松岡隆志 matsuoka takashi

研究者番号	40393730
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 学術研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度 – 2018年度: 東北大学, 金属材料研究所, 教授 2005年度 – 2006年度: 東北大学, 金属材料研究所, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / デバイス関連化学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者有機金属気相成長 / 窒化物半導体 / ヘテロ構造 / N極性 / 有機金属気相成長法 / GaN / 高電子移動度トランジスタ / HEMT / 分極効果 / 極性 / MOVPE / InGaN / 発光ダイオード … もっと見る研究代表者以外 … もっと見るトランジスタ / 窒化物半導体 / 半導体物性 / マイクロ・ナノデバイス / デバイス設計・製造プロセス / 窒素極性 / 電界効果トランジスタ / 結晶成長 / 先端機能デバイス / 電子デバイス・機器 / 窒素極性窒化物 / 高電子移動度トランジスタ / マイクロ波・ミリ波 / 太陽光発電 / 集光系 / 導波路結合 / 非対称導波路 / 離散的併進対称性 / 集光システム / 非対称導波路構造 / 導波路 / 太陽電池 / 半導体デバイス / SCAM基板 / パワーデバイス / long lived white LEDs / artificial control of defect genearation / generation of microscopic point defects / REDR effect / thermal and electronic defect reaction / degaradation of white LED / widedgap semiconductor optical device / ミクロ点欠陥制御による短波長光デバイスの長寿命化 / GaN系発光デバイスのミクロ点欠陥挙動 / ミクロ点欠陥による素子劣化 / ミクロ欠陥制御による素子寿命改善 / 電子的欠陥反応 / GaN系光デバイスのミクロ欠陥 / ZnSe白色LEDの劣化と制御 / ミクロ点欠陥増殖・移動 / ミクロ欠陥による素子劣化 / ワイドギャップ半導体光デバイス劣化機構 / 白色LEDの長寿命化技術 / 欠陥増殖の人工的制御 / ミクロ点欠陥増殖 / REDR効果 / 熱・電子的欠陥反応 / 白色LEDの劣化 / ワイドギャップ半導体光素子隠す

窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術研究代表者
- 研究代表者
  
  松岡隆志
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東北大学
非対称導波路結合光子・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の研究
- 研究代表者
  
  石橋晃
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  デバイス関連化学
- 研究機関
  北海道大学
窒素極性InGaNチャネルヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの研究
- 研究代表者
  
  末光哲也
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東北大学
ScAlMgO4基板を用いた窒化物半導体縦型トランジスタ作製プロセスの研究
- 研究代表者
  
  末光哲也
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東北大学
オール窒化物半導体による白色光源の実現に向けた赤色発光層の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  松岡隆志
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
II-VI,III-V族ワイドバンドギャップ半導体発光デバイスの劣化機構解明と制御
- 研究代表者
  
  安東孝止
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  鳥取大学

すべて 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 その他

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds ~Computational Approach~2018
- 著者名/発表者名
  Takashi Matsuoka and Yoshihiro Kangawa
- 総ページ数
  223
- 出版者
  Springer
- ISBN
  9783319766416
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[雑誌論文] N-polar GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching2018
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 015503-015503
- DOI
  10.7567/apex.11.015503
- NAID
  210000136090
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074, KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PROJECT-16H03857, KAKENHI-PROJECT-16H04341
[雑誌論文] Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4 substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers2017
- 著者名/発表者名
  Ohnishi Kazuki、Kanoh Masaya、Tanikawa Tomoyuki、Kuboya Shigeyuki、Mukai Takashi、Matsuoka Takashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 10 ページ: 101001-101001
- DOI
  10.7567/apex.10.101001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13963
[雑誌論文] New solar cell and clean unit system platform (CUSP) for earth and environmental science2017
- 著者名/発表者名
  A. Ishibashi,T. Matsuoka,R. Enomoto,M. Yasutake
- 雑誌名
  
  IOP Conference Series: Earth and Environmental Science
  
  巻: 93 ページ: 0120811-7
- DOI
  10.1088/1755-1315/93/1/012081
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04221, KAKENHI-PROJECT-16K12698
[雑誌論文] Control of impurity concentration in N-polar (000-1) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka
- 雑誌名
  
  Physics Status Solidi B
  
  巻: 254 号: 8
- DOI
  10.1002/pssb.201600751
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PROJECT-16H03857
[雑誌論文] MOVPE growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface2016
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016
  
  巻: - ページ: 1-2
- DOI
  10.1109/iciprm.2016.7528837
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[雑誌論文] Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (0001) GaN/sapphire2014
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL05-05FL05
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl05
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Improvement of surface morphology of nitrogen-polar GaN by introducing indium surfactant during MOVPE growth2014
- 著者名/発表者名
  T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 8 ページ: 085501-085501
- DOI
  10.7567/jjap.53.085501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation into InGaN Grown by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Joumal of Nanoscience and Nanotechynology
  
  巻: 14 号: 8 ページ: 6112-6115
- DOI
  10.1166/jnn.2014.8306
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN2014
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki and R. Katayama(他6名)
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53(5S1) 号: 5S1 ページ: 05FL07-05FL07
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl07
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 536 ページ: 152-155
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.04.004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  J. H. Choi and R. Katayama(他4名)
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c)
  
  巻: 10(3) 号: 3 ページ: 417-420
- DOI
  10.1002/pssc.201200667
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Tilted domain and indium content of MOVPE-grown InGaN layer on m-plane GaN substrate2012
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki and R. Katayama(他4名)
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 51 号: 4S ページ: 04DH01-04DH01
- DOI
  10.1143/jjap.51.04dh01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Phase diagram on phase purity of InN grown pressurized-reactor MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertsuk, Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 9(3-4) 号: 3-4 ページ: 654-657
- DOI
  10.1002/pssc.201100390
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10F00059, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films2012
- 著者名/発表者名
  J. H. Choi, S. Kumar, S. Y. Ji, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Key. Eng. Mater.
  
  巻: 508 ページ: 193-198
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/kem.508.193
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Relationship between residual carrier density and phase purity in InN grown by pressurized-reactor MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  Kiattiwut Prasertsuk, Masaki Hirata, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Takuya Iwabuchi, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: 9(3-4) 号: 3-4 ページ: 681-684
- DOI
  10.1002/pssc.201100404
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10F00059, KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Reverse Bias Annealing Effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week (CSW) 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] History and Future Perspectives of the Nitride Semiconductors2018
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka
- 学会等名
  2nd Global Summit & Expo on Laser Optics & Photonics (Optics-18)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] History and Current Status of Research on Nitride Semiconductors2018
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka
- 学会等名
  5th International Conference on Theoretical and Applied Physics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Reverse-bias-induced virtual gate phenomenon in N-polar GaN HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka
- 学会等名
  MRS Fall Meeting 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04341
[学会発表] Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04341
[学会発表] MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長2018
- 著者名/発表者名
  松岡隆志, 谷川智之, 窪谷茂幸
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果2018
- 著者名/発表者名
  末光哲也, K. Prasertsuk, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier Propagation Solar Cell (MOP3SC) in Waveguide-Coupled Scheme2018
- 著者名/発表者名
  A. Ishibashi, N. Sawamura, T. Matsuoka, H. Kobayashi and T. Kasai
- 学会等名
  第28回日本MRS年次大会～循環型社会のためのマテリアルズイノベーション
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04221
[学会発表] Reverse-Bias-Induced Virtual Gate Phenomenon in N-Polar GaN HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2018 MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] 窒素極性GaN MIS-HEMT における逆バイアスアニールの効果2018
- 著者名/発表者名
  末光哲也, K. Prasertsuk, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04341
[学会発表] MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開2018
- 著者名/発表者名
  松岡隆志
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Threshold voltage engineering of recessed MIS-gate N-polar GaN HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04341
[学会発表] N-polar GaN MIS-HEMTs on Small Off-cut Sapphire Substrate for Flat Interface2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会平成29年度特別事業企画委員会100回記念特別公開シンポジウム　『ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望』～パワー半導体を中心として～
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Reduced gate leakage current in N-polar GaN MIS-HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, A. Miura, S. Tanaka, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04341
[学会発表] N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on sapphire substrates with small off-cut for flat interface by MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimuram T. Suemitsu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] New solar-cell system and clean unit system platform (CUSP) for Electronics, Communications and Networks2017
- 著者名/発表者名
  A. Ishibashi,T. Matsuoka,R. Enomoto,M. Yasutake
- 学会等名
  The 7th International Conference on Electronics, Communications and Networks
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04221
[学会発表] N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on sapphire substrates with small off-cut for flat interface by MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04341
[学会発表] N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04341
[学会発表] Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減2017
- 著者名/発表者名
  プラスラットスックキャッティウット、三浦輝紀、田中真二、谷川智之、木村健司、窪谷茂幸、末光哲也、松岡隆志
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] N 極性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法依存性2016
- 著者名/発表者名
  寺島勝哉, 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 松岡隆志, 鈴木秀明, 岡本浩
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] MOVPE growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface2016
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Toyama, Japan
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04341
[学会発表] Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications（LEDIA’16)
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜
- 年月日
  2016-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Control of Impurity Concentration of Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface2016
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2016
- 発表場所
  富山国際会議場, 富山
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] 窒化物半導体における窒素極性成長2016
- 著者名/発表者名
  松岡隆志
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Drain depletion length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with slant field plates2015
- 著者名/発表者名
  N. Yasukawa, S. Hatakeyama, T. Yoshida, T. Kimura, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsu
- 学会等名
  42nd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Santa Barbara, USA
- 年月日
  2015-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13963
[学会発表] Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire2014
- 著者名/発表者名
  N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  8th Intern. Symp. Medical, Bio- and Nano-Electronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN2014
- 著者名/発表者名
  T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  8th Intern. Symp. Medical, Bio- and Nano-Electronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Recent Trends in Wide-Gap LEDs and LDs from Epitaxial Growth to Devices Structures2014
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka
- 学会等名
  Thailand National Science and Technology Development Agency (NSTDA)
- 発表場所
  Bangok, Thailand
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Effect of Reactor Pressure on Rate-determining Process in InN Growth2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimura, K. Prasertsuk, Y. Zhang, T. Iwabuchi, Y. Liu, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN2013
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant2013
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, T. Aisaka, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA '13)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] In situ X-ray Diffraction during Reactive Deposition Epitaxy of FeSi2 on Si(001)2013
- 著者名/発表者名
  T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Influence of Mg-Doping on the Surface Morphology of (000-1) GaN/Sapphire Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, T. Aisaka, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] MOVPE 成長N 極性InGaN におけるIn 組成のc 面サファイア基板微傾斜角依存性2013
- 著者名/発表者名
  正直花奈子，崔正焄，進藤裕文，木村健司, 谷川智之, 花田貴，片山竜二，松岡隆志
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Improvement of Surface Morphology of N-polar GaN by Introducing Indium Surfactant during MOVPE Growth2013
- 著者名/発表者名
  T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown -c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells2013
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi1, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists
- 発表場所
  Sendai Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Lattice-matching Substrates to InGaAlN and its Epitaxial Growth2013
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Iwabuchi, and K. Shojiki
- 学会等名
  2nd International Symposium on Single Crystals and Wafers
- 発表場所
  Wonju, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Evaluation and Solution of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-grown -c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells2013
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Overview of Nitride Semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka
- 学会等名
  13 International Symposium on Optomechatronic Technologies
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Comparison of growth behavior in thick InGaN on (000-1) and (0001) GaN /Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Shojiki, J.-H. Choi, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Improvement of Surface Morphology in (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE with Indium Surfactant2013
- 著者名/発表者名
  T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Intern. Symp. Comp. Semcond. (ISCS2013)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] (0001)および(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの結晶品質比較2012
- 著者名/発表者名
  谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Comparison of crystalline quality in InGaN grown on (000-1) and (0001)GaN/Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性2012
- 著者名/発表者名
  正直花奈子, 崔正焄, 進藤裕文, 木村健司, 谷川智之, 花田貴, 片山竜ニ,　松岡隆志
- 学会等名
  第67回応用物理学会東北支部学術講演会
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] (0001)面、(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの表面モフォロジーとIn取り込み2012
- 著者名/発表者名
  谷川智之, 正直花奈子, 崔正焄, 片山竜二, 松岡隆志
- 学会等名
  第67回応用物理学会東北支部学術講演会
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] MOVPE成長(000-1) GaNのステップフロー成長の促進2012
- 著者名/発表者名
  逢坂崇, 正直花奈子, 岩渕拓也, 木村健司, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志
- 学会等名
  第67回応用物理学会東北支部学術講演会
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Study of In-composition of faceted InGaN on m-plane GaN substrate using high-resolution microbeam XRD2012
- 著者名/発表者名
  J-H Choi, K. Shojiki, T. Shimada, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, Y. Imai, S. Kimura, and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-incorporation into InGaN Grown by MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  J.H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Conference on Nano Science and Nano Technology
- 発表場所
  Gwangju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Emission Wavelength Extension of Light Emitting Diode Using MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J.H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Suppression of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2014-04-22 – 2014-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Suppression of metastable-phase inclusion in MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  第33回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺（静岡県伊豆市）
- 年月日
  2014-07-09 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製
- 著者名/発表者名
  正直花奈子，崔正焄，谷川智之，窪谷茂幸，花田貴，片山竜二，松岡隆志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Realization of p-Type Conduction in Mg-Doped N-Polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2014-04-22 – 2014-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Crystallographic Polarity in Nitride Semicondcutors
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, and R. Katayama
- 学会等名
  2014 Intern.Symp. Crystal Growth and Crystal Technol.
- 発表場所
  Wonju, Korea
- 年月日
  2014-11-12 – 2014-11-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] MOVPE成長N極性(0001)InGaN多重量子井戸構造と発光ダイオードの構造・光学特性
- 著者名/発表者名
  正直花奈子，崔正焄，谷川智之，窪谷茂幸，花田貴，片山竜二，松岡隆志
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Control of GaN growth orientation by MOVPE
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano
- 学会等名
  2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)
- 発表場所
  東北大学片平キャンパス（宮城県仙台市）
- 年月日
  2014-10-29 – 2014-10-31
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Overview on Crystallographic Polarization
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama
- 学会等名
  2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)
- 発表場所
  東北大学片平キャンパス（宮城県仙台市）
- 年月日
  2014-10-29 – 2014-10-31
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362

1. 花田貴 (80211481)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 20件
2. 末光哲也 (90447186)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
3. 安東孝止 (60263480)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 石井晃 (70183001)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 阿部友紀 (20294340)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 石橋晃 (30360944)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
7. 谷川智之 (90633537)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
8. 片山竜二

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 5件
9. ZHANG Yuantao

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 4件

松岡 隆志 matsuoka takashi

研究課題

研究成果

共同研究者

窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

非対称導波路結合光子・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒素極性InGaNチャネルヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ScAlMgO4基板を用いた窒化物半導体縦型トランジスタ作製プロセスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

オール窒化物半導体による白色光源の実現に向けた赤色発光層の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

II-VI,III-V族ワイドバンドギャップ半導体発光デバイスの劣化機構解明と制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds ~Computational Approach~2018

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

[雑誌論文] N-polar GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4 substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] New solar cell and clean unit system platform (CUSP) for earth and environmental science2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Control of impurity concentration in N-polar (000-1) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] MOVPE growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (0001) GaN/sapphire2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Improvement of surface morphology of nitrogen-polar GaN by introducing indium surfactant during MOVPE growth2014

著者名/発表者名

雑誌名

松岡隆志 matsuoka takashi