松崎功佑 Matsuzaki Kosuke

研究者番号	40571500
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 2019年度 – 2020年度: 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 特任助教 2014年度 – 2015年度: 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 特任助教
審査区分/研究分野	研究代表者中区分36:無機材料化学、エネルギー関連化学およびその関連分野 / 小区分36010:無機物質および無機材料化学関連 / 小区分26020:無機材料および物性関連 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外小区分26010:金属材料物性関連 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
キーワード	研究代表者太陽電池材料 / 太陽電池 / ドーピング / 窒化物半導体 / 窒化物 / 欠陥 / ハライド材料 / 溶液法 / 正孔輸送材料 / キャリアドーピング … もっと見る / 複合欠陥 / アンバイポーラトランジスタ / 両極性半導体 / トランジスタ / 薄膜成長 / 両極性ドーピング / 半導体 / アモノサーマル / 薄膜 / 窒化物合成 / 後熱処理 / 微細構造観察 / ハーフメタリック材料 / エピタキシャル薄膜 / 構造欠陥 / 価数制御 / マグネタイト … もっと見る研究代表者以外機械学習 / 計算材料データベース / 点欠陥 / 高温超伝導 / 六方晶窒化ホウ素 / グラフェン / 電子放出源隠す

ユニバーサルな点欠陥形成エネルギーの高精度予測と材料探索への応用
- 研究代表者
  
  熊谷悠
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分26010:金属材料物性関連
- 研究機関
  東北大学
不純物を用いた太陽電池材料の欠陥制御技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  松崎功佑
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
原子層物質/高温超伝導体積層構造を用いた超コヒーレント電子放出デバイスの開発
- 研究代表者
  
  村上勝久
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
等原子価不純物による高性能正孔輸送材料の創成研究代表者
- 研究代表者
  
  松崎功佑
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分36:無機材料化学、エネルギー関連化学およびその関連分野
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
窒化インジウム系半導体の合成法確立と高性能p/n接合素子への展開研究代表者
- 研究代表者
  
  松崎功佑
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分36:無機材料化学、エネルギー関連化学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
窒化物半導体薄膜の両極性伝導制御と太陽電池への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  松崎功佑
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分26020:無機材料および物性関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
   東京工業大学
化学量論比を制御したFe3O4ヘテロ界面の機能探索研究代表者
- 研究代表者
  
  松崎功佑
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2023 2022 2020 2019 2016 2015 2014

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Design, Synthesis, and Optoelectronic Properties of the High-Purity Phase in Layered AETMN2 (AE = Sr, Ba; TM = Ti, Zr, Hf) Semiconductors2022
- 著者名/発表者名
  Akihiro Shiraishi, Shigeru Kimura, Xinyi He, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Makoto Minohara, Kosuke Matsuzaki, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, and Toshio Kamiya
- 雑誌名
  
  Inorg. Chem.
  
  巻: 61 号: 17 ページ: 6650-6659
- DOI
  10.1021/acs.inorgchem.2c00604
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21075, KAKENHI-PROJECT-19H02425, KAKENHI-PROJECT-19H02427, KAKENHI-PROJECT-22K18881, KAKENHI-PROJECT-20KK0117, KAKENHI-PROJECT-21H04612, KAKENHI-PROJECT-22KJ1339, KAKENHI-PROJECT-16KK0107, KAKENHI-PROJECT-23K23034, KAKENHI-PROJECT-23K23216
[雑誌論文] Hole-Doping to a Cu(I)-Based Semiconductor with an Isovalent Cation: Utilizing a Complex Defect as a Shallow Acceptor2022
- 著者名/発表者名
  Matsuzaki Kosuke、Tsunoda Naoki、Kumagai Yu、Tang Yalun、Nomura Kenji、Oba Fumiyasu、Hosono Hideo
- 雑誌名
  
  Journal of the American Chemical Society
  
  巻: 144 号: 36 ページ: 16572-16578
- DOI
  10.1021/jacs.2c06283
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K19094, KAKENHI-PROJECT-20H00302
[雑誌論文] Low Residual Carrier Density and High In-Grain Mobility in Polycrystalline Zn3N2 Films on a Glass Substrate2022
- 著者名/発表者名
  Kaiwen Li, Atsushi Shimizu, Xinyi He, Keisuke Ide*, Kota Hanzawa, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Qun Zhang*, and Toshio Kamiya
- 雑誌名
  
  ACS Applied Electronic Materials
  
  巻: 4 号: 4 ページ: 2026-2031
- DOI
  10.1021/acsaelm.2c00181
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02427, KAKENHI-PROJECT-20H02433, KAKENHI-PROJECT-21H04612, KAKENHI-PROJECT-21K18814
[雑誌論文] Hydrogen-Defect Termination in SnO for p-Channel TFTs2020
- 著者名/発表者名
  Lee Alex W.、Le Dong、Matsuzaki Kosuke、Nomura Kenji
- 雑誌名
  
  ACS Applied Electronic Materials
  
  巻: 2 号: 4 ページ: 1162-1168
- DOI
  10.1021/acsaelm.0c00149
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02427, KAKENHI-PROJECT-19K22228
[雑誌論文] Resistive switching memory effects in p-type hydrogen-treated CuO nanowire2020
- 著者名/発表者名
  Huang Chi-Hsin、Tang Yalun、Matsuzaki Kosuke、Nomura Kenji
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 4 ページ: 043502-043502
- DOI
  10.1063/5.0010839
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02427, KAKENHI-PROJECT-19K22228
[雑誌論文] Back-Channel Defect Termination by Sulfur for p-Channel Cu2O Thin-Film Transistors2020
- 著者名/発表者名
  Chang Hsuan、Huang Chi-Hsin、Matsuzaki Kosuke、Nomura Kenji
- 雑誌名
  
  ACS Applied Materials & Interfaces
  
  巻: 12 号: 46 ページ: 51581-51588
- DOI
  10.1021/acsami.0c11534
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02427, KAKENHI-PROJECT-19K22228
[雑誌論文] Symmetric Ambipolar Thin-Film Transistors and High-Gain CMOS-like Inverters Using Environmentally Friendly Copper Nitride2019
- 著者名/発表者名
  Matsuzaki Kosuke、Katase Takayoshi、Kamiya Toshio、Hosono Hideo
- 雑誌名
  
  ACS Applied Materials & Interfaces
  
  巻: 11 号: 38 ページ: 35132-35137
- DOI
  10.1021/acsami.9b12068
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22228, KAKENHI-PROJECT-19H02425, KAKENHI-PROJECT-19H02427
[雑誌論文] Atomic and electronic structure of twin growth defects in magnetite2016
- 著者名/発表者名
  Daniel Gilks, Zlatko Nedelkoski, Leonardo Lari, Balati Kuerbanjiang, Kosuke Matsuzaki, Tomofumi Susaki, Demie Kepaptsoglou, Quentin Ramasse, Richard Evans, Keith McKenna, Vlado K. Lazarov
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 6:20943 号: 1 ページ: 20943-20943
- DOI
  10.1038/srep20943
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870188, KAKENHI-PROJECT-25286056
[雑誌論文] Atomic study of Fe3O4/SrTiO3 Interface2015
- 著者名/発表者名
  D. Gilks, D.M. Kepaptsoglou, K. McKenna, L. Lari, Q.M. Ramasse, K. Matsuzaki, T. Susaki, V.K. Lazarov
- 雑誌名
  
  Microsc. Microanal.
  
  巻: 21 (Suppl 3) 号: S3 ページ: 1299-1300
- DOI
  10.1017/s143192761500728x
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870188, KAKENHI-PROJECT-25286056
[雑誌論文] A STEM study of twin defects in Fe3O4(111)/YZO(111)2014
- 著者名/発表者名
  D Gilks, L Lari, K Matsuzaki, R Evans, K McKenna, T Susaki, V K Lazarov
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Conference Series
  
  巻: 522 ページ: 012036-012036
- DOI
  10.1088/1742-6596/522/1/012036
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870188
[雑誌論文] Structural study of Fe3O4(111) thin films with bulk like magnetic and magnetotransport behaviour2014
- 著者名/発表者名
  D. Gilks, L. Lari, K. Matsuzaki, H. Hosono, T. Susaki, and V. K. Lazarov
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 115 号: 17 ページ: 17C107-17C107
- DOI
  10.1063/1.4862524
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870188
[学会発表] Pd0価ドーピングによる窒化銅半導体のバンド構造制御と熱電特性2023
- 著者名/発表者名
  松崎功佑, 片瀬貴義, 熊谷悠, 角田直樹, 原田航, 大場史康, 細野秀雄
- 学会等名
  日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K19094
[学会発表] 複合欠陥を用いたCu(I)半導体材料への p型ドーピング法の開発2023
- 著者名/発表者名
  松崎功佑,熊谷悠, 大場史康, 細野秀雄
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K19094

1. 熊谷悠 (00722464)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 村上勝久 (20403123)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 若家冨士男 (60240454)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 清原慎 (20971881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 反保衆志 (20392631)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 片瀬貴義

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

松崎 功佑 Matsuzaki Kosuke

研究課題

研究成果

共同研究者

ユニバーサルな点欠陥形成エネルギーの高精度予測と材料探索への応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

不純物を用いた太陽電池材料の欠陥制御技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

原子層物質/高温超伝導体積層構造を用いた超コヒーレント電子放出デバイスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

等原子価不純物による高性能正孔輸送材料の創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化インジウム系半導体の合成法確立と高性能p/n接合素子への展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体薄膜の両極性伝導制御と太陽電池への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

化学量論比を制御したFe3O4ヘテロ界面の機能探索研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Design, Synthesis, and Optoelectronic Properties of the High-Purity Phase in Layered AETMN2 (AE = Sr, Ba; TM = Ti, Zr, Hf) Semiconductors2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hole-Doping to a Cu(I)-Based Semiconductor with an Isovalent Cation: Utilizing a Complex Defect as a Shallow Acceptor2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low Residual Carrier Density and High In-Grain Mobility in Polycrystalline Zn3N2 Films on a Glass Substrate2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hydrogen-Defect Termination in SnO for p-Channel TFTs2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Resistive switching memory effects in p-type hydrogen-treated CuO nanowire2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Back-Channel Defect Termination by Sulfur for p-Channel Cu2O Thin-Film Transistors2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Symmetric Ambipolar Thin-Film Transistors and High-Gain CMOS-like Inverters Using Environmentally Friendly Copper Nitride2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

松崎功佑 Matsuzaki Kosuke