児島一聡 Kojima Kazutoshi

研究者番号	40371041
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 2020年度 – 2022年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長
審査区分/研究分野	研究代表者以外大区分C / 小区分30010:結晶工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者以外高温 / 耐放射線 / CMOS集積回路 / ワイドバンドギャップ半導体 / SiC / 有機金属気相成長 / 不純物 / 高温結晶成長 / AlN / 微細構造 … もっと見る / 高温成長 / AlN薄膜 / 窒化アルミニウム / アンモニアフリー / ヘテロエピタキシャル成長 / 窒化物 / 高温動作集積回路 / 耐放射線集積回路 / 電子デバイス / 耐放射線デバイス / 高温動作 / シリコンカーバイド半導体 / 極限環境エレクトロニクス隠す

人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  広島大学
シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  広島大学
新規高温有機金属気相成長法における高品質AlNヘテロエピタキシーに関する研究
- 研究代表者
  
  沈旭強
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所

すべて 2022 2021

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Growth of vanadium doped semi-insulating 4H-SiC epilayer with ultrahigh-resistivity2022
- 著者名/発表者名
  Kazutoshi Kojima, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima, and Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 24 ページ: 245107-245107
- DOI
  10.1063/5.0095457
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252, KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Behaviours of the lattice-polarity inversion in AlN growth on c-Al2O3 (0001) substrates by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition2022
- 著者名/発表者名
  Shen Xuqiang、Matsuhata Hirofumi、Kojima Kazutoshi
- 雑誌名
  
  CrystEngComm
  
  巻: 24 号: 33 ページ: 5922-5929
- DOI
  10.1039/d2ce00652a
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02643
[雑誌論文] Heteroepitaxial AlN growth on c-plane sapphire substrates by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition2022
- 著者名/発表者名
  Shen Xu-Qiang、Kojima Kazutoshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 581 ページ: 126496-126496
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126496
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02643
[学会発表] High-quality semipolar (10-13) AlN epilayers grown on m-plane sapphire substrates by NH3-free high temperature MOCVD2022
- 著者名/発表者名
  X.Q. Shen and K. Kojima
- 学会等名
  5th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02643
[学会発表] Bipolar Characteristics of Vanadium-doped 4H-SiC Semi-Insulating Layer for Well-less CMOS Circuits2022
- 著者名/発表者名
  Toya Kai, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Heteroepitaxial growth of AlN by ammonia-free high-temperature metalorganic chemical vapor deposition (AFHT-MOCVD)2022
- 著者名/発表者名
  X.Q. Shen and K. Kojima
- 学会等名
  International conference on optoelectronic materials, technology and application 2022 (OMTA2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02643
[学会発表] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  2022年電子情報通信学会総合大会シンポジウム「極限環境で動作する集積回路」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Lattice-polarity and microstructures in AlN films grown on c-Al2O3 (0001) substrates by NH3-free high-temperature MOCVD2022
- 著者名/発表者名
  X.Q. Shen, H. Matsuhata and K. Kojima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02643
[学会発表] 半極性(10-13)面AlNエピ膜中の微細構造の評価2022
- 著者名/発表者名
  沈旭強、児島一聡
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02643
[学会発表] Impact of conductivity type of vanadium doped 4H-SiC epilayer on semi-insulating characteristics2022
- 著者名/発表者名
  Kazutoshi Kojima Shinichiro Sato, Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC 半絶縁基板を用いた Well-less MOSFET の p/n channel 動作2022
- 著者名/発表者名
  甲斐陶弥、児島一聡、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC CMOS SRAM のノイズマージン評価2022
- 著者名/発表者名
  甲斐陶弥, 児島一聡, 大島武, 田中保宣, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Noise Margins and BTI Characteristics of 4H-SiC CMOS Circuits in High-Temperature Environment2022
- 著者名/発表者名
  Takuma Shima, Toya Kai, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] アンモニアフリー高温有機金属気相成長法による高品質(10-13)半極性面AlNヘテロエピタキシャル成長2021
- 著者名/発表者名
  沈旭強、児島一聡
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02643
[学会発表] エピタキシャル成長による n/p ウェル構造を用いた 4H-SiC CMOS インバータの特性評価2021
- 著者名/発表者名
  志摩拓真, 甲斐陶弥, 児島一聡, 田中保宣, 大島武, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] アンモニアフリー高温有機金属気相成長法で成長したAlNヘテロエピタキシャル薄膜中の微細構造評価2021
- 著者名/発表者名
  沈旭強、児島一聡
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02643
[学会発表] エピタキシャル成長による4H-SiC CMOS Well形成2021
- 著者名/発表者名
  甲斐　陶弥 , 児島一聡, 志摩　拓真, 大島武, 田中保宣, 黒木　伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] High quality polar and semipolar AlN grown by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition2021
- 著者名/発表者名
  X. Q. Shen, and K. Kojima
- 学会等名
  The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (IFWS2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02643

1. 黒木伸一郎 (70400281)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 10件
2. 田中保宣 (20357453)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 8件
3. 大島武 (50354949)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 10件
4. 武山昭憲 (50370424)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
5. 牧野高紘 (80549668)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
6. 沈旭強 (50272381)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件

児島 一聡 Kojima Kazutoshi

研究課題

研究成果

共同研究者

人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新規高温有機金属気相成長法における高品質AlNヘテロエピタキシーに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Growth of vanadium doped semi-insulating 4H-SiC epilayer with ultrahigh-resistivity2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Behaviours of the lattice-polarity inversion in AlN growth on c-Al2O3 (0001) substrates by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Heteroepitaxial AlN growth on c-plane sapphire substrates by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] High-quality semipolar (10-13) AlN epilayers grown on m-plane sapphire substrates by NH3-free high temperature MOCVD2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Bipolar Characteristics of Vanadium-doped 4H-SiC Semi-Insulating Layer for Well-less CMOS Circuits2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Heteroepitaxial growth of AlN by ammonia-free high-temperature metalorganic chemical vapor deposition (AFHT-MOCVD)2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Lattice-polarity and microstructures in AlN films grown on c-Al2O3 (0001) substrates by NH3-free high-temperature MOCVD2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 半極性(10-13)面AlNエピ膜中の微細構造の評価2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Impact of conductivity type of vanadium doped 4H-SiC epilayer on semi-insulating characteristics2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 4H-SiC 半絶縁基板を用いた Well-less MOSFET の p/n channel 動作2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 4H-SiC CMOS SRAM のノイズマージン評価2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Noise Margins and BTI Characteristics of 4H-SiC CMOS Circuits in High-Temperature Environment2022

著者名/発表者名

学会等名

児島一聡 Kojima Kazutoshi