今出完 IMADE MAMORU

研究者番号	40457007
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-6383-8095
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教 2017年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2016年度: 大阪大学, 工学研究科, 准教授 2012年度 – 2013年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 特任教授 2009年度 – 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 特任助教 2008年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 特任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者結晶成長 / 酸化ガリウム / 窒化ガリウム / OVPE / 酸化ｶﾞﾘｳﾑ / 窒化ｶﾞﾘｳﾑ / 半導体物性 / 結晶工学 / 高速成長 / 高温成長 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る対流シミュレーション / LPE / 長時間成長 / 低転位化 / 成長モード / Seeded Growth / GaN / 溶液攪拌 / 液相エピタキシャル / Naフラックス法 / 窒化ガリウム隠す

低転位バルクGaN単結晶実現に向けた新規気相成長技術の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  今出完
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
高品質窒化ガリウムインゴットの実現を目指した超高温成長技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  今出完
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
完全バルクGaN結晶育成技術の研究開発
- 研究代表者
  
  森勇介
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学

すべて 2017 2016 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Effect of H2 carrier gas on the physical properties of a GaN layer grown using Ga2O vapor and NH32014
- 著者名/発表者名
  Yuan Bu et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: vol.392 ページ: 1-4
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2014.01.031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[雑誌論文] Dramatic increase in the growth rate of GaN layers grown from Ga2O vapor by epitaxial growth on HVPE-GaN substrates with a well-prepared surface2014
- 著者名/発表者名
  Yuan Bu et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol.7 号: 3 ページ: 0355041-4
- DOI
  10.7567/apex.7.035504
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[雑誌論文] High Temperature Growth of Non-polar a-Plane GaN Film Grown Using Gallium-Oxide as Ga Source2013
- 著者名/発表者名
  Tomoaki Sumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 2R ページ: 0255031-3
- DOI
  10.7567/jjap.52.025503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J00812, KAKENHI-PROJECT-24760011
[雑誌論文] Growth of GaN crystals by Na flux method2010
- 著者名/発表者名
  Y. Mori, Y. Kitaoka, M. Imade, F. Kawamura, N. Miyoshi, M. Yoshimura, T. Sasaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (a) 207
  
  ページ: 1283-1286
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[雑誌論文] Growth of Large GaN Single Crystals on High-Quality GaN Seed by Carbon-Added Na Flux Method2010
- 著者名/発表者名
  M. Imade, Y. Hirabayashi, Y. Konishi, H. Ukegawa, N. Miyoshi, M. Yoshimura, T. Sasaki, Y. Kitaoka, Y. Mori
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 3
- NAID
  10026495522
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[雑誌論文] Growth of Large GaN Single Crystals on High-Quality GaN Seed by Carbon-Added Na Flux Method2010
- 著者名/発表者名
  M.Imade, et al.
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS EXPRESS 3
  
  ページ: 75501-3
- NAID
  10026495522
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[雑誌論文] Study of the metastable region in the growth of GaN using the Na flux method2009
- 著者名/発表者名
  F. Kawamura, M. Morishita, N. Miyoshi, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Kitaoka, Y. Mori, T. Sasaki,
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 311
  
  ページ: 4647-4651
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[雑誌論文] Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction2009
- 著者名/発表者名
  F. Kawamura, M. Tanpo, N. Miyoshi, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Kitaoka, T. Sasaki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 311
  
  ページ: 3019-3024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[雑誌論文] Effect of carbon additive on increases in the growth rate of 2 in GaN single crystals in the Na flux method2008
- 著者名/発表者名
  F. Kawamura, M. Morishita, M. Tanpo, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Kitaoka, Y. Mori, T. Sasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 3946-3949
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] "OVPE法によるGaN厚膜成長に向けた原料利用効率の改善"2017
- 著者名/発表者名
  郡司祥和、山口陽平、石橋桂樹、津野慎太郎、北本啓、今西正幸、吉村政志、今出完、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "Growth of GaN crystals by OVPE method with a three-layer frow gas injection reactor,"2017
- 著者名/発表者名
  Keiju Ishibashi, Hiroya Kobayashi, Takahiro Oshiba, Shintaro Tsuno, Hirokazu Gunji, Yohei Yamaguchi, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "Effect of H2 carrier gas on the growth of thick GaN layers by Oxide Vapor Phase Epitaxy,"2017
- 著者名/発表者名
  Hirokazu Gunji, Yohei Yamaguchi, Keiju Ishibashi, Shintaro Tsuno, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Masashi Isemura, Yusuke Mori
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "OVPE法によるバルクGaN結晶成長技術の現状と展望"2017
- 著者名/発表者名
  滝野淳一、隅智亮、岡山芳央、信岡政樹、北本啓、今出完、今西正幸、吉村政志、森勇介
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "OVPE法によるGaN厚膜成長に向けた寄生成長の抑制"2017
- 著者名/発表者名
  郡司祥和、山口陽平、石橋桂樹、津野慎太郎、北本啓、今西正幸、吉村政志、今出完、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会、
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "OVPE法における三層流炉を用いたGaN結晶育成"2017
- 著者名/発表者名
  石橋桂樹、大芝啓嘉、小林大也、津野慎太郎、郡司祥和、山口陽平、北本啓、今西正幸、今出完、伊勢村雅士、吉村政志、森勇介
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "第一原理計算を用いたOVPE成長中の半極性GaN表面構造の解析"2017
- 著者名/発表者名
  河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "Effects of NH3/H2 ratio on the polycrystal formation during GaN growth using OVPE method,"2017
- 著者名/発表者名
  Shintaro Tsuno, Hirokazu Gunji, Yohei Yamaguchi, Keiju Ishibashi, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Masashi Isemura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masaki Nobuoka, Yusuke Mori
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "Suppression of polycrystalline formation during thick-GaN growth by Oxide Vapor Phase Epitaxy,2017
- 著者名/発表者名
  Hirokazu Gunji, Yohei Yamaguchi, Yuki Taniyama, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Mamoru Imade, Masashi Isemura, Yusuke Mori
- 学会等名
  The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Appilications (LEDIA '17)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "Improvement of GaN crystallinity in OVPE growth using carbothermal reduction of Ga2O3,"2017
- 著者名/発表者名
  Yohei Yamaguchi, Shintaro Tsuno, Keiju Ishibashi, Hirokazu Gunji, Hiroya Kobayashi, Norifumi Murashima, Takahiro Oshiba, Yuki Sakamoto, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Masashi Isemura, Yusuke Mori
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "OVPE法を用いたGaN成長におけるNH3/H2比の多結晶形成への影響"2017
- 著者名/発表者名
  津野慎太郎、郡司祥和、山口陽平、石橋桂樹、北本啓、今西正幸、今出完、吉村政志、伊勢村雅士、隅智亮、滝野淳一、岡山芳央、信岡政樹、森勇介
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] OVPE法による長時間厚膜GaN成長に向けた多結晶生成の抑制2017
- 著者名/発表者名
  郡司祥和、山口陽平、谷山雄紀、北本啓、今西正幸、今出完、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県，横浜市)
- 年月日
  2017-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] "Growth of GaN layers using Ga2O vapor synthesized from Ga and H2O2016
- 著者名/発表者名
  Yohei Yamaguchi, Yuki Taniyama, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Masashi Isemura, Yusuke Mori
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2016-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] Study on Reduction of H2O in OVPE Process for Improving GaN Crystallinity2016
- 著者名/発表者名
  Yohei Yamaguchi, Hirokazu Gunji, Yuki Taniyama, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Masashi Isemura, Yusuke Mori
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05980
[学会発表] Ga_2OをGa源としたGaN気相成長法によるNaフラックス基板上高速成長2014
- 著者名/発表者名
  高津啓彰、重田真実、隅智亮、渊ト、北本啓、今出完、吉村政志、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県
- 年月日
  2014-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] 金属Gaを出発原料としたGa_2Oを用いたGaN結晶の成長2014
- 著者名/発表者名
  隅智則、重田真実、卜渊、北本啓、今出完、吉村政志、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県
- 年月日
  2014-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of GaN Crystal with High Growth Rate Using Ga_2O as Ga Source2013
- 著者名/発表者名
  T. Sumi, M. Juta, J. Takino, Y. Bu, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura and Y. Mori
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington,USA
- 年月日
  2013-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Effect of H_2 Carrier Gas on the Physical Properties of GaN Layer Growth by Using Ga_2O Vapor and NH_42013
- 著者名/発表者名
  Y. Bu, M. Juta, T, Sumi, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura and Y. Mori
- 学会等名
  JSAP- MRS Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Kyoto JAPAN
- 年月日
  2013-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of GaN crystal with high growth rate synthesized from Ga_2O vapor-T2013
- 著者名/発表者名
  T. Sumi, M. Juta, Y. Bu, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura. M. Isemura and Y. Mori
- 学会等名
  JSAP- MRS Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Kyoto JAPAN
- 年月日
  2013-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Effect of growth temperature on crystalline of GaN layers by vapor phase epitaxy using Ga_2O as a Ga source2013
- 著者名/発表者名
  Y. Bu, M. Juta, T. Sumi, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura and Y. Mori
- 学会等名
  Conference on LED and ItsIndustrial Application'13
- 発表場所
  Kanagawa JAPAN
- 年月日
  2013-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Effect of H_2 Carrier Gas on the Physical Properties of GaN Layer Growth by Using Ga_2O Vapor and NH_42013
- 著者名/発表者名
  Y. Bu, M. Juta, T. Sumi, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura and Y. Mori
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington,USA
- 年月日
  2013-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Influence of the GaN Layer Thickness on the Crystallinity in the Vapor Phase Epitaxy Growth of GaN Using Ga_2O2013
- 著者名/発表者名
  T. Sumi, M. Juta, J. Takino, Y. Bu, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura, M. Hata and Y. Mori
- 学会等名
  Conference on LED and ItsIndustrial Application'13
- 発表場所
  Kanagawa JAPAN
- 年月日
  2013-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Ga_2Oを原料としたGaN結晶成長法における厚膜化に向けた取り組み2012
- 著者名/発表者名
  隅智亮、池田憲治、滝野淳一、卜渊、北本啓、今出完、吉村政志、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所、東京都
- 年月日
  2012-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Ga_2O原料GaN気相成長法における基板表面処理効果の検討2012
- 著者名/発表者名
  重田真実、滝野淳一、隅智亮、卜渊、北本啓、今出完、吉村政志、秦雅彦、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス総合研究棟、福岡県
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of a low dislocation GaN layer on a Na-flux-GaN substrate using Ga_2O as a Ga source2012
- 著者名/発表者名
  J. Takino, T. Sumi, Y. Bu, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura and Y. Mori
- 学会等名
  International Workshop on nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Hokkaido JAPAN
- 年月日
  2012-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] High temperature growth of high crystalline GaN layers with a high growth rate by vapor phase epitaxy using Ga_2O as a Ga source2012
- 著者名/発表者名
  Y.Bu, J. Takino, T. Sumi, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura and Y. Mori
- 学会等名
  International Workshop on nitride Semiconductors (IWN2012)
- 発表場所
  Hokkaido JAPAN
- 年月日
  2012-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] High crystallinity GaN growth on c- and a-plane free-standing GaN substrates using Ga_2O vapor and NH_<3,>2012
- 著者名/発表者名
  Y. Bu, M. Juta, J. Takino, T. Sumi, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura and Y. Mori
- 学会等名
  7th Photonics Center Symposium "Nanophotonics in Asia 2012"
- 発表場所
  Ishikawa JAPAN
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of high crystalline GaN layers at high temperature on freestanding GaN substrates by vapor phase epitaxy using Ga_2O as Ga source2012
- 著者名/発表者名
  Y. Bu, M. Juta, J. Takino, T. Sumi, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura and Y. Mori
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN4)
- 発表場所
  Miyagi JAPAN
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of high crystalline GaN layers at high temperature on freestanding GaN substrates by vapor phase epitaxy using Ga2O as Ga source2012
- 著者名/発表者名
  Bu,Yuan; Imade,Mamoru
- 学会等名
  International Crystal Growth School (ICGS2)
- 発表場所
  Hotel Sakan, Convention Center Akiu, Sendai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] High crystallinity GaN growth on c- and a-plane free-standing GaN substrates using Ga2O vapor and NH32012
- 著者名/発表者名
  Bu,Yuan; Imade,Mamoru
- 学会等名
  7th Photonics Center Symposium "Nanophotonics in Asia 2012"
- 発表場所
  金沢
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Naフラックス製GaN自立基板上へのGa2Oを用いたGaN気相成長2012
- 著者名/発表者名
  滝野淳一、隅智亮、卜渊、北本啓、今出完、吉村政志、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス、愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Naフラックス製GaN自立基板上へのGa_2Oを用いたGaN気相成長2012
- 著者名/発表者名
  滝野淳一、隅智亮、卜渊、北本啓、今出完、吉村政志、秦雅彦、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス総合研究棟、福岡県
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Ga_2Oを用いた気相成長法によるHVPE自立基板上へのGaN結晶成長2012
- 著者名/発表者名
  滝野淳一、重田真実、隅智亮、卜渊、北本啓、今出完、吉村政志、秦雅彦、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第36回結晶成長討論会
- 発表場所
  国民宿舎虹の松原ホテル、佐賀県
- 年月日
  2012-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of thick GaN layers by the vapor phase epitaxy using Ga_2O source2012
- 著者名/発表者名
  T. Sumi, J. Takino, Y. Bu, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura and Y. Mori
- 学会等名
  International Workshop on nitride Semiconductors(IWN2012)
- 発表場所
  Hokkaido JAPAN
- 年月日
  2012-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of GaN layer with high crystallinity on free-standing GaN substrate using Ga_2O as Ga source2012
- 著者名/発表者名
  T. Sumi, J. Takino, Y. Bu, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, M. Isemura and Y. Mori
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN4)
- 発表場所
  RUSSIA
- 年月日
  2012-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Ga_2O原料GaN気相成長法における基板表面処理効果の検討2012
- 著者名/発表者名
  重田真実、滝野淳一、隅智亮、卜渊、北本啓、今出完、吉村政志、秦雅彦、伊勢村雅士、森勇介
- 学会等名
  第36回結晶成長討論
- 発表場所
  国民宿舎虹の松原ホテル、佐賀県
- 年月日
  2012-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Ca-Li共添加Naフラックス法によるGaN単結晶のSeeded Growth2011
- 著者名/発表者名
  今出完, 他
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Growth of bulk GaN crystal by Na flux method2011
- 著者名/発表者名
  森勇介, 北岡康夫, 今出完
- 学会等名
  SPIE Photonics West 7939-01
- 発表場所
  USA
- 年月日
  2011-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Growth of bulk GaN crystal by Na flux method2010
- 著者名/発表者名
  Y.Mori, Y.Kitaoka, M.Imade, N. Miyoshi, M.Yoshimura, T.Sasaki
- 学会等名
  2010International Symposium on Crystal Growth A-03
- 発表場所
  Korea
- 年月日
  2010-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Seeded Growth of GaN single crystals by Na flux method2010
- 著者名/発表者名
  M.Imade, et al.
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium(EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺、静岡県
- 年月日
  2010-07-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Na フラックス法によるバルク GaN 結晶育成技術2010
- 著者名/発表者名
  森勇介、北岡康夫、今出完、吉村政志、佐々木孝友
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会,バルク GaN単結晶育成技術の現状
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2010-01-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Seeded growth of GaN single crystals by Na flux method2010
- 著者名/発表者名
  M.Imade, Y. Hirabayashi, Y. Konishi, H. Ukegawa, N. Miyoshi, M.Yoshimura, T.Sasaki, Y.Kitaoka, Y.Mori
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium(EMS-29) Fr1-2
- 発表場所
  Shizuoka
- 年月日
  2010-07-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Growth of bulk GaN crystal by Na flux method2010
- 著者名/発表者名
  Y.Mori, Y.Kitaoka, M.Imade, N. Miyoshi, M.Yoshimura, T.Sasaki
- 学会等名
  Korea-Japan Workshop on Semiconductors for Energy Saving and Harvesting
- 発表場所
  Korea
- 年月日
  2010-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Growth of bulk GaN crystal by Na flux method2010
- 著者名/発表者名
  Y.Mori, Y.Kitaoka, M.Imade, N. Miyoshi, M.Yoshimura, T.Sasaki
- 学会等名
  3rd International Symposium on Growth of Nitrides Mo1-1
- 発表場所
  France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Na フラックス法によるバルクGaN 結晶育成技術2010
- 著者名/発表者名
  森勇介、北岡康夫、今出完、吉村政志、佐々木孝友
- 学会等名
  GaN 系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Growth of high-quality large GaN crystal by Na flux LPE2009
- 著者名/発表者名
  F. Kawamura, N.Miyoshi, M.Imade, M.Yoshimura, Y.Kitaoka, Y.Mori, T.Sasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2009 LASE 2009, paper7216-10
- 発表場所
  San Jose, USA.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Growth of GaN Crystals by Na Flux LPE Method2009
- 著者名/発表者名
  Y.Mori, Y.Kitaoka, M.Imade, F. Kawamura, N. Miyoshi, M.Yoshimura, T.Sasaki
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju,Korea,B1(invit ed)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Recent progress in the growth of GaN single crystals using the Na flux method2008
- 著者名/発表者名
  F. Kawamura, S. Katsuike, Y. Hirabayashi, Y. Kitano, N. Miyoshi, M.Imade, M.Yoshimura, Y.Kitaoka, T.sasaki, Y.Mori
- 学会等名
  Asia Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors(ACW)
- 発表場所
  Kwangju, Korea.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Growth of highquality large GaN crystal by Na flux LPE method2008
- 著者名/発表者名
  Y.Mori, F. Kawamura, N. Miyoshi, M.Imade, M. Tanpo, S. Katsuike, Y. Hirabayashi, Y.Kitaoka, T.Sasaki
- 学会等名
  The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)
- 発表場所
  Miyagi, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360140
[学会発表] Ga2O を原料としたGaN 結晶成長法における厚膜化に向けた取り組み
- 著者名/発表者名
  隅　智亮、　今出　完
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会　 FR-10
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所 An棟2階コンベンションホール
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] High temperature growth of high crystalline GaN layers with a high growth rate by vapor phase epitaxy using Ga2O as a Ga source
- 著者名/発表者名
  Bu,Yuan; Imade,Mamoru
- 学会等名
  International Workshop on nitride Semiconductors (IWN2012), MoP-GR-73
- 発表場所
  Sapporo Convention Center. Sapporo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of thick GaN layers by the vapor phase epitaxy using Ga2O source
- 著者名/発表者名
  Sumi,Tomoaki; Imade,Mamoru
- 学会等名
  International Workshop on nitride Semiconductors (IWN2012), TuP-GR-43
- 発表場所
  Sapporo Convention Center. SapporoSapporo Convention Center.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Ga2O原料GaN気相成長法における基板表面処理効果の検討
- 著者名/発表者名
  重田真実、　今出　完
- 学会等名
  第36回結晶成長討論会, PW8
- 発表場所
  国民宿舎虹の松原ホテル（佐賀県唐津市東唐津４丁目）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Ga2O 原料GaN 気相成長法における基板表面処理効果の検討
- 著者名/発表者名
  重田真実、　今出　完
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議,10PS13
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス総合研究棟(C-CUBE) （福岡県春日市春日公園6-1）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Naフラックス製GaN自立基板上へのGa2Oを用いたGaN気相成長
- 著者名/発表者名
  滝野淳一、　今出　完
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議,09aC07
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス総合研究棟(C-CUBE) （福岡県春日市春日公園6-1）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of GaN layer with high crystallinity on free-standing GaN substrate using Ga2O as Ga source
- 著者名/発表者名
  Sumi,Tomoaki; Imade,Mamoru
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN4), Tu-63p
- 発表場所
  The Hotel Saint-Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Ga2Oを用いた気相成長法によるHVPE自立基板上へのGaN結晶成長
- 著者名/発表者名
  滝野淳一、　今出　完
- 学会等名
  第36回結晶成長討論会, PW11
- 発表場所
  国民宿舎虹の松原ホテル（佐賀県唐津市東唐津４丁目）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Growth of a low dislocation GaN layer on a Na-flux-GaN substrate using Ga2O as a Ga source
- 著者名/発表者名
  Takino,Junichi; Imade,Mamoru
- 学会等名
  International Workshop on nitride Semiconductors (IWN2012),TuP-GR-44
- 発表場所
  Sapporo Convention Center. Sapporo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011
[学会発表] Naフラックス製GaN自立基板上へのGa2Oを用いたGaN気相成長
- 著者名/発表者名
  滝野淳一、　今出　完
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会, 13p-H9-4
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760011

1. 森勇介 (90252618)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
2. 北岡康夫 (70444560)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
3. 川村史朗 (80448092)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件

今出 完 IMADE MAMORU

研究課題

研究成果

共同研究者

低転位バルクGaN単結晶実現に向けた新規気相成長技術の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質窒化ガリウムインゴットの実現を目指した超高温成長技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

完全バルクGaN結晶育成技術の研究開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effect of H2 carrier gas on the physical properties of a GaN layer grown using Ga2O vapor and NH32014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Dramatic increase in the growth rate of GaN layers grown from Ga2O vapor by epitaxial growth on HVPE-GaN substrates with a well-prepared surface2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High Temperature Growth of Non-polar a-Plane GaN Film Grown Using Gallium-Oxide as Ga Source2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth of GaN crystals by Na flux method2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth of Large GaN Single Crystals on High-Quality GaN Seed by Carbon-Added Na Flux Method2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Growth of Large GaN Single Crystals on High-Quality GaN Seed by Carbon-Added Na Flux Method2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Study of the metastable region in the growth of GaN using the Na flux method2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effect of carbon additive on increases in the growth rate of 2 in GaN single crystals in the Na flux method2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] "OVPE法によるGaN厚膜成長に向けた原料利用効率の改善"2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] "Growth of GaN crystals by OVPE method with a three-layer frow gas injection reactor,"2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] "Effect of H2 carrier gas on the growth of thick GaN layers by Oxide Vapor Phase Epitaxy,"2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] "OVPE法によるバルクGaN結晶成長技術の現状と展望"2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] "OVPE法によるGaN厚膜成長に向けた寄生成長の抑制"2017

今出完 IMADE MAMORU