入沢寿史 Irisawa Toshifumi

研究者番号	40759940
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究チーム長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ付 2017年度 – 2021年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外大区分D / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者以外磁場誘起相転移 / 光誘起相転移 / 多形転移 / 相変化 / 磁場誘起相変化 / 光誘起相変化 / 相変化メモリ / 多形変化 / III-V半導体 / III-V族半導体 … もっと見る / III-V / Ge / 結晶ひずみ / 移動度 / 3次元集積 / III-V族化合物半導体 / ゲルマニウム / MOSFET 隠す

多形メモリテクノロジーの創成
- 研究代表者
  
  須藤祐司
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分D
- 研究機関
  東北大学
layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学

すべて 2022 2021 2020 2019 2018 2017

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Low thermal budget epitaxial lift off (ELO) for Ge (111)-on-insulator structure2022
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, H. -W. Wan, Yi. -T. Cheng, Y. -H. G. Lin, T. Irisawa, H Ishii, J. Kwo, M. Hong, and T. Maeda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: SC ページ: SC1024-SC1024
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac3fca
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Layer Transfer Technology for Stacked Multi-Channel Semiconductor-on-Insulator Platform2021
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T.-Z. Hong, P.-J. Sung, T. Irisawa, H. Ishii1, Y.-J. Lee and T. Maeda
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 102(4) 号: 4 ページ: 17-26
- DOI
  10.1149/10204.0017ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Optical study of electron and acoustic phonon confinement in ultrathin-body germanium-on-insulator nanolayers2021
- 著者名/発表者名
  V. Poborchii, J. Groenen, P. I. Geshev, J. Hattori, W. H. Chang, H. Ishii, T. Irisawa, and T. Maeda
- 雑誌名
  
  Nanoscale
  
  巻: 13 号: 21 ページ: 9686-9697
- DOI
  10.1039/d1nr01355f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Performance and reliability improvement in Ge(100) nMOSFETs through channel flattening process2020
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, W. Mizubayashi, H. Ishii, and T. Maeda
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 169 ページ: 107816-107816
- DOI
  10.1016/j.sse.2020.107816
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15053, KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] (Invited) Epitaxial Growth of Ge/III-V Films and Hetero-Layer Lift-off for Ultra-Thin GeOI Fabrication2020
- 著者名/発表者名
  Maeda Tatsuro、Irisawa Toshifumi、Ishii Hiroyuki、Chang Wen Hsin
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 号: 5 ページ: 157-167
- DOI
  10.1149/09805.0157ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Physical Mechanisms of Mobility Enhancement in Ultrathin Body GeOI pMOSFETs Fabricated by HEtero-Layer-Lift-Off Technology2018
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, N. Uchida and T. Maeda
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 66 号: 3 ページ: 1182-1188
- DOI
  10.1109/ted.2019.2895349
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Ultra-thin germanium-tin on insulator structure through direct bonding technique2018
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka and N. Uchida
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 33 号: 12 ページ: 124002-124002
- DOI
  10.1088/1361-6641/aae620
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-17H04919
[雑誌論文] High performance UTB GeOI n and pMOSFETs featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology2018
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi,　Y. Kurashima, N. Uchida, and T. Maeda
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 86 号: 10 ページ: 25-34
- DOI
  10.1149/08610.0025ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  W.-H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida, and T. Maeda
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 64 号: 11 ページ: 4615-4621
- DOI
  10.1109/ted.2017.2756061
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] エピタキシャルリフトオフ(ELO)法によるGeOI(111)構造の作成2021
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, H. -W. Wan, Yi. -T. Cheng, Y. -H. G. Lin, T. Irisawa, H Ishii, J. Kwo, M. Hong, and T. Maeda
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Layer Transfer Technology for Stacked Multi-Channel Semiconductor-on-Insulator Platform2021
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T.-Z. Hong, P.-J. Sung, T. Irisawa, H. Ishii1, Y.-J. Lee and T. Maeda
- 学会等名
  239th Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] UTB-GeOI の量子化準位の顕微フォトリフレクタンス測定2021
- 著者名/発表者名
  公平拓見、安武裕輔、張文馨、入沢寿史、石井裕之、前田辰郎、深津晋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Low Thermal Budget Epitaxial Lift Off for Ge (111)-on-Insulator Structure2021
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, H. -W. Wan, Yi. -T. Cheng, Y. -H. G. Lin, T. Irisawa, H Ishii, J. Kwo, M. Hong, and T. Maeda
- 学会等名
  53rd International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Advanced Layer Transfer Technology of post-Si Materials for Heterogeneous Integration2020
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, T. Irisawa, H. Ishii, and W. H. Chang
- 学会等名
  4th IEEE Electron Device Technology and Manufacturing (EDTM) Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ultrathin-body GeOI の円偏光フォトルミネッセンス2020
- 著者名/発表者名
  公平拓見、安武裕輔、張文馨、入沢寿史、石井裕之、内田紀行、前田辰郎、深津晋
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Epitaxial Growth of Ge/III-V Films and Hetero-Layer Lift-Off for Ultra-Thin GeOI Fabrication2020
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, T. Irisawa, H. Ishii, and W. H. Chang
- 学会等名
  PRiME 2020 G03: SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 9
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Performance and Reliability Improvement in Ge nMOSFETs with Different Surface Orientation through Channel Flattening Process2020
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, W. Mizubayashi, H. Ishii, and T. Maeda
- 学会等名
  4th IEEE Electron Device Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2020
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Advanced Layer Transfer Technology of post-Si Materials for Heterogeneous Integration2020
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, T. Irisawa, H. Ishii, and W. H. Chang
- 学会等名
  4th IEEE Electron Device Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2020
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ultrathin-body GeOI における量子閉じ込め電子ラマン散乱2020
- 著者名/発表者名
  公平拓見、安武裕輔、張文馨、入沢寿史、石井裕之、内田紀行、前田辰郎、深津晋
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Geチャネル平坦化プロセスにおけるGe nMOSFETsの面方位依存性2020
- 著者名/発表者名
  石井寛仁，張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 水林亘，前田辰郎
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Performance and Reliability Improvement in Ge nMOSFETs with Different Surface Orientation through Channel Flattening Process2020
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, W. Mizubayashi, H. Ishii, and T. Maeda
- 学会等名
  4th IEEE Electron Device Technology and Manufacturing (EDTM) Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Impact of Channel Flattening Process on Device Performance of Ge nMOSFETs with Different Surface Orientations2019
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, N. Uchida and T. Maeda
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Germanium Layer Transfer with Low Temperature Direct Bonding and Epitaxial Lift-off Technique for Ge-based monolithic 3D integration2019
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, Y. Kurashima, H. Takagi and N. Uchida
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] モノリシック3次元CMOS集積に向けたGe-On-Insulator技術2019
- 著者名/発表者名
  前田辰郎, 張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 倉島優一、髙木秀樹、内田紀行
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Significant Performance Enhancement of UTB GeOI pMOSFETs　by Advanced Channel Formation Technologies2018
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, N. Uchida and T. Maeda
- 学会等名
  Symposia on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] チャネル形成技術の高度化による極薄GeOI pMOSFETsの性能向上2018
- 著者名/発表者名
  張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 内田紀行, 前田辰郎
- 学会等名
  第210回シリコンテクノロジー研究集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] High performance UTB GeOI n and pMOSFETs featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology2018
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi,　Y. Kurashima, N. Uchida, and T. Maeda
- 学会等名
  AiMES 2018 (ECS and SMEQ Joint International Meeting), Symposium G03: SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] モノリシック3D CMOS に向けたUTB-GeOI 構造の開発2018
- 著者名/発表者名
  前田辰郎, 張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 内田紀行
- 学会等名
  第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] UTB-GeOIチャネル構造における裏面Siパッシベーションの効果2018
- 著者名/発表者名
  張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 内田紀行, 前田辰郎
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Electron and Acoustic Phonon Confinement in Ultrathin-Body Ge on Insulator2018
- 著者名/発表者名
  V. Poborchii, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, N. Uchida, J. Groenen, P. Geshev and T. Maeda
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, N. Uchida and T. Maeda
- 学会等名
  2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] High quality UTB GeOI by HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology for future Ge CMOS application2018
- 著者名/発表者名
  W.-H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, Hi. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida, T. Maeda
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] UTB-GeOI構造の超平坦化による正孔移動度向上2018
- 著者名/発表者名
  張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 内田紀行, 前田辰郎
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ultra-thin germanium-tin on insulator structure through direct bonding technique2018
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka and N. Uchida
- 学会等名
  ISTDM/ICSI 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 超薄膜ゲルマニウムのバンド構造2018
- 著者名/発表者名
  前田辰郎, 張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 服部浩之, 内田紀行, 山内淳
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida and T. Maeda
- 学会等名
  Sympia on VLSI technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148

1. 高木信一 (30372402)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
2. 前田辰郎 (40357984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 35件
3. 須藤祐司 (80375196)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 山本卓也 (10804172)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 齊藤雄太 (50738052)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 谷村洋 (70804087)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 春本高志 (80632611)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. CHANG WENHSIN

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

入沢 寿史 Irisawa Toshifumi

研究課題

研究成果

共同研究者

多形メモリテクノロジーの創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Low thermal budget epitaxial lift off (ELO) for Ge (111)-on-insulator structure2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Layer Transfer Technology for Stacked Multi-Channel Semiconductor-on-Insulator Platform2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Optical study of electron and acoustic phonon confinement in ultrathin-body germanium-on-insulator nanolayers2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Performance and reliability improvement in Ge(100) nMOSFETs through channel flattening process2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] (Invited) Epitaxial Growth of Ge/III-V Films and Hetero-Layer Lift-off for Ultra-Thin GeOI Fabrication2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Physical Mechanisms of Mobility Enhancement in Ultrathin Body GeOI pMOSFETs Fabricated by HEtero-Layer-Lift-Off Technology2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Ultra-thin germanium-tin on insulator structure through direct bonding technique2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High performance UTB GeOI n and pMOSFETs featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] エピタキシャルリフトオフ(ELO)法によるGeOI(111)構造の作成2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Layer Transfer Technology for Stacked Multi-Channel Semiconductor-on-Insulator Platform2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] UTB-GeOI の量子化準位の顕微フォトリフレクタンス測定2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Low Thermal Budget Epitaxial Lift Off for Ge (111)-on-Insulator Structure2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Advanced Layer Transfer Technology of post-Si Materials for Heterogeneous Integration2020

著者名/発表者名

学会等名

入沢寿史 Irisawa Toshifumi

[学会発表] Significant Performance Enhancement of UTB GeOI pMOSFETs　by Advanced Channel Formation Technologies2018