金澤徹 Kanazawa Toru

研究者番号	40514922
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2018年度: 東京工業大学, 工学院, 助教 2013年度 – 2015年度: 東京工業大学, 理工学研究科, 助教 2009年度 – 2010年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連研究代表者以外電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者化合物半導体 / 高移動度チャネル / MOSFET / マルチゲート構造 / マルチゲート / 結晶成長 / MOVPE / ヘテロ接合 / TFET / トランジスタ … もっと見る / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / トンネルトランジスタ / 層状物質 / MOSトランジスタ / III-V族化合物 / ナノシート / MOCVD / 有機金属気相成長法 / 半導体超微細化 / III-V族化合物半導体 / 極微細加工プロセス / 半導体物性 / 電子デバイス・機器 / III-V族半導体 … もっと見る研究代表者以外絶縁体-半導体界面 / 格子緩和成長 / 分子線エピタキシー / InGaAs MIS構造 / タイプIIヘテロ構造 / 化合物半導体MOSFET / スタガード型ヘテロ構造 / 化合物半導体 / ヘテロ接合 / トンネルFET 隠す

III-V族/層状物質ヘテロ接合を用いたトンネルトランジスタ研究代表者
- 研究代表者
  
  金澤徹
- 研究期間 (年度)
  2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
積層型極短チャネルIII-V族MOSFET研究代表者
- 研究代表者
  
  金澤徹
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
ヘテロ構造設計と微細化により低電圧・高速動作を目指した相補型縦型トンネルFET
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
再成長ソースを有する三次元構造InGaAs MOSFET研究代表者
- 研究代表者
  
  金澤徹
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
MOVPE選択再成長ソース領域によるIII-V族MOSFETの高駆動能力化研究代表者
- 研究代表者
  
  金澤徹
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2011 2010 2009 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Effect of increasing gate capacitance on performance of p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor2019
- 著者名/発表者名
  W. Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: -
- NAID
  210000135286
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04279
[雑誌論文] Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain2016
- 著者名/発表者名
  N. Kise,H. Kinoshita, A. Yukimachi, T. Kanazawa and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: vol.126 ページ: 92-95
- DOI
  10.1016/j.sse.2016.09.009
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06292, KAKENHI-PROJECT-26249046, KAKENHI-PROJECT-16K18087
[雑誌論文] Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density2014
- 著者名/発表者名
  K. Ohsawa, A. Kato, T. Kanazawa, E. Uehara and Y. Miyamoto
- 雑誌名
  
  IEICE Electronics Express
  
  巻: 11 号: 14 ページ: 20140567-20140567
- DOI
  10.1587/elex.11.20140567
- NAID
  130004725760
- ISSN
  1349-2543
- 言語
  英語
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[雑誌論文] InP/InGaAs Composite Metal-Oxide-Semiconductor Firld-Effect Transistors with Regrown Source and Al_2O_3 gatedielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm2011
- 著者名/発表者名
  R.Terao, T.Kanazawa, S.Ikeda, Y.Yonai, A.Kato, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express vol.4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[雑誌論文] InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source and Al_2O_3 gatedielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm2011
- 著者名/発表者名
  R.Terao, T.Kanazawa, S.Ikeda, Y.Yonai, A.Kato, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Applied Phys.Exp.
  
  巻: vol.4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[雑誌論文] Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n+-Source2010
- 著者名/発表者名
  T.Kanazawa, K.Wakabayashi, H.Saito, R.Terao, S.Ikeda, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express vol.3
- NAID
  10026690574
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[雑誌論文] Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n^+-Source2010
- 著者名/発表者名
  T.Kanazawa, K.Wakabayashi, H.Saito, R.Terao, S.Ikeda, Y.Miyamoto, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Applied Phys.Exp.
  
  巻: vol.3
- NAID
  10026690574
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[産業財産権] 電界効果トランジスタ2010
- 発明者名
  宮本恭幸、金澤徹
- 権利者名
  東京工業大学
- 産業財産権番号
  2010-204769
- 出願年月日
  2010-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] 埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET2018
- 著者名/発表者名
  張文倫、祢津誠晃、金澤徹、雨宮智宏、宮本恭幸
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04279
[学会発表] InGaAsナノシートトランジスタの作製2018
- 著者名/発表者名
  金澤徹、大澤一斗、雨宮智宏、木瀬信和、青沼遼介、宮本恭幸
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18087
[学会発表] Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source2018
- 著者名/発表者名
  Kanazawa Toru、Ohsawa Kazuto、Amemiya Tomohiro、Kise Nobukazu、Aonuma Ryosuke、Miyamoto Yasuyuki
- 学会等名
  Conpound Semiconductor Week 2018 (CSW2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18087
[学会発表] p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric2018
- 著者名/発表者名
  W. Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto
- 学会等名
  2018 Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04279
[学会発表] InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発2017
- 著者名/発表者名
  大澤一斗、金澤徹、木瀬信和、雨宮智宏、宮本恭幸
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18087
[学会発表] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作2016
- 著者名/発表者名
  木下治紀木瀬信和祢津誠晃金澤徹宮本恭幸
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain2016
- 著者名/発表者名
  H. Kinoshita, N. Kise, A. Yukimachi, T. Kanazawa, Y. Miyamoto
- 学会等名
  2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)]
- 発表場所
  富山国際会議場
- 年月日
  2016-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] H.Kinoshita,S.Netsu,Y.Mishima,T.Kanazawa and Y.Miyamoto Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain2015
- 著者名/発表者名
  H.Kinoshita,S.Netsu,Y.Mishima,T.Kanazawa and Y.Miyamoto
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 発表場所
  HIDA HOTEL PLAZA, Takayama, Gifu
- 年月日
  2015-08-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] 再成長ソース / ドレインを有する InGaAs マルチゲート MOSFET 作製プロセス2015
- 著者名/発表者名
  木下治紀、金澤徹、祢津誠晃、三嶋裕一、宮本恭幸
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] InGaAs channel for low supply voltage2015
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto,T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, M. Fujimatsu, K. Ohashi, S. Nestu, and S. Iwata
- 学会等名
  47th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sapporo Convention Center
- 年月日
  2015-09-28
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Improvement of Interface Property of HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Using Nitrogen Plasma Cleaning and Hydrogen Annealing2015
- 著者名/発表者名
  S. Netsu, T. Kanazawa, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  University of California Santa Barbara, CA USA
- 年月日
  2015-07-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET2014
- 著者名/発表者名
  金澤徹
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420322
[学会発表] 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET2011
- 著者名/発表者名
  金澤徹、寺尾良輔、山口裕太郎、池田俊介、米内義晴、加藤淳、宮本恭幸
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネルn-MOSFETの電気特性2010
- 著者名/発表者名
  寺尾良輔、金澤徹、斎藤尚史、若林和也、池田俊介、宮本恭幸、古屋一仁
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] Al_2O_3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  寺尾良輔、金澤徹、池田俊介、米内義晴、加藤淳、宮本恭幸
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source2010
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, T. Kanazawa, H. Saito, K. Furuya
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 発表場所
  Busan
- 年月日
  2010-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] InP/IGaAs Quantum Well Channel MOSFET Bonded on Silicon Substrate2010
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa
- 学会等名
  2nd Japanese-Russion Young Scientists Conf. Nano-Materials and Nano-Technology
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFET with selectively regrown n^+-source/drain buried in channel undercut2010
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  The 22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)
- 発表場所
  Takamatsu
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  金澤徹、若林和也、斎藤尚史、寺尾良輔、池田俊介、宮本恭幸、古屋一仁
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n^+-source/drain buried in channel undercut2010
- 著者名/発表者名
  T.Kanazawa
- 学会等名
  22nd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
- 発表場所
  高松
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] InP/InGaAs MOSFET with back-electrode structure bonded on Si substrate using a BCB adhesive Layer2010
- 著者名/発表者名
  T.Kanazawa
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] InP/InGaAs composite channel MOSFET with Al_2O_3 gate dielectric2010
- 著者名/発表者名
  金澤徹
- 学会等名
  IEICE Technical Report of meeting on Electron Devices
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-01-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] Submicron-channel InGaAs MISFET with epitaxially grown source2010
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, H. Saito, T. Kanazawa
- 学会等名
  10th IEEE Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2010)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2010-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  金澤徹、寺尾良輔、山口裕太郎、池田俊介、米内義晴、加藤淳、宮本恭幸
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] 再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性2010
- 著者名/発表者名
  若林和也、金澤徹、斎藤尚史、寺尾良輔、池田俊介、宮本恭幸、古屋一仁
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] InGaAs MISFET with epitaxially grown sourcce2010
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, T. Kanazawa, H. Saito
- 学会等名
  The 3rd Int. Symp. Prganic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2010)
- 発表場所
  Toyama
- 年月日
  2010-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET2010
- 著者名/発表者名
  金澤徹、若林和也、斎藤尚史、田島智宣、池田俊介、宮本恭幸、古屋一仁
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-01-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] InP/InGaAs MOSFET with back-electrode structure bonded on Si substrate using a BCB adhesive layer2010
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, R. Terao, Y. Yamaguchi, S. Ikeda, Y. Yonai, Y. Miyamoto
- 学会等名
  2010 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] High-mobility MOSFET with submicron III-V channel2010
- 著者名/発表者名
  金澤徹
- 学会等名
  Technical Meeting on Electron Devices, IEE of Japan
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N+-InGaAs Source Region2009
- 著者名/発表者名
  金澤徹
- 学会等名
  2009 Int.Conf.Solid State Devices and Materials(SSDM 2009)
- 発表場所
  Miyagi, Japan
- 年月日
  2009-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N^+-InGaAs Source REgion2009
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, H. Saito, K. Wakabayashi, T. Tajima, R. Terao, Y. Miyamoto, K. Furuya
- 学会等名
  2009 Int. Conf. Solide State Devices and Materials (SSDM 2009)
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] MOVPE再成長n^+-ソースを有するIII-V族高移動度チャネルMOSFET2009
- 著者名/発表者名
  金澤徹
- 学会等名
  IEE of Japan(Special Session on Compound Semiconductor Electron Devices for More Moore More than Moore)
- 発表場所
  徳島市
- 年月日
  2009-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] InP/INGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source2009
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K.
- 学会等名
  The 21st Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2009)
- 発表場所
  Newport Beach, USA
- 年月日
  2009-05-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] 再成長ソースを有するアンドープチャネルMOSFET2009
- 著者名/発表者名
  若林和也、金澤徹、斎藤尚史、寺尾良輔、田島智宣、宮本恭幸、古屋一仁
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source2009
- 著者名/発表者名
  金澤徹
- 学会等名
  The 21st Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
- 発表場所
  Newport Beach, USA
- 年月日
  2009-05-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] MOVEP再成長n^+-ソースを有するIII-V族高移動度チャネルMOSFET2009
- 著者名/発表者名
  金澤徹、斎藤尚史、若林和也、寺尾良輔、田島智宣、池田俊介、宮本恭幸、古屋一仁
- 学会等名
  電気学会電気・情報・システム部門大会
- 発表場所
  徳島
- 年月日
  2009-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760253
[学会発表] InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, M. Fujimatsu, M. Kashiwano , K. Ohsawa, and K. Ohashi
- 学会等名
  26th International Conference on InP and Related Materials (IPRM 2014)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Improvement of Interface Property of HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Using Nitrogen Plasma Cleaning and Hydrogen Annealing
- 著者名/発表者名
  S. Netsu, T. Kanazawa, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Santa Barbara, CA
- 年月日
  2015-06-28 – 2015-07-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain
- 著者名/発表者名
  Y. Mishima, T. Kanazawa, H. Kinoshita, E. Uehara, and Y. Miyamoto
- 学会等名
  72nd Device Research Conference (DRC)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA
- 年月日
  2014-06-22 – 2014-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, T. Irisawa, M. Oda, and T. Tezuka
- 学会等名
  72nd Device Research Conference (DRC)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA
- 年月日
  2014-06-22 – 2014-06-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046

1. 宮本恭幸 (40209953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
2. 鈴木寿一 (80362028)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

金澤 徹 Kanazawa Toru

研究課題

研究成果

共同研究者

III-V族/層状物質ヘテロ接合を用いたトンネルトランジスタ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

積層型極短チャネルIII-V族MOSFET研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ヘテロ構造設計と微細化により低電圧・高速動作を目指した相補型縦型トンネルFET

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

再成長ソースを有する三次元構造InGaAs MOSFET研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

MOVPE選択再成長ソース領域によるIII-V族MOSFETの高駆動能力化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effect of increasing gate capacitance on performance of p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor2019

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

ISSN

言語

データソース

[雑誌論文] InP/InGaAs Composite Metal-Oxide-Semiconductor Firld-Effect Transistors with Regrown Source and Al_2O_3 gatedielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source and Al_2O_3 gatedielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n+-Source2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n^+-Source2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[産業財産権] 電界効果トランジスタ2010

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[学会発表] 埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

金澤徹 Kanazawa Toru