名取晃子 NATORI Akiko

研究者番号	50143368
その他のID
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度 – 2009年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 2001年度 – 2002年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 1996年度 – 1998年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 1994年度 – 1995年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 1988年度 – 1991年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 1987年度: 電気通信大学, 電気通信学部・電子工学科, 講師 1987年度: 電通大, 電気通信学部, 講師
審査区分/研究分野	研究代表者固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 理工系 / 物性Ⅰ / 応用物性
キーワード	研究代表者量子ドット / Si / SiO_2 / 局所誘電特性 / 磁場効果 / 多電子基底状態 / 非制限ハートレーフォック法 / 多電子相関効果 / ステップバンチング / magnetic field … もっと見る / spin correlation / Hubbard model / quantum Monte Carlo method / electron correlation / spin coupling / double quantum dots / 磁場 / スピン相関 / ハバードモデル / 量子モンテカルロ法 / 電子相関 / スピン結合 / 2重量子ドット / silicon dioxide / hole penetration depth / tunneling barrier / valence band offset / Si酸化膜 / ホール浸入長 / トンネル障壁 / 価電子帯バンドオフセット / Monte Carlo simulation / Tersoff-Dodson potential / surface melting / Si (111) / テルソフ型ポテンシャル / スティリンジャ・ウェーバーポテンシャル / 短距離秩序構造 / モンテカルロシミュレーション / Tersoff-Dodsonポテンシャル / 表面融解 / Si(111) / 計算機シミュレーション / 成長モード / アニーリング / 薄膜成長 / GeO2 / high-k膜 / 計算物理学 / 欠陥 / 表面・界面 / 界面欠陥 / .表面・界面物性 / 半導体超微細化 / 計算物性 / スティックスリップ運動 / 高次スリップ運動 / Tomlinsonモデル / ナノコンタクト / 摩擦力顕微鏡 / 摩擦 / 超潤滑 / ナノトライボロジー / トンネル速度 / 多電子束縛状態 / 磁気スイッチ / ハートレーフォック法 / 磁場誘起転移 / 微分容量 / D^-イオン / ガウス型軌道 / ステップ / 7×7構造相転移 / TSKモデル / Si(111)微斜面 / ドメイン転換 / ステップ問相互作用 / Si(100) / ステップ構造 / エレクトロマイグレ-ション … もっと見る研究代表者以外表面拡散 / シリコン表面 / エレクトロマイグレ-ション / 走査オージェ電子分光 / 超薄膜 / 質量輸送 / エレクトロマイグレーション / 界面 / 薄膜成長モード / 物質輸送 / 表面 / 表面エレクトロマイグレーション / 計算機シミュレ-ション / シリコン表面ステップ / ひ化ガリウム表面 / ゲルマニウム表面 / 表面質量輸送 / 電位顕微鏡 / ステップ / Si(111)7×7 隠す

ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  電気通信大学
ナノスケールSiO2/Si界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  電気通信大学
ナノコンタクトの摩擦機構と超潤滑研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  電気通信大学
2重量子ドツト少数粒子束縛状態の外場制御研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  電気通信大学
ヘテロエピタキシャル結晶SiO_2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  電気通信大学
半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学
半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学
半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  電気通信大学
異方的量子ドットを介したトンネル電流の多電子相関効果研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学
異方的量子ドットを介したトンネル電流の多電子相関効果研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学
高温Si(111)1×1面の表面原子構造研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  電気通信大学
Si(100)、(111)面ステップダイナミクスの通電効果研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学
Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  電気通信大学
エレクトロマイグレ-ションによる半導体界面の形成
- 研究代表者
  
  安永均
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学
半導体の清浄表面と初期界面の電気的特性
- 研究代表者
  
  安永均
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学
表面エレクトロマイグレーションによって形成される半導体表面層の研究
- 研究代表者
  
  安永均
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学
超薄膜の微視的構造と安定性に関する計算機シミュレーション研究代表者
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究機関
  電気通信大学
表面エレクトロマイグレーションによる表面新物質相の製作
- 研究代表者
  
  安永均
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  電気通信大学

すべて 2009 2008 2007 2006

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Ballistic thermal conductance of electrons in graphene ribbons2009
- 著者名/発表者名
  E.Watanabe, S.Yamaguchi, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 80
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] Band bending effects on scanning tunneling microscope images of subsurface dopants2009
- 著者名/発表者名
  M.Hirayama, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] In-plane strain effect on dielectric properties of the HfO2 thin films2009
- 著者名/発表者名
  S.Wakui, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  J.Vac Sci.Technol.B 27
  
  ページ: 2020-2023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] Anisotropic half-metallic ground state of Mn atomic wire on GaAs(110)2009
- 著者名/発表者名
  M.Hirayama, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.B 27
  
  ページ: 2062-2065
- NAID
  10025620814
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] Size effects in friction of multiatomic sliding contacts2008
- 著者名/発表者名
  M. Igarashi, J. Nakamura, A. Natori
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[雑誌論文] Atomic scale dielectric constant near the SiO2/Si(001)interface2008
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B 26
  
  ページ: 1579-1584
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] Size effects in friction of multiatomic sliding contacts2008
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[雑誌論文] Dielectric properties of the interface between Si and SiO22007
- 著者名/発表者名
  S.Wakui, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 46
  
  ページ: 3261-3264
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[雑誌論文] Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and dynamic superlubricity at torsional resonance2007
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[雑誌論文] Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/oxide interface:A first-principles approach2007
- 著者名/発表者名
  J.Nakamura, S.Wakui, S.Eguchi, R.Yanai, A.Natori
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[雑誌論文] Mechanism of velocity saturation of atomic friction2007
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46
  
  ページ: 5591-5594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] Ge酸化物超薄膜の誘電特性2009
- 著者名/発表者名
  田村雅大、涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第29回表面科学学術講演会
- 発表場所
  タワーホール船堀
- 年月日
  2009-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film2009
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces(PCSI-36)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, 米国
- 年月日
  2009-01-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Dielectric constant profiles of the thin-films : Alpha- and Beta-quartz phase of(Si or Ge)dioxide2009
- 著者名/発表者名
  中村淳, 涌井貞一, 田村雅大, 名取晃子
- 学会等名
  12^<th> Conf.on the Formation of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Weimer、ドイツ
- 年月日
  2009-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] HfO2超薄膜の誘電特性:結晶構造依存性2009
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] 歪みHfO2薄膜の誘電特性2009
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] 第一原理計算によるSi(001)/La2O3(01-10)界面のバンドオフセット2009
- 著者名/発表者名
  谷内亮介、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Anomalous enhancement of the local dielectric constant near defects in SiO22008
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  14th International Conference on Solid Films and Surface(ICSFS-14)
- 発表場所
  ダブリン,アイルランド
- 年月日
  2008-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Polytype dependence on permittivity of SiC2008
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura, Y. Iwasaki, S. Wakui, A. Natori
- 学会等名
  ICSFS-14
- 発表場所
  ダブリン,アイルランド
- 年月日
  2008-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] HfO2超薄膜の誘電特性2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第28回表面科学学術講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2008-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] ナノスケールの摩擦機構:ティップサイズ効果2008
- 著者名/発表者名
  五十嵐正典、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  日本物理学会第63回年次大会
- 発表場所
  近畿大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] Atomic-scale friction of nanometer-sized cantacts2008
- 著者名/発表者名
  M. Igarashi, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  14^<th> Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
- 発表場所
  Dublin
- 年月日
  2008-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] First- principles evaluation of the polytype-dependence of the local dielectric constant for SiC2008
- 著者名/発表者名
  K. Sato, Y. Iwasaki, S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  ISSS-5
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2008-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] ナノスケールの摩擦機構 : ティップサイズ効果2008
- 著者名/発表者名
  五十嵐正典、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  日本物理学会2008年春季大会
- 発表場所
  近畿大学
- 年月日
  2008-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日大船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] Atomic scale friction of nanometer-sized contacts2008
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  14^<th> Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
- 発表場所
  Dublin
- 年月日
  2008-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] SiC結晶多形の誘電率 ; 第一原理計算による積層構造依存性評価2008
- 著者名/発表者名
  佐藤耕平, 岩崎雄一, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大
- 年月日
  2008-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Dielectric properties of the ultra-thin La2O3(0001) film2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ryosuke, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5)
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2008-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] La2O3(0001)超薄膜の誘電特性2008
- 著者名/発表者名
  谷内良亮, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第28回表面科学学術講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2008-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  物理学会第63回年次大会
- 発表場所
  近畿大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] La2O3(0001)超薄膜の誘電特性2008
- 著者名/発表者名
  谷内良亮, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Dielectric properties of the interface between Si and SiO22008
- 著者名/発表者名
  S.Wakui, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  35th Conf. on the Physics and Semiconductor Interface
- 発表場所
  Santa Fe
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/oxide interface:A first-principles approach2007
- 著者名/発表者名
  J.Nakamura, S.Wakui, S.Eguchi, R.Yanai, A.Natori
- 学会等名
  212th ECS
- 発表場所
  Washington DC
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] Mechanism of velocity saturation and lateral resonance in atomic-scale friction2007
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  IVC-17/ICSS-13 and ICN+T
- 発表場所
  Stockholm
- 年月日
  2007-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] Dielectric properties of the interface between Si and SiO22007
- 著者名/発表者名
  S.Wakui, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  5th Int.Sympo.on Control ofSemiconductor Inter faces
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] 原子スケール摩擦力の速度飽和機構2006
- 著者名/発表者名
  五十嵐正典、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  日本物理学会2006年秋季大会
- 発表場所
  千葉大学
- 年月日
  2006-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] Mechanism of velocity saturation of atomic friction and the dynamical superlubricity at torsional resonance2006
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  14^<th> Int. Colloqui. on Scanning Probe Microscopy
- 発表場所
  Atagawa
- 年月日
  2006-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313

1. 中村淳 (50277836)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 38件
2. 安永均 (40017330)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
3. 奥山直樹 (50017406)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件

名取 晃子 NATORI Akiko

研究課題

研究成果

共同研究者

ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノスケールSiO2/Si界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノコンタクトの摩擦機構と超潤滑研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

2重量子ドツト少数粒子束縛状態の外場制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ヘテロエピタキシャル結晶SiO_2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

半導体ヘテロ界面の異方的量子ドットの多電子束縛状態とトンネル速度と磁場効果研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

異方的量子ドットを介したトンネル電流の多電子相関効果研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

異方的量子ドットを介したトンネル電流の多電子相関効果研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

高温Si(111)1×1面の表面原子構造研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si(100)、(111)面ステップ ダイナミクスの通電効果研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

エレクトロマイグレ-ションによる半導体界面の形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

名取晃子 NATORI Akiko

Si(100)、(111)面ステップダイナミクスの通電効果研究代表者