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山本 康博  YAMAMOTO Yasuhiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50139383
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 法政大学, その他部局等, 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1994年度 – 2004年度: 法政大学, 工学部, 教授
1986年度 – 1987年度: 法政大学, イオンビーム工学研究所, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
IBIEC / SOI / SiGe / CeO_2 / Ion Beam Sputtering / Interface Reaction / Amorphous Silicon / Hetro Epitaxy / 核的散乱 / イオンの電子 … もっと見る / 固相エピタキシ / ランプ加熱 / イオンビームスパッタ / 界面反応 / アモルファスシリコン / イオンビーム誘起結晶化 / ヘテロエピタキシ … もっと見る
研究代表者以外
LSI / 高速化 / CMP / 銅配線 / 配線層 / Delamination / イオン注入 / 薄膜 / シリコン / Ohmic contact / Interconnection / Gate / Ion implantation / Silicide / フジュンブツブンプ / イオンチュウニュウ / デンキョク / 不純物プロファイル / 配線 / ゲート電極 / タングステン / シリサイド / Copper-hexafluoro-silicate electrolytic solution / Low resistivity Cu layer / Electroplating / High speed logic LSI / Cu interconnection layer / LSI's / 比抵抗 / 銅メッキ / 超LSI / 核生成制御 / 比抵抗低減 / メッキ膜 / ケイフッ化銅メッキ液 / 低比抵抗銅膜 / メッキ / 銅配線層 / planarizatrion / Adhesion strength / Thermal stability / Cu interconnection / Low ε interlayer / LSI層間絶縁膜 / 定着力向上 / 耐熱性向上 / 多層配線層 / 超LSI高速化 / 耐熱性 / 低誘電率膜 / 平坦化 / 密着力 / 界面反応 / 高速LSI / 低誘電率層間膜 / Thin layr / Sol / Si / H / Ion Implantation / ハクマク / はく離 / デラミネーション / SOI / 水素イオン / Electron Beam Irradiation / Epitaxial Growth / Silicon / Cerium Dioxide / 絶縁物薄膜 / 電子ビーム照射 / イオン化蒸着 / ヘテロエピタキシ / 二酸化セリウム(CeO_2) / Conformality / Ta / Target / Beam distribution / Collimation / Sputtering / カクドブンプ / マクシツ / チタン / コリメータ / ビーム角 / メタル膜 / オーミックコンタクト / コンフオマリティ / チタンマク / ターゲット / コリメーション / スパッタ 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  LSI銅配線層の低比抵抗化に関する研究

    • 研究代表者
      原 徹
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      法政大学
  •  高耐熱性低誘電率層間絶縁膜に関する研究

    • 研究代表者
      原 徹
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      法政大学
  •  イオンビーム誘起エピタキシャル結晶化による絶縁物上シリコンエピタキシャル成長研究代表者

    • 研究代表者
      山本 康博
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      法政大学
  •  イオン注入ボイドを用いた新しいSOI作製法(ボイドカット法)に関する基礎的研究

    • 研究代表者
      原 徹
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      法政大学
  •  Si(100)基板上へのCeO_2(110)膜のエピタキシャル成長

    • 研究代表者
      井上 知泰
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      いわき明星大学
  •  コリメーションパッタに関する基礎的研究

    • 研究代表者
      原 徹
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      法政大学
  •  シリサイド及びメタルヘのイオン注入

    • 研究代表者
      原 徹
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      法政大学
  • 1.  原 徹 (00147886)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  佐藤 政孝 (40215843)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  井上 知泰 (60193596)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  浜中 宏見 (10061235)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  長野 昌三
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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