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佐治 学  SAJI Manabu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50024211
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1986年度 – 1990年度: 名古屋工業大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性
研究代表者以外
応用物性 / 無機工業化学・無機材料工学
キーワード
研究代表者
Surface Analysis by AES and ESCA / MOCVD / Crystal Growth of CdTe / 半導体清浄面への金属の吸着 / MOCVD法による結晶成長 / オージェ電子分光法による観察 / II-VI族化合物半導体 / 結晶表面の安定化 / CdTe結晶成長 / MOCVD法 … もっと見る / CdTeの表面安定化 / AES、ESCAによる表面分析 / NOCVD法 / CdTeの結晶成長 / カ-バイド / 高温デバイス / オ-ミック接触 / シリサイド / CVD成長 / 6HーSiC / 3CーSiC … もっと見る
研究代表者以外
Amorphous film / Chalcogenide glass / Electron Beam Surface deposition / Super ionic conduction / Photodoping / Photosurface deposition / 非晶質薄膜 / カルコゲナイドガラス / 電子線析出現象 / 超イオン伝導 / 光ド-ピング現象 / 光析出現象 / 熱ドーピング / 光構造変化 / 非晶質半導体 / 金属-ガラス複合膜 / Ge-S膜 / PSD現象 / カルコゲナイド非晶頂 / カルコゲナイド薄膜 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  金属ーSiC界面のシリサイド及びカ-バイド生成と電極としての評価研究代表者

    • 研究代表者
      佐治 学
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  銀ーゲルマカルコゲナイド非晶質薄膜の光・電子線誘起現象に伴う表面反応と構造変化

    • 研究代表者
      丸野 重雄
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  IIーVI族化合物半導体の表面障壁ダイオードに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      佐治 学
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  金属カルコゲナイド非晶質薄膜の研究

    • 研究代表者
      丸野 重雄
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      無機工業化学・無機材料工学
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  • 1.  丸野 重雄 (60024204)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  川口 健 (80144195)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  安田 和人 (60182333)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  増井 寛二 (10024358)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  江川 満 (70213527)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  土井 彰 (30024326)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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