田中一 Tanaka Hajime

研究者番号	40853346
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 関西学院大学, 工学部, 講師
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 関西学院大学, 工学部, 講師 2022年度 – 2024年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 2020年度 – 2021年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教 2019年度: 京都大学, 大学院横断教育プログラム推進センター先端光・電子デバイス創成学卓越大学院, 特定助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 0302:電気電子工学およびその関連分野研究代表者以外大区分C
キーワード	研究代表者シミュレーション / 移動度 / 炭化ケイ素 / 量子輸送 / 原子論 / MOS反転層 / キャリア輸送 / ワイドギャップ半導体 / 衝突イオン化 / 高電界 … もっと見る / モンテカルロ / モンテカルロ法 / 散乱過程 / Hall移動度 / SiC / MOS界面 … もっと見る研究代表者以外 MOS界面 / 高温動作デバイス / パワーデバイス / 絶縁破壊 / MOSFET / 炭化珪素隠す

SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明研究代表者
- 研究代表者
  
  田中一
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  大阪大学
ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体における衝突イオン化現象の理論研究研究代表者
- 研究代表者
  
  田中一
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  大阪大学
炭化ケイ素MOS界面におけるキャリア輸送に関する理論研究研究代表者
- 研究代表者
  
  田中一
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 審査区分
  
  0302:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
   京都大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC2024
- 著者名/発表者名
  Tanaka Hajime, Kimoto Tsunenobu, Mori Nobuya
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 173 ページ: 108126-108126
- DOI
  10.1016/j.mssp.2024.108126
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces2024
- 著者名/発表者名
  Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, and Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 171 ページ: 108023-108023
- DOI
  10.1016/j.mssp.2023.108023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1709, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Full-band Monte Carlo analysis of strain effects on carrier transport in GaN2024
- 著者名/発表者名
  Miyazaki Wataru, Tanaka Hajime, Mori Nobuya
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 2 ページ: 02SP35-02SP35
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad1005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[雑誌論文] Origin of hole mobility anisotropy in 4H-SiC2024
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 135 号: 7 ページ: 075704-075704
- DOI
  10.1063/5.0186307
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1957, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Tight-binding analysis of the effect of strain on the band structure of GaN2023
- 著者名/発表者名
  W. Miyazaki, H. Tanaka, and N. Mori
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1076-SC1076
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb7fe
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[雑誌論文] Experimental and Theoretical Study on Anisotropic Electron Mobility in 4H-SiC2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 260 号: 10 ページ: 2300275-2300275
- DOI
  10.1002/pssb.202300275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1957, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Theoretical analysis of tunneling current in 4H-SiC Schottky barrier diodes under reverse-biased conditions based on the complex band structure2023
- 著者名/発表者名
  Murakami Yutoku、Nagamizo Sachika、Tanaka Hajime、Mori Nobuya
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1042-SC1042
- DOI
  10.35848/1347-4065/acaed2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-20H00250
[雑誌論文] Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces2023
- 著者名/発表者名
  Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, and Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 3 ページ: 031005-031005
- DOI
  10.35848/1882-0786/acc30d
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1709, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Carrier Trapping Effects on Forward Characteristics of SiC p-i-n Diodes Fabricated on High-Purity Semi-Insulating Substrates2022
- 著者名/発表者名
  Takahashi Katsuya、Tanaka Hajime、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 69 号: 4 ページ: 1989-1994
- DOI
  10.1109/ted.2022.3154673
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Simulation analysis of high-field carrier transport in wide-bandgap semiconductors considering tunable band structures and scattering processes2022
- 著者名/発表者名
  H. Tanaka, T. Kimoto, and N. Mori
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 22 ページ: 225701-225701
- DOI
  10.1063/5.0090308
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes2022
- 著者名/発表者名
  Hara Masahiro、Tanaka Hajime、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 120 号: 17 ページ: 172103-172103
- DOI
  10.1063/5.0088681
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-22KJ1709
[雑誌論文] Electron mobility along <0001> and <1-100> directions in 4H-SiC over a wide range of donor concentration and temperature2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 14 号: 6 ページ: 061005-061005
- DOI
  10.35848/1882-0786/abfeb5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Theoretical analysis of band structure effects on impact ionization coefficients in wide-bandgap semiconductors2020
- 著者名/発表者名
  Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto, and Nobuya Mori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 4 ページ: 041006-041006
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab7f16
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514
[学会発表] Impacts of band structures and scattering processes on high-field carrier transport in wide bandgap semiconductors2023
- 著者名/発表者名
  H. Tanaka, T. Kimoto, N. Mori
- 学会等名
  International Workshop on Computational Nanotechnology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[学会発表] Full-Band Monte Carlo Analysis of Strain Effects on Carrier Transport in GaN2023
- 著者名/発表者名
  W. Miyazaki, H. Tanaka, N. Mori
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[学会発表] Anisotropic Electron and Hole Mobilities in 4H-SiC Bulk Crystals2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  65th Electronic Materials Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Impacts of Band Structures and Scattering Processes on High-field Carrier Transport in Wide Bandgap Semiconductors2023
- 著者名/発表者名
  H. Tanaka, T. Kimoto, and N. Mori
- 学会等名
  Int. Workshop on Computational Nanotechnology 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High-Field Phenomena in SiC Material and Devices2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, H. Niwa, X. Chi, M. Hara, R. Ishikawa, H. Tanaka, and M. Kaneko
- 学会等名
  Symposium on Silicon Carbide as Quantum-Classical Platform 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Full-band Monte Carlo analysis of the effects of strain on the impact ionization of GaN2023
- 著者名/発表者名
  W. Miyazaki, H. Tanaka, N. Mori
- 学会等名
  22nd International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[学会発表] 4H-SiCの衝突イオン化係数の理論解析2023
- 著者名/発表者名
  田中一, 木本恒暢, 森伸也
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[学会発表] Monte Carlo Simulation of Electron Transport in SiC MOS Inversion Layers Considering Capture and Emission by Interface States2022
- 著者名/発表者名
  F. Tanaka, H. Tanaka, and N. Mori
- 学会等名
  IEEE 2022 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anisotropy of hole mobility in 4H-SiC over wide ranges of acceptor concentration and temperature2022
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Tight-Binding Analysis of the Effect of Strain on the Band Structure of GaN2022
- 著者名/発表者名
  W. Miyazaki, H. Tanaka, and N. Mori
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[学会発表] Theoretical Analysis of Tunneling Current in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Under Reverse-biased Condition Based on Complex Band Structure2022
- 著者名/発表者名
  Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori
- 学会等名
  2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Theoretical Analysis of Tunneling Effect in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Based on Complex Band Structure2022
- 著者名/発表者名
  Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori
- 学会等名
  Int. Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] GaNのバンド構造に歪みが与える影響の強束縛近似法に基づく解析2022
- 著者名/発表者名
  宮崎航, 田中一, 森伸也
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[学会発表] Tight-binding and full-band Monte Carlo analysis of the strain effects in wurtzite GaN2022
- 著者名/発表者名
  W. Miyazaki, H. Tanaka, and N. Mori
- 学会等名
  Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[学会発表] Contribution of a split-off band to tunneling current in heavily-doped p-type SiC Schottky barrier diodes2022
- 著者名/発表者名
  T. Kitawaki, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, R. Ishikawa, X. Chi, D. Stefanakis, T. Kobayashi, and H. Tanaka
- 学会等名
  67th IEEE Int. Electron Devices Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] A New Horizon of SiC Technology Driven by Deeper Understanding of Physics2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, M. Kaneko, T. Kobayashi, H. Tanaka, K. Tachiki, A. Iijima, S. Yamashita, X. Chi, Y. Zhao, D. Stefanakis, and Y. Matsushita
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Monte Carlo simulation of two-dimensional carrier mobility in wide-gap semiconductor devices2021
- 著者名/発表者名
  N. Mori, H. Tanaka, T. Hoshino, G. Mil'nikov
- 学会等名
  International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514
[学会発表] Electronic States in 4H-SiC MOS Inversion Layers Considering Crystal Structure Using Empirical Pseudopotential Method2021
- 著者名/発表者名
  S. Nagamizo, H. Tanaka, N. Mori
- 学会等名
  International Workshop on Computational Nanotechnology 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514
[学会発表] Ideal Thermionic Field Emission and Field Emission Transport through Metal/Heavily-Doped SiC Schottky Barriers2021
- 著者名/発表者名
  M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anisotropy of electron mobility in 4H-SiC over wide ranges of donor concentration and temperature2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] 強束縛近似法による酸化ガリウムの電子状態の解析に関する研究2021
- 著者名/発表者名
  入田一輝，岡田丈，橋本風渡，田中一，森伸也
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14195
[学会発表] 衝突イオン化係数のバンド構造に対する依存性の理論的解析2020
- 著者名/発表者名
  田中一, 木本恒暢, 森伸也
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514
[学会発表] 経験的擬ポテンシャル法を用いた4H-SiCにおける浮遊電子状態の計算2020
- 著者名/発表者名
  永溝幸周, 田中一, 森伸也
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514
[学会発表] ワイドギャップ半導体の衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の解析2020
- 著者名/発表者名
  田中一，木本恒暢，森伸也
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514
[学会発表] 界面準位の影響に着目したSiC MOS反転層における電子輸送の理論的検討2020
- 著者名/発表者名
  田中一, 森伸也
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第6回個別討論会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514
[学会発表] Theoretical Study of Band Structure Effects on Impact Ionization Coefficients in Wide-bandgap Semiconductors2019
- 著者名/発表者名
  Hajime Tanaka, Nobuya Mori, and Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514
[学会発表] 衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の理論解析2019
- 著者名/発表者名
  田中一，木本恒暢，森伸也
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514
[学会発表] Monte Carlo Simulation of Hall Mobility in 4H-SiC MOS Inversion Layers2019
- 著者名/発表者名
  Hajime Tanaka and Nobuya Mori
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23514

1. 木本恒暢 (80225078)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
2. 金子光顕 (60842896)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件

田中 一 Tanaka Hajime

研究課題

研究成果

共同研究者

SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ワイドギャップ半導体における衝突イオン化現象の理論研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化ケイ素MOS界面におけるキャリア輸送に関する理論研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Full-band Monte Carlo analysis of strain effects on carrier transport in GaN2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Origin of hole mobility anisotropy in 4H-SiC2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Tight-binding analysis of the effect of strain on the band structure of GaN2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Experimental and Theoretical Study on Anisotropic Electron Mobility in 4H-SiC2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Theoretical analysis of tunneling current in 4H-SiC Schottky barrier diodes under reverse-biased conditions based on the complex band structure2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Carrier Trapping Effects on Forward Characteristics of SiC p-i-n Diodes Fabricated on High-Purity Semi-Insulating Substrates2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Simulation analysis of high-field carrier transport in wide-bandgap semiconductors considering tunable band structures and scattering processes2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes2022

著者名/発表者名

田中一 Tanaka Hajime