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荻田 陽一郎  OGITA Yoh-Ichirro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50016549
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1998年度 – 2000年度: 神奈川工科大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
Subsurface characterization / Silicon wafer / 表面層評価 / 表面層ダメージ / シリコンウェーハ / Surface potential / Ion implantation damage / Polishing damage / Millimeter wave / Subsurface damage … もっと見る / Noncontact measurement / 光導電減衰 / キャリヤライフタイム / 光導電振幅 / シリコンウェーハ表面層 / 表面光起電力 / 水素イオン注入ダメージ / ケルビンプローブ / 非接触測定評価 / 表面電位 / イオン注入ダメージ / 研磨ダメージ / ミリ波 / 非接触測定 / Mirror polishing damage / Engineering tool / Ultrasonic vibration grinding / Grinding wheel / Polishing induced damage / Shear-mode grinding / 鏡面研削ダメージ / 鏡面研削 / 研磨加工変質層 / 光導電減衰法 / 非接触測定評価法 / 研削加工変質層 / 超音波振動研削 / エンジニアリングツール / 研削ホイール / 鏡面研磨ダメージ / シェアモード研削 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 共同研究者

    (4人)
  •  シリコン結晶のシェアモード研削と加工変質層の評価研究代表者

    • 研究代表者
      荻田 陽一郎
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      神奈川工科大学
  •  シリコンウェーハ極表面層の非接触測定評価法の研究研究代表者

    • 研究代表者
      荻田 陽一郎
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      神奈川工科大学
  • 1.  今井 健一郎 (00308537)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  橋本 洋 (10198690)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  BLADEL Kenne
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  DORNFELD Dav
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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