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黒澤 昌志  Kurosawa Masashi

研究者番号 40715439
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0001-9151-0820
所属 (現在) 2025年度: 名古屋大学, 工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2021年度 – 2024年度: 名古屋大学, 工学研究科, 准教授
2016年度 – 2021年度: 名古屋大学, 工学研究科, 講師
2015年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任講師
審査区分/研究分野
研究代表者
学術変革領域研究区分(Ⅱ) / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 理工系 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野 / 薄膜・表面界面物性 / 中区分29:応用物理物性およびその関連分野 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
結晶成長 / 薄膜 / IV族混晶 / ゲルマニウムスズ / 14族半導体 / 14族ナノシート / ナノシート / ゲルマニウム / 熱電変換 / フォノンドラッグ … もっと見る / シリコンスズ / 熱スイッチ / 熱伝導率 / 水素吸着 / 水素脱離 / ゲルマネン / 大気安定 / 絶縁膜上 / 新機能開拓 / デバイス応用 / 物性評価 / 薄膜合成 / 二次元物質 / 熱電応用 / 熱安定性 / 大気安定性 / シリコン / 熱起電力 / ドーピング / フォノンドラッグ熱電能 / バンドエンジニアリング / 半導体 / 散乱機構 / 結晶粒界 / ボンドエンジニアリング / 薄膜成長 / その場観察 / 偏析溶融成長 / MOSFET / n型ドーピング … もっと見る
研究代表者以外
ゲルマニウム / シリコン / IV族半導体 / 結晶成長 / 電子状態 / 二次元結晶 / 熱電材料 / 分子線エピタキシー / フォノン / ナノ構造 / Ⅳ族半導体 / 集積回路 / エネルギーバンド / ゲルマニウム錫 / 表面・界面物性 / 結晶工学 / 半導体物性 / ゲルマネン / ゲルマネニウム / 電子物性 / ポストグラフェン / 表面偏析 / シリセン 隠す
  • 研究課題

    (14件)
  • 研究成果

    (284件)
  • 共同研究者

    (19人)
  •  14族ナノシート科学の創成領域代表者

    • 領域代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      学術変革領域研究(B)
  •  14族ナノシートに関する総括的研究研究代表者

    • 研究代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      学術変革領域研究(B)
    • 審査区分
      学術変革領域研究区分(Ⅱ)
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  14族ナノシートの合成研究代表者

    • 研究代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      学術変革領域研究(B)
    • 審査区分
      学術変革領域研究区分(Ⅱ)
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング研究代表者

    • 研究代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2028
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  水素吸脱着によるゲルマネンの物性変化を活用した熱スイッチ材料の創製研究代表者

    • 研究代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2024
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  大気・熱安定性に優れる14族2.5次元物質の創製と熱電応用への展開研究代表者

    • 研究代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2023
    • 研究種目
      学術変革領域研究(A)
    • 審査区分
      学術変革領域研究区分(Ⅱ)
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  IV族混晶バンドエンジニアリングを基軸とした巨大熱電能の制御とデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  IV族混晶結晶粒界で生じる特異なキャリア・フォノン散乱の機構解明と制御研究代表者

    • 研究代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2021
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  直接遷移型シリコンスズ創出に向けたボンドエンジニアリング構築への挑戦研究代表者

    • 研究代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2020
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  フォノン・電子輸送制御したDirac電子超格子の創製とSi系熱電デバイス開発

    • 研究代表者
      中村 芳明
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
    • 研究機関
      大阪大学
  •  ゲルマニウム系二次元ハニカム結晶の自己組織化形成と結晶構造・電子状態制御

    • 研究代表者
      大田 晃生
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2019
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分29:応用物理物性およびその関連分野
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  超高速・省エネ動作を目指したゲルマニウムスズ・ナノワイヤMOSFETの創製研究代表者

    • 研究代表者
      黒澤 昌志
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  シリコン系二次元ハニカム結晶の創製と電子物性の解明

    • 研究代表者
      大田 晃生
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系Ⅳ族半導体の工学基盤構築

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] 「共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシート形成技術」、 ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線 -二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術-2020

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 大田晃生
    • 総ページ数
      10
    • 出版者
      (株)エヌ・ティー・エス
    • ISBN
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [雑誌論文] Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films2024

    • 著者名/発表者名
      Maeda Tatsuro、Ishii Hiroyuki、Chang Wen Hsin、Zhang Shiyu、Shibayama Shigehisa、Kurosawa Masashi、Nakatsuka Osamu
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 176 ページ: 108304-108304

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2024.108304

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [雑誌論文] Planar-type SiGe thermoelectric generator with double cavity structure2024

    • 著者名/発表者名
      Koike S.、Yanagisawa R.、Jalabert L.、Anufriev R.、Kurosawa M.、Mori T.、Nomura M.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 124 号: 12 ページ: 1-6

    • DOI

      10.1063/5.0191450

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22KJ0939, KAKENHI-PROJECT-21H04635, KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [雑誌論文] Tensile-strained Ge1-xSnx layers on Si(001) substrate by solid-phase epitaxy featuring seed layer introduction2024

    • 著者名/発表者名
      Hiraide Tatsuma、Shibayama Shigehisa、Kurosawa Masashi、Sakashita Mitsuo、Nakatsuka Osamu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 63 号: 4 ページ: 045505-045505

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ad358f

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456, KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [雑誌論文] Superior power generation capacity of GeSn over Si demonstrated in cavity-free thermoelectric device architecture2023

    • 著者名/発表者名
      Mahfuz Md Mehdee Hasan、Katayama Kazuaki、Ito Yoshitsune、Fujimoto Kazuaki、Tomita Motohiro、Kurosawa Masashi、Matsuki Takeo、Watanabe Takanobu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: SC ページ: SC1058-SC1058

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acaed1

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366, KAKENHI-PROJECT-23K22800
  • [雑誌論文] Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers2023

    • 著者名/発表者名
      Shibata Keisuke、Kato Shinya、Kurosawa Masashi、Gotoh Kazuhiro、Miyamoto Satoru、Usami Noritaka、Kurokawa Yasuyoshi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: SC ページ: SC1074-SC1074

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acb779

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05075, KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [雑誌論文] Heteroepitaxial growth of CaGe2 films on high-resistivity Si(111) substrates and its application for germanane synthesizing2023

    • 著者名/発表者名
      Okada Kazuya、Shibayama Shigehisa、Sakashita Mitsuo、Nakatsuka Osamu、Kurosawa Masashi
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 161 ページ: 107462-107462

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2023.107462

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [雑誌論文] Lattice-matched growth of high-Sn-content (x~0.1) Si1-xSnx layers on S1-yGey buffers using molecular beam epitaxy2023

    • 著者名/発表者名
      Fujimoto Kazuaki、Kurosawa Masashi、Shibayama Shigehisa、Sakashita Mitsuo、Nakatsuka Osamu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 16 号: 4 ページ: 045501-045501

    • DOI

      10.35848/1882-0786/acc3da

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366, KAKENHI-PROJECT-21H01809
  • [雑誌論文] Solid-phase crystallization of ultra-thin amorphous Ge layers on insulators2022

    • 著者名/発表者名
      Oishi Ryo、Asaka Koji、Bolotov Leonid、Uchida Noriyuki、Kurosawa Masashi、Nakatsuka Osamu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SC ページ: SC1086-SC1086

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac4686

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [雑誌論文] Sn-incorporation effect on thermoelectric properties of Sb-doped Ge-rich Ge1-x-ySixSny epitaxial layers grown on GaAs(001)2022

    • 著者名/発表者名
      Kurosawa Masashi、Nakata Masaya、Zhan Tianzhuo、Tomita Motohiro、Watanabe Takanobu、Nakatsuka Osamu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: 8 ページ: 085502-085502

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac7bc7

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366, KAKENHI-PROJECT-23K22800
  • [雑誌論文] Constructed Ge Quantum Dots and Sn Precipitate SiGeSn Hybrid Film with High Thermoelectric Performance at Low Temperature Region2022

    • 著者名/発表者名
      Ying Peng, Lei Miao,* Chengyan Liu, Haili Song, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Song Yi Back, Jong Soo Rhyee, Masayuki Murata, Sakae Tanemura, Takahiro Baba, Tetsuya Baba, Takahiro Ishizaki, and Takao Mori
    • 雑誌名

      Adv. Energy Mater.

      巻: 12 号: 2 ページ: 2103191-2103191

    • DOI

      10.1002/aenm.202103191

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K22486, KAKENHI-PUBLICLY-20H05188, KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [雑誌論文] Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-xSnx2022

    • 著者名/発表者名
      Sahara Keita、Yokogawa Ryo、Shibayama Yuki、Hibino Yusuke、Kurosawa Masashi、Ogura Atsushi
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 109 号: 4 ページ: 359-366

    • DOI

      10.1149/10904.0359ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [雑誌論文] Reinforcement of power factor in N-type multiphase thin film of Si1-x-yGexSny by mitigating the opposing behavior of Seebeck coefficient and electrical conductivity2021

    • 著者名/発表者名
      Lai Huajun、Peng Ying、Gao Jie、Song Haili、Kurosawa Masashi、Nakatsuka Osamu、Takeuchi Tsunehiro、Miao Lei
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 119 号: 11 ページ: 113903-113903

    • DOI

      10.1063/5.0062339

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188, KAKENHI-PROJECT-21H01366, KAKENHI-PROJECT-21H01628
  • [雑誌論文] (Invited) Thermoelectric Properties of Tin-Incorporated Group-IV Thin Films2021

    • 著者名/発表者名
      Kurosawa Masashi、Nakatsuka Osamu
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 104 号: 4 ページ: 183-189

    • DOI

      10.1149/10404.0183ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188, KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [雑誌論文] 分子線エピタキシー法による Si1-xSnx 薄膜の形成2020

    • 著者名/発表者名
      丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理
    • 雑誌名

      電子デバイス界面テクノロジー研究会(第25回)

      巻: - ページ: 125-128

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21971
  • [雑誌論文] Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface2020

    • 著者名/発表者名
      Kobayashi Masato、Ohta Akio、Kurosawa Masashi、Araidai Masaaki、Taoka Noriyuki、Simizu Tomohiro、Ikeda Mitsuhisa、Makihara Katsunori、Miyazaki Seiichi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SG ページ: SGGK15-SGGK15

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab69de

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020, KAKENHI-PROJECT-19H00762
  • [雑誌論文] Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy2020

    • 著者名/発表者名
      Yokogawa Ryo、Kurosawa Masashi、Ogura Atsushi
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 98 号: 5 ページ: 291-300

    • DOI

      10.1149/09805.0291ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21971
  • [雑誌論文] Synthesis of heavily Ga-doped Si1-xSnx/Si heterostructures and their valence-band-offset determination2019

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Inaishi, R. Tange, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 58 号: SA ページ: SAAD02-SAAD02

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaeb36

    • NAID

      210000135207

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge1-xSnx on SiO2 fabricated by a low thermal budget process2019

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 12 号: 5 ページ: 051016-051016

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab1969

    • NAID

      210000155747

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-16J10846, KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [雑誌論文] ゲルマニウムスズⅣ族混晶薄膜の結晶成長と電子物性2019

    • 著者名/発表者名
      中塚 理、黒澤 昌志
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 88 号: 9 ページ: 597-603

    • DOI

      10.11470/oubutsu.88.9_597

    • NAID

      130007709590

    • ISSN
      0369-8009, 2188-2290
    • 年月日
      2019-09-10
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21971, KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [雑誌論文] Ultra-thin germanium-tin on insulator structure through direct bonding technique2018

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka and N. Uchida
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology

      巻: 33 号: 12 ページ: 124002-124002

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aae620

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [雑誌論文] A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials2018

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Trans. 2018

      巻: 86 号: 7 ページ: 321-328

    • DOI

      10.1149/08607.0321ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [雑誌論文] エネルギーハーベスティング応用に向けたIV族混晶(Ge1-xSnx)薄膜の結晶成長2018

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志
    • 雑誌名

      日本熱電学会学会誌

      巻: 15 ページ: 26-31

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [雑誌論文] High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge1-xSnx layers on SiO2 using pulsed laser annealing in flowing water2018

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 112 号: 6 ページ: 062104-062104

    • DOI

      10.1063/1.4997369

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-17H04919, KAKENHI-PROJECT-16J10846
  • [雑誌論文] Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge1-xSnx layers prepared with pulsed laser annealing in water2018

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57 号: 4S ページ: 04FJ02-04FJ02

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fj02

    • NAID

      210000148950

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-17H04919, KAKENHI-PROJECT-16J10846
  • [雑誌論文] Optoelectronic properties of high-Si-content-Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructure2018

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Tech.

      巻: 33 号: 12 ページ: 124018-124018

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aaebb5

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers2017

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 70 ページ: 156-161

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.10.024

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Self-organized lattice-matched epitaxy of Si1-xSnx alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 111 号: 19 ページ: 192106-192106

    • DOI

      10.1063/1.4995812

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Control of Ge1-x-ySixSny layer lattice constant for energy band alignment in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructures2017

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Tech.

      巻: 32 号: 10 ページ: 104008-104008

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aa80ce

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate2017

    • 著者名/発表者名
      I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 70 ページ: 151-155

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.12.038

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Trans. 2017

      巻: 80 号: 4 ページ: 253-258

    • DOI

      10.1149/08004.0253ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] 金属誘起層交換法によるAg上Si,Ge極薄膜の形成2016

    • 著者名/発表者名
      黒澤 昌志、大田 晃生、洗平 昌晃、財満 鎭明
    • 雑誌名

      表面科学

      巻: 37 号: 8 ページ: 374-379

    • DOI

      10.1380/jsssj.37.374

    • NAID

      130005405053

    • ISSN
      0388-5321, 1881-4743
    • 言語
      日本語
    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [雑誌論文] Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process2016

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 8S1 ページ: 08NB07-08NB07

    • DOI

      10.7567/jjap.55.08nb07

    • NAID

      210000146974

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [雑誌論文] Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer2016

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 4S ページ: 04EB13-04EB13

    • DOI

      10.7567/jjap.55.04eb13

    • NAID

      120005898483

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-15H03565, KAKENHI-PROJECT-14J10698
  • [雑誌論文] Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 8S2 ページ: 08PE04-08PE04

    • DOI

      10.7567/jjap.55.08pe04

    • NAID

      120005898481

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 108 号: 5 ページ: 052104-052104

    • DOI

      10.1063/1.4941236

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価2016

    • 著者名/発表者名
      志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      信学技報 IEICE Technical Report

      巻: 116 ページ: 447-459

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析2016

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
    • 雑誌名

      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)

      巻: 21 ページ: 17-20

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] 界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長2016

    • 著者名/発表者名
      吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)

      巻: 21 ページ: 21-24

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 56 号: 4S ページ: 04CR10-04CR10

    • DOI

      10.7567/jjap.56.04cr10

    • NAID

      210000147682

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-xSnx layer and its effects on crystalline quality and photoluminescence property2016

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 56 号: 1S ページ: 01AB05-01AB05

    • DOI

      10.7567/jjap.56.01ab05

    • NAID

      210000147365

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers on Si(110) substrates2016

    • 著者名/発表者名
      S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 598 ページ: 72-81

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2015.11.048

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-14J10698
  • [雑誌論文] Thermoelectric Properties of Ge-Rich GeSn Films Grown on Insulators2016

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawa, I. Tsunoda, and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: 75 号: 8 ページ: 481-487

    • DOI

      10.1149/07508.0481ecst

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials2015

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi and M. Sakashita
    • 雑誌名

      Science and Technology of Advanced Materials

      巻: 16 号: 4 ページ: 043502-043502

    • DOI

      10.1088/1468-6996/16/4/043502

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 106 号: 17 ページ: 171908-171908

    • DOI

      10.1063/1.4919451

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 -直接遷移構造化を目指して-2015

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      信学技報 IEICE Technical Report

      巻: 115 ページ: 35-37

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Mobility Behavior of Polycrystalline Si<sub>1-<i>x</i>-<i>y</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>Sn<sub><i>y</i></sub> Grown on Insulators2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: 40 号: 4 ページ: 351-354

    • DOI

      10.14723/tmrsj.40.351

    • NAID

      130005113361

    • ISSN
      1382-3469, 2188-1650
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-15J11163
  • [雑誌論文] Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny on Ge(001) substrates2015

    • 著者名/発表者名
      T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 110 ページ: 49-53

    • DOI

      10.1016/j.sse.2015.01.006

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits2015

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
    • 雑誌名

      ECS Trans. 2015

      巻: 69 号: 10 ページ: 89-98

    • DOI

      10.1149/06910.0089ecst

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-15J11163, KAKENHI-PROJECT-14J10698, KAKENHI-PROJECT-14J10705
  • [雑誌論文] High hole mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization2015

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 107 号: 2 ページ: 022103-022103

    • DOI

      10.1063/1.4926507

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870261, KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction2015

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 106 号: 18 ページ: 182104-182104

    • DOI

      10.1063/1.4921010

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-14J10705
  • [雑誌論文] Growth of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer on Si(001) substrate and characterization of its crystalline properties2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 号: 8S1 ページ: 08KA11-08KA11

    • DOI

      10.7567/jjap.54.08ka11

    • NAID

      210000145540

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO22015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid State Electronics

      巻: 110 ページ: 54-58

    • DOI

      10.1016/j.sse.2015.01.005

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J04434, KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GaAs基板に形成したSbドープGe1-x-ySixSny薄膜の低温熱電物性2024

    • 著者名/発表者名
      椙村樹, 中田壮哉, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化2024

    • 著者名/発表者名
      松本一歩, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] 高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価2024

    • 著者名/発表者名
      加藤高, 柴山茂久, 坂下満男 , 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K17760
  • [学会発表] 真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化2024

    • 著者名/発表者名
      松本一歩, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K17760
  • [学会発表] 高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価2024

    • 著者名/発表者名
      加藤高, 柴山茂久, 坂下満男 , 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価2024

    • 著者名/発表者名
      加藤高, 柴山茂久, 坂下満男 , 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] 粉末シリカンとゲルマナンの電気的特性評価2023

    • 著者名/発表者名
      大西康介, 上田光秀, 山田繁, 伊藤貴司, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K17760
  • [学会発表] SiGe薄膜におけるナノ構造作製の熱電性能に与える影響2023

    • 著者名/発表者名
      小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, Jha Rajveer, 辻井直人, 森孝雄, 野村政宏
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films2023

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      The Joint ISDTM/ICSI conference 2023
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Potential of Silicon-Germanium-Tin Thin Films for Future Thermoelectric Device Applications2023

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      ISPlasma2023/IC-PLANTS2023
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] PL法及びXPSによる単結晶Si1-xSnxのバンド構造評価2023

    • 著者名/発表者名
      石崎寛規, 横川凌, 伊藤佑太, 大岩樹, 黒澤昌志, 小椋厚志
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Seed-layer driven solid phase epitaxy of amorphous Ge1-xSnx layers on Si(001) substrates toward in-plane strain control2023

    • 著者名/発表者名
      T. Hiraide, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 粉末シリカンとゲルマナンの電気的特性評価2023

    • 著者名/発表者名
      大西康介, 上田光秀, 山田繁, 伊藤貴司, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates2023

    • 著者名/発表者名
      I. Sugimura, M. Nakata, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Determining the Superiority of Cavity-Free Thermoelectric Generators Composed of GeSn and Si Wires2023

    • 著者名/発表者名
      M. M. H. Mahfuz, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
    • 学会等名
      The Joint ISDTM/ICSI conference 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 固相成長法による Si(001)基板上の伸長歪み Ge1-xSnx薄膜の形成2023

    • 著者名/発表者名
      平出達磨, 大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing2023

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K17760
  • [学会発表] Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films2023

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      The Joint ISDTM/ICSI conference 2023
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] 高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜の低温熱電物性評価2023

    • 著者名/発表者名
      大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第7回フォノンエンジニアリング研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Thermoelectric properties of P-doped and B-doped polycrystalline silicon thin films2023

    • 著者名/発表者名
      K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, S. Miyamoto, T. Itoh, N. Usami, and Y. Kurokawa
    • 学会等名
      2023 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 半絶縁性基板上Ge1-xSnx薄膜の低温熱電物性2023

    • 著者名/発表者名
      今井志明, 中田壮哉, 木村公俊, 片瀬貴義, 神谷利夫, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing2023

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Giant thermoelectric power of n-type Si1-xSnx layers grown on FZ-Si(001) substrates2023

    • 著者名/発表者名
      T. Oiwa, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Si1-xSnx薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性2023

    • 著者名/発表者名
      大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] First-principles study on two-dimensional materials of silicon/germanium2023

    • 著者名/発表者名
      M. Araidai, M. Itoh, D. Ishihara, M. Kurosawa, A. Ohta, A. Yamakage, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      2023年日本表面真空学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K17760
  • [学会発表] Epitaxial Growth Technique for Si1-xSnx Binary Alloy Thin Films2023

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      244th ECS Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Investigating the superiority of the cavity-free architectural GeSn and Si wires-based thermoelectric generators2023

    • 著者名/発表者名
      M. M. H. Mahfuz, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
    • 学会等名
      第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] First-principles study on two-dimensional materials of silicon/germanium2023

    • 著者名/発表者名
      M. Araidai, M. Itoh, D. Ishihara, M. Kurosawa, A. Ohta, A. Yamakage, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      2023年日本表面真空学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing2023

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] Low-temperature thermoelectric power-factor enhancement of n-type Ge-rich Ge1-x-ySixSny layers2023

    • 著者名/発表者名
      I. Sugimura, M. Nakata, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜で観測された巨大熱電能2023

    • 著者名/発表者名
      大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成2022

    • 著者名/発表者名
      伊藤善常, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] Si1-xGexバッファ上におけるSi1-xSnx薄膜の結晶成長2022

    • 著者名/発表者名
      藤本一彰, 黒澤昌志, 中塚理
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] シリコン系マイクロ熱電発電デバイスの開発2022

    • 著者名/発表者名
      渡邉孝信, 富田基裕, ハサン マフス, 黒澤昌志, 松木武雄, シルビア チュン, 王 海東
    • 学会等名
      M&M2022 材料力学カンファレンス
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 単結晶歪Si1-xSnxのバンド構造評価2022

    • 著者名/発表者名
      佐原敬太, 横川凌, 柴山裕貴, 日比野祐介, 黒澤昌志, 小椋厚志
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 14 族半導体ナノシートの結晶成長とデバイス応用2022

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志
    • 学会等名
      2022年度 東海NFRW・若手チャプタージョイントワークショップ
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets2022

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Itoh, Y. Ito, K. Okada, A. Ohta, M. Araidai, K. O. Hara, Y. Ando, S. Yamada, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka
    • 学会等名
      33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] 14 族半導体ナノシートの結晶成長とデバイス応用2022

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志
    • 学会等名
      2022年度 東海NFRW・若手チャプタージョイントワークショップ
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] Study on doping by ion implantation to Si1-xSnx epitaxial layers2022

    • 著者名/発表者名
      T. Oiwa, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-xSnx2022

    • 著者名/発表者名
      K. Sahara, R. Yokogawa, Y. Shibayama, Y. Hibino, M. Kurosawa, and A. Ogura
    • 学会等名
      242nd ECS Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Si1-xGexバッファ上におけるSi1-xSnx薄膜の結晶成長2022

    • 著者名/発表者名
      藤本一彰, 黒澤昌志, 中塚理
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Comparative Thermoelectric Performance Demonstration Between Cavity-free GeSn and Si Thermoelectric Generators2022

    • 著者名/発表者名
      M. M. H. Mahfuz, K. Katayama, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] Experimental Demonstration of The Cavity-Free GeSn and Si Wire Thermoelectric Generators2022

    • 著者名/発表者名
      M. M. H. Mahfuz, K. Katayama, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of CaGe2 layers on Si(111) substrate2022

    • 著者名/発表者名
      K. Okada, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-22H05456
  • [学会発表] Comparative Thermoelectric Performance Demonstration Between Cavity-free GeSn and Si Thermoelectric Generators2022

    • 著者名/発表者名
      M. M. H. Mahfuz, K. Katayama, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] 固相エピタキシャル成長法によるPドープSi1-xSnx薄膜の形成2022

    • 著者名/発表者名
      大岩樹, 黒澤昌志, 中塚理
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of Si1-xSnx layers with 10%-Sn content on Si1-yGey buffers2022

    • 著者名/発表者名
      K. Fujimoto, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS Technology2022

    • 著者名/発表者名
      T. Watanabe, M. Tomita, M. M. H. Mahfuz, M. Kurosawa, and T. Matsuki
    • 学会等名
      2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Determination superiority of the cavity-free thermoelectric generators consisting of GeSn and Si wires2022

    • 著者名/発表者名
      M. M. H. Mahfuz, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
    • 学会等名
      Integrated Nanocomposites for Thermal and Kinetic Energy Harvesting (INTAKE) Seminar 2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Thermoelectric properties of tin-incorporated group-IV thin films2021

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      240th ECS Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Group-IV materials grown on insulator for advanced thin-film thermoelectric applications2021

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Thermoelectric properties of tin-incorporated group-IV thin films2021

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      240th ECS Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] Demonstration of Cavity-free GeSn Thermoelectric Generator2021

    • 著者名/発表者名
      K. Katayama, M. M. H. Mahfuz, M. Nakata, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
    • 学会等名
      2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2021 IWDTF)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] GaAs基板上におけるSi1-xSnx薄膜の結晶成長2021

    • 著者名/発表者名
      藤本一彰, 黒澤昌志, 中塚理
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] Demonstration of Cavity-free GeSn Thermoelectric Generator2021

    • 著者名/発表者名
      K. Katayama, M. M. H. Mahfuz, M. Nakata, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
    • 学会等名
      2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2021 IWDTF)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Group-IV materials grown on insulator for advanced thin-film thermoelectric applications2021

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] GaAs基板上におけるSi1-xSnx薄膜の結晶成長2021

    • 著者名/発表者名
      藤本一彰, 黒澤昌志, 中塚理
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01366
  • [学会発表] Solid-phase crystallization of ultra-thin amorphous Ge layers on insulators2021

    • 著者名/発表者名
      R. Oishi, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] UVラマン分光法による単結晶Si1-xSnxの歪換算係数導出2020

    • 著者名/発表者名
      横川凌, 丹下龍志, 黒澤昌志, 小椋厚志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21971
  • [学会発表] 絶縁膜上における極薄Ge薄膜の固相成長2020

    • 著者名/発表者名
      大石遼, 黒澤昌志, 中塚理
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] Ge1-xSnx細線の偏析溶融成長:冷却速度の影響2020

    • 著者名/発表者名
      中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] GaAs(001)基板上におけるGe1-x-ySixSny薄膜のエピタキシャル成長2020

    • 著者名/発表者名
      中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] Si(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜のエピタキシャル成長2020

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 丹下龍志, 中塚理
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21971
  • [学会発表] Ge1-xSnx溶融成長時に生じる偏析現象の理解2020

    • 著者名/発表者名
      中尾天哉, 西島泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-20H05188
  • [学会発表] 分子線エピタキシー法による Si1-xSnx 薄膜の形成2020

    • 著者名/発表者名
      丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会(第25回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21971
  • [学会発表] GaドープSi1-xSnx薄膜で観測した巨大ゼーベック熱電能の理解2020

    • 著者名/発表者名
      佐藤啓, 洗平昌晃, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21971
  • [学会発表] 絶縁膜上における極薄Ge1-xSnx薄膜の固相成長2020

    • 著者名/発表者名
      大石遼, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成2019

    • 著者名/発表者名
      小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
    • 学会等名
      電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] 高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価2019

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第24回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] First-Principles Study on Formation of Freestanding Silicene and Germanene2019

    • 著者名/発表者名
      M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      2019 International Conference of Solid State of Device and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析2019

    • 著者名/発表者名
      小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
    • 学会等名
      2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] Preparation of Ge1-xSnx-based Uni-leg Thermoelectric Generator2019

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Tomita, and T. Watanabe
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価2019

    • 著者名/発表者名
      丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第24回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Theoretical Investigation of Self-organization Behavior of Si0.5Sn0.5 Nano-particles2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21971
  • [学会発表] Temperature dependence of thermoelectric properties of Ge1-xSnx layers grown by molecular beam epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Nakata, K. Ide, T. Katase, and T. Kamiya
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing2019

    • 著者名/発表者名
      M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
    • 学会等名
      32th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] 偏析溶融成長法により形成した絶縁膜上Ge1-xSnx細線の電気特性評価2019

    • 著者名/発表者名
      中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Influence of Dopant on Thermoelectric Properties of Si-rich Poly-Si1-xSnx Layers Grown on Insulators2019

    • 著者名/発表者名
      K. Sato, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21971
  • [学会発表] Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface2019

    • 著者名/発表者名
      M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
    • 学会等名
      2019 International Conference of Solid State of Device and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] スマートウォッチを支える熱電デバイスについて考える2018

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Heavily p-type Doping to Si1-xSnx Layers Grown on SOI Substrates2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inaishi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials/11th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2018/IC-PLANTS2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 溶融成長法によるGe1-xSnx細線の形成と電気特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 今井祐太, 西嶋泰樹, 清水智, 黒澤昌志, 角田功, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] ドーパント種が水中パルスレーザアニールによるGe1-xSnx薄膜への高濃度ドーピングに及ぼす効果2018

    • 著者名/発表者名
      髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Optoelectronic Characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure with High-Si-Content Ge1-x-ySixSny Layer2018

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      1st Joint Conference ICSI / ISTDM 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] IV族混晶薄膜の結晶成長と熱電デバイスへの応用2018

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志
    • 学会等名
      第68回フロンティア材料研究所学術講演会「革新的エナジーハーベスティングに向けた創エネルギー材料とデバイスの研究開発」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] SiO2上に形成したGe1-xSnx多結晶薄膜の熱電特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      今井志明, 高橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Growth and electronic properties of GeSn-related group-IV alloy semicondcutor thin films2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of laterally graded SixGe1-x stripes for thermoelectric generator2018

    • 著者名/発表者名
      M. Nakata, K. Takahashi, T. Nishijima, S. Shimizu, I. Tsunoda, O. Nakatsuka, S. Zaima, T. Watanabe, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation and Optoelectronic Characterization of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-heterostructure2018

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Low thermal budget fabrication of poly-Ge1-xSnx thin film thermoelectric generator2018

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Imai, K. Takahashi, N. Uchida, T. Maeda, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Thin film growth and characterization of group-IV alloy semiconductors for future nanoelectronic applications2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, and S. Zaima
    • 学会等名
      9th International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Engineering electronic properties of GeSn-related group-IV thin films for nanoelectronic applications2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      European Materials Research Society (2018 E-MRS Spring Meeting)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn-based thin film thermoelectric generators2018

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Thin Film Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductors for Future Nanoelectronic Applications2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 高Si組成歪緩和Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の形成および光電特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長2018

    • 著者名/発表者名
      小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
    • 学会等名
      2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials2018

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      AiMES 2018 Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Ultra-thin GeSn on Insulator structure through the direct bonding technique2018

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida
    • 学会等名
      1st Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] 多結晶Ge1-xSnx薄膜熱電素子の低温形成2018

    • 著者名/発表者名
      髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge 2D Crystal Growth on Hetero-epitaxial Ag/Ge(111) by N2 Annealing2018

    • 著者名/発表者名
      A. Ohta K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
    • 学会等名
      49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] Why chose a diffusion method towards creation of silicene & germanene2018

    • 著者名/発表者名
      黒澤 昌志
    • 学会等名
      第2回「ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] Low thermal budget fabrication of poly-Ge1-xSnx thin film thermoelectric generator2018

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      The 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 熱電特性評価に向けた組成傾斜SixGe1-x細線の形成2018

    • 著者名/発表者名
      中田壮哉, 高橋恒太, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 財満鎭明, 渡邉孝信, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Engineering optoelectronic properties of high-Sn-content GeSn, GeSiSn, and SiSn thin films2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Fukuda, M. Sakashita, W. Takeuchi, and S. Zaima
    • 学会等名
      IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出2018

    • 著者名/発表者名
      小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2018
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] First-Principles Study on Hydrogen Adsorption and Desorption of Silicene and Germanene2018

    • 著者名/発表者名
      M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K19020
  • [学会発表] GaSb基板上におけるSi1-xSnx薄膜の結晶成長2018

    • 著者名/発表者名
      丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 革新的多機能センサモジュール実現に向けた新しいIV族混晶熱電物質の創製 ~ド素人が熱電の分野に飛び込んで~2018

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志
    • 学会等名
      日本熱電学会 第23回研究会 「注目の熱電プロジェクト」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials2018

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      AiMES 2018 Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 単結晶p型Ge0.95Sn0.05薄膜の熱電特性におけるドメインサイズの効果2018

    • 著者名/発表者名
      今井志明, 高橋恒太, 内田紀行, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Thermoelectric Performance of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Ternary Alloy Layer Prepared with Ion Implantation2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Peng, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, L. Miao, J. Gao, and S. Zaima
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn-based thin film thermoelectric generators2018

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn-related group-IV semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic applications2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 単結晶p型Ge0.95Sn0.05薄膜の熱電特性におけるドメインサイズの効果2018

    • 著者名/発表者名
      今井志明, 髙橋恒太, 内田紀行, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] ドーパント種が水中パルスレーザアニールによるGe1-xSnx薄膜への高濃度ドーピングに及ぼす効果2018

    • 著者名/発表者名
      髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 多結晶Ge1-xSnx薄膜熱電素子の低温形成2018

    • 著者名/発表者名
      髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] 溶融成長法によるGe1-xSnx細線の形成と電気特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      髙橋恒太, 今井祐太, 西嶋泰樹, 清水智, 黒澤昌志, 角田功, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] 次世代半導体デバイスに向けたIV族混晶薄膜の形成と物性制御2018

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第10回半導体材料・デバイスフォーラム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Heterostructure Engineering of GeSn and SiGeSn Group-IV Alloy Semiconductor Layers2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の光電特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, Rainko Denis, 坂下満男, 黒澤昌志, Buca Dan, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Dopants behavior in polycrystallization of heavily doped Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water2017

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of GeSn and related semiconductor thin films for next generation optoelectronic applications2017

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      2017 Global Conference on Polymer and Composite Materials (PCM 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystal growth of GeSn-based materials and its application for thin-film thermoelectric generators2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnxへの高濃度ドーピング2017

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 熱電材料応用を目指した新しい IV 族混晶(Ge1-xSnx, Si1-xSnx)の開発2017

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Numerical calculation of energy band offset of Si1-xSnx by density functional calculation2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術:二次元物質への展開2017

    • 著者名/発表者名
      黒澤 昌志、大田 晃生、洗平 昌晃、財満 鎭明
    • 学会等名
      第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会
    • 発表場所
      科学技術交流財団 研究交流センター, 愛知
    • 年月日
      2017-02-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] 絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算2017

    • 著者名/発表者名
      洗平 昌晃、黒澤 昌志、大田 晃生、白石 賢二
    • 学会等名
      第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会
    • 発表場所
      科学技術交流財団 研究交流センター, 愛知
    • 年月日
      2017-01-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Dopants behavior in polycrystallization of heavily doped Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water2017

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111)2017

    • 著者名/発表者名
      K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
    • 学会等名
      8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
    • 発表場所
      Chubu University, Aichi
    • 年月日
      2017-03-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Crystal growth of GeSn-based materials and its application for thin-film thermoelectric generators2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 低温MBE法により形成したp型単結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性2017

    • 著者名/発表者名
      今井志明, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Solid phase crystallization of Ge0.98Sn0.02 layers on various insulating substrates2017

    • 著者名/発表者名
      I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2017-02-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water2017

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Sb-doping effect on thermal and electrical properties of Ge-rich Ge1-xSnx layers2017

    • 著者名/発表者名
      T. Iwahashi, M. Kurosawa, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water2017

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      232nd Electrochemical Society Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] 新しいIV族混晶熱電材料:Ge1-xSnx2017

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 今井志明, 岩橋泰正, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第14回日本熱電学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] 水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性2017

    • 著者名/発表者名
      髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Characterization of Crystallinity and Energy Band Alignment of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Heterostructure2017

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 歪SOI基板上に形成したSi1-xSnx薄膜への高濃度p型ドーピング2017

    • 著者名/発表者名
      稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化2017

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2017-01-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用2017

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      2017年真空・表面科学合同講演会(公益社団法人 日本表面科学会 第37回表面科学学術講演会ならびに一般社団法人 日本真空学会 第58回真空に関する連合講演会)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of heavily Sb and Ga doped poly-Ge1-xSnx layers on insulator using pulsed laser annealing in water2017

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
    • 学会等名
      2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] 混晶組成および歪制御によるGe1-xSnx/Ge1-x-ySixSnyヘテロ構造のエネルギーバンド構造制御2017

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用2017

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      2017年真空・表面科学合同講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [学会発表] Control of lattice constant of Ge1-x-ySixSny layer for energy band engineering in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructure2017

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Geバッファ層導入によるSi(001)基板上への歪緩和Ge1-x-ySixSny層の形成2017

    • 著者名/発表者名
      渡邉千皓, 福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Characterization of energy band structure of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers prepared with solid-phase crystallization2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yano, O. Nakatsuka, C. Lim, M. Sakashita, M. Kurosawa, and S. Zaima
    • 学会等名
      29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn and related group-IV alloy thin films for future Si nanoelectronics2017

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita and S. Zaima
    • 学会等名
      The Tenth International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-10)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Research and development of GeSn-related thin-film semiconductors for nanoelectronic and optoelectronic applications2017

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      Frontiers in Materials Processing Applications, Research and Technology (FiMPART 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態2017

    • 著者名/発表者名
      洗平 昌晃、黒澤 昌志、大田 晃生、白石 賢二
    • 学会等名
      日本物理学会 第72回年次大会
    • 発表場所
      大阪大学, 大阪
    • 年月日
      2017-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] GaドープSi1-xSnx薄膜の結晶成長と電気特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Solid phase epitaxy of Si1-xSnx layers on various substrates2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface formed on Group-IV Semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
    • 学会等名
      10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Tohoku University, Miyagi
    • 年月日
      2017-02-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] 水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性2017

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of GeSn-Related Group-IV Semiconductor Thin Films for Future Si Nanoelectronic Applications2017

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
    • 学会等名
      the 4th International Symposium on Hybrid Materials and Processing (HyMaP 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of GeSn layer sandwiched with strain-controlled GeSiSn layers2016

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Low Temperature Crystallization of SiSn Binary Alloys2016

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1)
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • 年月日
      2016-10-17
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method2016

    • 著者名/発表者名
      A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, and S. Miyazaki
    • 学会等名
      8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)
    • 発表場所
      Nagoya, Aichi, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] First-Principles Study on Germanene and Stanene on a-Alumina2016

    • 著者名/発表者名
      M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      24rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
    • 発表場所
      Hawaii Convention Center, Hawai
    • 年月日
      2016-12-14
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Electronic States of two-dimensional crystals of group IV element on a-Al2O3(0001) surfaces2016

    • 著者名/発表者名
      M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 発表場所
      Rome, Italy
    • 年月日
      2016-10-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶GeSnへの高濃度n型ドーピング2016

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of GeSn thin film technology for electronic and optoelectronic applications2016

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      2016 Energy Materials Nanotechnology (EMN) Summer Meeting and Photodetectors Meeting
    • 発表場所
      Mexico
    • 年月日
      2016-06-07
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSiSn/GeSn/GeSiSn積層構造の形成および結晶物性の評価2016

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第16回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2016-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析2016

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2016-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] IV 族半導体上に蒸着したAg 薄膜の化学構造評価と反応制御2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
    • 学会等名
      2016 年真空・表面科学合同講演会 (第36 回表面科学学術講演会、第57 回真空に関する連合講演会)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 愛知
    • 年月日
      2016-11-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Growth of Si1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates2016

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Meeting 2016 : Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
    • 発表場所
      Forschungszentrum J&uuml;lich, Germany
    • 年月日
      2016-11-24
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Phosphorus doping into Ge with low electrical damage by liquid immersion laser doping2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn系IV族半導体薄膜におけるSn導入の制御と効果2016

    • 著者名/発表者名
      志村洋介, 池進一, Gencarelli Federica, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, Loo Roger, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重ヘテロ構造の結晶性に対するGeSiSn層の歪の影響2016

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態2016

    • 著者名/発表者名
      洗平 昌晃、黒澤昌志、大田 晃生、白石 賢二
    • 学会等名
      日本物理学会 2016年秋季大会
    • 発表場所
      金沢大学, 石川
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Challenges in Engineering Materials Properties for GeSn Nanoelectronics2016

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
    • 学会等名
      The 2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2016-09-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of heavily Sb doped poly-Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Meeting 2016: Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
    • 発表場所
      Forschungszentrum J&uuml;lich, Germany
    • 年月日
      2016-11-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation and Characterization of GeSiSn/GeSn/GeSiSn Double-Heterostructure with Strain-controlled GeSiSn layer2016

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-06-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長2016

    • 著者名/発表者名
      吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2016-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Interfacial Energy Control for Low-Temperature Crystallization of Ge-rich GeSn Layers on Insulating Substrate2016

    • 著者名/発表者名
      I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-06-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Heavy Sb-doping for poly-GeSn on insulator using pulsed laser annealing in water2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2016-09-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] SiおよびSiGe上に形成したAg表面の化学分析2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2016
    • 発表場所
      名古屋大学, 愛知
    • 年月日
      2016-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Impact of Atomic Hydrogen Irradiation on Epitaxial Growth of Ge1-xSnx and its Crystalline Property2016

    • 著者名/発表者名
      S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, H. Kishida, S. Zaima
    • 学会等名
      ISPlasma 2016 / IC-PLANTS 2016
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystalline and Electrical Properties of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers2016

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重ヘテロ構造形成およびGeSiSn層の歪が結晶性へ与える影響2016

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第4回応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2016-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials2016

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, K. Takahashi, Y. Nagae, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, and M. Sakashita
    • 学会等名
      IEEE 2016 Summer Topicals Meeting Series
    • 発表場所
      California, USA
    • 年月日
      2016-07-11
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Investigation of effects of inner stress with Sn incorporation on energy band of Si1-xSnx using density functional theory and photoelectron spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2016-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価2016

    • 著者名/発表者名
      志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)有機エレクトロニクス研究会(OME)共催
    • 発表場所
      沖縄県立博物館・美術館
    • 年月日
      2016-04-08
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析2016

    • 著者名/発表者名
      洗平 昌晃、黒澤 昌志、大田 晃生、白石 賢二
    • 学会等名
      日本物理学会 第71回年次大会
    • 発表場所
      仙台市, 宮城県
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Si1-xSnx 価電子帯端オフセットの第一原理計算2016

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長2016

    • 著者名/発表者名
      稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      2016年真空・表面科学合同講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2016-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] X-ray Microdiffraction Characterization of Local Strain Distribution in GeSn/Ge Nanostructures2015

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka and S. Zaima
    • 学会等名
      International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of polycrystalline Sn-related group-IV semiconductor thin films - Aiming for 3D-IC2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015)
    • 発表場所
      Jeju island, Korea
    • 年月日
      2015-06-29
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Thermophysical characterizations of Ge1-xSnx epitaxial layers aiming for thermoelectric devices2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Fukuda, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9)
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 密度汎関数法によるSi1-xSnx価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性2015

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2015(JSAP SCTS 2015)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] InP(001)基板上における高Sn組成Si1-xSnx層の固相エピタキシャル成長2015

    • 著者名/発表者名
      加藤元太, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第15回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2015-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si1-x-ySnxCy三元混晶薄膜のエピタキシャル成長および結晶性評価2015

    • 著者名/発表者名
      山羽隆, 矢野翔太, 髙橋恒太, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ag誘起層交換成長法によるSi極薄膜の形成2015

    • 著者名/発表者名
      黒澤 昌志、大田 晃生、洗平 昌晃、財満 鎭明
    • 学会等名
      第35回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      つくば市, 茨城県
    • 年月日
      2015-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] 絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算2015

    • 著者名/発表者名
      洗平 昌晃、黒澤 昌志、大田 晃生、白石 賢二
    • 学会等名
      第35回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台市, 宮城県
    • 年月日
      2015-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Crystal Growth of GeSn-related Group-IV Thin Films for Integrating on Si Nanoelectronics Platform2015

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi and M. Sakashita
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2015-09-27
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Influence of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of n-type Ge1-xSnx Epitaxial Layer2015

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, T. Asano, W. Takeuchi, M. Kurosawa, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Electrical Characteristics of Ge pn-junction Diodes Prepared by Using Liquid Immersion Laser Doping2015

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長に与えるSn組成の効果2015

    • 著者名/発表者名
      加藤元太, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima
    • 学会等名
      2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (2015 IWDTF)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystal growth and energy band engineering of group-IV semiconductor thin films for nanoelectronic applications2015

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN 2015)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystalline and Electrical Properties of Ge1-xSnx Epitaxial Layers with in-situ Sb-Doping2015

    • 著者名/発表者名
      全智禧, 浅野孝典, 志村洋介, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2015(JSAP SCTS 2015)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of Ge pn-junction diode by phosphorus doping with liquid immersion laser irradiation2015

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      15th International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-06-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Solid Phase Epitaxy of High Sn Content Si1-xSnx layer (x>0.2) on Ge Substrates for Optical Communication Applications2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kato, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9)
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn多結晶膜の移動度に与える下地絶縁膜の効果2015

    • 著者名/発表者名
      吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima
    • 学会等名
      23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
    • 発表場所
      Niseko, Hokkaido, Japan
    • 年月日
      2015-12-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits2015

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
    • 学会等名
      The 228th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Phoenix, USA
    • 年月日
      2015-10-11
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Recent Progress of Silicon Tin Alloys for Advanced Semiconductor Devices2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN 2015)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film2015

    • 著者名/発表者名
      M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
    • 発表場所
      Niseko, Hokkaido, Japan
    • 年月日
      2015-12-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13943
  • [学会発表] Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ接合の形成および結晶性評価2015

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~2015

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 有機エレクトロニクス研究会(OME), シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 共催
    • 発表場所
      大濱信泉記念館多目的ホール(沖縄)
    • 年月日
      2015-04-29
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] リン酸溶液中レーザドーピングにより低温形成したGe pnダイオードの電気的特性2014

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2014(JSAP SCTS 2014)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 固相エピタキシャル成長法を用いた高Sn組成SiSn層の形成2014

    • 著者名/発表者名
      加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2014(JSAP SCTS 2014)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽洋, Y. Deng, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2014(JSAP SCTS 2014)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Poly & Epitaxial Crystallization of Silicon-tin Binary Alloys for Future Optoelectronics

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      16th International Conference on Thin Films (ICTF16)
    • 発表場所
      Croatia
    • 年月日
      2014-10-13 – 2014-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Study of Local Strain Distribution in Ge1-xSnx/Ge Fine Structure by using Synchrotron X-ray

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Belgium
    • 年月日
      2014-11-13 – 2014-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 高Sn濃度SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 有機エレクトロニクス研究会(OME), シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 共催
    • 発表場所
      大濱信泉記念館多目的ホール(沖縄)
    • 年月日
      2015-04-29 – 2015-04-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates

    • 著者名/発表者名
      A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session (ADMETA Plus 2014)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2014-10-22 – 2014-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystal growth of Si1-xSnx alloys with high Sn contents

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, Y. Nagae, T. Yamaha, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 熱電素子応用を目指したGeSn単結晶薄膜の熱物性評価

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 福田雅大, 高橋恒太, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Belgium
    • 年月日
      2014-11-13 – 2014-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Epitaxial Growth of GeSn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima
    • 学会等名
      226th ECS Meeting and SMEQ Joint International Meeting
    • 発表場所
      Mexico
    • 年月日
      2014-10-05 – 2014-10-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of strain-free Si1-x-yGexSny layers on Ge surfaces by using solid-liquid coexisting

    • 著者名/発表者名
      M. Kato, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe基板面方位の効果

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽洋, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回記念研究会)
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2015-01-30 – 2015-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn多結晶薄膜の進展 〜3D-ICを目指して〜

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 池上浩, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • 1.  大田 晃生 (10553620)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 29件
  • 2.  洗平 昌晃 (20537427)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 28件
  • 3.  片瀬 貴義 (90648388)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 10件
  • 4.  財満 鎭明 (70158947)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 136件
  • 5.  中塚 理 (20334998)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 135件
  • 6.  中村 芳明 (60345105)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  竹中 充 (20451792)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  齋藤 晃 (50292280)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  森 伸也 (70239614)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  藤田 武志 (90363382)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  澤野 憲太郎 (90409376)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  安藤 裕一郎 (50618361)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  川那子 高暢 (30726633)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  前田 辰郎
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 15.  黒川 康良
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 16.  竹内 和歌奈
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 17.  苗 蕾
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 18.  入沢 寿史
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 19.  加藤 慎也
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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