2015-05-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] GaNSb におけるGaSb モル分率のキャリアガス依存性2015
    • 著者名/発表者名
      小森 大資, 財部 覚, 鈴木 健太, 竹内 哲也, 上山 智, 岩谷 素顕, 宮嶋 孝夫, 小出 典克,赤﨑 勇
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Epitaxial Growth of AlN Templates with Smooth Surfaces on Sapphire2015
    • 著者名/発表者名
      S. Katsuno, K. Hagiwara, T. Yasuda, N. Koide, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 学会等名
      2015 Material Research Society Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston/USA
    • 年月日
      2015-12-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] Status and Prospects of GaN-Based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs)2015
    • 著者名/発表者名
      T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki:
    • 学会等名
      International Symposium on Optical Memory
    • 発表場所
      Fukui, Japan
    • 年月日
      2015-10-05
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] Growth of AlN layer on sputtered AlN template substrate by hydride vapor phase epitaxy2015
    • 著者名/発表者名
      S. Tamaki, D. Yasui, H. Miyake, K. Hiramatsu, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
    • 学会等名
      APWS2015
    • 発表場所
      ソウル 韓国
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] Electrical properties of extremely low-resistivity and high-carrier-concentration Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction2015
    • 著者名/発表者名
      Kunihiro Takeda, Kazuki Mori, Toshiki Kusafuka,Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 発表場所
      Seoul/Korea
    • 年月日
      2015-05-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Optimization of growth condition of conductive AlGaN layer with high Al content2015
    • 著者名/発表者名
      Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 発表場所
      Seoul/Korea
    • 年月日
      2015-05-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Correlation between Crystal Qualities and Electrical Properties in Si-Doped Al0.6Ga0.4N2015
    • 著者名/発表者名
      T. Yasuda, S. Katsuno, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 学会等名
      The 3rd International Confenerce on Light-Emitting Devices and thier Induatrial Applications
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2015-04-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26286045

  • [学会発表] AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長2015
    • 著者名/発表者名
      安井, 三宅, 平松, 岩谷, 赤崎, 天野
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告ED2015-70
    • 発表場所
      大阪市立大学
    • 年月日
      2015-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011

  • [学会発表] Nitride-Based Tunnel Junctions towards DeepUV-LEDs2015
    • 著者名/発表者名
      D. Takasuka, D. Minamikawa, M. Ino, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
    • 発表場所
      Yokohama/Japan
    • 年月日
      2015-05-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02019

  • [学会発表] Electrical Properties of High Carrier Concentration n-Type AlGaN2015
    • 著者名/発表者名
      K. Takeda, K. Mori, T. Kusafuka, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices