柯夢南 KE MENGNAN

研究者番号	40849402
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-8235-9559
所属 (現在)	2025年度: 横浜国立大学, 総合学術高等研究院, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2023年度: 千葉大学, 大学院工学研究院, 助教 2020年度: 東京理科大学, 工学部電気工学科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
キーワード	研究代表者トランジスタ / 半導体デバイス / ゲルマニウム / MOS界面 / 二次元材料 / トンネル効果 / Ge / 信頼性 / 界面準位 / 遅い準位 / MOSFET … もっと見る研究代表者以外 … もっと見るヘテロ接合 / ２次元物質 / 電気伝導 / 非平衡ダイナミクス / ナノ秒パルス / トンネル型電界効果トランジスタ / ファンデルワールス積層 / トランスファー技術 / バレーホール効果 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / ナノ秒パルス伝導隠す

縦型Ge/TMDCヘテロ界面トンネルFETの開発と物理機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  柯夢南
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2024
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  千葉大学
ナノ秒パルス伝導解析が拓く２次元ヘテロ構造における非平衡キャリアダイナミクス
- 研究代表者
  
  青木伸之
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  国際共同研究加速基金(海外連携研究)
- 審査区分
  
  中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
- 研究機関
  千葉大学
Ge MOS界面の遅い準位特性解明と密度低減手法確立更なる次世代デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  柯夢南
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  千葉大学
   東京理科大学

すべて 2024 2023 2021

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] High-definition direct-print of metallic microdots with optical vortex induced forward transfer2024
- 著者名/発表者名
  Wei Rong, Kawaguchi Haruki, Sato Kaito, Kai Sayaka, Yamane Keisaku, Morita Ryuji, Yuyama Ken-ichi, Kawano Satoyuki, Miyamoto Katsuhiko, Aoki Nobuyuki, Omatsu Takashige
- 雑誌名
  
  APL Photonics
  
  巻: 9 号: 3 ページ: 036108-036108
- DOI
  10.1063/5.0187189
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090, KAKENHI-ORGANIZER-22H05131, KAKENHI-PLANNED-22H05138, KAKENHI-PROJECT-23H00270, KAKENHI-PROJECT-23K26566
[雑誌論文] Realization of MoTe2 CMOS inverter by contact doping and channel encapsulation.2024
- 著者名/発表者名
  T. Xie, M. Ke, K. Ueno, K. Watanabe, T. Taniguchi, N. Aoki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 63
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[雑誌論文] Enhancing optical characteristics of mediator-assisted wafer-scale MoS2 and WS2 on h-BN2023
- 著者名/発表者名
  Sheng-Kuei Chiu, Ming-Chi Li, Ji-Wei Ci, Yuan-Chih Hung, Dung-Sheng Tsai, Chien-Han Chen, Li-Hung Lin, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Nobuyuki Aoki, Ya-Ping Hsieh, Chiashain Chuang
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 34
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[雑誌論文] Doping-Free High-Performance Photovoltaic Effect in a WSe<sub>2</sub> Lateral <i>p-n</i> Homojunction Formed by Contact Engineering2023
- 著者名/発表者名
  Le Thi Hai Yen, Ngo Tien Dat, Phan Nhat Anh Nguyen, Shin Hoseong, Uddin Inayat, Venkatesan A., Liang Chi-Te, Aoki Nobuyuki, Yoo Won Jong, Watanabe Kenji, Taniguchi Takashi, Kim Gil-Ho
- 雑誌名
  
  ACS Applied Materials & Interfaces
  
  巻: 15 号: 29 ページ: 35342-35349
- DOI
  10.1021/acsami.3c05451
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] 2層MoS2 /h -BN MISキャパシタでの界面準位密度の測定2024
- 著者名/発表者名
  鶴岡大樹、柯梦南、青木伸之
- 学会等名
  第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] Development of vertical TFET using ambipolar MoTe2/Ge and MoTe2/Si heterostructures2024
- 著者名/発表者名
  Mengnan Ke, Yuga Nakamura, Koya Kudo, Xueyang Han, Nobuyuki Aoki
- 学会等名
  The 66th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13361
[学会発表] ALDの実現に向けたオゾン処理と真空アニールによる WSe2表面へのSe欠陥導入2024
- 著者名/発表者名
  小島拓也、堀場大輔、柯梦南、青木伸之
- 学会等名
  第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] MoTe2/p-Ge、およびMoTe2/p++-Siヘテロ構造を用いた縦型TFETの研究2024
- 著者名/発表者名
  工藤晃哉、中村宥雅、青木伸之、柯夢南
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] 2層MoS2/h -BN MISキャパシタでの界面準位密度の測定2024
- 著者名/発表者名
  鶴岡大樹，青木伸之，柯夢南
- 学会等名
  第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13361
[学会発表] ALDの実現に向けたオゾン処理と真空アニールによるWSe2への表面改質の評価2024
- 著者名/発表者名
  小島拓也、堀場大輔、柯梦南、青木伸之
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] スプリットゲート構造によるバレー流の量子化現象の観測2024
- 著者名/発表者名
  高橋慶、中山祐輔、バードジョナサン、渡邊賢治、谷口尚、柯梦南、青木伸之
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] Development of vertical TFET using ambipolar MoTe2/Ge and MoTe2/Si heterostructures2024
- 著者名/発表者名
  Mengnan Ke, Yuga Nakamura, Koya Kudo, Xueyang Han, Nobuyuki Aoki
- 学会等名
  The 66th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] 単層MoS2におけるバレー流の局所ゲート制御2023
- 著者名/発表者名
  高橋慶、福田和紀、渡邊賢治、谷口尚、柯夢南、青木伸之
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] 2層MoS2 MISキャパシタでのコンダクタンス法による界面準位密度の測定と評価2023
- 著者名/発表者名
  鶴岡大樹，青木伸之，柯夢南
- 学会等名
  EEE Transdisciplinary-Oriented Workshop for Emerging Researchers 2023
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13361
[学会発表] h-BN層の挿入によるSiO2/h-BN/MoS2 n-FETのId-Vg ヒステリシスの制御2023
- 著者名/発表者名
  柯夢南，馮家泉，鶴岡大樹，謝天順，青木伸之
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13361
[学会発表] Study on vertical TFET with MoTe2/p-Ge and MoTe2/p ++ -Si hetero structure2023
- 著者名/発表者名
  工藤晃哉，中村宥雅，青木伸之，柯夢南
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13361
[学会発表] h-BN層の挿入によるSiO2/h-BN/MoS2 n-FETのId-Vg ヒステリシスの制御2023
- 著者名/発表者名
  柯夢南、馮家泉、鶴岡大樹、謝天順、青木伸之
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] Realization of vertical n- and p- TFET with ambipolar MoTe2 using MoTe2/p-Ge and MoTe2/n-Si heterostructures2023
- 著者名/発表者名
  Y. Nakamura, X. Han , N. Aoki and M. Ke
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13361
[学会発表] 2層 MoS2 MIS キャパシタでのコンダクタンス法による界面準位密度の測定と評価2023
- 著者名/発表者名
  鶴岡大樹、柯梦南、青木伸之
- 学会等名
  The 20th IEEE Transdisciplinary-Oriented Workshop for Emerging Researchers
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] High-performance CMOS inverter based on MoTe2-FETsachieved by contact doping and channel encapsulation2023
- 著者名/発表者名
  Tianshun Xie, Mengnan Ke, Nobuyuki Aoki
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] Charge Transfer Doping for P-Type 2D-FETs by Self Assembled Organic Monolayer Deposition and Use as Seed Layer in ALD Process2023
- 著者名/発表者名
  Daisuke Horiba, Takuya Kojima, Kohei Sakanashi, Mengnan Ke and Nobuyuki Aoki
- 学会等名
  International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] Realization of vertical n- and p- TFET with ambipolar MoTe2 using MoTe2/p-Ge and MoTe2/n-Si heterostructures2023
- 著者名/発表者名
  Yuga Nakamura, Xueyang Han, Nobuyuki Aoki and Mengnan Ke
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] ALDに向けた有機／無機アクセプター成膜によるWSe2-FETへの電荷移動ドーピングの評価2023
- 著者名/発表者名
  堀場大輔、坂梨昂平、柯梦南、青木伸之
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0090
[学会発表] C-V測定によるAl2O3/GeOx/p-Ge MOS界面の電子とホールの遅い準位密度の評価2021
- 著者名/発表者名
  柯夢南, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K14779

1. 青木伸之 (60312930)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
2. 音賢一 (30263198)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

柯 夢南 KE MENGNAN

研究課題

研究成果

共同研究者

縦型Ge/TMDCヘテロ界面トンネルFETの開発と物理機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノ秒パルス伝導解析が拓く２次元ヘテロ構造における非平衡キャリアダイナミクス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ge MOS界面の遅い準位特性解明と密度低減手法確立更なる次世代デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] High-definition direct-print of metallic microdots with optical vortex induced forward transfer2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Realization of MoTe2 CMOS inverter by contact doping and channel encapsulation.2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Enhancing optical characteristics of mediator-assisted wafer-scale MoS2 and WS2 on h-BN2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Doping-Free High-Performance Photovoltaic Effect in a WSe<sub>2</sub> Lateral <i>p-n</i> Homojunction Formed by Contact Engineering2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] 2層MoS2 /h -BN MISキャパシタでの界面準位密度の測定2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Development of vertical TFET using ambipolar MoTe2/Ge and MoTe2/Si heterostructures2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] ALDの実現に向けたオゾン処理と真空アニールによる WSe2表面へのSe欠陥導入2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] MoTe2/p-Ge、およびMoTe2/p++-Siヘテロ構造を用いた縦型TFETの研究2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 2層MoS2/h -BN MISキャパシタでの界面準位密度の測定2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] ALDの実現に向けたオゾン処理と真空アニールによるWSe2への表面改質の評価2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] スプリットゲート構造によるバレー流の量子化現象の観測2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Development of vertical TFET using ambipolar MoTe2/Ge and MoTe2/Si heterostructures2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 単層MoS2におけるバレー流の局所ゲート制御2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 2層MoS2 MISキャパシタでのコンダクタンス法による界面準位密度の測定と評価2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

柯夢南 KE MENGNAN