紫垣一貞 KAZUSADA Shigaki

… 別表記

柴垣一貞シガキカズサダ

研究者番号	50044722
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2007年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 准教授 2005年度 – 2006年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授 2004年度: 独立行政法人国立高等専門学校機構熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授 2004年度: 独立行政法人国立高等専門学校機構熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授 2002年度 – 2003年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授 1999年度 – 2001年度: 熊本電波工業高等専門学校, 情報通信工学科, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者工学基礎 / 金属物性 / 構造・機能材料研究代表者以外無機材料・物性
キーワード	研究代表者格子欠陥 / 照射損傷 / 半導体デバイス / Recovery by annealing / Induced lattice defects / Degradation / Electron / High energy particle / Radiation damage / 回復 … もっと見る / 熱処理 / 劣化 / 宇宙空間 / 高エネルギー粒子 / recovery / induced lattice defect / SOI transisor / SiC transistor / proton / electron / radiation damage / MOSFET / 歪Si / GaN LED / 高温照射 / 電子線 / 陽子線 / SiGe / 特性劣化 / 宇宙環境 / 放射線 / SOI MOS / InGaAs photodiode / 高工ネルギー粒子 / AlGaAs HEMT / InGaAs HEMT / InGaAsデバイス … もっと見る研究代表者以外 SiGe / MOSFET / radiation damage / proton / SiC / 高温照射 / 電子線 / 歪Si / 照射損傷 / 陽子線隠す

先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構研究代表者
- 研究代表者
  
  紫垣一貞
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  工学基礎
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
半導体デバイスの放射線照射損傷における高温照射効果
- 研究代表者
  
  工藤友裕
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
半導体デバイスの高・低温放射線照射に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  紫垣一貞
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
InGaAsデバイスの放射線損傷とその低減法研究代表者
- 研究代表者
  
  紫垣一貞 (柴垣一貞)
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校

すべて 2003

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Irradiation temperature dependence of radiation damage in STI diodes2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Hayama, K.Takakura, T.Miura, K.Shigaki, T.Jono, E.Simoen, A.Poyai, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 66
  
  ページ: 517-521
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Influence of irradiation temperature on electron-irradiated STI diodes2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Hayama, K.Takakura, T.Miura, K.Shigaki, T.Jono, E.Simoen, A.Poyai, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science 14
  
  ページ: 451-454
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damage of Si photodides by high-temperature irradiation2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, K.Shigaki, T.Jono, E.Simoen, C.Claeys, J.Uemura, T.Kishikawa
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 66
  
  ページ: 536-541
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660

1. 工藤友裕 (90225160)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 葉山清輝 (00238148)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 2件
3. 大山英典 (80152271)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 3件
4. 博多哲也 (60237899)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 高倉健一郎 (70353349)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 3件

紫垣 一貞 KAZUSADA Shigaki

柴垣 一貞 シガキ カズサダ

研究課題

研究成果

共同研究者

先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体デバイスの放射線照射損傷における高温照射効果

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体デバイスの高・低温放射線照射に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InGaAsデバイスの放射線損傷とその低減法研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Irradiation temperature dependence of radiation damage in STI diodes2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Influence of irradiation temperature on electron-irradiated STI diodes2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Radiation damage of Si photodides by high-temperature irradiation2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

紫垣一貞 KAZUSADA Shigaki

柴垣一貞シガキカズサダ