相川慎也 AIKAWA SHINYA

研究者番号	40637899
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 工学院大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 工学院大学, 工学部, 教授 2022年度 – 2023年度: 工学院大学, 工学部, 准教授 2015年度: 工学院大学, 総合研究所, 助教 2014年度 – 2015年度: 工学院大学, 付置研究所, 助教 2013年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, ポスドク研究員 2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 薄膜・表面界面物性 / 熱工学
キーワード	研究代表者酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / 透明導電膜 / 計算機シミュレーション / 極性表面 / ガスセンサー / 水素化 / アモルファス / 酸化物 / フレキシブル … もっと見る / ディスプレイ / 電子デバイス / ディスプレイ応用 / 半導体物性 / 表面・界面物性 / プラスチック基板 / ポリマー絶縁膜 / フレキシブルエレクトロニクス / カーボンナノチューブ隠す

極性表面により室温動作を可能にする酸化膜トランジスタ型温室効果ガスセンサーの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  相川慎也
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  工学院大学
高い屈曲耐性を有する構造無秩序な低抵抗水素化酸化インジウム系透明導電薄膜の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  相川慎也
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  工学院大学
シンプルな元素構成の新酸化膜半導体材料を用いた薄膜トランジスタの特性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  相川慎也
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  工学院大学
極めて柔軟で透明な高性能カーボンナノチューブデバイスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  相川慎也
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  熱工学
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構

すべて 2024 2023 2022 2016 2015 2014 2013 2012

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] O Plus E2013
- 著者名/発表者名
  相川慎也，塚越一仁，丸山茂夫
- 出版者
  アドコム・メディア株式会社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[図書] 超フレキシブルで透明なカーボンナノチューブトランジスタO plus E (vol.35)2013
- 著者名/発表者名
  相川慎也,塚越一仁,丸山茂夫
- 出版者
  アドコム・メディア株式会社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[雑誌論文] In2O3-based thin-film transistors with a (400) polar surface for CO2 gas detection at 150?°C2024
- 著者名/発表者名
  Nodera Ayumu、Aikawa Shinya
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering: B
  
  巻: 299 ページ: 117034-117034
- DOI
  10.1016/j.mseb.2023.117034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[雑誌論文] The Influence of Oxygen‐Related Defects on the Formation of In2O3‐Based Low‐Fluorescence Transparent Conducting Film2023
- 著者名/発表者名
  Shimizu Maki、Shugo Masataka、Mori Shun、Hijikata Yasuto、Aikawa Shinya
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 220 号: 12 ページ: 2200896-2200896
- DOI
  10.1002/pssa.202200896
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292, KAKENHI-PROJECT-22K04932, KAKENHI-PROJECT-23K22787
[雑誌論文] p-type conversion of distorted SnO<sub>x</sub> thin film by mild thermal annealing treatment in pure N<sub>2</sub> environment2022
- 著者名/発表者名
  Watanabe Kotaro、Kawaguchi Takuma、Aikawa Shinya
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 12 号: 10 ページ: 105102-105102
- DOI
  10.1063/5.0103337
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[雑誌論文] Reduction of the interfacial trap density of indium-oxide thin film transistors by incorporation of hafnium and annealing process2015
- 著者名/発表者名
  M.-F. Lin, X. Gao, N. Mitoma, T. Kizu, W. Ou-Yang, S. Aikawa, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
- 雑誌名
  
  AIP Adv.
  
  巻: 5 号: 1 ページ: 017116-017116
- DOI
  10.1063/1.4905903
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[雑誌論文] Dopant selection for control of charge carrier density and mobility in amorphous indium oxide thin-film transistors: Comparison between Si- and W-dopants2015
- 著者名/発表者名
  N. Mitoma, S. Aikawa, W. Ou-Yang, X. Gao, T. Kizu, M.-F. Lin, A. Fujiwara, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 106 号: 4 ページ: 042106-042106
- DOI
  10.1063/1.4907285
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[雑誌論文] Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors2015
- 著者名/発表者名
  K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, N. Mitoma, T. Kizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyow, A. Ogura
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol., A
  
  巻: 33 号: 6 ページ: 061506-061506
- DOI
  10.1116/1.4928763
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[雑誌論文] Suppression of excess oxygen for environmentally stable amorphous In-Si-O thin-film transistors2015
- 著者名/発表者名
  S. Aikawa, N. Mitoma, T. Kizu, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 106 号: 19 ページ: 192103-192103
- DOI
  10.1063/1.4921054
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[雑誌論文] Stable amorphous In_2O_3-based thin-film transistors by incorporating SiO_2 to suppress oxygen vacancies2014
- 著者名/発表者名
  N. Mitoma, S. Aikawa, X. Gao, T. Kizu, M. Shimizu, M.-F. Lin, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: vol.104 号: 10 ページ: 102103-102103
- DOI
  10.1063/1.4868303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018, KAKENHI-PROJECT-26790051
[雑誌論文] Self-formed copper oxide contact interlayer for high-performance oxide thin film transistors2014
- 著者名/発表者名
  X. Gao, S. Aikawa, N. Mitoma, M.-F. Lin, T. Kizu, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 105 号: 2 ページ: 023503-023503
- DOI
  10.1063/1.4890312
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[雑誌論文] Low-temperature processable amorphous In-W-O thin-film transistors with high mobility and stability2014
- 著者名/発表者名
  T. Kizu, S. Aikawa, N. Mitoma, M. Shimizu, X. Gao, M.-F. Lin, T. Nabatame, K Tsukagoshi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: vol.104 号: 15 ページ: 152103-152103
- DOI
  10.1063/1.4871511
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018, KAKENHI-PROJECT-26790051
[雑誌論文] Strong Enhancement of Raman Scattering from a Bulk-Inactive Vibrational Mode in Few-Layer MoTe_22014
- 著者名/発表者名
  M. Yamamoto, S. T. Wang, M. Ni, Y.-F. Lin, S.-L. Li, S. Aikawa, W.-B. Jian, K. Ueno, K. Wakabayashi, K. Tsukagoshi
- 雑誌名
  
  ACS Nano
  
  巻: vol.8 号: 4 ページ: 3895-3903
- DOI
  10.1021/nn5007607
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018, KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PLANNED-25107005
[雑誌論文] Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor2014
- 著者名/発表者名
  K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyo, A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 61 号: 4 ページ: 345-351
- DOI
  10.1149/06104.0345ecst
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[雑誌論文] Effects of dopants in InO_x-based amorphous oxide semiconductors for thin-film transistor applications2013
- 著者名/発表者名
  S. Aikawa, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: vol.103 号: 17 ページ: 172105-172105
- DOI
  10.1063/1.4822175
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[雑誌論文] Effect of Gas Pressure on the Density of Horizontally Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes Grown on Quartz Substrates2013
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, D. Hasegawa, S. Badar, S. Aikawa, S. Chiashi, S. Maruyama
- 雑誌名
  
  Journal of Physical Chemistry C
  
  巻: 117 号: 22 ページ: 11804-11810
- DOI
  10.1021/jp401681e
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J08717, KAKENHI-PROJECT-22226006, KAKENHI-PROJECT-23760179, KAKENHI-PROJECT-24860018, KAKENHI-PROJECT-25630063
[雑誌論文] Thin-film transistors fabricated by low-temperature process based on Ga- and Zn-free amorphous oxide semiconductor2013
- 著者名/発表者名
  S. Aikawa, P. Darmawan, K. Yanagisawa, T. Nabatame, Y. Abe, K. Tsukagoshi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: vol.102 号: 10 ページ: 102101-102101
- DOI
  10.1063/1.4794903
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[雑誌論文] Effect of Inrush Current on Carbon Nanotube Synthesis from Xylene by Liquid-Phase Pulsed Arc Method Using Copper Electrodes2013
- 著者名/発表者名
  T. Kizu, S. Aikawa, K. Takekoshi, E. Nishikawa
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
  
  巻: 11 号: 0 ページ: 8-12
- DOI
  10.1380/ejssnt.2013.8
- NAID
  130004438846
- ISSN
  1348-0391
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[雑誌論文] Temperature dependent thermal conductivity increase of aqueous nanofluid with single walled carbon nanotube inclusions2012
- 著者名/発表者名
  S. Harish, K. Ishikawa, E. Einarsson, S. Aikawa, T. Inoue, P. Zhao, M. Watanabe, S. Chiashi, J. Shiomi, S. Maruyama
- 雑誌名
  
  Materials Express
  
  巻: 2 号: 3 ページ: 213-223
- DOI
  10.1166/mex.2012.1074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J08717, KAKENHI-PROJECT-22226006, KAKENHI-PROJECT-23760179, KAKENHI-PROJECT-24860018
[雑誌論文] Influence of Pulse Condition in the Synthesis of Carbon Nanotubes Containing Tungsten by Arc Discharge in Water2012
- 著者名/発表者名
  K. Takekoshi, T. Kizu, S. Aikawa, M. Kanda, E. Nishikawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: vol.51 号: 12R ページ: 125102-125102
- DOI
  10.1143/jjap.51.125102
- NAID
  40019527655
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタ、酸化物半導体、およびその製造方法2015
- 発明者名
  塚越一仁，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 権利者名
  塚越一仁，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2015-01-23
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2014
- 発明者名
  相川慎也，塚越一仁，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 権利者名
  相川慎也，塚越一仁，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016634
- 出願年月日
  2014-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 有機EL素子及びその製造方法2014
- 発明者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2014-03-28
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2014
- 発明者名
  塚越一仁,相川慎也,木津たきお, 清水麻希,三苫伸彦,生田目俊秀
- 権利者名
  塚越一仁,相川慎也,木津たきお, 清水麻希,三苫伸彦,生田目俊秀
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016273
- 出願年月日
  2014-01-31
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜2014
- 発明者名
  生田目俊秀，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，塚越一仁
- 権利者名
  生田目俊秀，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，塚越一仁
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016633
- 出願年月日
  2014-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタの構造、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置2014
- 発明者名
  生田目俊秀，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，塚越一仁
- 権利者名
  生田目俊秀，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，塚越一仁
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016632
- 出願年月日
  2014-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2014
- 発明者名
  相川慎也,塚越一仁,木津たきお, 清水麻希,三苫伸彦,生田目俊秀
- 権利者名
  相川慎也,塚越一仁,木津たきお, 清水麻希,三苫伸彦,生田目俊秀
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016634
- 出願年月日
  2014-01-31
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置2014
- 発明者名
  生田目俊秀，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，塚越一仁
- 権利者名
  生田目俊秀，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，塚越一仁
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016635
- 出願年月日
  2014-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 酸化物半導体およびその製法2014
- 発明者名
  相川慎也，塚越一仁，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 権利者名
  相川慎也，塚越一仁，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016631
- 出願年月日
  2014-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2014
- 発明者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也，知京豊裕
- 権利者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也，知京豊裕
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2014-05-02
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[産業財産権] 薄膜トランジスタの構造,薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置2014
- 発明者名
  生田目俊秀,相川慎也,木津たきお,清水麻希,三苫伸彦,塚越一仁
- 権利者名
  生田目俊秀,相川慎也,木津たきお,清水麻希,三苫伸彦,塚越一仁
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016632
- 出願年月日
  2014-01-31
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2014
- 発明者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016266
- 出願年月日
  2014-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法2014
- 発明者名
  塚越一仁，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 権利者名
  塚越一仁，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016630
- 出願年月日
  2014-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2014
- 発明者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016266
- 出願年月日
  2014-01-31
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2014
- 発明者名
  塚越一仁，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 権利者名
  塚越一仁，相川慎也，木津たきお，清水麻希，三苫伸彦，生田目俊秀
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016273
- 出願年月日
  2014-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法2014
- 発明者名
  塚越一仁,相川慎也,木津たきお, 清水麻希,三苫伸彦,生田目俊秀
- 権利者名
  塚越一仁,相川慎也,木津たきお, 清水麻希,三苫伸彦,生田目俊秀
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016630
- 出願年月日
  2014-01-31
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 有機ＥＬ素子及びその製造方法2014
- 発明者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2014-03-28
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタ,薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置2014
- 発明者名
  生田目俊秀,相川慎也,木津たきお,清水麻希,三苫伸彦,塚越一仁
- 権利者名
  生田目俊秀,相川慎也,木津たきお,清水麻希,三苫伸彦,塚越一仁
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016635
- 出願年月日
  2014-01-31
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜2014
- 発明者名
  生田目俊秀,相川慎也,木津たきお,清水麻希,三苫伸彦,塚越一仁
- 権利者名
  生田目俊秀,相川慎也,木津たきお,清水麻希,三苫伸彦,塚越一仁
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016633
- 出願年月日
  2014-01-31
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 酸化物半導体およびその製法2014
- 発明者名
  相川慎也,塚越一仁,木津たきお, 清水麻希,三苫伸彦,生田目俊秀
- 権利者名
  相川慎也,塚越一仁,木津たきお, 清水麻希,三苫伸彦,生田目俊秀
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-016631
- 出願年月日
  2014-01-31
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタ,薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置2013
- 発明者名
  塚越一仁,ピーターダルマワン, 相川慎也,生田目俊秀,柳沢佳一
- 権利者名
  塚越一仁,ピーターダルマワン, 相川慎也,生田目俊秀,柳沢佳一
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-06-13
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置2013
- 発明者名
  塚越一仁，ピーターダルマワン，相川慎也，生田目俊秀，柳沢佳一
- 権利者名
  塚越一仁，ピーターダルマワン，相川慎也，生田目俊秀，柳沢佳一
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-06-13
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 有機ＥＬ素子及びその製造方法2013
- 発明者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-068164
- 出願年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 有機EL素子及びその製造方法2013
- 発明者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-067801
- 出願年月日
  2013-03-28
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 有機EL素子2013
- 発明者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-067782
- 出願年月日
  2013-03-28
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 有機EL素子及びその製造方法2013
- 発明者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-068164
- 出願年月日
  2013-03-28
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2013
- 発明者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-099284
- 出願年月日
  2013-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 有機ＥＬ素子2013
- 発明者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-067782
- 出願年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2013
- 発明者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-099284
- 出願年月日
  2013-05-09
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2013
- 発明者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也，知京豊裕
- 権利者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也，知京豊裕
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-139425
- 出願年月日
  2013-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 薄膜トランジスタおよびその製造方法2013
- 発明者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也, 知京豊裕
- 権利者名
  生田目俊秀,塚越一仁,相川慎也, 知京豊裕
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-139425
- 出願年月日
  2013-07-03
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[産業財産権] 有機ＥＬ素子及びその製造方法2013
- 発明者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 権利者名
  生田目俊秀，塚越一仁，相川慎也
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-067801
- 出願年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] RFマグネトロンスパッタ法で作製したSnO2:N薄膜のバルク内酸素空孔低減及びバルク内組成の評価2024
- 著者名/発表者名
  川口拓真，大石竜嗣，清水麻希，土方泰斗，相川慎也
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] In2O3系透明導電膜へのHドーピングによる柔軟性劣化機構2024
- 著者名/発表者名
  木菱完太，山寺真理，小林翔，野寺歩，鷹野一朗，相川慎也
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 金属Sn薄膜の硫化時圧力に依存するSnS表面形態の評価2024
- 著者名/発表者名
  渡邉大輝，守屋賢人，相川慎也
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] SnO2スパッタターゲットを用いたSnO製作：Ar/H2および真空中ポストアニールの比較2024
- 著者名/発表者名
  小林翔，川口拓真，木菱完太，相川慎也
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Enhancement of CO2 Gas Sensitivity in In2O3 Thin Film Transistor with a Polar Surface2024
- 著者名/発表者名
  A. Nodera, S. Aikawa
- 学会等名
  18th International Thin-Film Transistor Conference (ITC 2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 低温Deep UV照射処理されたB-doped In2O3 TFT2024
- 著者名/発表者名
  山寺真理，木菱完太，相川慎也
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] p型アモルファスTaSnOの電気特性に及ぼすスパッタ成膜条件探索2024
- 著者名/発表者名
  石田哲也，柿澤立樹，小林翔，川口拓真，曹晨亭，辛佳和，鷹野一朗，相川慎也
- 学会等名
  表面技術協会第149回講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 金属Snを硫化アニールし作製したSnSO4の評価：硫化中の酸素圧力依存2024
- 著者名/発表者名
  守屋賢人，渡邉大輝，川口拓真，相川慎也
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 低蛍光強度の透明導電膜を用いたNVセンタの電荷制御2024
- 著者名/発表者名
  大石竜嗣，木菱完太，土方泰斗，波多野睦子，牧野俊晴，相川慎也，清水麻希
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] SnO層間へのNH3分子インターカレーションの試み2024
- 著者名/発表者名
  辛佳和，石田哲也，小林翔，相川慎也
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] スパッタ成膜したスズ酸化物と電極間の界面抵抗評価2024
- 著者名/発表者名
  林遥大，川口拓真，小林翔，山寺真理，石田哲也，曹晨亭，相川慎也
- 学会等名
  表面技術協会第149回講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] PVA抵抗変化メモリにおけるNaCl添加の作用2024
- 著者名/発表者名
  岩澤侑司，大沢遼輝，Le Duc Huy，相川慎也
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜の低キャリア濃度化とMOSFET製作2023
- 著者名/発表者名
  田口義士，山寺真理，山本拓実，林佑哉，村山衛，小川広太郎，本田徹，尾沼猛儀，金子健太郎，相川慎也，藤田静雄，山口智広
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 低濃度水素雰囲気中スパッタとアニールを用いたSnO2ターゲットからのSnO製作2023
- 著者名/発表者名
  小林翔，木菱完太，川口拓真，相川慎也
- 学会等名
  電気学会　電子材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] EB照射および熱処理によるC60ナノワイヤの電気・構造的変化2023
- 著者名/発表者名
  村野海渡，相川慎也，塚越一仁
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 熱処理不要なIn2O3系TFT実現に向けたBドーピング2023
- 著者名/発表者名
  山寺真理，木菱完太，野寺歩夢，熊本勇紀，森俊，相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Ar/H2雰囲気中でスパッタ成膜したSnO2薄膜の特性評価2023
- 著者名/発表者名
  小林翔，渡辺幸太郎，川口拓真，石田哲也，相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Toward CO2 sensors based on In2O3 thin-film transistors2023
- 著者名/発表者名
  A. Nodera, S. Aikawa
- 学会等名
  International Symposium of the Vacuum Society of the Philippines (ISVSP)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 溶液プロセスで作製したLaドープIn2O3薄膜トランジスタのCO2センシング特性2023
- 著者名/発表者名
  小林亮太，野寺歩夢，永井裕己，相川慎也
- 学会等名
  電気学会　電子材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Sn-doped α-Ga2O3 Films Grown Using Sn Source Solutions with Different Aging Times and Their Electrical Properties2023
- 著者名/発表者名
  Ko. Yamada, T. Yamamoto, R. Yamada, Ka. Yamada, H. Nagai, S. Aikawa, T. Onuma, T. Honda, T. Yamaguchi
- 学会等名
  The 22nd International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] N2およびAr/H2アニールによるSnOx薄膜の還元状態の比較2023
- 著者名/発表者名
  渡辺幸太郎，川口拓真，山口智広，尾沼猛義，本田徹，相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 硫黄蒸気輸送アニールを用いた金属Sn薄膜の硫化とその評価2023
- 著者名/発表者名
  渡邉大輝，守屋賢人，相川慎也
- 学会等名
  電気学会　電子材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] TiOx系ReRAM特性におけるアニール温度の影響2023
- 著者名/発表者名
  池田翔，大沢遼輝，相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Fabrication of Tin Oxide/nitrogen-doped Titanium Dioxide Heterojunction Thin Films2023
- 著者名/発表者名
  M. Martinez, M. Vasquez Jr., T. Yamaguchi, S. Aikawa
- 学会等名
  International Symposium of the Vacuum Society of the Philippines (ISVSP)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 溶液プロセスで作製したLaドープIn2O3薄膜トランジスタのCO2ガス感度ドーパント濃度依存2023
- 著者名/発表者名
  小林亮太，野寺歩夢，相川慎也
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Depth profiling of SnO2:N thin films fabricated by RF magnetron sputtering in N2 atmosphere2023
- 著者名/発表者名
  T. Kawaguchi, T. Kobayashi, S. Aikawa
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] HドープがIn2O3系アモルファス透明導電膜の柔軟性に与える影響2023
- 著者名/発表者名
  木菱完太，山寺真理，小林翔，鷹野一朗，相川慎也
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] InZnO TFT CO2ガスセンサーにおけるZn濃度と膜厚の影響2023
- 著者名/発表者名
  野寺歩夢，小林亮太，小林翔，相川慎也
- 学会等名
  電気学会　電子材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] CO2 gas sensing using thin-film transistors with co-sputtered In2O3/CaO reactive channel2023
- 著者名/発表者名
  A. Nodera, S. Mori, S. Aikawa
- 学会等名
  7th International Conference on Advances in Functional Materials (AFM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Ar/N2混合ガス中スパッタリングで堆積したSnOx薄膜におけるバルク内N2の評価2023
- 著者名/発表者名
  川口拓真，小林翔，相川慎也
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Hole generation mechanism in n-type SnOx after N2 post-deposition annealing2023
- 著者名/発表者名
  K. Watanabe, T. Kawaguchi, A. Nodera, Y. Kumamoto, S. Mori, S. Aikawa
- 学会等名
  7th International Conference on Advances in Functional Materials (AFM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 硫黄蒸気輸送アニールを用いたSnS薄膜の作製と評価2023
- 著者名/発表者名
  渡邉大輝，渡辺幸太郎，川口拓真，相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] LaドープIn2O3薄膜トランジスタ特性の測定環境依存2023
- 著者名/発表者名
  小林亮太，野寺歩夢，相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] La concentration dependence of CO2 sensitivity in solution-processed La-doped In2O3 thin-film transistors2023
- 著者名/発表者名
  R. Kobayashi, A. Nodera, S. Aikawa
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 還元雰囲気中スパッタによるSnO2ターゲットからのSnO製作2023
- 著者名/発表者名
  小林翔，川口拓真，木菱完太，相川慎也
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] PET基板上に室温スパッタ成膜したBドープIn2O3透明導電膜の酸素分圧最適化2023
- 著者名/発表者名
  森峻，木菱完太，山寺真理，野寺歩夢，渡辺幸太郎，鷹野一朗，相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] CO2ガスセンシング特性に及ぼすInZnO TFTのZn濃度の影響2023
- 著者名/発表者名
  野寺歩夢，小林亮太，山寺真理，木菱完太，小林翔，相川慎也
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Correlation between CO2 sensitivity and Zn concentration in InZnO thin-film transistors2023
- 著者名/発表者名
  A. Nodera, R. Kobayashi, T. Kobayashi, S. Aikawa
- 学会等名
  MRM2023/IUMRS-ICA2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] SiOx層挿入によるTiOx系ReRAMの動作安定化2023
- 著者名/発表者名
  大沢遼輝，岩澤侑司，相川慎也
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Co-doping of hydrogen and boron in In2O3 toward highly flexible and transparent conducting oxide film2023
- 著者名/発表者名
  K. Kibishi, S. Yamadera, T. Kobayashi, I. Takano, S. Aikawa
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] B含有In2O3へ水素ドーピングによる機械的柔軟性への効果2023
- 著者名/発表者名
  木菱完太，山寺真理，小林翔，鷹野一朗，相川慎也
- 学会等名
  電気学会　電子材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Fabrication of top-down and bottom-up MOSFET using α-In2O3 films grown by Mist CVD2023
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, A. Taguchi, S. Yamadera, T. Yamamoto, S. Aikawa, T. Onuma, H. Honda, T. Yamaguchi
- 学会等名
  The 22nd International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] N2雰囲気中RFマグネトロンスパッタリングで作製したSnO2:N薄膜の特性評価2023
- 著者名/発表者名
  川口拓真，相川慎也
- 学会等名
  電気学会　電子材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Ar/N2混合ガス中スパッタリングで堆積したSnOx薄膜におけるN2濃度の影響2023
- 著者名/発表者名
  川口拓真，渡辺幸太郎，永井裕己，山口智広，尾沼猛儀，本田徹，相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Improvement of hysteresis on as-deposited B-doped In2O3 TFTs under O2 plasma exposure2023
- 著者名/発表者名
  S. Yamadera, K. Kibishi, S. Aikawa
- 学会等名
  MRM2023/IUMRS-ICA2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] コスパッタ材料としてCaOおよびCaF2を用いたCa添加In2O3 TFTの作製と評価2023
- 著者名/発表者名
  野寺歩夢，森峻, 相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Fabrication of SnO Thin Film by Sputtering in Low-Concentration Reducing H2 Atmosphere2023
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, T. Kawaguchi, K. Kibishi, S. Aikawa
- 学会等名
  MRM2023/IUMRS-ICA2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Electrical property improvement of Pt-free TiOx-based ReRAM devices using ultrathin SiOx interlayers2023
- 著者名/発表者名
  H. Osawa, Y. Iwasawa, S. Aikawa
- 学会等名
  MRM2023/IUMRS-ICA2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Reduction of remaining hysteresis in unannealed B-doped In2O3 TFTs by O2 plasma2023
- 著者名/発表者名
  S. Yamadera, K. Kibishi, A. Nodera, S. Aikawa
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 室温製作されたB-doped In2O3 TFTへのO2 plasma処理2023
- 著者名/発表者名
  山寺真理，木菱完太，野寺歩夢，相川慎也
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Effect of In2O3 Channel Thickness in TFT Gas Sensor for CO2 Sensing Characteristics2023
- 著者名/発表者名
  A. Nodera, R. Kobayashi, S. Yamadera, K. Kibishi, T. Kobayashi, S. Aikawa
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] N2 concentration dependence of electrical conduction in partially nitrided SnOx thin-films deposited by reactive RF magnetron sputtering2023
- 著者名/発表者名
  T. Kawaguchi, K. Watanabe, S. Aikawa
- 学会等名
  7th International Conference on Advances in Functional Materials (AFM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Investigation of Sulfurization Temperature of Metal Sn Thin-Film for High-Quality SnS Synthesis2023
- 著者名/発表者名
  D. Watanabe, K. Moriya, S. Aikawa
- 学会等名
  MRM2023/IUMRS-ICA2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Improvement of mechanical flexibility using completely amorphous B-doped In2O3 transparent conductive thin films2023
- 著者名/発表者名
  S. Mori, K. Watanabe, K. Murano, S. Aikawa
- 学会等名
  7th International Conference on Advances in Functional Materials (AFM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] BドープIn2O3透明導電膜への水素ドーピングによる電気特性向上2023
- 著者名/発表者名
  木菱完太，山寺真理，森峻，相川慎也
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] CO2 Gas Sensing by In2O3-Based Thin-Film Transistors2022
- 著者名/発表者名
  A. Nodera, S. Mori, S. Aikawa
- 学会等名
  The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Optimization of N2 concentration in Ar/N2 sputtering deposition for p-type N-doped SnOx thin-film2022
- 著者名/発表者名
  T. Kawaguchi, K. Watanabe, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda, S. Aikawa
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Comparative study of room-temperature deposited ITO and B-doped In2O3 on PET for flexible transparent electrode application2022
- 著者名/発表者名
  S. Mori, K. Kibishi, S. Yamadera, A. Nodera, K. Watanabe, I. Takano, S. Aikawa
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Room-temperature deposited flexible B-doped In2O3 transparent conductive film2022
- 著者名/発表者名
  S. Mori, K. Kibishi, S. Yamadera, A. Nodera, K. Watanabe, I. Takano, S. Aikawa
- 学会等名
  The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Deposition of nitrogen-doped titanium dioxide thin films via rf magnetron sputtering2022
- 著者名/発表者名
  M. Martinez, T. Onuma, H. Nagai, T. Honda, S. Aikawa, T. Yamaguchi, M. Vasquez Jr.
- 学会等名
  The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Indium oxide-based thin film transistor with high CO2 sensitive (400) plane2022
- 著者名/発表者名
  A. Nodera, S. Mori, S. Aikawa
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Room-temperature processable highly amorphous transparent B-doped In2O3 for use as a flexible conductive film2022
- 著者名/発表者名
  S. Mori, A. Nodera, K. Watanabe, K. Murano, S. Aikawa
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 窒素アニール還元反応によるSnOx薄膜の局所結合状態2022
- 著者名/発表者名
  渡辺幸太郎，川口拓真，山口智広，尾沼猛義，本田徹，相川慎也
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] In2O3結晶相転移によるTFT型CO2ガスセンサーの特性向上2022
- 著者名/発表者名
  野寺歩夢，森峻，永井裕己，相川慎也
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Ar/N2混合雰囲気でスパッタ成膜した部分窒化SnOxの特性評価2022
- 著者名/発表者名
  川口拓真，渡辺幸太郎，山口智広，尾沼猛儀，本田徹，相川慎也
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Experimental investigation of the local bonding states of nitrogen-doped SnOx thin-film2022
- 著者名/発表者名
  K. Watanabe, T. Kawaguchi, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda, S. Aikawa
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] XPS analysis of the binding states in nitrogen-doped SnOx thin-films deposited by RF magnetron sputtering in N2 atmosphere2022
- 著者名/発表者名
  T. Kawaguchi, K. Watanabe, S. Aikawa
- 学会等名
  The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Nitrogen incorporation in SnO2 matrix for passivation of oxygen vacancy and hole generation2022
- 著者名/発表者名
  K. Watanabe, T. Kawaguchi, S. Aikawa
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] PET基板上に成膜したITOおよびBドープIn2O3のフレキシブル透明導電膜としての特性比較2022
- 著者名/発表者名
  森峻，木菱完太, 山寺真理, 野寺歩夢, 渡辺幸太郎，鷹野一朗, 相川慎也
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Partial reduction of weakly-bonded oxygen in SnOx thin films by dissociated nitrogen atoms2022
- 著者名/発表者名
  K. Watanabe, T. Kawaguchi, S. Aikawa
- 学会等名
  The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] Crystal-plane dependence of CO2 sensitivity on In2O3-based thin-film transistors2022
- 著者名/発表者名
  A. Nodera, S. Mori, S. Aikawa
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04932
[学会発表] 二層InSiO薄膜トランジスタの水素還元とオゾン酸化効果2016
- 著者名/発表者名
  木津たきお，相川慎也，生田目俊秀，塚越一仁
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学，東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[学会発表] Low-temperature Processable Amorphous In-W-O Thin-film Transistors2015
- 著者名/発表者名
  T. Kizu, S. Aikawa, N. Mitoma, M. Shimizu, X. Gao, M-F. Lin, T. Nabatame, K. Tsukagoshi
- 学会等名
  The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics and The 9th Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics
- 発表場所
  Ibaraki, Japan
- 年月日
  2015-10-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[学会発表] 二層InSiO構造を用いた薄膜トランジスタ2015
- 著者名/発表者名
  木津たきお，相川慎也，生田目俊秀，塚越一仁
- 学会等名
  2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場，愛知
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[学会発表] 過剰酸素の抑制による真空環境で安定なIn-Si-O TFT2015
- 著者名/発表者名
  相川慎也，三苫伸彦，木津たきお，生田目俊秀，塚越一仁
- 学会等名
  2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場，愛知
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[学会発表] アモルファス酸化インジウム薄膜トランジスタにおける電荷密度および移動度の添加元素依存性2015
- 著者名/発表者名
  三苫伸彦，相川慎也，欧陽威，高旭，木津たきお，林孟芳，藤原明比古，生田目俊秀，塚越一仁
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学，神奈川
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[学会発表] PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性の変化2014
- 著者名/発表者名
  栗島一徳，生田目俊秀，清水麻希，相川慎也，塚越一仁，大井暁彦，知京豊裕，小椋厚志
- 学会等名
  第19回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原（静岡）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] 低温プロセスで高移動度かつ高安定なa-InWO TFT2014
- 著者名/発表者名
  木津たきお，相川慎也，三苫伸彦，清水麻希，高旭，林孟芳，生田目俊秀，塚越一仁
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学，北海道
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[学会発表] PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性の変化2014
- 著者名/発表者名
  栗島一徳,生田目俊秀,清水麻希,相川慎也,塚越一仁,大井暁彦,知京豊裕,小椋厚志
- 学会等名
  第19回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原,静岡
- 年月日
  2014-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性2014
- 著者名/発表者名
  栗島一徳，生田目俊秀，清水麻希，相川慎也，塚越一仁，大井暁彦，知京豊裕，小椋厚志
- 学会等名
  2014年春季応用物理学会
- 発表場所
  青山学院大学（神奈川）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性2014
- 著者名/発表者名
  栗島一徳,生田目俊秀,清水麻希,相川慎也,塚越一仁,大井暁彦,知京豊裕,小椋厚志
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学,神奈川
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Influence of Al2O3 Gate Dielectric on Transistor Properties for IGZO Thin Film Transistor2014
- 著者名/発表者名
  K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyow, A. Ogura
- 学会等名
  225th ECS Meeting
- 発表場所
  Orlando, Florida, USA
- 年月日
  2014-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[学会発表] Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method2014
- 著者名/発表者名
  K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyo, A. Ogura
- 学会等名
  14th International Conference on Atomic Layer Deposition 2014
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2014-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[学会発表] Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method2014
- 著者名/発表者名
  K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyo, A. Ogura
- 学会等名
  14th International Conference on Atomic Layer Deposition 2014
- 発表場所
  Hotel Granvia Kyoto (Kyoto, Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Influence of Al2O3 Gate Dielectric on Transistor Properties for Igzo Thin Film Transistor2014
- 著者名/発表者名
  K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyow, A. Ogura
- 学会等名
  225th ECS Meeting
- 発表場所
  Hilton Bonnet Creek (Orlando, Florida, USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ2014
- 著者名/発表者名
  三苫伸彦，相川慎也，高旭，木津たきお，清水麻希，林孟芳，生田目俊秀，塚越一仁
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学，北海道
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790051
[学会発表] Transport characteristics for nitrogen-doped horizontally aligned single-walled carbon nanotubes2013
- 著者名/発表者名
  S.J. Kim, T. Thurakitseree, S. Aikawa, T. Inoue, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  4th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Electronics
- 発表場所
  Daemyung Resort (Jeju Island, Korea)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Highly Stable n-Doped Graphene Field-Effect Transistors via Polyvinyl Alcohol Films2013
- 著者名/発表者名
  S.J. Kim, T. Thurakitseree, S. Aikawa, T. Inoue, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  5th International Conferences on Recent Progress in Graphene Research
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2013-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Highly Stable n-Doped Graphene Field-Effect Transistors via Polyvinyl Alcohol Films2013
- 著者名/発表者名
  S.J. Kim, P. Zhao, S. Aikawa, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  5th International Conferences on Recent Progress in Graphene Research
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology (Tokyo, Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Transport characteristics for nitrogen-doped horizontally aligned single-walled carbon nanotubes2013
- 著者名/発表者名
  S.J. Kim, T. Thurakitseree, S. Aikawa, T. Inoue, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  4th A3 Symposium on Emerging Materials : Nanomaterials for Energy and Electronics
- 発表場所
  Jeju Island, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Fabrication of Flexible Graphene Field-Effect Transistors with Single-Walled Carbon Nanotube Electrodes2012
- 著者名/発表者名
  S.J. Kim, S. Aikawa, P. Zhao, B. Hou, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  2012 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, USA
- 年月日
  2012-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] 水中アーク放電を用いた金属内包カーボンナノチューブ合成における陰極金属の沸点の影響2012
- 著者名/発表者名
  竹腰健太郎,木津たきお,相川慎也,西川英一
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学,愛媛
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Influence of Polymer Coating on Device Properties of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors2012
- 著者名/発表者名
  S. Aikawa, T. Inoue, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto International Conference Center (Kyoto, Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Single-walled Carbon Nanotube/Silicon Heterojunction Photovoltaic Cell2012
- 著者名/発表者名
  K. Cui, S. Omiya, P. Zhao, T. Thurakitseree, S. Aikawa, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  2012 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, USA
- 年月日
  2012-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] 水中アーク放電を用いた金属内包カーボンナノチューブ合成における陰極金属の沸点の影響2012
- 著者名/発表者名
  竹腰健太郎，木津たきお，相川慎也，西川英一
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学（愛媛）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Single-walled Carbon Nanotube/Silicon Heterojunction Photovoltaic Cell2012
- 著者名/発表者名
  K. Cui, S. Omiya, P. Zhao, T. Thurakitseree, S. Aikawa, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  2012 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center (Boston, Massachusetts, USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Influence of Polymer Coating on Device Properties of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors2012
- 著者名/発表者名
  S. Aikawa, T. Inoue, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018
[学会発表] Fabrication of Flexible Graphene Field-Effect Transistors with Single-Walled Carbon Nanotube Electrodes2012
- 著者名/発表者名
  S.J. Kim, S. Aikawa, P. Zhao, B. Hou, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
- 学会等名
  2012 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center (Boston, Massachusetts, USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24860018

1. 土方泰斗

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

相川 慎也 AIKAWA SHINYA

研究課題

研究成果

共同研究者

極性表面により室温動作を可能にする酸化膜トランジスタ型温室効果ガスセンサーの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高い屈曲耐性を有する構造無秩序な低抵抗水素化酸化インジウム系透明導電薄膜の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シンプルな元素構成の新酸化膜半導体材料を用いた薄膜トランジスタの特性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極めて柔軟で透明な高性能カーボンナノチューブデバイスの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] O Plus E2013

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] 超フレキシブルで透明なカーボンナノチューブトランジスタO plus E (vol.35)2013

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] In2O3-based thin-film transistors with a (400) polar surface for CO2 gas detection at 150?°C2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] The Influence of Oxygen‐Related Defects on the Formation of In2O3‐Based Low‐Fluorescence Transparent Conducting Film2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] p-type conversion of distorted SnO<sub>x</sub> thin film by mild thermal annealing treatment in pure N<sub>2</sub> environment2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Reduction of the interfacial trap density of indium-oxide thin film transistors by incorporation of hafnium and annealing process2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Dopant selection for control of charge carrier density and mobility in amorphous indium oxide thin-film transistors: Comparison between Si- and W-dopants2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Suppression of excess oxygen for environmentally stable amorphous In-Si-O thin-film transistors2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Stable amorphous In_2O_3-based thin-film transistors by incorporating SiO_2 to suppress oxygen vacancies2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Self-formed copper oxide contact interlayer for high-performance oxide thin film transistors2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

相川慎也 AIKAWA SHINYA